JP4477345B2 - 薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイ - Google Patents

Description

本発明は、薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイに関する。

コモンモードフィルタは、平衡伝送方式での電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するためのものであり、インダクタを磁気的に結合させて同相ノイズ成分を除去する構成となっている。

フェライト基板間に薄膜コイルを２重に積層してチップ化することにより、小型化及び高密度化を図った薄膜コモンモードフィルタ及びこのフィルタを複数実装した薄膜コモンモードフィルタアレイは、公知である（例えば特許文献１〜４）。

特開平４−３６４７０９号公報 特開平８−２０３７３７号公報 特開平８−３３５５１７号公報 特開平１１−５４３２６号公報

このような薄膜コモンモードフィルタの高域特性を良好にするためには、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量を小さくすることが有効である。しかしながら、容量を小さくするために、コイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、上部コイル導体と上部リード導体との接続部のコンタクトホールを形成する際に最適露光条件のマージンがほとんどなくなってしまう。即ち、コンタクトホール部分の絶縁体の抜けが難しくなって導通の信頼性が低下したり、絶縁体の膜減りにより上部コイル導体層と上部リード導体層との絶縁不良などが起こり易くなる。

従って本発明の目的は、上部コイル導体と上部リード導体との接続部における導通の信頼性低下や絶縁不良を防止することができる薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイを提供することにある。

本発明によれば、１対の磁性体基板と、１対の磁性体基板間に設けられており、各々が平面方向にスパイラル状に巻回しておりかつ互いに重ね合わされている上部コイル導体及び下部コイル導体と、一端が上部コイル導体及び下部コイル導体の中心部側の一端にそれぞれ電気的に接続されており、上部コイル導体及び下部コイル導体を横切って外部に延びる上部リード導体及び下部リード導体とを備えており、上部コイル導体と上部リード導体との接続部の下方に、下部コイル導体及び／又は下部リード導体の導体層によって形成されており、接続部の下に存在する絶縁層の底面の位置を上方の位置に持ち上げるための台座部が形成されている薄膜コモンモードフィルタ、及びこの薄膜コモンモードフィルタを複数備えた薄膜コモンモードフィルタアレイが提供される。

上部コイル導体と上部リード導体とのコンタクトホールの下方に下部コイル導体及び／又は下部リード導体の導体層によって形成された台座部を設け、コンタクトホール下に存在する絶縁層の底面の位置を上方の位置に持ち上げることにより、導通の信頼性低下や絶縁不良などの不都合は起こらない。また、台座部を下部コイル導体及び／又は下部リード導体の導体層で形成しているので、特別なプロセスの追加も不要となる。

上部及び下部リード導体の幅（Ｗ_１）が上部及び下部コイル導体の幅（Ｗ_２）の２倍より小さい（Ｗ_１＜２Ｗ_２）ことも好ましい。前述したように、コイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量が小さくなり、高周波における伝送特性が改善されるが、高アスペクト比設計によると、リード導体とコイル導体との間隔を狭めることが難しくなる。このためには、リード導体の幅を狭めることが有効であるが、リード導体の幅（Ｗ_１）をコイル導体の幅（Ｗ_２）の２倍以上に設定すると共振周波数が大幅に低下してしまう。そこで、Ｗ_１＜２Ｗ_２とすることにより、共振周波数の低下の少ない薄膜コモンモードフィルタを提供することができる。

下部及び上部リード導体が表面をニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）膜で被覆した銅（Ｃｕ）で形成されていることも好ましい。この場合、下部コイル導体と下部リード導体との接続部における下部リード導体の表面、及び上部コイル導体と上部リード導体との接続部における上部リード導体の表面は、クロム（Ｃｒ）膜のみで被覆されていることがより好ましい。接続部においてＮｉを排除したため、Ｃｕ／Ｎｉの拡散がなくなり、電気抵抗が上昇するという問題発生を防止することができる。

本発明によれば、上部コイル導体と上部リード導体とのコンタクトホールの下方に下部コイル導体及び／又は下部リード導体の導体層によって形成された台座部を設け、コンタクトホール下に存在する絶縁層の底面の位置を上方の位置に持ち上げることにより、導通の信頼性低下や絶縁不良などの不都合は起こらない。また、台座部を下部コイル導体及び／又は下部リード導体の導体層で形成しているので、特別なプロセスの追加も不要となる。

