JP4466652B2 - 圧電磁器及び圧電セラミック素子 - Google Patents

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Description

本発明は、圧電磁器及び圧電セラミック素子に関し、更に詳しくは、圧電セラミックフィルタ、アクチュエータ、圧電セラミック発振子等の圧電セラミック素子の材料として好適な圧電磁器及びそれを用いた圧電セラミック素子に関する。
圧電セラミックフィルタ等の圧電セラミック素子としては、従来からチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(TiZr1−x)O)、またはチタン酸鉛(PbTiO)を主成分とする圧電磁器が広く使用されている。
しかしながら、チタン酸ジルコン酸鉛、またはチタン酸鉛を主成分とする圧電磁器は、有害な鉛が含まれているため、製造時あるいは廃棄時の人体や環境に対する影響が問題となっている。また、その製造過程において、原材料として使用される鉛成分が蒸発するため、圧電磁器の品質の均一性が低下する問題があった。
特許文献1には鉛を含有しない圧電磁器が提案されている。この圧電磁器は、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、リチウム(Li)、及び銀(Ag)を含む第1の元素と、ニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)からなる群のうち少なくともNbを含む第2の元素と、酸素(O)からなるペロブスカイト型酸化物を含有している。この圧電磁器を製造する場合には950〜1350℃の温度で焼成することによって、比誘電率εが412〜502、電気機械結合係数κが38〜42%、発生変位量が0.064〜0.075%の圧電磁器が得られる。
特開2003−277145
しかしながら、特許文献1に記載された圧電磁器の場合には、焼成温度が950〜1350℃と高温であるため、圧電セラミック素子を製造する際に圧電磁器と共焼する内部電極として非常に高価なPdやPd含有率の高いPd−Ag合金を使用しなくてはならないという課題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電気機械結合係数、圧電定数等の圧電特性を損なうことなく、1000℃以下の低温で焼成することができる圧電磁器及び圧電セラミック素子を提供することを目的としている。
本発明の請求項1に記載の圧電磁器は、組成式が(Ag1−x−yLi)NbO(但し、0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3の関係を満足する。)で表される主成分100重量部に対して、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biから選択される少なくとも一種類の金属元素の酸化物を、MO(但し、Mは、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biを表す。)に換算して0.01重量部以上、10重量部以下の範囲で含有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載の圧電磁器は、請求項1に記載の発明において、上記主成分100重量部に対して、Mnの酸化物及び/またはSiの酸化物を、それぞれMnO、SiOに換算して5重量部以下含有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載の圧電セラミック素子は、請求項1または請求項2に記載の圧電磁器と、この圧電磁器に形成された電極と、を備えたことを特徴とするものである。
而して、本発明の圧電磁器は、組成式が(Ag1−x−yLi)NbO(但し、0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3の関係を満足する。)で表されるペロブスカイト型酸化物(ABO)を主成分としている。つまり、本発明の主成分は、AgNbOを基本組成とするペロブスカイト型酸化物で、AサイトのAgの一部が1価のLi及び/またはKによって置換されている。つまり、本発明の圧電磁器は、有害物質であるPbを含まないペロブスカイト型酸化物を主成分としている。
Agに対するLiの置換量xは、0.075≦x<0.4の関係を満足し、且つ、Agに対するKの置換量yは、0.03≦y<0.3の関係を満足することによって、キュリー点(分極消失温度:温度上昇により圧電性を示す結晶系から圧電性を示さない結晶系へ相転移する温度)が350℃以上になる。
Agに対するLiの置換量xが0.075未満でも0.4以上でもキュリー点が350℃より低くなり、実用上問題となる虞がある。また、Agに対するKの置換量xが0.03未満でも0.3以上でもLiの場合と同様にキュリー点が350℃より低くなる。
また、上記組成式において、アルカリ成分であるLi、Kの含有量が例えば特許文献1で提案されている従来の圧電磁器と比較して少なく、換言すればAgの含有量が多いため、アルカリ成分の飛散による圧電特性のバラツキや再現性の不安定さの程度を軽減することができる。
