JP4509973B2 - 窒化物系化合物層の製造方法、窒化物系化合物基板の製造方法、並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化物系化合物層の製造方法、窒化物系化合物基板の製造方法、並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4509973B2 JP4509973B2 JP2006170286A JP2006170286A JP4509973B2 JP 4509973 B2 JP4509973 B2 JP 4509973B2 JP 2006170286 A JP2006170286 A JP 2006170286A JP 2006170286 A JP2006170286 A JP 2006170286A JP 4509973 B2 JP4509973 B2 JP 4509973B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- gan substrate
- layer
- gan
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 65
- -1 Nitride compound Chemical class 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 32
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 41
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N asunaprevir Chemical compound O=C([C@@H]1C[C@H](CN1C(=O)[C@@H](NC(=O)OC(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=NC=C(C2=CC=C(Cl)C=C21)OC)N[C@]1(C(=O)NS(=O)(=O)C2CC2)C[C@H]1C=C XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N 0.000 description 1
- 229940125961 compound 24 Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02469—Group 12/16 materials
- H01L21/02472—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02483—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、窒化物系化合物層を形成する方法及びこれを利用した窒化物系化合物基板並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子を製造する方法に関する。さらに詳しくは、ＧａＮ基板上に所定パターンのマスク層とバッファ層を形成した後側面成長方式で窒化物系化合物層を形成し、湿式蝕刻法を利用して上記マスク層とバッファ層を除去してＧａＮ基板を損傷なく分離することにより、高価なＧａＮ基板を再活用することが可能な窒化物系化合物層を形成する方法及びこれを利用した窒化物系化合物基板及び垂直構造窒化物系半導体発光素子を製造する方法に関する。
一般的に、窒化物系化合物はＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ等のようなＩＩＩ-Ｖ族化合物結晶として、短波長光(紫外線ないし緑色光)、特に青色光を出すことが可能な発光素子に広く使用される。窒化物系化合物は結晶成長のため格子整合条件を満足する常用基板が存在しないため、通常サファイア基板やＳｉＣ基板などの基板を利用して製造された。このようなサファイア基板やＳｉＣ基板は窒化物系化合物と格子常数が一致しないため、格子常数の差により高品位の窒化物系化合物を成長させることが非常に難しい。
一方、格子常数が一致するＧａＮのような窒化物系化合物からなる基板が製作されてはいるが、非常に高価で発光素子の製造工程においてラッピング及びポリシング工程により研削、研磨されるべきであるため高価の基板を再活用することが不可能である。
一方、格子常数が一致するＧａＮのような窒化物系化合物からなる基板が製作されてはいるが、非常に高価で発光素子の製造工程においてラッピング及びポリシング工程により研削、研磨されるべきであるため高価の基板を再活用することが不可能である。
図４は従来技術に伴うＧａＮ基板を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法の一部を図示した工程断面図である。図４(ａ)のように、従来のＧａＮ基板を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法は、所定厚さｄを有するＧａＮ基板１１上に窒化物系化合物半導体からなる発光構造物１２を形成した後、個別素子に分離する工程を容易にするためラッピング、ポリシング工程を利用して上記ＧａＮ基板の下面を研削、研磨して図４の(ｂ)のようにＧａＮ基板１１の厚さｄ'を減少させる。
このように従来のＧａＮ基板を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法は、ラッピング、ポリシング工程により上記ＧａＮ基板が研削、研磨され除去されるため、高価のＧａＮ基板を再び活用することが不可能な問題点がある。
従って、当技術分野では高価のＧａＮ基板を再活用することにより製造される製品の生産費用を低減することが可能な技術が要求されてきた。
本発明は上記従来技術の問題点を解決するため案出されたものであり、その目的は、ＧａＮ基板上に所定パターンのマスク層とバッファ層を形成した後、側面成長方式で窒化物系化合物層を形成し、湿式蝕刻法を利用して上記マスク層とバッファ層を除去してＧａＮ基板を損傷なく分離することにより、高価なＧａＮ基板を再活用することが可能な窒化物系化合物層を形成する方法及びこれを利用したＧａＮ基板（窒化物系化合物基板）並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子を製造する方法を提供することにある。
上記目的を達成するための技術的構成として本発明は、ＧａＮ基板を備える工程と、上記ＧａＮ基板上に上記ＧａＮ基板上面の一部を露出させる所定パターンのマスク層を形成する工程と、上記露出されたＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数の差が１０％以下の物質からなるバッファ層を形成する工程と、上記バッファ層上面から上記マスク層の上面に窒化物系化合物を側面成長させた後垂直方向に所定厚さの窒化物系化合物層を成長させる工程と、上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記ＧａＮ基板と上記窒化物系化合物層を分離する工程と、を含むことを特徴とする窒化物系化合物層の製造方法を提供する。
