JP4504884B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4504884B2 JP4504884B2 JP2005216196A JP2005216196A JP4504884B2 JP 4504884 B2 JP4504884 B2 JP 4504884B2 JP 2005216196 A JP2005216196 A JP 2005216196A JP 2005216196 A JP2005216196 A JP 2005216196A JP 4504884 B2 JP4504884 B2 JP 4504884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding
- substrate
- shielding member
- gap
- shielding wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ミストの拡散を処理容器内に抑制することができれば、この処理容器内の洗浄を行うことによって、ミストによる悪影響を抑制する対策をとることは比較的容易であると考えられる。
そこで、この発明の目的は、処理液のミストの拡散を抑制または防止して、基板処理品質を向上できる基板処理装置を提供することである。
より詳細に説明すると、処理液の蒸気の到達による遮蔽部材表面の汚染は、低濃度の処理液による汚染であり、洗浄が不要であるか、または洗浄が必要な場合でも比較的容易に洗浄除去できる。これに対して、処理液飛沫の到達による遮蔽部材表面の汚染は、高濃度の処理液による汚染となり、洗浄除去の必要性が高く、またその洗浄除去も困難である。したがって、基板と遮蔽部材との距離を大きくとることによって、遮蔽部材の洗浄処理を省略できるか、または簡素化することができる。また、遮蔽部材の汚染が少なくなることから、汚染物質が基板に再付着することを、より確実に抑制または防止できるので、基板処理品質も高くなる。
一方で、遮蔽壁の内部の空間は排気手段によって排気されるから、閉塞時隙間では、遮蔽壁の外方から内方に向かう高速気流が形成される。この高速気流により、基板に供給された処理液から生じるミスト(蒸気および飛沫を含む。)が遮蔽壁の外部に飛び出すことを抑制または防止できる。その結果、遮蔽壁の内部にミストをほぼ抑え込むことができるから、遮蔽壁の外部へのミストの拡散に伴う前述の問題を解決できる。すなわち、スループットの低下やコストの増加を招くことなく、ミストまたはパーティクルの基板への再付着を抑制または防止して、基板処理品質を向上することができる。
また、閉塞時隙間において制御風速範囲が満たされるように遮蔽位置が設定され、この設定された遮蔽位置が実現されるように移動部材が制御される。すなわち、閉塞時隙間における風速の検出結果に基づいて遮蔽位置が制御される。これにより、遮蔽壁の内方に向かう気流によって、より確実に、遮蔽壁の内方にミストを抑え込むことができる。
一方で、遮蔽壁の内部の空間は排気手段によって排気されるから、閉塞時隙間では、遮蔽壁の外方から内方に向かう高速気流が形成される。この高速気流により、基板に供給された処理液から生じるミスト(蒸気および飛沫を含む。)が遮蔽壁の外部に飛び出すことを抑制または防止できる。その結果、遮蔽壁の内部にミストをほぼ抑え込むことができるから、遮蔽壁の外部へのミストの拡散に伴う前述の問題を解決できる。すなわち、スループットの低下やコストの増加を招くことなく、ミストまたはパーティクルの基板への再付着を抑制または防止して、基板処理品質を向上することができる。
また、閉塞時隙間において制御風速範囲が満たされるとともに、基板と遮蔽部材との距離を最大にするように遮蔽位置が可変制御される。これにより、遮蔽壁の内方にミストを抑え込むことができるとともに、遮蔽部材への処理液飛沫の付着を抑制または防止できる。これにより、遮蔽部材の洗浄処理を省略または簡素化でき、また、汚染物質の基板への再付着を抑制または防止して基板処理品質を高めることができる。
前記基板保持機構は、基板をほぼ水平に保持するものであよい。また、基板保持機構は、基板を保持して回転させる基板保持回転機構であってもよい。このような基板保持回転機構の例としては、基板を保持して回転するスピンチャックを挙げることができる。
前記遮蔽壁および遮蔽部材は、少なくとも一方が他方に対して上下動可能に設けられていてもよい。この場合、前記移動手段は、前記遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して上下動させるものであることが好ましい。
前記処理液は、レジスト剥離液に代表される薬液であってもよい。レジスト剥離液としては、硫酸(たとえば80℃程度に加熱された硫酸)と過酸化水素水との混合液からなるもの(いわゆるSPM液(硫酸過酸化水素水))であってもよい。SPM液は、基板上で、たとえば、化学反応によって約150℃にまで昇温し、蒸気を含む大量のミストを生じる。本発明を適用することによって、このようなミストを遮蔽壁の内方に抑え込むことができる。
請求項4記載の発明は、前記遮蔽部材は、前記基板保持機構に保持された基板に対向する基板対向面(22a)を有しており、前記遮蔽部材の少なくとも前記基板対向面を洗浄する遮蔽部材洗浄手段(70)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、遮蔽部材洗浄手段によって遮蔽部材の少なくとも基板対向面を洗浄することができる。これにより、遮蔽部材の基板対向面に付着した処理液による基板の汚染を抑制または防止でき、基板処理の高品質化を図ることができる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置100は、半導体ウエハ等の基板Wに対して、洗浄処理の一種であるレジスト剥離処理を施すための装置である。基板処理装置100は、基板Wに対してレジスト剥離処理を行うための処理領域A,Bと、これらの処理領域A,B間に配置された搬送領域Cとを有している。
流体ボックス部2a,2bは、それぞれ洗浄処理部MPC1,MPC2への処理液の供給および洗浄処理部MPC1,MPC2からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか1つの流体関連機器を収納している。同様に、流体ボックス部2c,2dは、それぞれ洗浄処理部MPC3,MPC4への処理液の供給および洗浄処理部MPC3,MPC4からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか1つの流体関連機器を収納している。
この実施形態においては、洗浄処理部MPC1〜MPC4は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために4台搭載されている。むろん、洗浄処理部の台数は4台に限定されず、他の任意の台数を搭載してもよい。