また、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biから選択される少なくとも一種類の金属元素の酸化物を第1の副成分として添加することによって、焼成温度を1000℃以下に下げることができ、含有元素の飛散等による弊害を防止することができ、しかも比誘電率ε、厚み振動における電気機械結合係数κ33、厚み振動における圧電定数d33、厚み振動における共振周波数定数N等の圧電特性に優れ、350℃以上のキュリー点を有する温度特性に優れた圧電磁器を得ることができる。
本発明では、圧電磁器を1000℃以下の低温で焼成することができる結果、圧電セラミック素子を製造する場合には、例えば内部電極として使用されるPdやAg−Pd合金中の高価なPdの比率を低下させることができ、圧電セラミック素子の製造コストを低減することができる。
第1の副成分の添加量(MO換算)が上記主成分100重量部に対して0.01重量部未満では焼成温度が1000℃を超える高温になり、また、10重量部を超えると電気機械結合係数κ33が低下する。
また、本発明では、上記第1の副成分の他に、更に、第2の副成分として例えばMnの酸化物及び/またはSiの酸化物をそれぞれMnOまたはSiOに換算して5重量部以下添加することが好ましい。第2の副成分を添加することにより、第2の副成分を添加しない場合よりも焼成温度を更に下げることができ、しかも第2の副成分を添加しない場合と遜色のない圧電特性を得ることができる。
また、本発明の圧電セラミック素子は、本発明の圧電磁器を備えているため、有害なPbを含むことなく、1000℃以下での低温焼成が可能で、圧電磁器に形成される電極として、PdまたはAg−Pd合金を使用する場合であってもPdの含有比率を低減することができ、圧電セラミック素子の製造コストを低減することができる。尚、本発明の圧電磁器は、本発明の目的を損なわない範囲で、作製に当たっての出発原料の純度、調合方法、及び焼成条件等に基づく、上記組成式で表される化学量論組成からのずれが生じても良い。また、本発明の目的を損なわない範囲で、僅かな不純物を含有していても良い。
本発明の請求項1〜請求項3に記載の発明によれば、電気機械結合係数、圧電定数等の圧電特性を損なうことなく、1000℃以下の低温で焼成することができる圧電磁器及び圧電セラミック素子を提供することができる。
本発明の圧電セラミック素子の一実施形態である圧電セラミック振動子を示す斜視図である。 図1の示す圧電セラミック素子の断面図である。
符号の説明
10 圧電セラミック素子
11 圧電磁器
12A、12B、12C 振動電極
13A、13B、13C 引き出し電極
次に、具体的な実施例に基づいて本発明の圧電磁器について説明する。
実施例1
(1)主成分の調製
まず、主成分の出発原料として、AgO、Nb、LiCO、KCOの各粉末を準備し、(Ag1−x−yLi)NbOのx、yが表1〜表6に示す配合比となるように各粉末を秤量して試料番号1〜146の試料となる調合物を調合した。次いで、これらの調合物を電気炉により、酸化性雰囲気下で800℃〜900℃で10時間仮焼して仮焼物を得た。尚、表中の*で示される試料は、本発明の範囲外の組成である。
(2)第1の副成分の添加
第1の副成分として6種類のBi、ZnO、CuO、NiO、CoCO、Feの各粉末それぞれを一種類ずつ表1から表6に示す配合比になるように秤量し、上記主成分100重量部に添加し、混合した後、有機バインダーとしてポリビニルアルコールを上記原料混合粉末100重量部に対して5重量部を加えてスラリーを形成し、湿式粉砕した後乾燥させ、乾燥粉末を得た。
(3)試料の作製
然る後、上記各乾燥粉末を、一軸プレス(980MPa)にて縦12mm×横12mm×厚み2.5mmに成形し、角柱試料を得た。得られた試料を酸化性雰囲気下で表1から表6に示す温度で焼成した。その後、Agペーストを上記試料板の上下両主面に塗布し、800℃にて焼付けた。その後、絶縁オイルバス中で室温〜150℃で、50〜200kV/cmの直流電圧を3〜10分間印加して分極処理を行った。次に、これらの試料を、ダイシングマシーンを用いて2mm×2mm×3mmの角柱状に切り出し、表1〜表6に示す試料番号1〜146の試料を作製した。
Figure 0004466652
Figure 0004466652
Figure 0004466652
Figure 0004466652
Figure 0004466652
Figure 0004466652
(4)試料の評価
表1〜表6に示す各試料について、比誘電率ε、厚み振動における電気機械結合係数κ33、厚み振動における圧電定数d33、厚み振動における共振周波数定数N、及びキュリー点をそれぞれ測定し、その結果を以下の表7〜表12に示した。
Figure 0004466652
