JP4504884B2

JP4504884B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4504884B2
Application number: JP2005216196A
Authority: JP
Inventors: 豊秀林; 公二長谷川; 彰夫橋詰
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2005-07-26
Filing date: 2005-07-26
Publication date: 2010-07-14
Anticipated expiration: 2025-07-26
Also published as: JP2007035866A

Description

この発明は、基板に所定の処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo A mask substrate is included.

半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製造工程では、半導体ウエハやガラス基板等にレジストを塗布し、このレジストをマスクとして、ドライエッチングその他の処理が行われる。使用後のレジストの剥離には、灰化処理（アッシング）が永く適用されてきたが、最近では、レジスト剥離液を用いた液処理の適用が提案されている。レジスト剥離液の一例は、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture（硫酸過酸化水素水））液と呼ばれる、硫酸と過酸化水素水との混合液である。 In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal displays, and the like, a resist is applied to a semiconductor wafer, a glass substrate, and the like, and dry etching and other processes are performed using the resist as a mask. Ashing treatment (ashing) has been applied for a long time to strip resist after use, but recently, application of liquid treatment using a resist stripping solution has been proposed. An example of the resist stripping solution is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution called SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) solution.

ＳＰＭ液を用いたレジスト剥離処理のための基板処理装置は、基板を保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板にＳＰＭ液を供給する処理液ノズルと、スピンチャックの周囲を取り囲み、上方に開口した処理容器と、この処理容器をさらに取り囲む処理チャンバとを含む。この構成により、スピンチャックに基板を保持して回転させるとともに、その表面に処理液ノズルからＳＰＭ液が供給され、これにより基板表面の全域にＳＰＭ液が行き渡る。基板の回転に伴ってその外方に振り切られるＳＰＭ液は処理容器の内壁によって受け止められ、この内壁を伝って処理容器の下部に導かれて廃棄される。
特開昭６１−１２９８２９号公報 A substrate processing apparatus for resist stripping processing using an SPM liquid includes a spin chuck that holds and rotates a substrate, a processing liquid nozzle that supplies the SPM liquid to the substrate held by the spin chuck, and a periphery of the spin chuck , And a processing chamber that is open upward, and a processing chamber that further surrounds the processing container. With this configuration, the substrate is held and rotated by the spin chuck, and the SPM liquid is supplied to the surface from the processing liquid nozzle, whereby the SPM liquid is spread over the entire surface of the substrate. The SPM liquid that is shaken off by the rotation of the substrate is received by the inner wall of the processing container, guided along the inner wall to the lower part of the processing container, and discarded.
JP-A 61-1229829

ところが、ＳＰＭ液は、硫酸と過酸化水素水との間の反応熱によって、基板上で薬１５０℃にまで昇温する。そのため、基板上のＳＰＭ液からミスト（液の蒸気および飛沫を含む。）が発生して、拡散するという問題がある。
ミストの拡散を処理容器内に抑制することができれば、この処理容器内の洗浄を行うことによって、ミストによる悪影響を抑制する対策をとることは比較的容易であると考えられる。 However, the SPM solution is heated to 150 ° C. on the substrate by the reaction heat between sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. Therefore, there is a problem that mist (including liquid vapor and droplets) is generated and diffused from the SPM liquid on the substrate.
If diffusion of mist can be suppressed in the processing container, it is considered that it is relatively easy to take measures to suppress the adverse effects of mist by cleaning the processing container.

しかし、実際には、ミストは、処理容器外へと拡散して処理チャンバ内の広い範囲に漂う。そして、このミストが、やがて基板に再付着して、基板を汚染するおそれがある。また、拡散したミストが処理チャンバ内の至るところに到達していずれかの部材に付着した場合、これが乾燥すると、パーティクルとなって処理チャンバ内に浮遊し、やはり、基板に再付着するおそれがある。 In practice, however, the mist diffuses out of the processing vessel and drifts over a wide area within the processing chamber. And this mist may reattach to a board | substrate soon and may contaminate a board | substrate. Further, when the diffused mist reaches everywhere in the processing chamber and adheres to any member, when it is dried, it becomes a particle and floats in the processing chamber, and may adhere to the substrate again. .

このような問題を回避するために、所定の枚数（たとえば、１ロット）の基板を処理するたびに、処理チャンバ内を純水で洗浄することが考えられるかもしれない。しかし、処理チャンバ内をくまなく洗浄するのは困難であり、むろん、基板処理のスループットの低下および純水使用量の増加によるランニングコストの上昇は避けられない。
そこで、この発明の目的は、処理液のミストの拡散を抑制または防止して、基板処理品質を向上できる基板処理装置を提供することである。 In order to avoid such a problem, it may be considered that the processing chamber is cleaned with pure water every time a predetermined number of substrates (for example, one lot) are processed. However, it is difficult to thoroughly clean the inside of the processing chamber, and of course, an increase in running cost due to a decrease in substrate processing throughput and an increase in the amount of pure water used is inevitable.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing or preventing diffusion of a mist of a processing solution and improving substrate processing quality.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理対象の基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（２１）と、この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部（２４ｂ）を有する遮蔽壁（２４）と、この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材（２２）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間（６５）を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズル（６６）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間（Ｃ１）を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段（３７，３９）と、前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段（３４，６２）とを含み、前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、前記遮蔽位置は、前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように定められていることを特徴とする基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。 The with the invention before Symbol according to claim 1 for the purposes of the surrounding substrate holding mechanism for holding a substrate (W) to be processed (21), the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism Through a shielding wall (24) having an opening (24b) above the substrate, a shielding member (22) provided above the shielding wall, and a gap (65) between the shielding wall and the shielding member. A processing liquid nozzle (66) that is inserted from the side and discharges the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism, and the processing liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member. The opening portion is configured so that a gap between the shielding wall and the shielding member is larger than the shielding position and a shielding position where the opening portion is shielded by the shielding member in a state where the closing gap (C1) is secured. Between the open position where the A shielding wall and moving means and said relatively moving at least one of the shielding member with respect to the other (37, 39), seen including an exhaust means (34,62) for exhausting the interior space of the shielding wall, The moving means moves at least the shielding member, and the shielding position is within a range where the wind speed of the airflow flowing into the shielding wall through the clearance gap satisfies a predetermined control wind speed range. The substrate processing apparatus is characterized in that the distance from the substrate held by the substrate holding mechanism to the shielding member is maximized . The alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.

この構成によれば、基板保持機構に保持された基板に対して、処理液ノズルから処理液を供給して処理を施すことができる。このとき、移動手段によって遮蔽壁および遮蔽部材のうちの一方のその他方に対する位置を遮蔽位置とすることにより、遮蔽壁および遮蔽部材との間には、微小な閉塞時隙間が形成され、この閉塞時隙間から処理液ノズルが差し入れられた状態で、基板を処理液によって処理することができる。 According to this configuration, the processing liquid can be supplied from the processing liquid nozzle to the substrate held by the substrate holding mechanism. At this time, by setting the position relative to the other one of the shielding wall and the shielding member by the moving means as a shielding position, a minute clearance gap is formed between the shielding wall and the shielding member. The substrate can be processed with the processing liquid in a state where the processing liquid nozzle is inserted from the time gap.

一方で、遮蔽壁の内部の空間は排気手段によって排気されるから、閉塞時隙間では、遮蔽壁の外方から内方に向かう高速気流が形成される。この高速気流により、基板に供給された処理液から生じるミスト（蒸気および飛沫を含む。）が遮蔽壁の外部に飛び出すことを抑制または防止できる。その結果、遮蔽壁の内部にミストをほぼ抑え込むことができるから、遮蔽壁の外部へのミストの拡散に伴う前述の問題を解決できる。すなわち、スループットの低下やコストの増加を招くことなく、ミストまたはパーティクルの基板への再付着を抑制または防止して、基板処理品質を向上することができる。 On the other hand, since the space inside the shielding wall is exhausted by the exhaust means, a high-speed airflow is formed in the closed gap from the outside to the inside of the shielding wall. By this high-speed air flow, it is possible to suppress or prevent the mist (including vapor and splashes) generated from the processing liquid supplied to the substrate from jumping out of the shielding wall. As a result, the mist can be substantially suppressed inside the shielding wall, so that the above-mentioned problems associated with the diffusion of mist to the outside of the shielding wall can be solved. In other words, the substrate processing quality can be improved by suppressing or preventing the re-attachment of mist or particles to the substrate without reducing the throughput or increasing the cost.

また、ミストが遮蔽壁の外部へと拡散することを抑制または防止しながら、基板と遮蔽部材との距離を大きくとることができる。これにより、処理液の飛沫が遮蔽部材に到達しにくくすることができるので、遮蔽部材の汚染を抑制できる。
より詳細に説明すると、処理液の蒸気の到達による遮蔽部材表面の汚染は、低濃度の処理液による汚染であり、洗浄が不要であるか、または洗浄が必要な場合でも比較的容易に洗浄除去できる。これに対して、処理液飛沫の到達による遮蔽部材表面の汚染は、高濃度の処理液による汚染となり、洗浄除去の必要性が高く、またその洗浄除去も困難である。したがって、基板と遮蔽部材との距離を大きくとることによって、遮蔽部材の洗浄処理を省略できるか、または簡素化することができる。また、遮蔽部材の汚染が少なくなることから、汚染物質が基板に再付着することを、より確実に抑制または防止できるので、基板処理品質も高くなる。 Further, the distance between the substrate and the shielding member can be increased while suppressing or preventing the mist from diffusing outside the shielding wall. Thereby, since the splash of the processing liquid can be made difficult to reach the shielding member, contamination of the shielding member can be suppressed.
More specifically, the contamination of the shielding member surface due to the arrival of the vapor of the processing liquid is contamination by a low-concentration processing liquid, and cleaning is not necessary or cleaning is relatively easy even when cleaning is necessary. it can. On the other hand, the contamination of the surface of the shielding member due to the arrival of the treatment liquid droplets becomes contamination with a high concentration treatment liquid, and the necessity for washing and removal is high, and the washing and removal is difficult. Therefore, the cleaning process of the shielding member can be omitted or simplified by increasing the distance between the substrate and the shielding member. In addition, since the contamination of the shielding member is reduced, it is possible to more reliably suppress or prevent the contaminant from reattaching to the substrate, so that the substrate processing quality is improved.