図１は本発明の一実施形態として薄膜コモンモードフィルタアレイの構成を概略的に示す分解斜視図であり、図２はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図であり、図３はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を図２とは異なる方向から見た斜視図であり、図４は最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。

この薄膜コモンモードフィルタアレイは、２つの薄膜コモンモードフィルタを並べて形成し、１つのチップとしたものである。

図１において、１０は絶縁磁性体基板、１１は絶縁磁性体基板１０上に積層された通常は耐熱性の良好なポリイミド又はＢＣＢ（ビ・シクロ・ベンゼン）で形成されている第１の絶縁体層、１２ａ及び１２ｂはこの第１の絶縁体層１１上に形成された下部リード導体、１３はその上に積層された第２の絶縁体層、１４ａ及び１４ｂはこの第２の絶縁体層１３上に形成されたスパイラル形状の下部コイル導体、１５はその上に積層された第３の絶縁体層、１６ａ及び１６ｂはこの第３の絶縁体層１５上に形成されたスパイラル形状の上部コイル導体、１７はその上に積層された第４の絶縁体層、１８ａ及び１８ｂはこの第４の絶縁体層１７上に形成された上部リード導体、１９はその上に積層された第５の絶縁体層、２０はその上に接着された絶縁磁性体上蓋、２１ａ及び２１ｂはコイル中心部の磁路リターン部を構成する絶縁磁性体、２２ａ及び２２ｂはコイル外周部の磁路リターン部を構成する絶縁磁性体をそれぞれ示している。

このように、絶縁磁性体基板１０及び絶縁磁性体上蓋２０間にこれら積層体２３が挟まれている。

平面方向にスパイラル状に巻回された下部コイル導体１４ａ及び１４ｂと、平面方向にスパイラル状に巻回された上部コイル導体１６ａ及び１６ｂとは、第３の絶縁体層１５を挟んでそれぞれミラー対称に配置されている。

下部コイル導体１４ａ及び１４ｂの中心側の端からスパイラルの外側への導体引き出しは、第２の絶縁体層１３を介してこれらコイル導体とは別層に形成されている下部リード導体１２ａ及び１２ｂによってそれぞれ行われる。また、上部コイル導体１６ａ及び１６ｂの中心側の端からスパイラルの外側への導体引き出しは、第４の絶縁体層１７を介してコイル導体とは別層に形成されている上部リード導体１８ａ及び１８ｂによってそれぞれ行われる。即ち、これらコイル導体１４ａ、１４ｂ、１６ａ及び１６ｂの中心側の一端には、リード導体１２ａ、１２ｂ、１８ａ及び１８ｂの一端がスルーホールを介してそれぞれ電気的に接続されており、この部分がコンタクト部を構成している。リード導体１２ａ、１２ｂ、１８ａ及び１８ｂの他端は、この薄膜コモンモードフィルタアレイの端縁部に形成されたリード引き出し端子２４ａ、２４ｂ、２５ａ及び２５ｂにそれぞれ電気的に接続されている。同じく、コイル導体１４ａ、１４ｂ、１６ａ及び１６ｂの他端は、この薄膜コモンモードフィルタアレイの端縁部に形成されたコイル引き出し端子２６ａ、２６ｂ（図３）、２７ａ及び２７ｂ（図３）にそれぞれ電気的に接続されている。

絶縁磁性体基板１０及び絶縁磁性体上蓋２０は通常はＮｉＺｎフェライトで形成されている。第１〜第５の絶縁体層１１、１３、１５、１７及び１９は通常は耐熱性の良好なポリイミド又はＢＣＢ（ビ・シクロ・ベンゼン）で形成されている。

下部リード導体１２ａ及び１２ｂ、下部コイル導体１４ａ及び１４ｂ、上部コイル導体１６ａ及び１６ｂ、並びに上部リード導体１８ａ及び１８ｂはＣｕで形成されており、その外表面はＮｉ／Ｃｒ膜で被覆されている。ただし、下部リード導体１２ａ及び１２ｂと下部コイル導体１４ａ及び１４ｂとのコンタクト部、並びに上部コイル導体１６ａ及び１６ｂと上部リード導体１８ａ及び１８ｂとのコンタクト部は、Ｃｒ膜のみで被覆されている。