なお、上記バッファ層はＧａＮと格子常数の差が５％以下であることが好ましい。
また、本発明は、上記バッファ層がＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３またはＺｒＢ２からなることが好ましく、上記マスク層はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることが好ましい。また、上記湿式蝕刻に使用される蝕刻溶液は塩酸（ＨＣｌ）水溶液であることが好ましい。
上記本発明の他の目的を達成するための技術的構成として本発明は、シード用ＧａＮ基板を備える工程と、上記シード用ＧａＮ基板上面にシード用ＧａＮ基板上面の一部を露出させる所定パターンのマスク層を形成する工程と、上記露出されたシード用ＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数差が１０％以下の物質からなるバッファ層を形成する工程と、上記バッファ層上面から上記マスク層の上面にＧａＮを側面成長させた後ＧａＮを垂直方向に成長させ所定厚さのＧａＮ基板を形成する工程と、上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記シード用ＧａＮ基板と形成されたＧａＮ基板を分離する工程を含むことを特徴とするＧａＮ基板の製造方法を提供する。
また、本発明において、上記ＧａＮ基板を形成する工程は、ＨＶＰＥ法を利用してＧａＮを成長させる工程であることが好ましい。
上記本発明のまた異なる目的を達成するための技術的構成として本発明は、ＧａＮ基板を備える工程と、上記ＧａＮ基板上に上記ＧａＮ基板上面一部を露出させる所定パターンのマスク層を形成する工程と、上記露出されたＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数差が１０％以下の物質からなるバッファ層を形成する工程と、上記バッファ層上面から上記マスク層上面に第１導電性不純物がドープされた第１導電型窒化物系化合物半導体を側面成長させた後垂直方向に上記第１導電型窒化物系化合物半導体を成長させ第１導電型窒化物系化合物半導体層を形成し、上記第１導電型窒化物系化合物半導体層上に窒化物系化合物からなる活性層及び第２導電型不純物がドープされた第２導電型窒化物系化合物半導体層を順次に成長させ発光構造物を形成する工程と、上記発光構造物上に導電性キャリア基板を形成する工程と、上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記ＧａＮ基板と上記発光構造物を分離する工程と、を含むことを特徴とする垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
本発明において、上記発光構造物を形成する工程は、ＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物系半導体化合物を成長させる工程であることが好ましい。
また、本発明において、上記ＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層の下面及び上記導電性キャリア基板の上面に各々電極を形成する工程をさらに含むことが可能である。
本発明によると、このような湿式蝕刻により損傷なくＧａＮ基板を分離することにより高価なＧａＮ基板を再度活用することが可能なため、窒化物系化合物層、ＧａＮ基板及び窒化物系半導体発光素子の製造費用を低減することが可能な効果がある。また、側面成長法を応用して窒化物系化合物または窒化物系化合物半導体を成長させることにより、これら物質を成長させるための高品位のＧａＮ基板より高品位を有する窒化物系化合物層、ＧａＮ基板、窒化物系半導体発光素子を製造することが可能な効果がある。特に、窒化物系半導体発光素子の輝度特性を改善することが可能な優秀な効果がある。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態をより詳細に説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることが可能で、本発明の範囲が以下に説明される実施形態で限定されるものではない。
図１は本発明の一実施形態に伴う窒化物系化合物層を形成する方法及び窒化物系化合物基板（ＧａＮ基板）を製造する方法を図示した工程断面図である。図１において符号２４は製造される窒化物系化合物層及びＧａＮ基板を同時に示し別途の説明がない場合、窒化物系化合物層という用語はＧａＮ基板を含む意味として使用される。さらに、必要に応じて製造されたＧａＮ基板と区別が必要な場合、窒化物系化合物層を成長させるためのＧａＮ基板をシード(ｓｅｅｄ)用ＧａＮ基板と称する。
図１を参照すると、先ず図１(ａ)のように、ＧａＮ基板２１を備え、上記ＧａＮ基板２１の上面に所定パターンのマスク層２２を形成する。上記マスク層２２は以後の湿式蝕刻工程で除去されることが可能な物質からなる。上記マスク層２２を構成する材料には、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜のような誘電体物質が採用されることが可能で、シリコン酸化膜を利用することが最も好ましい。
上記マスク層２２は上記誘電体物質をプラズマ化学気相蒸着(Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)法を利用して蒸着させ形成されることが可能である。上記マスク層２２は一定な間隔で平行に配置された複数のストライプ形状で形成されることが好ましく、その間に上記ＧａＮ基板２１の上面を露出させる。
次いで、図１(ｂ)のように、露出されたＧａＮ基板２１の上面にＧａＮ物質と格子常数の差が１０％以下の物質からなるバッファ層２３を形成する。参考として、ＧａＮとの格子常数の差は下記数１を通じて計算されることが可能である。
図１を参照すると、先ず図１(ａ)のように、ＧａＮ基板２１を備え、上記ＧａＮ基板２１の上面に所定パターンのマスク層２２を形成する。上記マスク層２２は以後の湿式蝕刻工程で除去されることが可能な物質からなる。上記マスク層２２を構成する材料には、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜のような誘電体物質が採用されることが可能で、シリコン酸化膜を利用することが最も好ましい。