前記の目的を達成するための請求項２記載の発明は、処理対象の基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（２１）と、この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部（２４ｂ）を有する遮蔽壁（２４）と、この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材（２２）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間（６５）を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズル（６６）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間（Ｃ１）を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段（３７，３９）と、前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段（３４，６２）と、前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段（６４，Ｓ１，Ｓ２）と、この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たすように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段（Ｓ４，Ｓ６）と、この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段（Ｓ５，Ｓ７）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。 The invention according to claim 2 for achieving the above object includes a substrate holding mechanism (21) for holding a substrate (W) to be processed, and surrounding the substrate held by the substrate holding mechanism and the substrate. Through a shielding wall (24) having an opening (24b) above, a shielding member (22) provided above the shielding wall, and a gap (65) between the shielding wall and the shielding member. A processing liquid nozzle (66) that is inserted from the side and discharges the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism, and a predetermined blockage through which the processing liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member. In a state where the time gap (C1) is secured, the opening position is set by making the gap between the shielding position and the shielding wall and the shielding member larger than the blockage gap. Between the open position and the front Moving means (37, 39) for moving at least one of the shielding wall and the shielding member relative to the other; exhaust means (34, 62) for exhausting the space inside the shielding wall; The wind speed detecting means (64, S1, S2) for detecting the wind speed of the airflow flowing into the shielding wall through the gap, and the wind speed detected by the wind speed detecting means so as to satisfy a predetermined control wind speed range. A shielding position setting means (S4, S6) for setting the shielding position; and a movement control means (S5, S7) for controlling the moving means to achieve the shielding position set by the shielding position setting means. A substrate processing apparatus is characterized.

この構成によれば、基板保持機構に保持された基板に対して、処理液ノズルから処理液を供給して処理を施すことができる。このとき、移動手段によって遮蔽壁および遮蔽部材のうちの一方のその他方に対する位置を遮蔽位置とすることにより、遮蔽壁および遮蔽部材との間には、微小な閉塞時隙間が形成され、この閉塞時隙間から処理液ノズルが差し入れられた状態で、基板を処理液によって処理することができる。
一方で、遮蔽壁の内部の空間は排気手段によって排気されるから、閉塞時隙間では、遮蔽壁の外方から内方に向かう高速気流が形成される。この高速気流により、基板に供給された処理液から生じるミスト（蒸気および飛沫を含む。）が遮蔽壁の外部に飛び出すことを抑制または防止できる。その結果、遮蔽壁の内部にミストをほぼ抑え込むことができるから、遮蔽壁の外部へのミストの拡散に伴う前述の問題を解決できる。すなわち、スループットの低下やコストの増加を招くことなく、ミストまたはパーティクルの基板への再付着を抑制または防止して、基板処理品質を向上することができる。
また、閉塞時隙間において制御風速範囲が満たされるように遮蔽位置が設定され、この設定された遮蔽位置が実現されるように移動部材が制御される。すなわち、閉塞時隙間における風速の検出結果に基づいて遮蔽位置が制御される。これにより、遮蔽壁の内方に向かう気流によって、より確実に、遮蔽壁の内方にミストを抑え込むことができる。 According to this configuration, the processing liquid can be supplied from the processing liquid nozzle to the substrate held by the substrate holding mechanism. At this time, by setting the position relative to the other one of the shielding wall and the shielding member by the moving means as a shielding position, a minute clearance gap is formed between the shielding wall and the shielding member. The substrate can be processed with the processing liquid in a state where the processing liquid nozzle is inserted from the time gap.
On the other hand, since the space inside the shielding wall is exhausted by the exhaust means, a high-speed airflow is formed in the closed gap from the outside to the inside of the shielding wall. By this high-speed air flow, it is possible to suppress or prevent the mist (including vapor and splashes) generated from the processing liquid supplied to the substrate from jumping out of the shielding wall. As a result, the mist can be substantially suppressed inside the shielding wall, so that the above-mentioned problems associated with the diffusion of mist to the outside of the shielding wall can be solved. In other words, the substrate processing quality can be improved by suppressing or preventing the re-attachment of mist or particles to the substrate without reducing the throughput or increasing the cost.
Further , the shielding position is set so that the control wind speed range is satisfied in the closed gap, and the moving member is controlled so that the set shielding position is realized. That is, the shielding position is controlled based on the detection result of the wind speed in the closed gap. Thereby, it is possible to more reliably suppress mist to the inside of the shielding wall by the airflow toward the inside of the shielding wall.

前記の目的を達成するための請求項３記載の発明は、処理対象の基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（２１）と、この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部（２４ｂ）を有する遮蔽壁（２４）と、この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材（２２）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間（６５）を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズル（６６）と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間（Ｃ１）を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段（３７，３９）と、前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段（３４，６２）とを含み、前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段（６４，Ｓ１，Ｓ２）と、この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段（Ｓ４，Ｓ６）と、この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段（Ｓ５，Ｓ７）とをさらに含むことを特徴とする基板処理装置である。 The invention according to claim 3 for achieving the above object includes a substrate holding mechanism (21) for holding the substrate (W) to be processed, and surrounding the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism. Through a shielding wall (24) having an opening (24b) above, a shielding member (22) provided above the shielding wall, and a gap (65) between the shielding wall and the shielding member. A treatment liquid nozzle 66 that discharges the treatment liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism and a predetermined blockage through which the treatment liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member. In a state where the time gap (C1) is secured, the opening position is set by making the gap between the shielding position and the shielding wall and the shielding member larger than the blockage gap. Between the open position and the front A moving means (37, 39) for moving at least one of the shielding wall and the shielding member relative to the other; and an exhaust means (34, 62) for exhausting the space inside the shielding wall, The moving means moves at least the shielding member, wind speed detecting means (64, S1, S2) for detecting the wind speed of the airflow flowing into the shielding wall through the clearance gap, and the wind speed Shielding position setting means for setting the shielding position so that the distance from the substrate held by the substrate holding mechanism to the shielding member is maximized within a range in which the wind speed detected by the detection means satisfies a predetermined control wind speed range. (S4, S6) and movement control means (S5, S7) for controlling the moving means to achieve the shielding position set by the shielding position setting means. A substrate processing apparatus.

この構成によれば、基板保持機構に保持された基板に対して、処理液ノズルから処理液を供給して処理を施すことができる。このとき、移動手段によって遮蔽壁および遮蔽部材のうちの一方のその他方に対する位置を遮蔽位置とすることにより、遮蔽壁および遮蔽部材との間には、微小な閉塞時隙間が形成され、この閉塞時隙間から処理液ノズルが差し入れられた状態で、基板を処理液によって処理することができる。
一方で、遮蔽壁の内部の空間は排気手段によって排気されるから、閉塞時隙間では、遮蔽壁の外方から内方に向かう高速気流が形成される。この高速気流により、基板に供給された処理液から生じるミスト（蒸気および飛沫を含む。）が遮蔽壁の外部に飛び出すことを抑制または防止できる。その結果、遮蔽壁の内部にミストをほぼ抑え込むことができるから、遮蔽壁の外部へのミストの拡散に伴う前述の問題を解決できる。すなわち、スループットの低下やコストの増加を招くことなく、ミストまたはパーティクルの基板への再付着を抑制または防止して、基板処理品質を向上することができる。
また、閉塞時隙間において制御風速範囲が満たされるとともに、基板と遮蔽部材との距離を最大にするように遮蔽位置が可変制御される。これにより、遮蔽壁の内方にミストを抑え込むことができるとともに、遮蔽部材への処理液飛沫の付着を抑制または防止できる。これにより、遮蔽部材の洗浄処理を省略または簡素化でき、また、汚染物質の基板への再付着を抑制または防止して基板処理品質を高めることができる。 According to this configuration, the processing liquid can be supplied from the processing liquid nozzle to the substrate held by the substrate holding mechanism. At this time, by setting the position relative to the other one of the shielding wall and the shielding member by the moving means as a shielding position, a minute clearance gap is formed between the shielding wall and the shielding member. The substrate can be processed with the processing liquid in a state where the processing liquid nozzle is inserted from the time gap.
On the other hand, since the space inside the shielding wall is exhausted by the exhaust means, a high-speed airflow is formed in the closed gap from the outside to the inside of the shielding wall. By this high-speed air flow, it is possible to suppress or prevent the mist (including vapor and splashes) generated from the processing liquid supplied to the substrate from jumping out of the shielding wall. As a result, the mist can be substantially suppressed inside the shielding wall, so that the above-mentioned problems associated with the diffusion of mist to the outside of the shielding wall can be solved. In other words, the substrate processing quality can be improved by suppressing or preventing the re-attachment of mist or particles to the substrate without reducing the throughput or increasing the cost.
Further , the control wind speed range is satisfied in the closed gap, and the shielding position is variably controlled so as to maximize the distance between the substrate and the shielding member. Thereby, while being able to suppress mist to the inner side of a shielding wall, adhesion of the process liquid splash to a shielding member can be suppressed or prevented. Thereby, the cleaning process of the shielding member can be omitted or simplified, and the re-adhesion of the contaminant to the substrate can be suppressed or prevented to improve the substrate processing quality.