個々の薄膜コモンモードフィルタアレイは、図２及び図３に示すように絶縁磁性体基板１０、積層体２３及び絶縁磁性体上蓋２０を切り出し、図４に示すようにその切断側面に露出された引き出し端子と電気的に接続されるＮｉ合金などによる接続電極端子２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂ、３０ａ、３０ｂ、３１ａ及び３１ｂが切断側面上に形成される。

１つの薄膜コモンモードフィルタのみで１チップとすることもできる。図５はその１素子分からなる薄膜コモンモードフィルタの構成を概略的に示す分解斜視図であり、図６はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図であり、図７は最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図であり、図８は薄膜コモンモードフィルタを図５におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線から見た断面図である。

この薄膜コモンモードフィルタの構成は、図１〜図３に示した薄膜コモンモードフィルタアレイにおける一方の薄膜コモンモードフィルタの構成と同一である。従って、図５〜図８において、図１の構成要素と同じ構成要素については同じ参照番号を用いている。

図８（Ａ）は図５におけるＡ−Ａ線断面図であり、引き出し端子が存在しない中心断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、コイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａ、並びにコイル外周部の磁路リターン部である絶縁磁性体２２ａが現れている。

図８（Ｂ）は図５におけるＢ−Ｂ線断面図であり、引き出し端子及び上部リード導体が存在する断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、上部リード導体１８ａ、上部リード引き出し端子２５ａ、上部コイル引き出し端子２７ａ、並びにコイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａが現れている。

図８（Ｃ）は図５におけるＣ−Ｃ線断面図であり、引き出し端子及び下部リード導体が存在する断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、下部リード導体１２ａ、下部リード引き出し端子２４ａ、下部コイル引き出し端子２６ａ、並びにコイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａが現れている。

次に、本実施形態におけるリード引き出し端子２４ａ、２４ｂ、２５ａ及び２５ｂ、並びにコイル引き出し端子２６ａ、２６ｂ、２７ａ及び２７ｂの構造について説明する。

図９は本実施形態における薄膜コモンモードフィルタのコイル導体、リード導体及び引き出し端子のみの構造を示す斜視図であり、図１０は引き出し端子の構造例を示す断面図である。

図９において、８２は下部リード導体、８４は下部リード導体８２の一端に中心側の一端が接続された下部コイル導体、８６は上部コイル導体、８８は一端が上部コイル導体８６の中心側の一端に接続された上部リード導体、９４は下部リード導体８２の他端に接続された下部リード引き出し端子、９５は上部リード導体８８の他端に接続された上部リード引き出し端子、９６は下部コイル導体８４の外側の他端に接続された下部コイル引き出し端子、９７は上部コイル導体８６の外側の他端に接続された上部コイル引き出し端子をそれぞれ示している。

各引き出し端子は、自身の導体層のみによる単層ではなく、他の導体層を間に挿入されている絶縁体層に設けられたスルーホールを介して全て積層し互いに導通させた多層構造となっている。即ち、下部リード引き出し端子９４は、下部リード導体８２の導体層、下部コイル導体８４の導体層、上部コイル導体８６の導体層及び上部リード導体８８の導体層を多層化して互いに導通させた構造となっている。このため、引き出し端子の側断面積が大きくなり、チップ側面に露出される面積が大きくなるので、引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続が非常に良好となり、その信頼性が大幅に向上するのである。

導体層の多層化の形態としては、図１０（Ａ）に示すように、第２の絶縁体層１０３、第３の絶縁体層１０５及び第４の絶縁体層１０７にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ、１０５ａ及び１０７ａの中心を一致させかつ同一形状及び同一寸法とし、これらのスルーホールを介して導体層１１２、１１４、１１６及び１１８を接続して互いに導通させた構造しても良い。

