JP6482080B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 148
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylphenyl)-n-[4-[4-[3-(2-methylphenyl)anilino]phenyl]phenyl]aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C=CC=3)C=3C(=CC=CC=3)C)=CC=2)=C1 OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[(2,5-ditert-butylphenyl)carbamoyl]perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)C)C(NC(=O)C=2C(=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC(=C(C3=4)C=2C(O)=O)C(O)=O)C(=O)NC=2C(=CC=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-2-phenylbenzene Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-naphthalen-1-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N BPPC Chemical compound BPPC JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N aluminum molybdenum Chemical compound [Al].[Mo] UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- OANFWJQPUHQWDL-UHFFFAOYSA-N copper iron manganese nickel Chemical compound [Mn].[Fe].[Ni].[Cu] OANFWJQPUHQWDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/82—Cathodes
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- H10K50/81—Anodes
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
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- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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Description
図1は、本発明の有機EL素子の一例の構成を示す図である。図1(a)は上面図(平面図)であり、図1(b)は、図1(a)のA−A’方向に見た断面図である。図示のとおり、この有機EL素子10は、基板1、第1の電極2、補助配線3、発光層を含む有機層4、および、第2の電極5を含む。第1の電極2、有機層4、および第2の電極5は、基板1の一面上に、前記順序で積層されている。有機層4は、前記両電極に接して(直接に接触して)いることで、前記両電極と電気的に接続されている。有機層4の端部は、第1の電極2の外側に突出し、基板1の前記一面に接触している。補助配線3は、基板1の前記一面上において、有機層4の外側における、有機層4から若干離れた位置(有機層4と接触しない位置)に配置されている。また、これにより、補助配線3は、第1の電極2の外側の、第1の電極2から離れた位置(第1の電極2と接触しない位置)に配置されている。さらに、第2の電極5の端部は、有機層4の外側に突出して補助配線3の上面の一部を覆い、これにより、補助配線3が第2の電極5の端部に接触している。
まず、基板1を準備する。つぎに、基板1の一面上に、例えば、スパッタ法により、ITO等からなる第1の電極を形成する。なお、この工程において、所望の形状にパターニングするために、フォトリソグラフィ工程を行ってもよい。前記フォトリソグラフィ工程は、特に限定されないが、例えば、以下のような従来公知の方法により行うことができる。すなわち、まず、基板1上に絶縁性のフォトレジストを塗布する。つぎに、フォトマスクを介して露光、現像、焼成を行い、前記フォトレジストをパターニングする。このとき、第1の電極に対応する位置のレジストを除去しておく。さらに、第1の電極の形成材料の層を基板前面に形成後、前記フォトレジストの剥離を行う。これにより、第1の電極に対応する位置以外の部分の電極の形成材料がリフトオフされ、第1の電極のパターニングができる。
つぎに、補助配線3を、有機層4形成位置の外側の、有機層4と接触しない位置に形成する。このとき、補助配線3が、第1の電極2に接触しないように形成する。図1の有機EL素子10では、図示のとおり、補助配線3を、基板1の前記一面上において、第1の電極2の外側における、第1の電極2から離れた位置、かつ、有機層4形成位置の外側における、有機層4形成位置から離れた位置に配置する。これにより、補助配線3が第1の電極2および有機層4に接触しないようにする。なお、補助配線3を形成する補助配線形成工程と、有機層4を形成する有機層形成工程(後述)とは、どちらを先に行ってもよいし、同時に行ってもよい。補助配線形成工程は、特に限定されないが、例えば、前記第1の電極形成工程と同様、スパッタ法により行うことができる。なお、この工程において、所望の形状にパターニングするために、前記フォトリソグラフィ工程を行っても良い。前記フォトリソグラフィ工程は、特に限定されない。本発明の有機EL素子の製造方法では、前述のとおり、補助配線形成工程において、補助配線を、第1の電極に接触しないように形成する。このため、例えば、補助配線形成工程における前記フォトリソグラフィ工程では、シャドーマスクを用いなくても良いことにより、シャドーマスクが前記第1の電極の成膜面に接触することを防止できる。したがって、前記シャドーマスク表面の凹凸や金属粒子(パーティクル)により、前記第1の電極に傷が入り、ショート、リーク等の不具合の原因となるのを防ぐことができる。
つぎに、有機層4を、前記第1の電極上に形成する。有機層4の形成方法は、特に限定されないが、例えば、蒸着法による性膜等の従来公知の方法により行うことができる。より具体的には、例えば、前記発光層が前述の低分子化合物(低分子有機EL材料)から形成される場合、例えば、前記発光層は、前記低分子有機EL材料の抵抗加熱による真空蒸着法により成膜して形成できる。また、例えば、前記発光層が前述の高分子化合物(高分子有機EL材料)から形成される場合、例えば、前記発光層は、前記高分子有機EL材料を、スリットコート法、フレキソ印刷法、インクジェット法等により塗布成膜して形成できる。なお、図1の有機EL素子10では、前述のとおり、有機層4の一部(両端)が、基板1の上面に接触するように形成しているが、接触させなくてもよい。