基板の搬入または搬出時には、移動手段によって、遮蔽壁および遮蔽部材の間の隙間を大きくして、遮蔽壁の開口部を開放すればよい。
前記基板保持機構は、基板をほぼ水平に保持するものであよい。また、基板保持機構は、基板を保持して回転させる基板保持回転機構であってもよい。このような基板保持回転機構の例としては、基板を保持して回転するスピンチャックを挙げることができる。
前記遮蔽壁および遮蔽部材は、少なくとも一方が他方に対して上下動可能に設けられていてもよい。この場合、前記移動手段は、前記遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して上下動させるものであることが好ましい。
前記処理液は、レジスト剥離液に代表される薬液であってもよい。レジスト剥離液としては、硫酸（たとえば８０℃程度に加熱された硫酸）と過酸化水素水との混合液からなるもの（いわゆるＳＰＭ液（硫酸過酸化水素水））であってもよい。ＳＰＭ液は、基板上で、たとえば、化学反応によって約１５０℃にまで昇温し、蒸気を含む大量のミストを生じる。本発明を適用することによって、このようなミストを遮蔽壁の内方に抑え込むことができる。
請求項４記載の発明は、前記遮蔽部材は、前記基板保持機構に保持された基板に対向する基板対向面（２２ａ）を有しており、前記遮蔽部材の少なくとも前記基板対向面を洗浄する遮蔽部材洗浄手段（７０）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、遮蔽部材洗浄手段によって遮蔽部材の少なくとも基板対向面を洗浄することができる。これにより、遮蔽部材の基板対向面に付着した処理液による基板の汚染を抑制または防止でき、基板処理の高品質化を図ることができる。 When the substrate is carried in or out, the gap between the shielding wall and the shielding member may be increased by the moving means to open the opening of the shielding wall.
The substrate holding mechanism may hold the substrate substantially horizontally. The substrate holding mechanism may be a substrate holding and rotating mechanism that holds and rotates the substrate. As an example of such a substrate holding and rotating mechanism, a spin chuck that holds and rotates a substrate can be cited.
At least one of the shielding wall and the shielding member may be provided so as to be vertically movable with respect to the other. In this case, it is preferable that the moving means moves up and down at least one of the shielding wall and the shielding member with respect to the other.
The treatment liquid may be a chemical liquid typified by a resist stripping liquid. The resist stripping solution may be a solution (so-called SPM solution (sulfuric acid hydrogen peroxide solution)) made of a mixed solution of sulfuric acid (for example, sulfuric acid heated to about 80 ° C.) and hydrogen peroxide solution. The SPM liquid is heated to about 150 ° C. on the substrate, for example, by a chemical reaction, and a large amount of mist containing vapor is generated. By applying the present invention, such a mist can be suppressed to the inside of the shielding wall.
According to a fourth aspect of the present invention, the shielding member has a substrate facing surface (22a) facing the substrate held by the substrate holding mechanism, and the shielding member cleans at least the substrate facing surface of the shielding member. I claim 1, further comprising a member cleaning means (70) is a substrate processing apparatus according to any one of 3.
According to this configuration, at least the substrate facing surface of the shielding member can be cleaned by the shielding member cleaning means. Thereby, the contamination of the substrate by the processing liquid adhering to the substrate facing surface of the shielding member can be suppressed or prevented, and the quality of the substrate processing can be improved.

この場合に、請求項１または３の構成を併せて採用すれば、遮蔽部材洗浄手段によって、遮蔽部材に付着した処理液を簡単に洗浄除去することができる。これにより、遮蔽部材洗浄手段の構成を簡単にすることができ、また、遮蔽部材の洗浄時間を短くすることができる。これにより、基板処理装置のコストを低減でき、また、基板処理のスループットの向上に寄与できる。 In this case, if the structure of Claim 1 or 3 is also employ | adopted, the process liquid adhering to the shielding member can be easily washed and removed by the shielding member cleaning means. Thereby, the structure of the shielding member cleaning means can be simplified, and the cleaning time of the shielding member can be shortened. As a result, the cost of the substrate processing apparatus can be reduced, and the substrate processing throughput can be improved.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置１００は、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して、洗浄処理の一種であるレジスト剥離処理を施すための装置である。基板処理装置１００は、基板Ｗに対してレジスト剥離処理を行うための処理領域Ａ，Ｂと、これらの処理領域Ａ，Ｂ間に配置された搬送領域Ｃとを有している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 100 is an apparatus for performing a resist stripping process, which is a kind of cleaning process, on a substrate W such as a semiconductor wafer. The substrate processing apparatus 100 includes processing areas A and B for performing a resist stripping process on the substrate W, and a transfer area C disposed between the processing areas A and B.

処理領域Ａには、メイン制御部４、流体ボックス部２ａ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２および流体ボックス部２ｂが配置され、処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ、洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４および流体ボックス部２ｄが配置されている。搬送領域Ｃには、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲが配置されている。
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか１つの流体関連機器を収納している。同様に、流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか１つの流体関連機器を収納している。 In the processing region A, the main control unit 4, the fluid box unit 2a, the cleaning processing units MPC1, MPC2, and the fluid box unit 2b are arranged. In the processing region B, the fluid box unit 2c, the cleaning processing units MPC3, MPC4, and the fluid A box portion 2d is arranged. In the transfer area C, an indexer robot IR and a substrate transfer robot CR are arranged.
The fluid box units 2a and 2b are respectively connected to the processing units MPC1 and MPC2, and the drains of the used processing solution from the cleaning units MPC1 and MPC2, pipes, joints, valves, flow meters, regulators, It houses at least one fluid-related device among a pump, a temperature controller, a treatment liquid storage tank, and the like. Similarly, the fluid boxes 2c and 2d are provided with pipes, joints, valves, and flow meters for supplying the processing liquid to the cleaning processing units MPC3 and MPC4 and discharging the used processing liquid from the cleaning processing units MPC3 and MPC4, respectively. And at least any one of a regulator, a pump, a temperature controller, a treatment liquid storage tank, and the like.

洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４では、基板Ｗに付着したレジストを剥離するために、レジスト剥離液等の処理液を用いた洗浄処理が行われるとともに、洗浄処理後の基板の乾燥処理も行われる。これらの洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４に取り囲まれるように、基板搬送ロボットＣＲが配置されている。
この実施形態においては、洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために４台搭載されている。むろん、洗浄処理部の台数は４台に限定されず、他の任意の台数を搭載してもよい。 In the cleaning processing units MPC <b> 1 to MPC <b> 4, in order to remove the resist attached to the substrate W, a cleaning process using a processing liquid such as a resist stripping solution is performed, and a drying process of the substrate after the cleaning process is also performed. A substrate transport robot CR is disposed so as to be surrounded by the cleaning processing units MPC1 to MPC4.
In this embodiment, the cleaning processing units MPC1 to MPC4 have the same function, and four units are mounted in order to improve the throughput of the substrate processing. Of course, the number of cleaning processing units is not limited to four, and any other number may be mounted.

処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納する複数のキャリア１が載置される。この実施形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod)を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ(standard Mechanical Inter Face)ポッド、ＯＣ(Open Cassette)等の他の形態のキャリアを用いてもよい。 On one end side of the processing areas A and B, an indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged. In the indexer ID, a plurality of carriers 1 that store the substrates W are placed. In this embodiment, a FOUP (Front Opening Unified Pod) that accommodates the substrate W in a sealed state is used as the carrier 1. However, the present invention is not limited to this, and a SMIF (standard Mechanical Inter Face) pod, Other forms of carriers such as OC (Open Cassette) may be used.

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４に搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４から受け取った基板ＷをインデクサロボットＩＲに搬送する。 The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the carrier 1 and passes it to the substrate transport robot CR, and conversely receives the substrate W subjected to a series of processing from the substrate transport robot CR. Return to carrier 1.
The substrate transport robot CR transports the substrate W transferred from the indexer robot IR to the designated cleaning processing units MPC1 to MPC4. The substrate transport robot CR transports the substrate W received from the cleaning processing units MPC1 to MPC4 to the indexer robot IR.

メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
以下、洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうち洗浄処理部ＭＰＣ１について説明する。
図２は洗浄処理部ＭＰＣ１の断面図であり、洗浄処理を開始する前の状態を示す。この実施形態における洗浄処理は、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離処理である。 The main control unit 4 includes a computer including a CPU (Central Processing Unit) and the like. The operations of the cleaning processing units MPC1 to MPC4 in the processing areas A and B, the operation of the substrate transfer robot CR in the transfer area C, and the indexer ID Controls the operation of the indexer robot IR.
Hereinafter, the cleaning processing unit MPC1 among the cleaning processing units MPC1 to MPC4 will be described.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the cleaning processing unit MPC1 and shows a state before starting the cleaning process. The cleaning process in this embodiment is a resist stripping process using a resist stripping solution.

洗浄処理部ＭＰＣ１においては、基板Ｗ表面上のレジストを剥離するためのレジスト剥離液として硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）と過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）との混合流体（ＳＰＭ液）を用いる。レジスト剥離液としては、他にも、アンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ−１）、塩酸と過酸化水素水との混合液（ＳＣ−２）または他の任意のレジスト剥離液を用いてもよい。 In the cleaning processing unit MPC1, a mixed fluid (SPM solution) of sulfuric acid (H ₂ SO ₄ ) and hydrogen peroxide (H ₂ O ₂ ) is used as a resist stripping solution for stripping the resist on the surface of the substrate W. . Other resist stripping solutions include a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide (SC-1), a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide (SC-2), or any other resist stripping solution. It may be used.

洗浄処理部ＭＰＣ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。処理液供給管２６には、純水またはレジスト剥離液等の処理液が供給される。処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。処理液供給管２６の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル２７が設けられている。基板Ｗは、洗浄処理、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。 The cleaning processing unit MPC1 includes a spin chuck 21 for holding the substrate W horizontally and rotating the substrate W about a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W. The spin chuck 21 is fixed to the upper end of the rotation shaft 25 rotated by the chuck rotation drive mechanism 36. The rotation shaft 25 of the spin chuck 21 is a hollow shaft. A processing liquid supply pipe 26 is inserted into the rotary shaft 25. The processing liquid supply pipe 26 is supplied with processing liquid such as pure water or resist stripping liquid. The processing liquid supply pipe 26 extends to a position close to the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 21. A lower surface nozzle 27 that discharges the processing liquid toward the center of the lower surface of the substrate W is provided at the tip of the processing liquid supply pipe 26. The substrate W rotates while being held horizontally by the spin chuck 21 when performing a cleaning process, a drying process of the substrate W after the cleaning process, or the like.