また、図１０（Ｂ）に示すように、第２の絶縁体層１０３′、第３の絶縁体層１０５′及び第４の絶縁体層１０７′にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ′、１０５ａ′及び１０７ａ′の中心を一致させるが、スルーホール１０３ａ′からスルーホール１０５ａ′へ、さらにスルーホール１０７ａ′に行くに従って、即ち下層から上層に行くに従ってスルーホールの寸法が大きくなるようにし、これらのスルーホールを介して導体層１１２′、１１４′、１１６′及び１１８′を接続して互いに導通させた構造しても良い。図１０（Ａ）の構造のようにスルーホールが同一寸法であると、引き出し端子部分の段差が大きくなり、露光時の反射の影響でスルーホールに絶縁体が残り易くなり導通の信頼性が低下する（特に高アスペクト比パターンの場合に顕著である）が、このように上層へ行くに従ってスルーホールを広げることにより段差が小さくなり、層間の導通の信頼性が向上する。

図１０（Ｃ）に示すように、第２の絶縁体層１０３″、第３の絶縁体層１０５″及び第４の絶縁体層１０７″にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ″、１０５ａ″及び１０７ａ″の中心を交互にずらし、これらのスルーホールを介して導体層１１２″、１１４″、１１６″及び１１８″を接続して互いに導通させた構造しても良い。スルーホール１０３ａ″、１０５ａ″及び１０７ａ″は同一形状及び同一寸法を有していても良いし、多少互いに異なっていても良い。薄膜コモンモードフィルタの端子間距離は短く、図１０（Ｂ）の構造のように上層に行くに従ってスルーホールを拡げるパターンでは下層におけるスルーホールが小さすぎ、導体層間の導通の信頼性を高めることは難しく、また、下層に行くに従ってスルーホールの幅を狭める場合、導体層形成後は中心部が窪むと共にスルーホールパターン幅が狭くなり、絶縁体層の残りなどによりスルーホール内における信頼性の高い導通が難しくなる。しかしながら、図１０（Ｃ）の構造のように、スルーホールの中心位置を交互にずらすことによって、スルーホール内の導体の窪みが小さくなり、その上の絶縁体層面も平滑化され以後のスルーホール導体及び絶縁体層面が共に平滑される。このため、層間の導通の信頼性がより高くなり、しかも段差も小さくなる。

次に、本実施形態における上部コイル導体と上部リード導体との接続部であるコンタクト部の構造について説明する。

薄膜コモンモードフィルタの高域特性を良好にするためには、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量を小さくすることが有効である。このために、コイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、上部コイル導体と上部リード導体との接続部のコンタクトホールを形成する際に最適露光条件のマージンがほとんどなくなってしまう。即ち、コンタクトホール部は絶縁膜（感光性樹脂膜）塗布時に隣接コイルの影響で厚く塗布されてしまい、コンタクトホールを精度良く作成するためには、最深部に合わせて露光量を増大させる必要がある。しかしながら、露光量を増やすと、隣接コイルの反射などによって未露光とすべきマスクの下方のコンタクトホール部分にも光が回ってしまうので、現像時にそのコンタクトホール部分の感光性絶縁膜が抜けにくくなって導通の信頼性が低下する。隣接コイルの反射の影響を防ぐために露光量を減らすと、コンタクトホール周囲部分の露光が少ないためにコンタクトホールが拡がってしまう。さらに、露光量を減らすと感光性絶縁膜の現像時に膜減りが生じて絶縁膜の精度が保てなくなるのみならず、最悪の場合、絶縁膜の膜厚低下により上部コイル導体と上部リード導体との絶縁不良が発生し易くなる。

そこで、本実施形態では、図８（Ｂ）及び図９に示すように、上部コイル導体１６ａ又は８６と上部リード導体１８ａ又は８８とのコンタクトホールの下方に台座部９８を設け、コンタクトホール下の絶縁体下部をできるだけ上方に持ち上げるように構成している。これにより、コンタクトホール形成時の露光量を増大しないで済むため、導通の信頼性低下や絶縁不良などの不都合を解消することができる。特に、本実施形態では、この台座部９８を、下部コイル導体１４ａ又は８４の導体層と下部リード導体１２ａ又は８２の導体層とによって形成しているため、特別なプロセスの追加なしにこの台座部を作成することができる。