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された洗浄処理部MPC1〜MPC4に搬送する。また、基板搬送ロボットCRは、洗浄処理部MPC1〜MPC4から受け取った基板WをインデクサロボットIRに搬送する。
以下、洗浄処理部MPC1〜MPC4のうち洗浄処理部MPC1について説明する。
図2は洗浄処理部MPC1の断面図であり、洗浄処理を開始する前の状態を示す。この実施形態における洗浄処理は、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離処理である。
スピンチャック21は、処理カップ23内に収容されている。処理カップ23の内側には、筒状の仕切壁33が設けられている。また、スピンチャック21の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液を排液するとともに処理カップ23内の雰囲気を排気するための排液・排気空間31が形成されている。さらに、排液・排気空間31を取り囲むように、処理カップ23と仕切壁33との間に基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間32が形成されている。
このスプラッシュガード24には、ボールねじ機構等で構成されたスプラッシュガード昇降駆動機構39が接続されている。スプラッシュガード昇降駆動機構39は、スプラッシュガード24を、回収液案内部42がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置(図示せず)と、排液案内溝41がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置(図2に示す位置)との間で上下動させる。
レジスト剥離液は、この実施形態では、スプラッシュガード24および遮蔽板22の基板対向面22aとの間の隙間65を通して側方から差し入れられる処理液ノズル66を介して供給される。処理液ノズル66は、スピンチャック21に保持された基板Wの上面に向けられた吐出口66aを有し、この吐出口66aからレジスト剥離液を基板Wの上面に供給する。処理液ノズル66は、ノズル移動機構67によって、吐出口66aが基板Wの上面に対向する位置(とくに基板W上面の回転中心位置に対向する位置)と、スプラッシュガード24の開口部24bよりも側方に吐出口66aが退避した退避位置との間で移動させられるようになっている。処理液ノズル66は、レジスト剥離液の吐出中、吐出口66aが基板Wの上面の回転中心位置に対向した位置に保持される固定ノズルであってもよいし、レジスト液の吐出中、ノズル移動機構67の働きによって、吐出口66aが基板Wの直径または半径にほぼ沿う軌道上で移動されるスキャンノズルであってもよい。
コントローラCTは、メイン制御部4からの制御信号および圧力センサ64の出力信号に応じて、遮蔽板昇降駆動機構37、遮蔽板回転駆動機構38、チャック回転駆動機構36、スプラッシュガード昇降駆動機構39、ノズル移動機構67、処理液供給系91および窒素ガス供給系90の各々に指示を与える。
さらに、処理液供給系91は、コントローラCTからの指示により、処理液ノズル66および処理液供給管26,81から処理液を吐出させる。窒素ガス供給系90は、コントローラCTからの指示により、支持軸80と処理液供給管81との間に形成された窒素ガス供給路82(図5参照)から窒素を吐出させる。
図4および図5に示すように、支持軸80内には、処理液供給管81が設けられている。処理液供給管81はアーム28に固定されており、支持軸80とともに回転しないようになっている。処理液供給管81の下端には、基板Wの上面中央に向けて処理液(この実施形態では純水)を吐出する処理液吐出口51が設けられている。そして、処理液吐出口51の周囲には、窒素ガス供給路82からの窒素ガス(N2)を吐出するドーナツ状の窒素ガス吐出口50が設けられている。すなわち、処理液供給管81と支持軸80との間が、窒素ガス供給路82の役割を果たしている。処理液供給管81には、純水等の処理液が供給される。窒素ガス供給路82には、窒素ガスが供給される。
洗浄処理装置MPC1の動作は次のとおりである。
まず、基板Wが洗浄処理装置MPC1に搬入され、スピンチャック21に保持される。この際には、遮蔽板22はスピンチャック21の上方に待機した開放位置(図1に示す位置)にあり、スプラッシュガード24の開口部24bが開放された状態となって、隙間65が大きく開いている。また、このとき、処理液ノズル66はスプラッシュガード24外に待機させられている。この状態で、コントローラCTは、ノズル移動機構67を制御し、処理液ノズル66を隙間65からスピンチャック21の上方へと挿し入れさせる。これにより、処理液ノズル66の吐出口66aが、基板Wの回転中心の上方位置に導かれる。
また、排液・排気管34からの排気により、遮蔽板22とスプラッシュガード24との閉塞時隙間C1に上方から下方(外方から内方)への気体の流れを形成することができるので、スプラッシュガード24の内部の空間と外部の空間とを雰囲気的に遮断することができる。その結果、スプラッシュガード24の内部から外部へミストが漏出することが十分に防止される。
コントローラCTは、所定時間経過後に、遮蔽板洗浄ノズル70からの純水の吐出を停止する。コントローラCTは、その後に、遮蔽板22の表面の水分が遠心力によって振り切られるのに充分な一定時間の経過を待って、遮蔽板22の回転を停止させ、さらに、処理液吐出口51および下面ノズル27からの純水の吐出を停止させる。こうして、純水リンス工程が完了する。
ただし、遮蔽板洗浄ノズル70による遮蔽板22の洗浄時間を短縮するか、または、この遮蔽板洗浄ノズル70による遮蔽板22の洗浄処理を省くためには、閉塞状態のときの基板Wと基板対向面22aとの間の距離を可能な限り大きくとることが好ましい。より具体的に説明すると、遮蔽板22の表面へのレジスト剥離液の付着は、蒸気の形態による付着と、飛沫の形態によるものとに分けられる。蒸気の形態での付着では、比較的低濃度のレジスト剥離液が基板対向面22aに付着するに過ぎず、その洗浄は容易であるか、または必ずしも洗浄が必要でない場合もある。一方、レジスト剥離液の飛沫が基板対向面22aに到達したときには、高濃度なレジスト剥離液が基板対向面22aに付着することになるから、その洗浄には比較的長い時間を要する。
レジスト剥離処理中、遮蔽板22を上下動させて遮蔽位置を可変制御し、閉塞時隙間C1を可変設定する処理の一例は、図6に示されている。コントローラCTは、圧力センサ64によって検出される排気圧を読み込み(ステップS1)、これに基づいて、閉塞時隙間C1を通って処理容器20に流入する気流の速度(風速)Vを演算する(ステップS2)。この風速Vの演算は、たとえば、閉塞時隙間C1の面積(流路断面積)と、排気圧に対応する排気管62内の排気流量とに基づいて演算することができる。排気圧に対応する排気流量は、予め、試験して求めておく。より実際的には、圧力センサ64によって検出される排気圧値および遮蔽板22の高さ(より本質的には、スプラッシュガード24に対する相対的な高さ)に対応する風速を表すテーブルを作成しておき、このテーブルに従って風速Vを求めればよい。