スピンチャック２１の上方には、中心部に開口を有する円板状の遮蔽板２２が水平に設けられている。遮蔽板２２は、スピンチャック２１の上方に配置されたアーム２８の先端付近に鉛直下方向に設けられた支持軸８０の下端に設けられている。アーム２８には、遮蔽板昇降駆動機構３７および遮蔽板回転駆動機構３８が接続されている。遮蔽板昇降駆動機構３７および遮蔽板回転駆動機構３８の動作については後述する。なお、図５に拡大して示すように、軸上部２９と支持軸８０とはベアリング２９ａを介して保持されており、アーム２８に対して固定された軸上部２９に対して、支持軸８０は、この支持軸８０に取り付けられた軸下部３０とともに、遮蔽板回転駆動機構３８により回転されるようになっている。 Above the spin chuck 21, a disk-shaped shielding plate 22 having an opening at the center is provided horizontally. The shielding plate 22 is provided at the lower end of the support shaft 80 provided vertically downward near the tip of the arm 28 disposed above the spin chuck 21. The arm 28 is connected to a shield plate lifting / lowering drive mechanism 37 and a shield plate rotation drive mechanism 38. The operations of the shielding plate lifting / lowering driving mechanism 37 and the shielding plate rotation driving mechanism 38 will be described later. As shown in an enlarged view in FIG. 5, the shaft upper portion 29 and the support shaft 80 are held via a bearing 29 a, and the support shaft 80 is fixed to the shaft upper portion 29 fixed to the arm 28. Together with the shaft lower portion 30 attached to the support shaft 80, the shield plate rotation drive mechanism 38 rotates the shaft.

支持軸８０内には、処理液供給管８１が非回転状態に設けられている。処理液供給管８１周辺の構成については後述する。
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するとともに処理カップ２３内の雰囲気を排気するための排液・排気空間３１が形成されている。さらに、排液・排気空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。 A treatment liquid supply pipe 81 is provided in the support shaft 80 in a non-rotating state. The configuration around the processing liquid supply pipe 81 will be described later.
The spin chuck 21 is accommodated in the processing cup 23. A cylindrical partition wall 33 is provided inside the processing cup 23. Further, a drainage / exhaust space 31 for draining the processing solution used for processing the substrate W and exhausting the atmosphere in the processing cup 23 is formed so as to surround the periphery of the spin chuck 21. Further, a recovery liquid space 32 for recovering the processing liquid used for processing the substrate W is formed between the processing cup 23 and the partition wall 33 so as to surround the drainage / exhaust space 31.

排液・排気空間３１には、気液分離ボックス６０へ処理液および排気を導くための排液・排気管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。気液分離ボックス６０は、排液および排気を分離し、それらをそれぞれ排液管６１および排気管６２へと導く。排液管６１は、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導く。排気管６２は、排気源６３へと排気を導く。排気源６３は、一般には、工場の排気ユーティリティである。排気管６２には、この排気管６２内の気圧を検出する圧力センサ６４が付設されている。 The drainage / exhaust space 31 is connected to a drainage / exhaust pipe 34 for guiding the processing liquid and exhaust to the gas-liquid separation box 60, and the recovery liquid space 32 is processed to a recovery processing device (not shown). A recovery pipe 35 for guiding the liquid is connected. The gas-liquid separation box 60 separates the drainage and the exhaust, and guides them to the drainage pipe 61 and the exhaust pipe 62, respectively. The drainage pipe 61 guides the processing liquid to a drainage processing apparatus (not shown). The exhaust pipe 62 guides exhaust to the exhaust source 63. The exhaust source 63 is generally a factory exhaust utility. The exhaust pipe 62 is provided with a pressure sensor 64 that detects the atmospheric pressure in the exhaust pipe 62.

処理カップ２３の内側には、基板Ｗに向けて吐出された処理液が飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が上下動可能に設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な略円筒形状の遮蔽壁であり、上部に開口部２４ｂを有する。処理カップ２３およびスプラッシュガード２４は、スピンチャック２１を取り囲む処理容器２０を形成している。 Inside the processing cup 23, a splash guard 24 for preventing the processing liquid discharged toward the substrate W from scattering is provided so as to be movable up and down. The splash guard 24 is a substantially cylindrical shielding wall that is rotationally symmetric with respect to the rotation shaft 25, and has an opening 24b at the top. The processing cup 23 and the splash guard 24 form a processing container 20 that surrounds the spin chuck 21.

スプラッシュガード２４の上端部の内側には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。また、スプラッシュガード２４の下端部の内側には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
このスプラッシュガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたスプラッシュガード昇降駆動機構３９が接続されている。スプラッシュガード昇降駆動機構３９は、スプラッシュガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置（図示せず）と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置（図２に示す位置）との間で上下動させる。 Inside the upper end of the splash guard 24, a drainage guide groove 41 having a square cross section is formed in an annular shape. In addition, a recovery liquid guide 42 is formed on the inner side of the lower end portion of the splash guard 24. The recovery liquid guide portion 42 has an inclined surface that is inclined outward and downward. A partition wall storage groove 43 for receiving the partition wall 33 of the processing cup 23 is formed in the vicinity of the upper end of the recovered liquid guide portion 42.
The splash guard 24 is connected to a splash guard raising / lowering drive mechanism 39 constituted by a ball screw mechanism or the like. The splash guard elevating drive mechanism 39 spins the splash guard 24 with a collection position (not shown) where the collection liquid guide 42 faces the outer peripheral end surface of the substrate W held by the spin chuck 21, and the drainage guide groove 41 spins. It is moved up and down between the drainage position (position shown in FIG. 2) facing the outer peripheral end surface of the substrate W held by the chuck 21.

例えば、スプラッシュガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、スプラッシュガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が、排液案内溝４１により排液・排気空間３１に導かれ、排液・排気管３４を通して排液される。また、排液・排気管３４を通して排液・排気空間３１内の雰囲気が排気される。以上の構成により、レジスト剥離液の排液および回収ならびに処理容器２０の内部の排気が行われる。レジスト剥離液としてＳＰＭ液を用いる場合には、通常は、このＳＰＭ液は回収されず、排液されることになる。 For example, when the splash guard 24 is at the recovery position, the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the recovery liquid space 32 by the recovery liquid guide part 42 and recovered through the recovery pipe 35. On the other hand, when the splash guard 24 is at the drainage position, the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the drainage / exhaust space 31 by the drainage guide groove 41 and passes through the drainage / exhaust pipe 34. Drained. Further, the atmosphere in the drainage / exhaust space 31 is exhausted through the drainage / exhaust pipe 34. With the above configuration, the resist stripping solution is drained and collected, and the inside of the processing container 20 is exhausted. When an SPM solution is used as the resist stripping solution, this SPM solution is usually not collected but drained.

スプラッシュガード２４の外面２４ａには、遮蔽板洗浄ノズル７０が遮蔽板２２の下面である基板対向面２２ａに対して純水を吐出できるように設けられている。これにより、遮蔽板洗浄ノズル７０により遮蔽板２２を洗浄することができるので、遮蔽板２２にレジスト剥離液が付着した場合でも、遮蔽板２２を容易に洗浄することができる。
レジスト剥離液は、この実施形態では、スプラッシュガード２４および遮蔽板２２の基板対向面２２ａとの間の隙間６５を通して側方から差し入れられる処理液ノズル６６を介して供給される。処理液ノズル６６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に向けられた吐出口６６ａを有し、この吐出口６６ａからレジスト剥離液を基板Ｗの上面に供給する。処理液ノズル６６は、ノズル移動機構６７によって、吐出口６６ａが基板Ｗの上面に対向する位置（とくに基板Ｗ上面の回転中心位置に対向する位置）と、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂよりも側方に吐出口６６ａが退避した退避位置との間で移動させられるようになっている。処理液ノズル６６は、レジスト剥離液の吐出中、吐出口６６ａが基板Ｗの上面の回転中心位置に対向した位置に保持される固定ノズルであってもよいし、レジスト液の吐出中、ノズル移動機構６７の働きによって、吐出口６６ａが基板Ｗの直径または半径にほぼ沿う軌道上で移動されるスキャンノズルであってもよい。 On the outer surface 24 a of the splash guard 24, a shielding plate cleaning nozzle 70 is provided so that pure water can be discharged to the substrate facing surface 22 a that is the lower surface of the shielding plate 22. Thereby, since the shielding plate 22 can be washed by the shielding plate washing nozzle 70, the shielding plate 22 can be easily washed even when the resist stripping solution adheres to the shielding plate 22.
In this embodiment, the resist stripping solution is supplied through a processing solution nozzle 66 that is inserted from the side through a gap 65 between the splash guard 24 and the substrate facing surface 22a of the shielding plate 22. The processing liquid nozzle 66 has a discharge port 66 a directed to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 21, and supplies a resist stripping solution from the discharge port 66 a to the upper surface of the substrate W. The treatment liquid nozzle 66 is moved by a nozzle moving mechanism 67 at a position where the discharge port 66a faces the upper surface of the substrate W (particularly, a position facing the rotation center position of the upper surface of the substrate W) and the opening 24b of the splash guard 24. On the other hand, the discharge port 66a can be moved between the retracted position and the retracted position. The treatment liquid nozzle 66 may be a fixed nozzle in which the discharge port 66a is held at a position opposite to the rotation center position on the upper surface of the substrate W during the discharge of the resist stripping liquid, or the nozzle movement during the discharge of the resist liquid. It may be a scan nozzle in which the ejection port 66a is moved on a track substantially along the diameter or radius of the substrate W by the function of the mechanism 67.

図３は基板処理装置１００の制御系の構成を説明するためのブロック図である。基板処理装置１００においては、メイン制御部４が、操作パネル４ａ、インデクサロボットＩＲ、基板搬送ロボットＣＲおよび複数の洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の各々と接続されている。また、洗浄処理部ＭＰＣ１には、コントローラＣＴが設けられている。コントローラＣＴは、遮蔽板昇降駆動機構３７、遮蔽板回転駆動機構３８、チャック回転駆動機構３６、スプラッシュガード昇降駆動機構３９、ノズル移動機構６７、圧力センサ６４、処理液供給系９１および窒素ガス供給系９０の各々と接続されている。他の洗浄処理部ＭＰＣ２〜ＭＰＣ４の制御系の構成も同様である。 FIG. 3 is a block diagram for explaining the configuration of the control system of the substrate processing apparatus 100. In the substrate processing apparatus 100, the main control unit 4 is connected to each of the operation panel 4a, the indexer robot IR, the substrate transport robot CR, and the plurality of cleaning processing units MPC1 to MPC4. Further, the cleaning processing unit MPC1 is provided with a controller CT. The controller CT includes a shielding plate raising / lowering driving mechanism 37, a shielding plate rotation driving mechanism 38, a chuck rotation driving mechanism 36, a splash guard raising / lowering driving mechanism 39, a nozzle moving mechanism 67, a pressure sensor 64, a processing liquid supply system 91, and a nitrogen gas supply system. 90 is connected to each of them. The configuration of the control system of the other cleaning processing units MPC2 to MPC4 is the same.