表7に示す結果によれば、第1の副成分としてBiを添加した場合、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号4〜6、試料番号9〜11、試料番号14〜16、試料番号18〜20、試料番号23〜25)で、Biの添加量が本発明の範囲内の場合には、電気機械結合係数κ33、圧電定数d33、共振周波数定数及びキュリー点(以下、「圧電特性」と称す。)において実用上問題のない特性を保持し、しかも940〜980℃の1000℃未満の低温で焼成することができた。低温焼成が可能なことから、圧電セラミック素子の内部電極としてAg−Pd合金のPdの配合比率を低減することができ、コストダウンを実現することができる。
これに対して、組成式(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分のxの値が本発明の範囲の下限である0.075未満の試料番号1の場合には、キュリー点が350℃未満の160℃と極端に低かった。また、xの値が本発明の範囲の上限である0.4以上の試料番号27、28の場合にもキュリー点が320℃で350℃未満であった。また、上記組成式中のyの値が本発明の範囲を逸脱する0.03未満の試料番号2の場合や0.3以上の試料番号13の場合にも、キュリー点が350℃未満であった。
また、主成分に対するBiの添加量(BiO換算)が本発明の範囲の下限である0.01重量部未満で、Biを添加しない試料番号3、8、17、22の場合には、いずれも焼成温度が高く、1000℃を超える1020℃であった。Biの添加量が本発明の範囲の上限である10重量部を超える試料番号7、12、21、26の場合、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
Figure 0004466652
表8に示す結果によれば、第1の副成分としてZnOを添加した場合でも、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号31〜33、試料番号35〜37、試料番号40〜45、試料番号47〜49)の場合には、Biを添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、組成式が(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分が、本発明の範囲(0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3)外の試料番号29、30、39、51、52の場合には、Biを添加した場合と同様に、キュリー点が350℃より低かった。
また、ZnOの添加量(ZnO換算)が10重量部を超える試料番号34、38、46、50の場合には、Biを添加した場合と同様に、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
Figure 0004466652
表9に示す結果によれば、第1の副成分としてCuOを添加した場合でも、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号55〜57、試料番号59〜61、試料番号64〜69、試料番号71〜73)の場合には、Biを添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、組成式が(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分が、本発明の範囲(0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3)外の試料番号53、54、63、75、76の場合には、Biを添加した場合と同様に、キュリー点が350℃より低かった。
また、CuOの添加量(CuO換算)が10重量部を超える試料番号58、62、70、74の場合には、Biを添加した場合と同様に、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
Figure 0004466652
表10に示す結果によれば、第1の副成分としてNiOを添加した場合でも、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号79〜81、試料番号83〜85、試料番号88〜93、試料番号95〜97)の場合には、Biを添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、組成式が(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分が、本発明の範囲(0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3)外の試料番号77、78、87、99、100の場合には、Biを添加した場合と同様に、キュリー点が350℃より低かった。
また、NiOの添加量(NiO換算)が10重量部を超える試料番号82、86、94、98の場合には、Biを添加した場合と同様に、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
Figure 0004466652
表11に示す結果によれば、第1の副成分としてCoCOを添加した場合でも、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号103〜105、試料番号107〜109、試料番号112〜116、試料番号118〜120)の場合には、Biを添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、組成式が(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分が、本発明の範囲(0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3)外の試料番号101、102、111、122、123の場合には、Biを添加した場合と同様に、キュリー点が350℃より低かった。
また、CoCOの添加量(CoO換算)が10重量部を超える試料番号106、110、117、121の場合には、Biを添加した場合と同様に、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
Figure 0004466652
表12に示す結果によれば、第1の副成分としてFeを添加した場合でも、圧電磁器の各組成が本発明の範囲内(試料番号126〜128、試料番号130〜132、試料番号135〜139、試料番号141〜143)の場合には、Biを添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、組成式が(Ag1−x−yLi)NbOで表される主成分が、本発明の範囲(0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3)外の試料番号124、125、134、145、146の場合には、Biを添加した場合と同様に、キュリー点が350℃より低かった。
また、Feの添加量(FeO換算)が10重量部を超える試料番号129、133、140、144の場合には、Biを添加した場合と同様に、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。
実施例2
本実施例では、6種類のFe、CoCO、NiO、CuO、ZnO、Biの各粉末それぞれを二種類ずつ選択して、本発明の範囲内でx、yを調合した主成分(Ag1−x−yLi)NbOに対して表13に示す配合比になるように秤量した以外は、実施例1と同様に、試料番号201〜220の試料を作製した。そして、各試料について実施例1と同様に比誘電率、厚み振動における電気機械結合係数κ33,厚み振動における圧電定数d33、厚み振動における共振周波数定数N、及びキュリー点を測定し、それぞれの結果を表14に示した。尚、表中の*で示される試料は、本発明の範囲外の組成である。
Figure 0004466652
Figure 0004466652
表14に示す結果によれば、第1の副成分として二種類の金属酸化物を選択した場合でも、各金属酸化物の添加量が本発明の範囲内(試料番号201〜203、試料番号205〜207、試料番号210〜211、試料番号213〜215、試料番号217〜219)の場合には、各酸化物を単独で添加した場合と同様に、圧電特性において実用上問題のない特性を保持し、しかも1000℃以下の低温で焼成することができた。
これに対して、6種類の金属酸化物から二種類を選択して添加した場合でも二種類の金属酸化物の合計添加量(MO換算)が10重量部を超える試料番号204、208、212、216、220の場合には、電気機械結合係数κ33の値が20%未満と小さかった。また、金属酸化物を添加しない試料番号209の場合には焼成温度が高く、1000℃を超える1020℃であった。
即ち、第1の副成分としてFe、Co、Ni、Cu、Zn、Biの各酸化物から二種類以上を選択した場合でも、その添加量の合計が本発明の範囲内であれば、これらの金属元素の酸化物を一種類添加したときと同様に、1000℃以下の低温で焼成することができることが判った。
尚、上記第1の副成分を複数選択する場合、添加量の合計が本発明の範囲(主成分に対して0.01重量部以上、10重量部以下)内であれば、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biの各酸化物を自由に組み合わせることができ、また、3種類以上選択して添加しても良い。
実施例3
本実施例では、第2の副成分としてMn、Siの各酸化物を添加し、これらの酸化物の影響について調べた。
(1)主成分の調製及び第1、第2の副成分の添加
実施例1の場合と同一要領で主成分を調製した。次いで、第1の副成分として6種類のFe、CoCO、NiO、CuO、ZnO、Biの各粉末を、また、第2の副成分としてMnCO、SiOの各粉末を、それぞれを表15に示す配合比になるように秤量し、実施例1と同一要領で圧電磁器の原料となる乾燥粉末を得た。この際、主成分(Ag1−x−yLi)NbOの組成式におけるx、y及び第1の副成分の添加量はいずれも本発明の範囲内であり、第2の副成分の添加量を本発明の範囲から本発明の範囲外まで振った。尚、表中の*で示される試料は、本発明の範囲外の組成である。
(2)試料の作製及び評価