前述したように、下部リード導体１２ａ又は８２、下部コイル導体１４ａ又は８４、上部コイル導体１６ａ又は８６、並びに上部リード導体１８ａ又は８８自体はＣｕで形成されており、その外表面はＮｉ／Ｃｒ膜で被覆されている。しかしながら、図１１に示すように、上部コイル導体１６ａ又は８６と上部リード導体１８ａ又は８８とのコンタクト部は、Ｃｒ膜のみで被覆されている。下部リード導体１２ａ又は８２と下部コイル導体１４ａ又は８４とのコンタクト部も同様である。このように、コンタクト部においてＮｉを排除したため、Ｃｕ／Ｎｉの拡散がなくなり、電気抵抗が上昇する不都合が生じない。

次に、本実施形態における上部及び下部リード導体の幅と上部及び下部コイル導体の幅との関係について説明する。

前述したように、薄膜コモンモードフィルタのコイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量が小さくなり、高周波における伝送特性が改善される。しかしながら、高アスペクト比設計によると、リード導体とコイル導体との間隔を狭めることが難しくなるので、リード導体の幅を狭めることが有効となる。

図１２は薄膜コモンモードフィルタの共振周波数とリード導体の幅との関係を示す特性図であり、横軸はリード導体の幅（Ｗ_１）とコイル導体の幅（Ｗ_２）との比（Ｗ_１／Ｗ_２）、縦軸は共振周波数をそれぞれ示している。

同図から分かるように、リード導体の幅（Ｗ_１）をコイル導体の幅（Ｗ_２）の２倍以上に設定すると共振周波数が大幅に低下してしまう。そこで、Ｗ_１＜２Ｗ_２とすることにより、共振周波数が高く、即ち通信周波数帯である２ＧＨｚ近傍の共振周波数を有することのない薄膜コモンモードフィルタを提供することができる。

次に、本実施形態における薄膜コモンモードフィルタアレイの製造工程について説明する。

図１３及び図１４は、薄膜コモンモードフィルタアレイを製造するウエハ工程及び加工工程をそれぞれ説明するための斜視図である。なお、図１３（Ａ）〜（Ｊ）及び図１４（Ａ）〜（Ｄ）において、下段はウエハ基板、上段はその基板内の実際には切断分離されていない個々のチップを示している。

まず、図１３（Ａ）に示すように、フェライトウエハ基板１３０を用意し、図１３（Ｂ）に示すように、その基板１３０上にポリイミド樹脂などによる第１の絶縁体層１３１をコーティングしてパターニングする。

次いで、図１３（Ｃ）に示すように、その第１の絶縁体層１３１上に銅層１３２による第１のリード及び電極を形成し、図１３（Ｄ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第２の絶縁体層１３３をコーティングしてパターニングする。

次いで、図１３（Ｅ）に示すように、その第２の絶縁体層１３３上に銅層１３４による第１のコイルを形成し、図１３（Ｆ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第３の絶縁体層１３５をコーティングしてパターニングする。

次いで、図１３（Ｇ）に示すように、その第３の絶縁体層１３５上に銅層１３６による第２のコイルを形成し、図１３（Ｈ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第４の絶縁体層１３７をコーティングしてパターニングする。

次いで、図１３（Ｉ）に示すように、その第４の絶縁体層１３７上に銅層１３８による第２のリードを形成し、図１３（Ｊ）及び図１４（Ａ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第５の絶縁体層１３９をコーティングしてパターニングする。

その後、図１４（Ｂ）に示すように、リード部に銀ペースト１４０をスクリーン印刷し、図１４（Ｃ）に示すように、コア部にリターン路用のフェライトペースト１４１を埋め込む。

次いで、図１４（Ｄ）に示すように、その上に接着剤を用いてフェライト板カバー１４２を固着する。

次いで、図１４（Ｅ）に示すように、このウエハ基板を切断して複数の薄膜コモンモードフィルタアレイチップが一列状に並んだバー部材１４３を形成する。

次いで、図１４（Ｆ）に示すように、バー部材１４３の各薄膜コモンモードフィルタアレイチップの上面にマーク１４４を印刷し、図１４（Ｇ）に示すように、バー部材１３３の各薄膜コモンモードフィルタアレイチップの側面にニッケルによる接続電極端子１４５をスパッタリングで形成する。

その後、図１４（Ｈ）に示すように、バー部材を個々のチップ１４６に切断分離し、図１４（Ｉ）に示すように、バレルめっきによって接続電極端子１４５をニッケル層／錫層の２層構造１４７とし、さらに、図１４（Ｊ）に示すように、このようにして得た薄膜コモンモードフィルタアレイチップ１４６をテープ１４８上に固着する。

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

本発明の一実施形態として薄膜コモンモードフィルタアレイの構成を概略的に示す分解斜視図である。 ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。 ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を図２とは異なる方向から見た斜視図である。 最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。 図１の薄膜コモンモードフィルタアレイの１素子分からなる薄膜コモンモードフィルタの構成を概略的に示す分解斜視図である。 ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図である。 最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図である。 薄膜コモンモードフィルタを図５におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線から見た断面図である。 図１及び図５の実施形態における薄膜コモンモードフィルタのコイル導体、リード導体及び引き出し端子のみの構造を示す斜視図である。 引き出し端子の構造例を示す断面図である。 上部コイル導体と上部リード導体とのコンタクト部を拡大して示す断面図である。 薄膜コモンモードフィルタの共振周波数とリード導体の幅との関係を示す特性図である。 薄膜コモンモードフィルタアレイを製造するウエハ工程を説明するための斜視図である。 薄膜コモンモードフィルタアレイを製造する加工工程を説明するための斜視図である。

符号の説明

１０ 絶縁磁性体基板
１１、１３１ 第１の絶縁体層
１２ａ、１２ｂ、８２ 下部リード導体
１３、１０３、１０３′、１０３″、１３３ 第２の絶縁体層
１４ａ、１４ｂ、８４ 下部コイル導体
１５、１０５、１０５′、１０５″、１３５ 第３の絶縁体層
１６ａ、１６ｂ、８６ 上部コイル導体
１７、１０７、１０７′、１０７″、１３７ 第４の絶縁体層
１８ａ、１８ｂ、８８ 上部リード導体
１９、１３９ 第５の絶縁体層
２０ 絶縁磁性体上蓋
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ 絶縁磁性体
２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ リード引き出し端子
２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ コイル引き出し端子
２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂ、３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂ、１４５ 接続電極端子
９４ 下部リード引き出し端子
９５ 上部リード引き出し端子
９６ 下部コイル引き出し端子
９７ 上部コイル引き出し端子
９８ 台座部
１０３ａ、１０５ａ、１０７ａ、１０３ａ′、１０５ａ′、１０７ａ′、１０３ａ″、１０５ａ″、１０７ａ″ スルーホール
１１２、１１４、１１６、１１８、１１２′、１１４′、１１６′、１１８′、１１２″、１１４″、１１６″、１１８″ 導体層
１３０ フェライトウエハ基板
１３２、１３４、１３６、１３８ 銅層
１４０ 銀ペースト
１４１ フェライトペースト
１４２ フェライト板カバー
１４３ バー部材
１４４ マーク
１４６ 薄膜コモンモードフィルタアレイチップ
１４７ ２層構造
１４８ テープ

Claims (5)

1. １対の磁性体基板と、該１対の磁性体基板間に設けられており、各々が平面方向にスパイラル状に巻回しておりかつ互いに重ね合わされている上部コイル導体及び下部コイル導体と、一端が該上部コイル導体及び下部コイル導体の中心部側の一端にそれぞれ電気的に接続されており、該上部コイル導体及び下部コイル導体を横切って外部に延びる上部リード導体及び下部リード導体とを備えており、前記上部コイル導体と前記上部リード導体との接続部の下方に、前記下部コイル導体及び／又は前記下部リード導体の導体層によって形成されており、該接続部の下に存在する絶縁層の底面の位置を上方の位置に持ち上げるための台座部が形成されていることを特徴とする薄膜コモンモードフィルタ。
2. 前記上部及び下部リード導体の幅（Ｗ_１）が前記上部及び下部コイル導体の幅（Ｗ_２）の２倍より小さい（Ｗ_１＜２Ｗ_２）ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
3. 前記下部及び上部リード導体が表面をニッケル／クロム膜で被覆した銅で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
4. 前記下部コイル導体と前記下部リード導体との接続部における該下部リード導体の表面、及び前記上部コイル導体と前記上部リード導体との接続部における該上部リード導体の表面は、クロム膜のみで被覆されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜コモンモードフィルタを複数備えたことを特徴とする薄膜コモンモードフィルタアレイ。

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