つぎに、第2の電極5を、有機層4上に形成する。このとき、第2の電極5が、補助配線3に電気的に接続されるようにする。図1の有機EL素子10では、前述のとおり、第2の電極5の端部が、有機層4の外側に突出して補助配線3上面に直接に接触していることにより、第2の電極5と補助配線3が電気的に接続されている。前記第2の電極形成工程は、特に限定されないが、例えば、前記第1の電極形成工程と同様に、スパッタ法により形成することができる。なお、この工程において、所望の形状にパターニングするために、フォトリソグラフィ工程を行っても良い。前記フォトリソグラフィ工程は、特に限定されないが、例えば、第1の電極形成工程または補助配線形成工程における前記フォトリソグラフィ工程と同様にして行うことができる。
つぎに、本発明の有機EL素子において、絶縁層を形成した別の実施形態について説明する。
つぎに、本発明の有機EL素子において、絶縁層を形成したさらに別の実施形態について説明する。
以下のようにして、図1に示す有機EL素子10を製造した。すなわち、まず、基板1として、ガラス基板(厚み:0.7mm)を準備した。つぎに、この基板1の一面上に、スパッタ法によりITOを製膜し、さらに、所定の形状にパターニングして第1の電極2を形成した。
以下のようにして、図3に示す有機EL素子20を製造した。すなわち、まず、基板1として、ガラス基板(厚み:0.7mm)を準備した。つぎに、この基板1の一面上に、スパッタ法によりITOを製膜し、さらに、所定の形状にパターニングして第1の電極2を形成した。
以下のようにして、図6に示す有機EL素子50を製造した。すなわち、まず、基板1として、ガラス基板(厚み:0.7mm)を準備した。つぎに、この基板1の一面上に、スパッタ法によりITOを製膜し、さらに、所定の形状にパターニングして第1の電極2を形成した。
補助配線3を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、参考例の有機EL素子を製造した。
前記シャドーマスクを用いた補助配線3の形成をITO膜(第1の電極)2の形成後に行い、補助配線3をITO膜(第1の電極)2に接触させて配置したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例の有機EL素子を製造した。
基板、第1の電極、第2の電極、発光層を含む有機層、および補助配線を含み、
前記基板の一面上に、前記第1の電極、前記有機層、および前記第2の電極が、前記順序で積層され、前記有機層は、前記両電極と電気的に接続され、
前記補助配線は、前記有機層と接触しない位置に配置され、前記第2の電極に電気的に接続されているとともに、前記第1の電極に接触していないことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記補助配線が、前記有機層の外側において、前記有機層と接触しない位置に配置されている付記1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記補助配線は、前記基板の前記一面上において、前記第1の電極の外側の、前記第1の電極と接触しない位置に形成されている付記1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
さらに、絶縁層を含み、
前記絶縁層は、前記第1の電極上に形成され、
前記補助配線は、前記絶縁層を介して前記第1の電極上に積層されていることにより、前記第1の電極に接触していない付記1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記補助配線が、前記第2の電極の両端側に配置されている付記1から4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記補助配線が、前記第2の電極の周囲を囲むように配置されている付記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記補助配線の縁と前記基板平面とのなす角が鈍角である付記1から6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
付記1から7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とするディスプレイパネル。
第1の電極を、基板の一面上に形成する第1の電極形成工程と、
発光層を含む有機層を、前記第1の電極上に形成する有機層形成工程と、
第2の電極を、前記有機層上に形成する第2の電極形成工程と、
補助配線を、前記有機層と接触しない位置に形成する補助配線形成工程とを含み、
前記補助配線形成工程において、前記補助配線を、前記第1の電極に接触しないように形成し、
前記補助配線形成工程または前記第2の電極形成工程において、前記補助配線が前記第2の電極に電気的に接続されるようにすることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
前記補助配線を、前記有機層形成位置の外側において前記有機層と接触しない位置に形成する付記9記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
前記補助配線形成工程において、前記補助配線を、前記基板の前記一面上における前記第1の電極の外側において、前記第1の電極に接触しない位置に形成する付記9または10記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
さらに、前記第1の電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、
前記補助配線形成工程において、前記補助配線を、前記絶縁層上に、前記第1の電極と接触しないように形成する付記9または10記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
前記補助配線形成工程において、シャドーマスクによるパターニングを用いずに前記補助配線を形成する付記9から12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
2 第1の電極
3 補助配線
4 有機層
5 第2の電極
6 絶縁層
10、20、30,40、50 有機EL素子
Claims (8)
- 基板、第1の透明電極、第2の透明電極、発光層を含む有機層、補助配線、および絶縁層を含み、
前記基板の一面上に、前記第1の透明電極、前記有機層、および前記第2の透明電極が、前記順序で積層され、前記有機層は、前記両透明電極と電気的に接続され、
前記絶縁層は、前記第1の透明電極上に形成され、
前記補助配線は、前記有機層と接触しない位置に配置され、前記第2の透明電極に電気的に接続されているとともに、前記絶縁層を介して前記第1の透明電極上に積層されていることにより、前記第1の透明電極に接触していないことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記補助配線は、前記基板の前記一面上において、前記第1の透明電極の外側の、前記第1の透明電極と接触しない位置に形成されている請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記補助配線が、前記第2の透明電極の周囲を囲むように配置されている請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記補助配線の縁と前記基板平面とのなす角が鈍角である請求項1から3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とするディスプレイパネル。
- 第1の透明電極を、基板の一面上に形成する第1の透明電極形成工程と、
発光層を含む有機層を、前記第1の透明電極上に形成する有機層形成工程と、
前記第1の透明電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
第2の透明電極を、前記有機層上に形成する第2の透明電極形成工程と、
補助配線を、前記有機層と接触しない位置に形成する補助配線形成工程とを含み、
前記補助配線形成工程において、前記補助配線を、前記絶縁層上に、前記第1の透明電極に接触しないように形成し、
前記補助配線形成工程または前記第2の透明電極形成工程において、前記補助配線が前記第2の透明電極に電気的に接続されるようにすることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記補助配線形成工程において、前記補助配線を、前記基板の前記一面上における前記第1の透明電極の外側において、前記第1の透明電極に接触しない位置に形成する請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記補助配線形成工程において、シャドーマスクによるパターニングを用いずに前記補助配線を形成する請求項6から7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013123188 | 2013-06-11 | ||
JP2013123188 | 2013-06-11 | ||
PCT/JP2014/061973 WO2014199741A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-04-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014199741A1 JPWO2014199741A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6482080B2 true JP6482080B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=52022043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015522641A Active JP6482080B2 (ja) | 2013-06-11 | 2014-04-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9960382B2 (ja) |
JP (1) | JP6482080B2 (ja) |
WO (1) | WO2014199741A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101919874B1 (ko) | 2017-01-23 | 2018-11-19 | 경북대학교 산학협력단 | 자가치유가 가능한 배터리용 분리막 |
CN110785867B (zh) * | 2017-04-26 | 2023-05-02 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
JP6355288B1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-07-11 | 国立大学法人九州大学 | 電極、構造体およびその製造方法、接続構造体、並びに、その電極を用いた素子 |
JP7390739B2 (ja) | 2019-03-07 | 2023-12-04 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7431968B1 (en) | 2001-09-04 | 2008-10-07 | The Trustees Of Princeton University | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
TWI284155B (en) | 2001-09-04 | 2007-07-21 | Univ Princeton | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
JP4729949B2 (ja) | 2005-03-09 | 2011-07-20 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100811473B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-03-07 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치 |
JP2011040167A (ja) * | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2012174558A (ja) | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 有機elデバイス |
EP2693841B1 (en) * | 2011-03-29 | 2021-08-18 | HotaluX, Ltd | Organic electroluminescence light emitting device, manufacturing method thereof, and organic electroluminescence illumination device |
WO2012133715A1 (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Necライティング株式会社 | 有機el発光装置、有機el発光装置の製造方法及び有機el照明装置 |
-
2014
- 2014-04-30 WO PCT/JP2014/061973 patent/WO2014199741A1/ja active Application Filing
- 2014-04-30 US US14/896,520 patent/US9960382B2/en active Active
- 2014-04-30 JP JP2015522641A patent/JP6482080B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014199741A1 (ja) | 2014-12-18 |
US20160126490A1 (en) | 2016-05-05 |
JPWO2014199741A1 (ja) | 2017-02-23 |
US9960382B2 (en) | 2018-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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