次いで、実施例1と同一の要領で表15に示す温度で焼成した後、試料番号301〜315の試料を得た後、これらの試料について実施例1と同様に圧電特性を測定し、それぞれの結果を表16に示した。
Figure 0004466652
Figure 0004466652
表16に示す結果によれば、主成分(Ag1−x−yLi)NbO100重量部に対して、第2の副成分としてMnCO及び/またはSiOをそれぞれMnO、SiOに換算して本発明の範囲(5重量部以下)内で添加した試料番号301、302、試料番号304〜307、試料番号309〜312の場合には、これらを添加しない場合と同等の電気機械結合係数κ33(20%以上)が得られ、キュリー点も実施例1と遜色がなく、しかも実施例1の温度(940℃〜1000℃)より更に低い温度(920℃〜960℃)で焼成することができた。
第2の副成分としてのMnCO及び/またはSiOの添加量はそれぞれMnO、SiOに換算して合計で5重量部を超えなければ良く、試料番号301、302、304〜307、311、312のいずれか一方を添加しても、試料番号309〜310のように双方を添加しても良いことが判った。
これに対して、第2の副成分の添加量が本発明の範囲の上限(5重量部)を超える試料番号303、308、313〜315の場合には、いずれも電気機械結合係数κ33が20%未満と低くなった。即ち、主成分100重量部に対して第2の副成分を5重量部以下添加することにより、圧電特性を損なうことなく、焼結温度を更に下げられることが判った。
次に、図1、図2を参照しながら本発明の圧電磁器を用いて作製された圧電セラミック素子の一実施形態について説明する。尚、各図中、図1は本発明の圧電セラミック素子の一実施形態である圧電セラミック振動子を示す斜視図、図2は図1の示す圧電セラミック振動子の断面図である。
本実施形態の圧電セラミック振動子10は、図1、図2に示すように、例えば本発明の圧電磁器によって直方体状に形成された圧電磁器11と、圧電磁器11の上下両面及びその厚さ方向の略中間にそれぞれ形成された円形状の振動電極12A、12B、12Cと、各振動電極12A、12B、12Cに一端がそれぞれ接続され且つ他端が圧電磁器11の一片に達するT字状に形成された引き出し電極13A、13B、13Cと、を備えている。
圧電磁器11は、例えば2枚の圧電磁器層11A、11Bを積層して形成され、圧電磁器層11A、11Bの界面にその厚さ方向の略中間の振動電極12Cが形成されている。上下の各圧電磁器層11A、11Bは、図2に矢印で示すように、同じ厚み方向に分極処理されている。上下の振動電極12A、12B及びそれぞれの引き出し電極13A、13Bは互いに重なる位置関係に形成され、これらの中間の振動電極12Cに接続された引き出し電極13Cは上下の引き出し電極13A、13Bとは逆向きに形成されている。そして、引き出し電極13A、13B、13Cの他端が圧電磁器11の一片に沿ってT字状に形成されている。
上下の振動電極12A、12Bには引き出し電極13A、13B及びリード線14Aを介して一方の外部電極15Aがそれぞれ接続され、中間の振動電極12Cには引き出し電極13C及び別のリード線14Bを介して他方の外部電極15Bが接続されている。
本実施形態の圧電セラミック振動子10は、Pbを含まず、且つ1000℃以下の低温焼成で製造することができ、環境負荷の少ない圧電振動子を提供することができる。また、低温焼成が可能となったことで、Pd含有量の少ない内部電極を用いることができ、製造コストを低減することができる。
尚、本発明は上記実施例に何等制限されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限り、本発明に包含される。例えば、圧電セラミック素子としては、前述した圧電セラミック振動子の他に、例えば圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子など従来公知の圧電セラミック素子に広く適用することができる。
本発明は、例えば電子製品や家電製品に使用される圧電セラミック素子に好適に利用することができる。

Claims (3)

  1. 組成式が(Ag1−x−yLi)NbO(但し、0.075≦x<0.4、0.03≦y<0.3の関係を満足する。)で表される主成分100重量部に対して、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biから選択される少なくとも一種類の金属元素の酸化物を、MO(但し、Mは、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biを表す。)に換算して0.01重量部以上、10重量部以下の範囲で含有することを特徴とする圧電磁器。
  2. 上記主成分100重量部に対して、Mnの酸化物及び/またはSiの酸化物を、それぞれMnO、SiOに換算して5重量部以下含有することを特徴とする請求項1に記載の圧電磁器。
  3. 請求項1または2に記載の圧電磁器と、この圧電磁器に形成された電極と、を備えたことを特徴とする圧電セラミック素子。
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