風速Vが制御風速範囲未満であるとき、コントローラCTは、遮蔽板22の新たな遮蔽位置を現在位置よりも下方に設定し(ステップS4)、この設定された遮蔽位置に基づいて遮蔽板昇降駆動機構37を制御し、遮蔽板22を下降させる(ステップS5)。これにより、閉塞時隙間C1が狭くなり、風速Vが高められる。一方、風速Vが制御風速範囲を超えているときは、コントローラCTは、遮蔽板22の新たな遮蔽位置を現在位置よりも上方に設定し(ステップS6)、この設定された遮蔽位置に基づいて遮蔽板昇降駆動機構37を制御する。これにより、遮蔽板22が上昇させられ(ステップS7)、それに伴って閉塞時隙間C1が大きくなるため、風速Vが低くなる。
閉塞時隙間C1を通る気流の風速の測定は、圧力センサ64の出力を用いて行う必要はなく、たとえば、閉塞時隙間C1に風速センサを配置して、直接的に風速を検出する構成としてもよい。
また、前述の実施形態においては、処理液として基板W上で約150℃になるレジスト剥離液(SPM液)を用いることとしたが、処理液の種類はこれに限定されない。例えば、60℃以上の処理液を用いた場合、処理液がミストになりやすいが、遮蔽板22およびスプラッシュガード24により基板Wの上方および周囲を覆っており、閉塞時隙間C1の部分に気体の流れを形成しているので、処理容器20の外方へのミストの拡散を抑制または防止できる。
2a〜2d 流体ボックス部
4 メイン制御部
4a 操作パネル
20 処理容器
21 スピンチャック
22 遮蔽板
22a 基板対向面
23 処理カップ
24 スプラッシュガード
24a 外面
24b 開口部
25 回転軸
26 処理液供給管
27 下面ノズル
28 アーム
29 軸上部
29a ベアリング
30 軸下部
31 排液・排気空間
32 回収液空間
33 仕切壁
34 排液・排気管
35 回収管
36 チャック回転駆動機構
37 遮蔽板昇降駆動機構
38 遮蔽板回転駆動機構
39 スプラッシュガード昇降駆動機構
41 排液案内溝
42 回収液案内部
43 仕切壁収納溝
50 窒素ガス吐出口
51 処理液吐出口
60 気液分離ボックス
61 排液管
62 排気管
63 排気源
64 圧力センサ
65 隙間
66 処理液ノズル
66a 吐出口
67 ノズル移動機構
70 遮蔽板洗浄ノズル
80 支持軸
80 窒素ガス供給管
81 処理液供給管
82 窒素ガス供給路
90 窒素ガス供給系
91 処理液供給系
100 基板処理装置
A 処理領域
B 処理領域
C 搬送領域
C1 閉塞時隙間
CR 基板搬送ロボット
CT コントローラ
ID インデクサ
IR インデクサロボット
MPC1〜MPC4 洗浄処理部
W 基板
Claims (4)
- 処理対象の基板を保持する基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段とを含み、
前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、
前記遮蔽位置は、前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように定められていることを特徴とする基板処理装置。 - 処理対象の基板を保持する基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段と、
前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段と、
この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たすように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段と、
この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 処理対象の基板を保持する基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段とを含み、
前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、
前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段と、
この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段と、
この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段とをさらに含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記遮蔽部材は、前記基板保持機構に保持された基板に対向する基板対向面を有しており、
前記遮蔽部材の少なくとも前記基板対向面を洗浄する遮蔽部材洗浄手段をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005216196A JP4504884B2 (ja) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005216196A JP4504884B2 (ja) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035866A JP2007035866A (ja) | 2007-02-08 |
JP4504884B2 true JP4504884B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=37794764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005216196A Expired - Fee Related JP4504884B2 (ja) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4504884B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5694118B2 (ja) | 2011-01-18 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5248633B2 (ja) | 2011-01-18 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5604371B2 (ja) | 2011-06-09 | 2014-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
KR101668139B1 (ko) | 2011-07-12 | 2016-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