上記マスク層２２は上記誘電体物質をプラズマ化学気相蒸着(Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)法を利用して蒸着させ形成されることが可能である。上記マスク層２２は一定な間隔で平行に配置された複数のストライプ形状で形成されることが好ましく、その間に上記ＧａＮ基板２１の上面を露出させる。
次いで、図１(ｂ)のように、露出されたＧａＮ基板２１の上面にＧａＮ物質と格子常数の差が１０％以下の物質からなるバッファ層２３を形成する。参考として、ＧａＮとの格子常数の差は下記数１を通じて計算されることが可能である。
(Δａ:ＧａＮとの格子常数の差(％)、ａｘ:比較対象物質の格子常数、ａＧａＮ:ＧａＮの格子常数)
上記バッファ層２３を構成する物質はＧａＮとの格子常数の差が１０％以下の物質からなることが好ましく、ＧａＮとの格子常数の差が５％以下の物質からなることが最も好ましい。以後の工程で上記バッファ層２３の上面に窒化物系化合物層が形成される場合下部のＧａＮ基板２１の結晶学的な情報が上記バッファ層２３を通じて伝達されるため、上記バッファ層２３とＧａＮとの格子常数の差が小さいほど高品位の窒化物系化合物層を成長させることが可能である。
上記バッファ層２３を構成する物質はＧａＮとの格子常数の差が１０％以下の物質からなることが好ましく、ＧａＮとの格子常数の差が５％以下の物質からなることが最も好ましい。以後の工程で上記バッファ層２３の上面に窒化物系化合物層が形成される場合下部のＧａＮ基板２１の結晶学的な情報が上記バッファ層２３を通じて伝達されるため、上記バッファ層２３とＧａＮとの格子常数の差が小さいほど高品位の窒化物系化合物層を成長させることが可能である。
例えば、ＺｎＯは格子常数が３．３２５Åであるため、上記数１を利用して格子常数が３．１８４ÅのＧａＮとの格子常数の差を求めると約４％である。上記バッファ層２３は前記の結晶学的な特徴と共に以後の湿式蝕刻工程で上記マスク層２２と共に容易に除去されることが可能な物質からなるべきである。このような特徴を全て満足する物質に上記ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３またはＺｒＢ２がある。上記バッファ層２３はスパッタリングまたは化学気相蒸着(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)法を利用して上記構成物質で形成されることが可能である。
次いで、図１(ｃ)のように、上記バッファ層２３の上面から上記マスク層２２の上面に窒化物系化合物２４を側面成長させる。上記窒化物系化合物はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)を有する物質であることが好ましい。ＧａＮ基板を製造するためには上記窒化物系化合物はＧａＮが採用される。このような側面成長工程が完了された以後には垂直方向に上記窒化物系化合物を成長させ図１(ｄ)のように所定厚さを有する窒化物系化合物層を完成することとなる。
この工程で上記窒化物系化合物を成長させるには有機金属化学気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ: ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ:ＭＢＥ)またはハイドライド気相蒸着法(Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ:ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を利用して形成されることが可能である。特に、ＧａＮ基板を成長させる工程では上記ハイドライド気相蒸着法を利用することが好ましい。このような側面成長と垂直方向成長は、蒸着工程の様々な条件らを調整することにより具現されることが可能である。例えば、蒸着工程の温度が増加するほど、圧力が低いほど、そしてＩＩＩ-Ｖ族原料の比(Ｖ/ＩＩＩ)が高いほど側面成長が上手く成される。
前記の側面成長法は高品位の窒化物系半導体層を形成するに適している。図２は側面成長法により形成された窒化物系半導体層の欠陥状態を図示した模式図である。シード(ｓｅｅｄ)用として使用されるＧａＮ基板は大体小さい欠陥(電位(ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ))密度を有するが、その上部にエピタキシャル成長される窒化物系化合物層に上記欠陥が伝達されるため一般的な成長法によると新たに生成された窒化物系半導体層はシード用ＧａＮ基板より高品位に製作することが難しい。
前記の側面成長法は高品位の窒化物系半導体層を形成するに適している。図２は側面成長法により形成された窒化物系半導体層の欠陥状態を図示した模式図である。シード(ｓｅｅｄ)用として使用されるＧａＮ基板は大体小さい欠陥(電位(ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ))密度を有するが、その上部にエピタキシャル成長される窒化物系化合物層に上記欠陥が伝達されるため一般的な成長法によると新たに生成された窒化物系半導体層はシード用ＧａＮ基板より高品位に製作することが難しい。
しかし、図２のように、側面成長法によると、シード用ＧａＮ基板２１が有する欠陥のうち一部欠陥ｄ１が上記マスク層２２によって遮断され上部に成長された窒化物系化合物層２４に伝達されないため、シード用ＧａＮ基板２１に比べ低い欠陥密度を有する高品位の窒化物系化合物層２４を製作することが可能である。
また図１(ｄ)を参照すると、上記窒化物系化合物層２４の形成が完了された後上記マスク層２２とバッファ層２３を湿式蝕刻の方式で除去する。この湿式蝕刻工程で使用される蝕刻溶液は上記マスク層２２とバッファ層２３を除去することが可能なＨＣｌまたはＨＦ等を使用することが可能である。このような湿式蝕刻工程を通じて上記マスク層２２とバッファ層２３が除去されることにより、図１(ｅ)のように、上記シード用ＧａＮ基板２１と生成された窒化物系化合物層２４が分離される。
このような湿式蝕刻による分離はシード用ＧａＮ基板２１に影響を及ぼさないため、高価のＧａＮ基板２１を再び活用することが可能となる。また、側面成長法を応用することによりシード用ＧａＮ基板２１に比べ高品位を有する窒化物系化合物層またはＧａＮ基板を製造することが可能である。
本発明は前記の窒化物系化合物層を形成する方法を応用した垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法も提供する。図３は本発明による垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。
本発明は前記の窒化物系化合物層を形成する方法を応用した垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法も提供する。図３は本発明による垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。
先ず、図３(ａ)を参照すると、前記の窒化物系化合物層を形成する方法を利用して発光構造物３１を形成する。上記発光構造物３１は、ＧａＮ基板２１に形成されたバッファ層２３上面からマスク層２２上面に第１導電性不純物がドープされた第１導電型窒化物系化合物半導体を側面成長させた後垂直方向に上記第１導電型窒化物系化合物半導体を成長させ形成された第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａと上記第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａ上に順次に形成された窒化物系化合物半導体からなる活性層３１ｂ及び第２導電型不純物がドープされた第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃを含む。
本発明に伴う窒化物系半導体発光素子を製造する方法において、上記ＧａＮ基板２１上にマスク層２２及びバッファ層２３を形成する工程は前記の窒化物系化合物層を形成する方法と同じで、第１窒化物系化合物半導体を側面成長させる時、導電性を有する半導体を製作するため第１導電型不純物を添加する点に差がある。
例えば、上記第１導電型がｎ型であれば、上記第１導電型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、ＴｅまたはＣ等が添加されることが可能である。上記活性層３１ｂは光を発光するための層として、単一または多重量子井戸構造を有するＧａＮまたはＩｎＧａＮ等の窒化物系化合物で構成する。また、第２導電型がｐ型の場合、上記第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃはｐ型不純物のＭｇ、ＺｎまたはＢｅ等がドープされる。
上記発光構造物は有機金属化学気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ: ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ:ＭＢＥ)またはハイドライド気相蒸着法(Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ:ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を使用して成長させることが可能で、上記有機金属化学気相蒸着法を利用して成長されることが最も好ましい。
次いで、図３(ｂ)のように、上記第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃ上にキャリア(ｃａｒｒｉｅｒ)基板３２を形成する。上記導電性キャリア基板３２はＳｉ、ＧａＡｓまたは導電性を有する金属物質からなることが可能である。上記導電性キャリア基板３２は別途の接合層を媒介にして第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃ上にボンディングされるか、メッキが可能な金属物質を利用する場合所定厚さで第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃ上にメッキすることにより形成されることが可能である。本発明による垂直構造窒化物系半導体発光素子の場合、第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａのＧａＮ基板２１が分離された面を光放出面として活用するため上記第２導電型窒化物系化合物半導体層３１ｃと導電性キャリア基板３２の間には反射度が高い金属からなる反射膜が形成されることも可能である。
次いで、図３(ｃ)に図示された通り、上記導電性キャリア基板３２を形成した後湿式蝕刻工程を利用して上記マスク層２２とバッファ層２３を除去することにより発光構造物３１とＧａＮ基板２１を分離する。前記の通り、本発明によると、湿式蝕刻工程を利用してＧａＮ基板２１を損傷なく分離することにより、高価のＧａＮ基板を再度使用することが可能である。
次に、図３(ｄ)のように、上記ＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面と、上記導電性キャリア基板３２の上面にそれぞれ電極３３、３４を形成した後、図３(ｅ)のように各々の個別素子に分離して垂直構造窒化物系半導体発光素子を完成する。このような垂直構造窒化物系半導体発光素子はＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面が主発光面として使用されることが可能である。上記第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面に形成された電極３３と第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの間には電流拡散を改善するためＩＴＯ等からなる透明電極層が形成されることが可能である。また、上記導電性キャリア基板３２が優秀な電気伝導性を有する金属物質からなる場合キャリア基板３２自体を電極に活用することが可能なため、別途の電極３４を形成する工程を省略することも可能である。
このように本発明による垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法は、窒化物系化合物半導体を成長させるためのＧａＮ基板をラッピングやポリシング工程を通じ研削、研磨する工程が使用されず、湿式蝕刻工程で損傷なく分離することが可能なため、高価のＧａＮ基板を再使用することが可能となり製造費用を低減することが可能である。さらに、側面成長方式を採用して高品位のＧａＮ基板上に窒化物系化合物半導体を成長させるため、ＧａＮ基板より高品位の窒化物系化合物半導体層を形成させることが可能なため、発光素子の輝度を改善することが可能である。
次いで、図３(ｃ)に図示された通り、上記導電性キャリア基板３２を形成した後湿式蝕刻工程を利用して上記マスク層２２とバッファ層２３を除去することにより発光構造物３１とＧａＮ基板２１を分離する。前記の通り、本発明によると、湿式蝕刻工程を利用してＧａＮ基板２１を損傷なく分離することにより、高価のＧａＮ基板を再度使用することが可能である。
次に、図３(ｄ)のように、上記ＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面と、上記導電性キャリア基板３２の上面にそれぞれ電極３３、３４を形成した後、図３(ｅ)のように各々の個別素子に分離して垂直構造窒化物系半導体発光素子を完成する。このような垂直構造窒化物系半導体発光素子はＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面が主発光面として使用されることが可能である。上記第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの下面に形成された電極３３と第１導電型窒化物系化合物半導体層３１ａの間には電流拡散を改善するためＩＴＯ等からなる透明電極層が形成されることが可能である。また、上記導電性キャリア基板３２が優秀な電気伝導性を有する金属物質からなる場合キャリア基板３２自体を電極に活用することが可能なため、別途の電極３４を形成する工程を省略することも可能である。
