JP4509869B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
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- 基板に該基板を貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記基板の一方の面に、接着剤を介さずに金属箔を直接配置し、弾性体を介在させた状態で、保持部材と押え部材とで挟むことによって前記基板及び金属箔を押圧して前記基板と前記金属箔とを圧着する工程と、
前記保持部材と前記押え部材とで挟んだ状態で電解めっき装置のめっき液の中に浸漬して、前記金属箔をめっき給電電極に利用する電解めっきにより、前記スルーホール内に導電体を充填する工程と、
前記基板から前記金属箔を剥離する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記押え部材は、前記保持部材の周縁部に設けられた孔に固定される固定手段が先端部に設けられた複数の突起部を周縁側に備えていると共に、前記基板のスルーホール領域を除く部分に接触して前記基板を押圧する突起状の複数の押圧部を備え、かつ中央主要部に複数の開口部が設けられており、前記押え部材の上面側及び側面側から前記めっき液が前記基板に供給されることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 前記基板は厚みが100乃至200μmのシリコン基板であり、前記スルーホールを形成する工程の後に、前記シリコン基板の両面及びスルーホールの内面に絶縁層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の回路基板の製造方法。
- 前記弾性体は、シリコン系スポンジ又はゴムからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の回路基板の製造方法。
- 前記基板はガラスからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の回路基板の製造方法。
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