使用者が操作パネル４ａを操作することにより、各基板の処理条件（レジスト剥離処理条件)がメイン制御部４に与えられる。メイン制御部４は、入力された処理条件に基づいて、インデクサロボットＩＲ、基板搬送ロボットＣＲおよび洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のコントローラＣＴに制御信号を出力する。
コントローラＣＴは、メイン制御部４からの制御信号および圧力センサ６４の出力信号に応じて、遮蔽板昇降駆動機構３７、遮蔽板回転駆動機構３８、チャック回転駆動機構３６、スプラッシュガード昇降駆動機構３９、ノズル移動機構６７、処理液供給系９１および窒素ガス供給系９０の各々に指示を与える。 When the user operates the operation panel 4a, the processing conditions (resist stripping processing conditions) for each substrate are given to the main control unit 4. The main control unit 4 outputs a control signal to the controller CT of the indexer robot IR, the substrate transfer robot CR, and the cleaning processing units MPC1 to MPC4 based on the input processing conditions.
The controller CT responds to a control signal from the main control unit 4 and an output signal of the pressure sensor 64, and includes a shielding plate lifting / lowering driving mechanism 37, a shielding plate rotation driving mechanism 38, a chuck rotation driving mechanism 36, a splash guard lifting / lowering driving mechanism 39, An instruction is given to each of the nozzle moving mechanism 67, the processing liquid supply system 91, and the nitrogen gas supply system 90.

遮蔽板昇降駆動機構３７は、コントローラＣＴからの指示および圧力センサ６４の出力信号によりアーム２８を昇降させ、遮蔽板回転駆動機構３８は、コントローラＣＴからの指示により支持軸８０、軸下部３０および遮蔽板２２を回転させ、チャック回転駆動機構３６は、コントローラＣＴからの指示に基づいてスピンチャック２１により基板Ｗを保持させるとともに回転させる。 The shielding plate raising / lowering driving mechanism 37 raises and lowers the arm 28 based on an instruction from the controller CT and an output signal of the pressure sensor 64, and the shielding plate rotation driving mechanism 38 is supported by the support shaft 80, the lower shaft 30 and the shielding. The plate 22 is rotated, and the chuck rotation driving mechanism 36 holds and rotates the substrate W by the spin chuck 21 based on an instruction from the controller CT.

また、スプラッシュガード昇降駆動機構３９はコントローラＣＴからの指示によりスプラッシュガード２４を昇降させる。
さらに、処理液供給系９１は、コントローラＣＴからの指示により、処理液ノズル６６および処理液供給管２６，８１から処理液を吐出させる。窒素ガス供給系９０は、コントローラＣＴからの指示により、支持軸８０と処理液供給管８１との間に形成された窒素ガス供給路８２（図５参照）から窒素を吐出させる。 Moreover, the splash guard raising / lowering drive mechanism 39 raises / lowers the splash guard 24 according to the instruction | indication from controller CT.
Further, the processing liquid supply system 91 discharges the processing liquid from the processing liquid nozzle 66 and the processing liquid supply pipes 26 and 81 according to an instruction from the controller CT. The nitrogen gas supply system 90 discharges nitrogen from a nitrogen gas supply path 82 (see FIG. 5) formed between the support shaft 80 and the processing liquid supply pipe 81 in accordance with an instruction from the controller CT.

次に、図４および図５を用いて洗浄処理中の洗浄処理装置ＭＰＣ１の状態について説明する。図４は洗浄処理装置ＭＰＣ１の洗浄処理中の状態を示す断面図であり、図５は図４の洗浄処理装置ＭＰＣ１の一部の拡大断面図である。
図４および図５に示すように、支持軸８０内には、処理液供給管８１が設けられている。処理液供給管８１はアーム２８に固定されており、支持軸８０とともに回転しないようになっている。処理液供給管８１の下端には、基板Ｗの上面中央に向けて処理液（この実施形態では純水）を吐出する処理液吐出口５１が設けられている。そして、処理液吐出口５１の周囲には、窒素ガス供給路８２からの窒素ガス（Ｎ₂）を吐出するドーナツ状の窒素ガス吐出口５０が設けられている。すなわち、処理液供給管８１と支持軸８０との間が、窒素ガス供給路８２の役割を果たしている。処理液供給管８１には、純水等の処理液が供給される。窒素ガス供給路８２には、窒素ガスが供給される。 Next, the state of the cleaning apparatus MPC1 during the cleaning process will be described with reference to FIGS. 4 is a cross-sectional view showing a state during the cleaning process of the cleaning processing apparatus MPC1, and FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a part of the cleaning processing apparatus MPC1 of FIG.
As shown in FIGS. 4 and 5, a treatment liquid supply pipe 81 is provided in the support shaft 80. The treatment liquid supply pipe 81 is fixed to the arm 28 so as not to rotate with the support shaft 80. At the lower end of the processing liquid supply pipe 81, a processing liquid discharge port 51 for discharging the processing liquid (pure water in this embodiment) toward the center of the upper surface of the substrate W is provided. A donut-shaped nitrogen gas discharge port 50 that discharges nitrogen gas (N ₂ ) from the nitrogen gas supply path 82 is provided around the processing liquid discharge port 51. That is, the nitrogen gas supply path 82 plays a role between the processing liquid supply pipe 81 and the support shaft 80. A processing liquid such as pure water is supplied to the processing liquid supply pipe 81. Nitrogen gas is supplied to the nitrogen gas supply path 82.

本実施形態において、遮蔽板２２の直径は、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂの直径よりも小さい。例えば、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂの直径が３２８ｍｍであり、遮蔽板２２の直径が３２０ｍｍである。
洗浄処理装置ＭＰＣ１の動作は次のとおりである。
まず、基板Ｗが洗浄処理装置ＭＰＣ１に搬入され、スピンチャック２１に保持される。この際には、遮蔽板２２はスピンチャック２１の上方に待機した開放位置（図１に示す位置）にあり、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂが開放された状態となって、隙間６５が大きく開いている。また、このとき、処理液ノズル６６はスプラッシュガード２４外に待機させられている。この状態で、コントローラＣＴは、ノズル移動機構６７を制御し、処理液ノズル６６を隙間６５からスピンチャック２１の上方へと挿し入れさせる。これにより、処理液ノズル６６の吐出口６６ａが、基板Ｗの回転中心の上方位置に導かれる。 In the present embodiment, the diameter of the shielding plate 22 is smaller than the diameter of the opening 24 b of the splash guard 24. For example, the diameter of the opening 24b of the splash guard 24 is 328 mm, and the diameter of the shielding plate 22 is 320 mm.
The operation of the cleaning processing apparatus MPC1 is as follows.
First, the substrate W is carried into the cleaning processing apparatus MPC1 and held by the spin chuck 21. At this time, the shielding plate 22 is in an open position (position shown in FIG. 1) waiting above the spin chuck 21, and the opening 24b of the splash guard 24 is opened, so that the gap 65 is greatly opened. ing. At this time, the treatment liquid nozzle 66 is kept waiting outside the splash guard 24. In this state, the controller CT controls the nozzle moving mechanism 67 to insert the processing liquid nozzle 66 into the upper portion of the spin chuck 21 through the gap 65. Thereby, the discharge port 66 a of the processing liquid nozzle 66 is guided to a position above the rotation center of the substrate W.

次に、コントローラＣＴは、遮蔽板昇降駆動機構３７を制御することにより、遮蔽板２２を、その下面である基板対向面２２ａが処理液ノズル６６と干渉しない高さ（遮蔽位置。図４および図５に示す位置）まで下降させる。このとき、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂと遮蔽板２２との間の隙間６５は、遮蔽板２２が開放位置（図１参照）にあるときよりもはるかに小さな閉塞時隙間Ｃ１となる。 Next, the controller CT controls the shielding plate raising / lowering drive mechanism 37 so that the substrate opposing surface 22a which is the lower surface of the shielding plate 22 does not interfere with the processing liquid nozzle 66 (shielding position. FIG. 4 and FIG. To the position shown in FIG. At this time, the gap 65 between the opening 24b of the splash guard 24 and the shielding plate 22 is a closing clearance C1 that is much smaller than when the shielding plate 22 is in the open position (see FIG. 1).

処理容器２０の内部の空間は、排液・排気管３４、気液分離ボックス６０および排気管６２を介して、排気源６３によって常時排気されている。そのため、隙間６５が閉塞時隙間Ｃ１まで狭められることによって、この閉塞時隙間Ｃ１を通って処理容器２０の内方へ流入する高速気流（クリーンエアの気流）が生じる。閉塞時隙間Ｃ１は、この高速気流が、所定の制御風速範囲（１．０ｍ／秒以上、より好ましくは１．２ｍ／秒以上）となるように定められる。 The space inside the processing container 20 is constantly exhausted by the exhaust source 63 via the drain / exhaust pipe 34, the gas-liquid separation box 60 and the exhaust pipe 62. Therefore, when the gap 65 is narrowed to the closed gap C1, a high-speed airflow (clean air flow) flowing into the processing container 20 through the closed gap C1 is generated. The closing clearance C1 is determined so that the high-speed air flow is in a predetermined control wind speed range (1.0 m / second or more, more preferably 1.2 m / second or more).

次いで、処理液ノズル６６からレジスト剥離液、この実施形態では、硫酸と過酸化水素水との混合流体（ＳＰＭ液）が基板Ｗの表面に吐出されるとともに、窒素ガス吐出口５０から窒素が吐出される。それにより、基板Ｗ上のレジスト剥離処理が行われる。ＳＰＭ液は、薬液反応により約１５０℃まで上昇する。そのため、基板Ｗの表面上に吐出されたレジスト剥離液は、ミスト（蒸気および飛沫を含む。）となって飛散する。 Next, a resist stripping solution, in this embodiment, a mixed fluid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution (SPM solution) is discharged onto the surface of the substrate W and nitrogen is discharged from the nitrogen gas discharge port 50 from the processing solution nozzle 66. Is done. Thereby, the resist stripping process on the substrate W is performed. The SPM liquid rises to about 150 ° C. due to the chemical reaction. Therefore, the resist stripping solution discharged onto the surface of the substrate W is scattered as mist (including vapor and droplets).

上記のように、遮蔽板２２が移動することにより、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂは、遮蔽板２２により、閉塞時隙間Ｃ１をもって閉塞される。そして、このときには、閉塞時隙間Ｃ１において、外方から内方への気体の流れ（制御風速範囲の高速気流）を形成することができる。それにより、処理液ノズル６６から吐出された高温のレジスト剥離液のミストが発生しても、スプラッシュガード２４の外部空間にレジスト剥離液のミストが拡散することを抑制または防止できる。 As described above, when the shielding plate 22 moves, the opening 24b of the splash guard 24 is closed by the shielding plate 22 with the closing clearance C1. At this time, a gas flow from the outside to the inside (a high-speed air flow in the control wind speed range) can be formed in the closed gap C1. Thereby, even if mist of the high-temperature resist stripping liquid discharged from the processing liquid nozzle 66 is generated, it is possible to suppress or prevent the mist of the resist stripping liquid from diffusing into the external space of the splash guard 24.

その結果、処理容器２０外へとミストが流出し、この処理容器２０を取り囲む処理チャンバ（図示せず)内の広い空間にミストが漂うことを抑制または防止できる。これにより、ミストが基板Ｗに再付着することを効果的に抑制できる。また、スプラッシュガード２４の外面２４ａやさらにその外側の部材（処理チャンバの内壁や処理チャンバ内の各種の部材）に付着したレジスト剥離液が乾燥してパーティクルとなって浮遊し、基板Ｗに再付着したりすることも抑制または防止される。また、スプラッシュガード２４の外面２４ａやさらにその外側の処理チャンバの内の部材を洗浄するための洗浄工程が不要となるので、スループットの向上を図ることができる。また、純水使用量を低下させることができるのでランニングコストの削減を図ることができる。 As a result, it is possible to suppress or prevent the mist from flowing out of the processing container 20 and drifting in a wide space in a processing chamber (not shown) surrounding the processing container 20. Thereby, it can suppress effectively that mist adheres again to the board | substrate W. FIG. In addition, the resist stripping solution adhering to the outer surface 24a of the splash guard 24 and further outside members (inner walls of the processing chamber and various members in the processing chamber) dries and floats as particles and reattaches to the substrate W. It is also suppressed or prevented. In addition, since a cleaning process for cleaning the outer surface 24a of the splash guard 24 and the members in the processing chamber outside the splash guard 24 is not required, the throughput can be improved. Moreover, since the amount of pure water used can be reduced, the running cost can be reduced.

さらに、窒素ガス供給管８０から供給される窒素ガスにより、処理液のミストの流れを制御することが可能となる。その結果、ミストがさらに効率よく排液・排気空間３１へ送られ、排液・排気管３４から効率よく排出される。
また、排液・排気管３４からの排気により、遮蔽板２２とスプラッシュガード２４との閉塞時隙間Ｃ１に上方から下方（外方から内方）への気体の流れを形成することができるので、スプラッシュガード２４の内部の空間と外部の空間とを雰囲気的に遮断することができる。その結果、スプラッシュガード２４の内部から外部へミストが漏出することが十分に防止される。 Furthermore, the flow of mist of the processing liquid can be controlled by the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply pipe 80. As a result, the mist is more efficiently sent to the drainage / exhaust space 31 and efficiently discharged from the drainage / exhaust pipe 34.
Further, by exhausting from the drainage / exhaust pipe 34, a gas flow from the upper side to the lower side (from the outside to the inside) can be formed in the gap C1 when the shield plate 22 and the splash guard 24 are closed. The space inside the splash guard 24 and the outside space can be shut off atmospherically. As a result, the mist is sufficiently prevented from leaking from the inside of the splash guard 24 to the outside.

処理液ノズル６６から基板Ｗにレジスト剥離液を供給してレジスト剥離処理を行った後には、コントローラＣＴは、処理液ノズル６６からのレジスト剥離液の吐出を停止させる。その後、コントローラＣＴは、処理液供給系９１の制御によって、処理液供給管８１，２６へとリンス液としての純水を供給させ、処理液吐出口５１および下面ノズル２７から、基板Ｗの上下面の各回転中心に向けて純水を吐出させる。これにより、基板Ｗの純水リンス処理が行われる。このとき、遠心力によって基板Ｗの外方へと振り切られる純水により、スプラッシュガード２４の内壁面が同時に洗浄されることになる。 After supplying the resist stripping liquid from the processing liquid nozzle 66 to the substrate W and performing the resist stripping process, the controller CT stops the discharge of the resist stripping liquid from the processing liquid nozzle 66. Thereafter, the controller CT supplies pure water as a rinsing liquid to the processing liquid supply pipes 81 and 26 under the control of the processing liquid supply system 91, and the upper and lower surfaces of the substrate W from the processing liquid discharge port 51 and the lower surface nozzle 27. Pure water is discharged toward each rotation center. Thereby, the pure water rinse process of the board | substrate W is performed. At this time, the inner wall surface of the splash guard 24 is simultaneously cleaned with pure water that is spun off to the outside of the substrate W by centrifugal force.

一方、コントローラＣＴは、遮蔽板昇降駆動機構３７を制御して、遮蔽板２２の基板対向面２２ａが遮蔽板洗浄ノズル７０から吐出される洗浄液を受けることができる位置まで、遮蔽板２２を上昇させる。それとともに、コントローラＣＴは、遮蔽板回転駆動機構３８によって、遮蔽板２２を回転状態に保持するとともに、処理液供給系９１を制御し、遮蔽板洗浄ノズル７０から洗浄液としての純水を吐出させる。これにより、遮蔽板２２の基板対向面２２ａが洗浄され、その表面に付着したレジスト剥離液が洗い流される。また、同時に、処理液ノズル６６の洗浄も併せて達成される。 On the other hand, the controller CT controls the shielding plate lifting / lowering drive mechanism 37 to raise the shielding plate 22 to a position where the substrate facing surface 22a of the shielding plate 22 can receive the cleaning liquid discharged from the shielding plate cleaning nozzle 70. . At the same time, the controller CT holds the shielding plate 22 in a rotating state by the shielding plate rotation drive mechanism 38 and controls the processing liquid supply system 91 to discharge pure water as a cleaning liquid from the shielding plate washing nozzle 70. Thereby, the board | substrate opposing surface 22a of the shielding board 22 is wash | cleaned, and the resist stripping solution adhering to the surface is washed away. At the same time, the cleaning of the processing liquid nozzle 66 is also achieved.

その後、コントローラＣＴは、ノズル移動機構６７を制御して、処理液ノズル６６を処理容器２０の上方の空間から外方へと退避させる。
コントローラＣＴは、所定時間経過後に、遮蔽板洗浄ノズル７０からの純水の吐出を停止する。コントローラＣＴは、その後に、遮蔽板２２の表面の水分が遠心力によって振り切られるのに充分な一定時間の経過を待って、遮蔽板２２の回転を停止させ、さらに、処理液吐出口５１および下面ノズル２７からの純水の吐出を停止させる。こうして、純水リンス工程が完了する。 Thereafter, the controller CT controls the nozzle moving mechanism 67 to retract the processing liquid nozzle 66 from the space above the processing container 20 to the outside.
The controller CT stops discharging pure water from the shielding plate cleaning nozzle 70 after a predetermined time has elapsed. After that, the controller CT waits for a certain period of time sufficient for the moisture on the surface of the shielding plate 22 to be shaken off by the centrifugal force, stops the rotation of the shielding plate 22, and further processes the treatment liquid discharge port 51 and the lower surface. The discharge of pure water from the nozzle 27 is stopped. Thus, the pure water rinsing process is completed.

この純水リンス工程の後には、コントローラＣＴは、遮蔽板２２を上昇させて退避位置に導く。さらに、コントローラＣＴは、スプラッシュガード昇降駆動機構３９を制御し、スプラッシュガード２４を下降させ、基板Ｗがスプラッシュガード２４の上面よりも上方に位置する状態とする。この状態で、コントローラＣＴは、スピンチャック２１を高速回転（たとえば、３０００ｒｐｍ程度）させ、遠心力によって、基板Ｗ表面の水分を振り切らせる。スプラッシュガード２４を下降させていることにより、基板Ｗから高速で外方に飛び出した水滴の跳ね返りが基板Ｗに再付着することを抑制または防止できる。 After the pure water rinsing step, the controller CT raises the shielding plate 22 and guides it to the retracted position. Further, the controller CT controls the splash guard lifting / lowering drive mechanism 39 to lower the splash guard 24 so that the substrate W is positioned above the upper surface of the splash guard 24. In this state, the controller CT rotates the spin chuck 21 at a high speed (for example, about 3000 rpm) and shakes off moisture on the surface of the substrate W by centrifugal force. By lowering the splash guard 24, it is possible to suppress or prevent the rebound of the water droplets jumping outward from the substrate W at high speed from reattaching to the substrate W.

処理液ノズル６６からレジスト剥離液を吐出して行うレジスト剥離処理に際して、コントローラＣＴは、制御風速範囲が実現される一定の閉塞時隙間Ｃ１を保持するように、遮蔽板２２を定位置（一定の遮蔽位置）に保持してもよいし、圧力センサ６４によって検出される排気圧に応じて遮蔽板２２を上下動させて閉塞時隙間Ｃ１を可変設定してもよい（遮蔽位置の可変制御）。 In the resist stripping process performed by discharging the resist stripping liquid from the processing liquid nozzle 66, the controller CT places the shielding plate 22 at a fixed position (a constant position so as to maintain a constant clogging gap C1 in which the control wind speed range is realized. The shielding gap 22 may be variably set by moving the shielding plate 22 up and down according to the exhaust pressure detected by the pressure sensor 64 (variable control of the shielding position).

遮蔽板２２を一定の遮蔽位置に保持する場合には、閉塞時隙間Ｃ１が、処理液ノズル６６を挿通させておくことができる範囲で可能な限り狭くなるように遮蔽位置を設定することにより、閉塞時隙間Ｃ１を通って処理容器２０に流入するクリーンエアの流速を最大にすることができ、処理容器２０外へのミストの拡散を抑制するのに効果的である。
ただし、遮蔽板洗浄ノズル７０による遮蔽板２２の洗浄時間を短縮するか、または、この遮蔽板洗浄ノズル７０による遮蔽板２２の洗浄処理を省くためには、閉塞状態のときの基板Ｗと基板対向面２２ａとの間の距離を可能な限り大きくとることが好ましい。より具体的に説明すると、遮蔽板２２の表面へのレジスト剥離液の付着は、蒸気の形態による付着と、飛沫の形態によるものとに分けられる。蒸気の形態での付着では、比較的低濃度のレジスト剥離液が基板対向面２２ａに付着するに過ぎず、その洗浄は容易であるか、または必ずしも洗浄が必要でない場合もある。一方、レジスト剥離液の飛沫が基板対向面２２ａに到達したときには、高濃度なレジスト剥離液が基板対向面２２ａに付着することになるから、その洗浄には比較的長い時間を要する。 When the shielding plate 22 is held at a certain shielding position, by setting the shielding position so that the closing clearance C1 is as narrow as possible within a range in which the treatment liquid nozzle 66 can be inserted, The flow rate of the clean air flowing into the processing container 20 through the closed gap C1 can be maximized, which is effective in suppressing the diffusion of mist to the outside of the processing container 20.
However, in order to shorten the cleaning time of the shielding plate 22 by the shielding plate cleaning nozzle 70 or to omit the cleaning process of the shielding plate 22 by the shielding plate cleaning nozzle 70, the substrate W and the substrate opposite to each other in the closed state are used. The distance between the surface 22a is preferably as large as possible. More specifically, the adhesion of the resist stripping liquid to the surface of the shielding plate 22 can be divided into an adhesion due to the form of vapor and an appearance due to the form of splash. In the deposition in the form of vapor, the resist stripping solution having a relatively low concentration is only deposited on the substrate facing surface 22a, and the cleaning is easy or may not necessarily be performed. On the other hand, when the splash of the resist stripping solution reaches the substrate facing surface 22a, a high concentration resist stripping solution adheres to the substrate facing surface 22a, and thus cleaning takes a relatively long time.

このような観点からは、閉塞時隙間Ｃ１において所要の制御風速範囲が満たされる範囲で、遮蔽板２２を基板Ｗから可能な限り離隔させた位置に遮蔽位置を設定することが好ましい。
レジスト剥離処理中、遮蔽板２２を上下動させて遮蔽位置を可変制御し、閉塞時隙間Ｃ１を可変設定する処理の一例は、図６に示されている。コントローラＣＴは、圧力センサ６４によって検出される排気圧を読み込み（ステップＳ１）、これに基づいて、閉塞時隙間Ｃ１を通って処理容器２０に流入する気流の速度（風速）Ｖを演算する（ステップＳ２）。この風速Ｖの演算は、たとえば、閉塞時隙間Ｃ１の面積（流路断面積）と、排気圧に対応する排気管６２内の排気流量とに基づいて演算することができる。排気圧に対応する排気流量は、予め、試験して求めておく。より実際的には、圧力センサ６４によって検出される排気圧値および遮蔽板２２の高さ（より本質的には、スプラッシュガード２４に対する相対的な高さ）に対応する風速を表すテーブルを作成しておき、このテーブルに従って風速Ｖを求めればよい。 From such a viewpoint, it is preferable to set the shielding position at a position where the shielding plate 22 is separated from the substrate W as much as possible within a range in which the required control wind speed range is satisfied in the closing clearance C1.
FIG. 6 shows an example of a process of variably controlling the shielding position by moving the shielding plate 22 up and down during the resist stripping process and variably setting the closing clearance C1. The controller CT reads the exhaust pressure detected by the pressure sensor 64 (step S1), and based on this, calculates the velocity (wind velocity) V of the airflow flowing into the processing container 20 through the closed gap C1 (step S1). S2). The calculation of the wind speed V can be performed based on, for example, the area of the closed gap C1 (flow passage cross-sectional area) and the exhaust flow rate in the exhaust pipe 62 corresponding to the exhaust pressure. The exhaust flow rate corresponding to the exhaust pressure is determined in advance by testing. More practically, a table representing the wind speed corresponding to the exhaust pressure value detected by the pressure sensor 64 and the height of the shielding plate 22 (more essentially, the height relative to the splash guard 24) is created. The wind speed V may be obtained according to this table.

次に、コントローラＣＴは、求められた風速Ｖが所定の制御風速範囲ＬＬ≦Ｖ≦ＨＬかどうかを調べる（ステップＳ３）。この制御風速範囲は、下限値ＬＬおよび上限値ＨＬを定めた風速範囲であり、たとえば、下限値ＬＬは１．０ｍ／秒、上限値ＨＬは１．２ｍ／秒である。
風速Ｖが制御風速範囲未満であるとき、コントローラＣＴは、遮蔽板２２の新たな遮蔽位置を現在位置よりも下方に設定し（ステップＳ４）、この設定された遮蔽位置に基づいて遮蔽板昇降駆動機構３７を制御し、遮蔽板２２を下降させる（ステップＳ５）。これにより、閉塞時隙間Ｃ１が狭くなり、風速Ｖが高められる。一方、風速Ｖが制御風速範囲を超えているときは、コントローラＣＴは、遮蔽板２２の新たな遮蔽位置を現在位置よりも上方に設定し（ステップＳ６）、この設定された遮蔽位置に基づいて遮蔽板昇降駆動機構３７を制御する。これにより、遮蔽板２２が上昇させられ（ステップＳ７）、それに伴って閉塞時隙間Ｃ１が大きくなるため、風速Ｖが低くなる。 Next, the controller CT checks whether or not the obtained wind speed V is within a predetermined control wind speed range LL ≦ V ≦ HL (step S3). This control wind speed range is a wind speed range in which a lower limit value LL and an upper limit value HL are defined. For example, the lower limit value LL is 1.0 m / sec and the upper limit value HL is 1.2 m / sec.
When the wind speed V is less than the control wind speed range, the controller CT sets a new shielding position of the shielding plate 22 below the current position (step S4), and the shielding plate ascending / descending drive is performed based on the set shielding position. The mechanism 37 is controlled to lower the shielding plate 22 (step S5). As a result, the closing clearance C1 is narrowed and the wind speed V is increased. On the other hand, when the wind speed V exceeds the control wind speed range, the controller CT sets a new shielding position of the shielding plate 22 above the current position (step S6), and based on the set shielding position. The shielding plate raising / lowering drive mechanism 37 is controlled. Thereby, the shielding board 22 is raised (step S7), and since the clearance gap C1 at the time of closure becomes large in connection with it, the wind speed V becomes low.

同様の処理が繰り返し行われることによって、遮蔽板２２の位置は、閉塞時隙間Ｃ１における制御風速範囲が満たされる範囲で、基板Ｗから可能な限り離隔された位置に制御されることになる。
閉塞時隙間Ｃ１を通る気流の風速の測定は、圧力センサ６４の出力を用いて行う必要はなく、たとえば、閉塞時隙間Ｃ１に風速センサを配置して、直接的に風速を検出する構成としてもよい。 By repeatedly performing the same process, the position of the shielding plate 22 is controlled to a position as far as possible from the substrate W within a range in which the control wind speed range in the closed gap C1 is satisfied.
The measurement of the wind speed of the airflow passing through the closed gap C1 does not need to be performed using the output of the pressure sensor 64. For example, a wind speed sensor may be disposed in the closed gap C1 to directly detect the wind speed. Good.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、スプラッシュガード２４を静止させておく一方で、遮蔽板２２を上下動作させることによって、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂを開放／閉塞するようにしている。しかし、遮蔽板２２を静止させておいて、スプラッシュガード２４をスプラッシュガード昇降駆動機構３９によって上下動させることによって同様の目的を達することができる。むろん、遮蔽板２２およびスプラッシュガード２４の両方を上下動させて、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂを開放／閉塞することもできる。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described embodiment, the splash guard 24 is kept stationary while the shielding plate 22 is moved up and down to open / close the opening 24b of the splash guard 24. However, the same purpose can be achieved by moving the splash guard 24 up and down by the splash guard raising / lowering drive mechanism 39 while the shielding plate 22 is stationary. Of course, both the shielding plate 22 and the splash guard 24 can be moved up and down to open / close the opening 24b of the splash guard 24.

また、前述の実施形態においては、不活性ガスとして窒素を用いた場合について説明したが、これに限定されず、アルゴン等の他の任意の不活性ガスを用いてもよい。また、前述の実施形態においては、基板処理装置の例としてレジスト剥離処理を行う洗浄処理装置について説明したが、これに限定されず、基板に処理液を供給して処理を施す基板処理装置であればよく、たとえば、エッチング液によるリフトオフ作用を利用した洗浄処理装置やポリマー除去処理を行う洗浄処理装置にも適用することができる。またさらに、エッチング装置、現像処理装置または塗布処理装置にも適用することができる。 In the above-described embodiment, the case where nitrogen is used as the inert gas has been described. However, the present invention is not limited to this, and any other inert gas such as argon may be used. In the above-described embodiment, the cleaning processing apparatus that performs the resist stripping process has been described as an example of the substrate processing apparatus. However, the present invention is not limited to this, and the substrate processing apparatus supplies the processing liquid to the substrate and performs processing. For example, the present invention can be applied to a cleaning processing apparatus that uses a lift-off action by an etching solution or a cleaning processing apparatus that performs a polymer removal process. Furthermore, the present invention can also be applied to an etching apparatus, a development processing apparatus, or a coating processing apparatus.

さらに、前述の実施形態においては、遮蔽板２２を回転させつつ処理液を吐出させているが、これに限定されず、遮蔽板２２を静止させた状態で処理液を吐出させてもよい。この場合、遮蔽板２２は円形に限定されず、短形、多角形、楕円形または他の任意の形状であってもよい。ただし、遮蔽板２２の形状は、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂを所定の間隔を持って閉塞可能な形状とするのが好ましい。 Furthermore, in the above-described embodiment, the processing liquid is discharged while rotating the shielding plate 22, but the present invention is not limited to this, and the processing liquid may be discharged while the shielding plate 22 is stationary. In this case, the shielding plate 22 is not limited to a circular shape, and may be a short shape, a polygonal shape, an elliptical shape, or any other shape. However, the shape of the shielding plate 22 is preferably a shape that can close the opening 24b of the splash guard 24 with a predetermined interval.

また、前述の実施形態においては、基板Ｗを回転させつつ処理液を吐出させているが、これに限定されず、基板Ｗを静止させた状態で処理液を吐出させてもよい。
また、前述の実施形態においては、処理液として基板Ｗ上で約１５０℃になるレジスト剥離液（ＳＰＭ液）を用いることとしたが、処理液の種類はこれに限定されない。例えば、６０℃以上の処理液を用いた場合、処理液がミストになりやすいが、遮蔽板２２およびスプラッシュガード２４により基板Ｗの上方および周囲を覆っており、閉塞時隙間Ｃ１の部分に気体の流れを形成しているので、処理容器２０の外方へのミストの拡散を抑制または防止できる。 In the above-described embodiment, the processing liquid is discharged while rotating the substrate W. However, the present invention is not limited to this, and the processing liquid may be discharged while the substrate W is stationary.
In the above-described embodiment, the resist stripping liquid (SPM liquid) that reaches about 150 ° C. on the substrate W is used as the processing liquid, but the type of the processing liquid is not limited to this. For example, when a processing liquid of 60 ° C. or higher is used, the processing liquid tends to become mist, but the shielding plate 22 and the splash guard 24 cover the top and the periphery of the substrate W. Since the flow is formed, diffusion of mist to the outside of the processing container 20 can be suppressed or prevented.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 前記基板処理装置に備えられた洗浄処理部の断面図であり、洗浄処理を開始する前の状態を示す。It is sectional drawing of the cleaning process part with which the said substrate processing apparatus was equipped, and shows the state before starting a cleaning process. 前記基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the structure of the control system of the said substrate processing apparatus. 洗浄処理装置の洗浄処理中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the process of a cleaning process apparatus. 図４の洗浄処理装置の一部の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a part of the cleaning processing apparatus of FIG. 4. レジスト剥離処理中、遮蔽板を上下動させて遮蔽位置を可変制御し、閉塞時隙間を可変設定する処理の一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the process which variably controls a shielding position by moving a shielding board up and down during a resist peeling process, and variably sets the clearance gap at the time of closure.

符号の説明Explanation of symbols

１キャリア
２ａ〜２ｄ流体ボックス部
４メイン制御部
４ａ操作パネル
２０処理容器
２１スピンチャック
２２遮蔽板
２２ａ基板対向面
２３処理カップ
２４スプラッシュガード
２４ａ外面
２４ｂ開口部
２５回転軸
２６処理液供給管
２７下面ノズル
２８アーム
２９軸上部
２９ａベアリング
３０軸下部
３１排液・排気空間
３２回収液空間
３３仕切壁
３４排液・排気管
３５回収管
３６チャック回転駆動機構
３７遮蔽板昇降駆動機構
３８遮蔽板回転駆動機構
３９スプラッシュガード昇降駆動機構
４１排液案内溝
４２回収液案内部
４３仕切壁収納溝
５０窒素ガス吐出口
５１処理液吐出口
６０気液分離ボックス
６１排液管
６２排気管
６３排気源
６４圧力センサ
６５隙間
６６処理液ノズル
６６ａ吐出口
６７ノズル移動機構
７０遮蔽板洗浄ノズル
８０支持軸
８０窒素ガス供給管
８１処理液供給管
８２窒素ガス供給路
９０窒素ガス供給系
９１処理液供給系
１００基板処理装置
Ａ処理領域
Ｂ処理領域
Ｃ搬送領域
Ｃ１閉塞時隙間
ＣＲ基板搬送ロボット
ＣＴコントローラ
ＩＤインデクサ
ＩＲインデクサロボット
ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４洗浄処理部
Ｗ基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Carrier 2a-2d Fluid box part 4 Main control part 4a Operation panel 20 Processing container 21 Spin chuck 22 Shielding plate 22a Substrate facing surface 23 Processing cup 24 Splash guard 24a Outer surface 24b Opening part 25 Rotating shaft 26 Processing liquid supply pipe 27 Lower surface nozzle 28 Arm 29 Upper Shaft 29a Bearing 30 Lower Shaft 31 Drainage / Exhaust Space 32 Recovery Liquid Space 33 Partition Wall 34 Drainage / Exhaust Pipe 35 Recovery Pipe 36 Chuck Rotation Drive Mechanism 37 Shield Plate Elevation Drive Mechanism 38 Shield Plate Rotation Drive Mechanism 39 Splash guard elevating drive mechanism 41 Drainage guide groove 42 Collected liquid guide part 43 Partition wall storage groove 50 Nitrogen gas outlet 51 Treatment liquid outlet 60 Gas-liquid separation box 61 Drainage pipe 62 Exhaust pipe 63 Exhaust source 64 Pressure sensor 65 Gap 66 Treatment liquid nozzle 66a Discharge port 67 Nozzle moving mechanism 70 Shield plate cleaning nozzle 80 Support shaft 80 Nitrogen gas supply pipe 81 Processing liquid supply pipe 82 Nitrogen gas supply path 90 Nitrogen gas supply system 91 Processing liquid supply system 100 Substrate processing apparatus A Processing area B Processing area C Transfer area C1 Clearance gap CR substrate transfer robot CT controller ID indexer IR indexer robot MPC1 to MPC4 Cleaning unit W substrate

Claims

処理対象の基板を保持する基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段とを含み、
前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、
前記遮蔽位置は、前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように定められていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holding mechanism for holding a substrate to be processed;
A shielding wall that surrounds the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism and has an opening above the substrate;
A shielding member provided above the shielding wall;
A processing liquid nozzle that is inserted from the side through a gap between the shielding wall and the shielding member and discharges the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism;
A shielding position in which the opening is shielded by the shielding member in a state in which a predetermined clearance gap through which the processing liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member is secured; and the shielding wall and the shielding member A moving means for moving at least one of the shielding wall and the shielding member relative to the other between an open position where the gap between the gaps is larger than the gap at the time of closing and the opening is opened;
Exhaust means for exhausting the space inside the shielding wall ,
The moving means moves at least the shielding member,
The shielding position is a distance from the substrate held by the substrate holding mechanism to the shielding member in a range in which the wind speed of the airflow flowing into the shielding wall through the clearance gap satisfies the predetermined control wind speed range. The substrate processing apparatus is characterized in that it is determined so as to maximize .

処理対象の基板を保持する基板保持機構と、  A substrate holding mechanism for holding a substrate to be processed;
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、  A shielding wall that surrounds the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism and has an opening above the substrate;
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、  A shielding member provided above the shielding wall;
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、  A processing liquid nozzle that is inserted from the side through a gap between the shielding wall and the shielding member and discharges the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism;
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、  A shielding position in which the opening is shielded by the shielding member in a state in which a predetermined clearance gap through which the processing liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member is secured; and the shielding wall and the shielding member A moving means for moving at least one of the shielding wall and the shielding member relative to the other between an open position where the gap between the gaps is larger than the gap at the time of closing and the opening is opened;
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段と、  Exhaust means for exhausting the space inside the shielding wall;
前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段と、  A wind speed detecting means for detecting a wind speed of an airflow flowing into the shielding wall through the clearance gap;
この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たすように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段と、  Shielding position setting means for setting the shielding position so that the wind speed detected by the wind speed detection means satisfies a predetermined control wind speed range;
この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。  And a movement control means for controlling the moving means to achieve the shielding position set by the shielding position setting means.

処理対象の基板を保持する基板保持機構と、  A substrate holding mechanism for holding a substrate to be processed;
この基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むとともに当該基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、  A shielding wall that surrounds the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism and has an opening above the substrate;
この遮蔽壁の上方に設けられた遮蔽部材と、  A shielding member provided above the shielding wall;
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を通して側方から差し入れられ、前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、  A processing liquid nozzle that is inserted from the side through a gap between the shielding wall and the shielding member and discharges the processing liquid toward the substrate held by the substrate holding mechanism;
前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間に前記処理液ノズルが通る所定の閉塞時隙間を確保した状態で前記開口部を前記遮蔽部材で遮蔽する遮蔽位置と、前記遮蔽壁と前記遮蔽部材との間の隙間を前記閉塞時隙間よりも大きくして前記開口部を開放した開放位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動する移動手段と、  A shielding position in which the opening is shielded by the shielding member in a state in which a predetermined clearance gap through which the processing liquid nozzle passes between the shielding wall and the shielding member is secured; and the shielding wall and the shielding member A moving means for moving at least one of the shielding wall and the shielding member relative to the other between an open position where the gap between the gaps is larger than the gap at the time of closing and the opening is opened;
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段とを含み、  Exhaust means for exhausting the space inside the shielding wall,
前記移動手段は、少なくとも前記遮蔽部材を移動するものであり、  The moving means moves at least the shielding member,
前記閉塞時隙間を通って前記遮蔽壁の内部に流入する気流の風速を検出する風速検出手段と、  A wind speed detecting means for detecting a wind speed of an airflow flowing into the shielding wall through the clearance gap;
この風速検出手段によって検出される風速が所定の制御風速範囲を満たす範囲で、前記基板保持機構に保持された基板から前記遮蔽部材までの距離が最大となるように前記遮蔽位置を設定する遮蔽位置設定手段と、  A shielding position that sets the shielding position so that the distance from the substrate held by the substrate holding mechanism to the shielding member is maximized within a range in which the wind speed detected by the wind speed detecting means satisfies a predetermined control wind speed range. Setting means;
この遮蔽位置設定手段によって設定される遮蔽位置を達成すべく前記移動手段を制御する移動制御手段とをさらに含むことを特徴とする基板処理装置。  A substrate processing apparatus, further comprising a movement control means for controlling the moving means to achieve the shielding position set by the shielding position setting means.

前記遮蔽部材は、前記基板保持機構に保持された基板に対向する基板対向面を有しており、
前記遮蔽部材の少なくとも前記基板対向面を洗浄する遮蔽部材洗浄手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。 The shielding member has a substrate facing surface facing the substrate held by the substrate holding mechanism;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a shielding member cleaning means for cleaning at least the substrate-facing surface of the shielding member.