このように本発明による垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法は、窒化物系化合物半導体を成長させるためのＧａＮ基板をラッピングやポリシング工程を通じ研削、研磨する工程が使用されず、湿式蝕刻工程で損傷なく分離することが可能なため、高価のＧａＮ基板を再使用することが可能となり製造費用を低減することが可能である。さらに、側面成長方式を採用して高品位のＧａＮ基板上に窒化物系化合物半導体を成長させるため、ＧａＮ基板より高品位の窒化物系化合物半導体層を形成させることが可能なため、発光素子の輝度を改善することが可能である。
２１ ＧａＮ基板
２２ マスク層
２３ バッファ層
２４ 窒化物系化合物層
３１ 発光構造物
３２ 導電性キャリア基板
３３、３４ 電極
２２ マスク層
２３ バッファ層
２４ 窒化物系化合物層
３１ 発光構造物
３２ 導電性キャリア基板
３３、３４ 電極
Claims (15)
- ＧａＮ基板を備える工程と、
上記ＧａＮ基板上に上記ＧａＮ基板上面の一部を露出させるマスク層を形成する工程と、
上記露出されたＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数の差が１０％以下のＧａ ２ Ｏ ３ またはＺｒＢ ２ からなるバッファ層を形成する工程と、
上記バッファ層上面から上記マスク層の上面に窒化物系化合物を側面成長させた後垂直方向に所定厚さの窒化物系化合物層を成長させる工程と、
上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記ＧａＮ基板と上記窒化物系化合物層を分離する工程と、
を含むことを特徴とする窒化物系化合物層の製造方法。 - 上記バッファ層はＧａＮと格子常数のが５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物層の製造方法。
- 上記マスク層はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物層の製造方法。
- 上記湿式蝕刻に使用される蝕刻溶液はＨＣｌまたはＨＦであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物層の製造方法。
- シード用ＧａＮ基板を備える工程と、
上記シード用ＧａＮ基板上面にシード用ＧａＮ基板上面一部を露出させる所定パターンのマスク層を形成する工程と、
上記露出されたシード用ＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数の差が１０％以下のＧａ ２ Ｏ ３ またはＺｒＢ ２ からなるバッファ層を形成する工程と、
上記バッファ層上面から上記マスク層の上面にＧａＮを側面成長させた後ＧａＮを垂直方向に成長させ所定厚さのＧａＮ基板を形成する工程と、
上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記シード用ＧａＮ基板と形成されたＧａＮ基板を分離する工程と、
を含むことを特徴とする窒化物系化合物基板の製造方法。 - 上記バッファ層はＧａＮと格子常数の差が５％以下であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系化合物基板の製造方法。
- 上記マスク層はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系化合物基板の製造方法。
- 上記湿式蝕刻に使用される蝕刻溶液は塩酸（ＨＣｌ）水溶液またはフッ酸（ＨＦ）水溶液であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系化合物基板の製造方法。
- 上記ＧａＮ基板を形成する工程は、ハイドライド気相蒸着法（ＨＶＰＥ）法を利用してＧａＮを成長させる工程であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系化合物基板の製造方法。
- ＧａＮ基板を備える工程と、
上記ＧａＮ基板上に上記ＧａＮ基板上面の一部を露出させるマスク層を形成する工程と、
上記露出されたＧａＮ基板上面にＧａＮと格子常数の差が１０％以下のＧａ ２ Ｏ ３ またはＺｒＢ ２ からなるバッファ層を形成する工程と、
上記バッファ層上面から上記マスク層上面に第１導電性不純物がドープされた第１導電型窒化物系化合物半導体を側面成長させた後、垂直方向に上記第１導電型窒化物系化合物半導体を成長させ第１導電型窒化物系化合物半導体層を形成し、上記第１導電型窒化物系化合物半導体層上に窒化物系化合物からなる活性層及び第２導電型不純物がドープされた第２導電型窒化物系化合物半導体層を順次に成長させ発光構造物を形成する工程と、
上記発光構造物上に導電性キャリア基板を形成する工程と、
上記マスク層とバッファ層を湿式蝕刻方式で除去し上記ＧａＮ基板と上記発光構造物を分離する工程と、
を含むことを特徴とする垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 上記バッファ層はＧａＮと格子常数差が５％以下であることを特徴とする請求項１０に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 上記マスク層はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１０に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 上記湿式蝕刻に使用される蝕刻溶液はＨＣｌまたはＨＦであることを特徴とする請求項１０に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 上記発光構造物を形成する工程は、ＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物系半導体化合物を成長させる工程であることを特徴とする請求項１０に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 上記ＧａＮ基板が分離された第１導電型窒化物系化合物半導体層の下面及び上記導電性キャリア基板の上面にそれぞれ電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050053331A KR100638869B1 (ko) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | 질화물계 화합물층을 형성하는 방법 및 이를 이용한 ＧａＮ기판 및 수직구조 질화물계 반도체 발광소자를 제조하는방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007001857A JP2007001857A (ja) | 2007-01-11 |
| JP4509973B2 true JP4509973B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=37573936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006170286A Active JP4509973B2 (ja) | 2005-06-21 | 2006-06-20 | 窒化物系化合物層の製造方法、窒化物系化合物基板の製造方法、並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7569461B2 (ja) |
| JP (1) | JP4509973B2 (ja) |
| KR (1) | KR100638869B1 (ja) |
| DE (1) | DE102006028137B4 (ja) |
| FR (1) | FR2888039B1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100916366B1 (ko) * | 2006-12-08 | 2009-09-11 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 |
| US8222669B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-17 | Nitek, Inc. | Mixed source growth apparatus and method of fabricating III-nitride ultraviolet emitters |
| KR100978568B1 (ko) | 2008-04-30 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 |
| WO2009148253A2 (ko) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자 제조용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한 반도체 발광소자 |
| CN101542759B (zh) * | 2008-06-02 | 2012-10-03 | 香港应用科技研究院有限公司 | 半导体晶圆和半导体器件及其制作方法 |
| KR101525076B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2015-06-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
| KR101064068B1 (ko) | 2009-02-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자의 제조방법 |
| KR20110123118A (ko) | 2010-05-06 | 2011-11-14 | 삼성전자주식회사 | 패터닝된 발광부를 구비한 수직형 발광소자 |
| US8318563B2 (en) * | 2010-05-19 | 2012-11-27 | National Semiconductor Corporation | Growth of group III nitride-based structures and integration with conventional CMOS processing tools |
| CN102117869B (zh) * | 2011-01-21 | 2013-12-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种剥离发光二极管衬底的方法 |
| FR2978601B1 (fr) * | 2011-07-29 | 2016-05-13 | Nanovation | Procede de fabrication d'un substrat de gan ou d'un dispositif a base de gan sur substrat natif de type gan, utilisant une fine couche tampon sacrificielle |
| US8846482B2 (en) * | 2011-09-22 | 2014-09-30 | Avogy, Inc. | Method and system for diffusion and implantation in gallium nitride based devices |
| US8981432B2 (en) * | 2012-08-10 | 2015-03-17 | Avogy, Inc. | Method and system for gallium nitride electronic devices using engineered substrates |
| CN108281378B (zh) * | 2012-10-12 | 2022-06-24 | 住友电气工业株式会社 | Iii族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法 |
| KR20140104756A (ko) | 2013-02-21 | 2014-08-29 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101471621B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2014-12-11 | 광주과학기술원 | 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법 |
| KR101591677B1 (ko) * | 2014-09-26 | 2016-02-18 | 광주과학기술원 | 고품위 질화물계 반도체 성장방법 |
| KR102028507B1 (ko) * | 2017-10-24 | 2019-10-04 | 한국전력공사 | 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법 |
| JP7483269B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2024-05-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | エピタキシャル側方成長層上の表面を平らにする方法 |
| CN111223763B (zh) * | 2020-01-19 | 2024-04-12 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
| CN111243946B (zh) * | 2020-01-19 | 2023-04-07 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
| KR102504967B1 (ko) * | 2021-07-29 | 2023-03-02 | (재)한국나노기술원 | 고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| JP2000173929A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 |
| JP2005001928A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Fujikura Ltd | 自立基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3925753B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2007-06-06 | ソニー株式会社 | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
| WO1999023693A1 (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN SINGLE CRYSTALLINE SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| JP3036495B2 (ja) * | 1997-11-07 | 2000-04-24 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
| US6812053B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-02 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures |
| JP3568112B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2004-09-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| DE10008583A1 (de) | 2000-02-24 | 2001-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips |
| JP3662806B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2005-06-22 | 日本電気株式会社 | 窒化物系半導体層の製造方法 |
| JP2001313259A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
| JP4356208B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2009-11-04 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の気相成長方法 |
| JP2002241198A (ja) | 2001-02-13 | 2002-08-28 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2002280314A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| JP2002284600A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 |
| JP3631724B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-03-23 | 日本電気株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
| US6939730B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-09-06 | Sony Corporation | Nitride semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
| US7008839B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor thin film |
| US7781356B2 (en) * | 2003-02-12 | 2010-08-24 | Arizona Board of Regents, a Body Corporate | Epitaxial growth of group III nitrides on silicon substrates via a reflective lattice-matched zirconium diboride buffer layer |
| JP3966207B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-08-29 | 豊田合成株式会社 | 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子 |
| JP2004336040A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 複数の半導体チップの製造方法および電子半導体基体 |
| JP4600641B2 (ja) * | 2004-01-27 | 2010-12-15 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体自立基板及びそれを用いた窒化物半導体発光素子 |
| JP4868709B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2012-02-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