KR101811066B1 (ko) | 2011-07-12 | 2017-12-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
JP5496966B2 (ja) | 2011-08-05 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
WO2013031390A1 (ja) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5829092B2 (ja) | 2011-10-13 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5885989B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5667545B2 (ja) | 2011-10-24 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5588418B2 (ja) | 2011-10-24 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5967948B2 (ja) * | 2012-01-26 | 2016-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5795396B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6626762B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-12-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7045867B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2022-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
CN110491817B (zh) * | 2019-09-03 | 2024-04-26 | 罗博特科智能科技股份有限公司 | 一种可调式翻片装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319561A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-10-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
-
2005
- 2005-07-26 JP JP2005216196A patent/JP4504884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319561A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-10-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007035866A (ja) | 2007-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4504884B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US7404407B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5270251B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4757882B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体 | |
US20010020482A1 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
JP5188217B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20100100640A (ko) | 액처리 장치, 액처리 방법, 및 레지스트 도포 방법 | |
TWI517209B (zh) | 液體處理裝置 | |
TWI839024B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP2012164957A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
US20120298147A1 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
KR20190021418A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2019169648A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4787038B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009231710A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3824057B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP2018157129A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5726637B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法 | |
JP2002110612A (ja) | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 | |
JPH11145099A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006012881A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006202983A (ja) | 基板処理装置および処理室内洗浄方法 | |
JP2006128424A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2012204451A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5726636B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100415 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4504884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |