JP4487700B2 - 近接露光装置 - Google Patents
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Description
このような事情から、従来においては、大型基板上にマスクのパターンを露光転写する場合には、基板より小さいマスクを用い、基板ステージをマスクに対して例えばY軸方向に相対的にステップ移動させて各ステップ毎にマスクを基板に近接して対向配置した状態でパターン露光光を照射し、これにより、マスクに描かれた複数のパターンを基板上に露光転写する、所謂ステップ式の近接露光方式が多く用いられている。
露光後、基板ステージを下方に微動させてマスクの下面と基板の上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態で、基板ステージをマスクに対して1ステップ量だけ送り、マスクの下面と基板の上面とのすき間量をギャップセンサで計測して該計測値に基づいて前記すき間量が予め定められた目標値となるように基板ステージを上下微動させ、次に、前記すき間量が目標値になった状態で照射手段から2ショット目の露光用の光をマスクに向けて照射して該マスクのパターンを基板に露光転写する。
露光後、基板ステージを下方に微動させてマスクの下面と基板の上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態で、基板を装置外に搬送して一枚目の基板の露光を終了する。
一枚目の基板の露光が終了した後、二枚目の基板を基板ステージ上に搬送して露光位置に保持し、上記同様の工程でステップ露光を行う。
本発明はこのような不都合を解消するためになされたものであり、スループットの向上を図ることができる近接露光装置を提供することを目的とする。
請求項2に係る発明は、請求項1において、前記第2の目標値を記憶したときの前記基板の厚みと、前記第2の目標値に基づいて位置制御する前記基板の厚みとの板厚差を算出する板厚差算出手段を備え、該板厚差算出手段による板厚差の値を前記第2の目標値に付加することを特徴とする。
請求項2の発明では、請求項1の発明に加えて、第2の目標値を記憶したときの基板の厚さと第2の目標値に基づいて位置決めを行う基板の厚さとが相違する場合にも容易に対応することができる。
本発明の実施の形態一例である近接露光装置は、図1に示すように、被露光材としての基板Wより小さいマスクMを用い、該マスクMをマスクステージ1のマスク保持枠25で保持すると共に、基板Wを基板ステージ2で保持し、この状態で基板ステージ2をマスクMに対してX軸方向とY軸方向の二軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にマスクMと基板Wとを近接して対向配置した状態で、照射手段3からパターン露光用の光をマスクMに向けて照射することにより、マスクMのパターンを基板W上に露光転写するようにしたものである。
従って、フランジ12aには水平面内(XY平面内)の移動は規制され、上下方向の微動及び微小な傾きの変化のみ許容される。なお、中央の舌片16bを固定台9に、両側の舌片16a,16cをフランジ12aに固定するようにしてもよい。
この上下微動装置8は、Z軸送り台6aのY軸方向の一端側(図1の左端側)に1台、他端側に2台合計3台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置8は、後述するギャップセンサ31による複数箇所でのマスクMと基板Wとのすき間量の計測結果に基づき、3箇所のフランジ12aの高さを独立に微調整して基板ステージ2の高さ及び傾きを微調整できるので、マスクMと基板Wとのすき間を平行度良好に目標値とすることができる。
Y軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19はY軸送り台6aの一側でX軸方向に沿って延びており、X軸レーザ干渉計に対向するバーミラーはY軸送り台6aの一端側でY軸方向に沿って延びている。
2台のY軸レーザ干渉計18によりバーミラー19を介してY軸送り台6aひいては基板ステージ2のY軸方向の位置及びヨーイング誤差を検出する。
ステップ送り時に得られる2つのY軸方向位置データ及びX軸方向位置データの検出信号を制御装置に出力し、制御装置がこの検出信号(実際の位置データ)と指令された位置データ(位置決めすべき位置のデータ)との差に基づいて補正量を算出して、その算出結果を後述するマスク位置調整手段(及び必要に応じて上下微動装置8)の駆動回路に出力することで、該補正量に応じてマスク位置調整手段等が制御されてX軸方向及びY軸方向の位置ずれ及びヨーイング誤差が補正され、マスクMが基板Wの露光すべき位置に正しく対向するようにアライメントされる。なお、前記制御装置は、後述するすき間調整等にも使用される。
マスクステージ1は、略長方形状の枠体からなるマスクフレーム24と、該マスクフレーム24の中央部開口にすき間を介して挿入されてX,Y,θ方向(X,Y平面内)に移動可能に支持されたマスク保持枠25とを備えており、マスクフレーム24は装置ベース4から突設された支柱4aによって基板ステージ2の上方の定位置に保持されている。
また、フランジ26の上方には、マスクMの下面と基板Wの上面との対向面間のすき間量を測定する手段としてのギャップセンサ31、及びマスクMの露光領域Rに設けられたアライメントマーク(図示せず)と、基板W側に一層目の露光で設けられたアライメントマーク(図示せず:二層目以降のアライメントに使用)又は基板ステージ2に設けられたアライメントマーク(図示せず)とを撮像する手段としてのアライメントカメラ30がそれぞれ移動可能に配置されている。
上記構成の近接露光装置を用いてステップ露光を行うには、まず、アライメントカメラ30で撮像された基板ステージ2側のアライメントマークとマスク保持枠25に保持されたマスクMの露光領域に設けられたアライメントマークとのずれ量に応じてマスク位置調整手段がマスク保持枠25を所定方向に移動させることでマスクMの向きを調整して基板ステージ2に対するマスクMの初期位置を合わせ、そのときのマスクMの姿勢(位置)を図示しない制御装置の記憶領域等に記憶しておく。
全ての領域の露光終了後、制御装置が上下粗動装置7により基板ステージ2を下降させてマスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態で、基板Wを装置外に搬送して一枚目の基板Wのステップ露光を終了する。
露光後、制御装置が上下微動装置8により基板ステージ2を下降させてマスクMの下面と基板Wの上面とのすき間量を一定量拡大し、この状態でX軸ステージ送り機構5又はY軸ステージ送り機構6で基板ステージ2をマスクMに対してX軸方向又はY軸方向に所定のステップ量だけ送る。
このようにこの実施の形態では、二枚目以降の基板Wの露光を行う際には、ギャップセンサ31の計測値と第1の目標値との差を計算してその差が0となるように基板ステージ2を上下微動装置8で上下微動させるフィードバック制御を行う必要がなく、基板ステージ2の高さが第2の目標値となるように上下微動装置8を制御するだけでよいため、スループットの向上を図ることができる。
例えば、上記実施の形態では、一枚目の基板Wの厚さと二枚目以降の基板Wの厚さとが同一の場合を想定して説明したが、一枚目の基板Wの厚さと二枚目以降の基板Wの厚さとが相違する場合の対処方法としては、例えば、一枚目の基板W及び二枚目以降の基板Wをそれぞれ基板ステージ2上に搬送する前に、例えば図4に示すように、装置外に設置された基板Wのプリアライメントのための基板プリアライメント装置50に基板Wの載置部の上方に位置するように一個以上(図では3個)の板厚測定器40を設け、該板厚測定器40によって基板Wの厚み(又は基板W上面の一定基準面からの高さ)を測定しておき、二枚目以降の基板Wの露光の際には、一枚目の基板Wの厚み(又は基板W上面の一定基準面からの高さ)の測定値と二枚目以降の基板Wの厚み(又は基板W上面の一定基準面からの高さ)の測定値との相対差を制御装置で算出してこの板厚の相対差の値を各ショット位置毎の前記第2の目標値に付加することで、一枚目の基板Wの厚さと二枚目以降の基板Wの厚さとが相違する場合にも容易に対応することができる。
また、上記実施の形態では、各ステージ送り機構の送り手段として、リニアガイドとボールねじを組合せたものを用いているが、必ずしもこれに限定する必要はなく、例えば、送り手段として、リニアモータ等を用いてもよい。
2 基板ステージ
3 照射手段
8 上下微動装置(すき間量調整手段)
W 基板
M マスク
25 マスク保持枠
31 ギャップセンサ
40 板厚測定器(板厚差算出手段)
Claims (2)
- 被露光材としての基板を保持する基板ステージと、露光すべきパターンを有するマスクを前記基板に対向させた状態で保持するマスクステージと、前記マスクと前記基板とのすき間量を計測するギャップセンサと、前記すき間量を調整すべく前記マスクステージと前記基板ステージとを相対移動させるすき間量調整手段と、前記すき間量が所定の目標値に調整された状態で前記マスクのパターンを前記基板に露光転写すべく露光用の光を前記マスクに向けて照射する照射手段と備えた近接露光装置において、
前記すき間量調整手段は、前記マスクのパターンを前記基板に対して露光転写を開始する際には、前記ギャップセンサの計測値に基づいて前記すき間量が予め定められた第1の目標値となるように前記マスクステージと前記基板ステージとを相対移動させると共に、該すき間量が前記第1の目標値に設定されたときの前記マスクステージ及び前記基板ステージのうちの移動側の高さ位置を検出してこれを第2の目標値として記憶し、第2の目標値が記憶された後に前記マスクのパターンを前記基板に露光転写する際には、前記マスクステージ及び前記基板ステージのうちの移動側の高さ位置が前記第2の目標値となるように前記マスクステージと前記基板ステージとを相対移動させることを特徴とする近接露光装置。 - 前記第2の目標値を記憶したときの前記基板の厚みと、前記第2の目標値に基づいて位置制御する前記基板の厚みとの板厚差を算出する板厚差算出手段を備え、該板厚差算出手段による板厚差の値を前記第2の目標値に付加することを特徴とする請求項1に記載した近接露光装置。
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