-
2005
- 2005-06-21 KR KR1020050053331A patent/KR100638869B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-16 DE DE102006028137A patent/DE102006028137B4/de active Active
- 2006-06-20 JP JP2006170286A patent/JP4509973B2/ja active Active
- 2006-06-21 US US11/471,697 patent/US7569461B2/en active Active
- 2006-06-21 FR FR0605561A patent/FR2888039B1/fr active Active
-
2009
- 2009-06-23 US US12/489,819 patent/US8026156B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| JP2000173929A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 |
| JP2005001928A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Fujikura Ltd | 自立基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102006028137B4 (de) | 2008-04-10 |
| DE102006028137A1 (de) | 2007-01-25 |
| FR2888039B1 (fr) | 2016-11-25 |
| US20090258453A1 (en) | 2009-10-15 |
| JP2007001857A (ja) | 2007-01-11 |
| US20060286777A1 (en) | 2006-12-21 |
| FR2888039A1 (fr) | 2007-01-05 |
| US8026156B2 (en) | 2011-09-27 |
| US7569461B2 (en) | 2009-08-04 |
| KR100638869B1 (ko) | 2006-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4509973B2 (ja) | 窒化物系化合物層の製造方法、窒化物系化合物基板の製造方法、並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4307113B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US8664687B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and process for producing the same | |
| JP5135501B2 (ja) | 窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| US8614454B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp | |
| JP5371430B2 (ja) | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | |
| US9773940B2 (en) | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof | |
| US8026119B2 (en) | Method of fabricating semiconductor substrate and method of fabricating light emitting device | |
| US20020197841A1 (en) | Group III nitride compound semiconductor element and method for producing the same | |
| KR100705225B1 (ko) | 수직형 발광소자의 제조방법 | |
| EP2239790B1 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| EP2858094A1 (en) | Semiconductor laminate structure and semiconductor element | |
| JP2013526781A (ja) | 緩和層上に成長したｉｉｉ族窒化物発光デバイス | |
| CN102280533A (zh) | 氮化镓衬底材料制造方法 | |
| JP3884969B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP5848334B2 (ja) | 半導体デバイスを成長させるための複合成長用基板 | |
| KR20160117012A (ko) | 자외선 발광 소자 | |
| KR100648813B1 (ko) | 수직형 발광소자 제조방법 | |
| KR101116905B1 (ko) | 질화물 반도체 결정 성장 방법 | |
| TWI834979B (zh) | 半導體裝置之製造方法、半導體基板及電子機器 | |
| KR101901932B1 (ko) | 이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101137513B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR101018244B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| KR20110069373A (ko) | 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| KR20120057600A (ko) | 반도체 기판, 그 제조방법, 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090811 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100428 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4509973 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |