JP4451859B2 - 高出力ledパッケージ - Google Patents
高出力ledパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4451859B2 JP4451859B2 JP2006146136A JP2006146136A JP4451859B2 JP 4451859 B2 JP4451859 B2 JP 4451859B2 JP 2006146136 A JP2006146136 A JP 2006146136A JP 2006146136 A JP2006146136 A JP 2006146136A JP 4451859 B2 JP4451859 B2 JP 4451859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led package
- power led
- lead
- package according
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 119
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 18
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RWVIXLAPUYQGIG-UHFFFAOYSA-N (3-oxophenothiazin-2-yl)azanium;chloride Chemical compound Cl.C1=CC=C2SC3=CC(=O)C(N)=CC3=NC2=C1 RWVIXLAPUYQGIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
a)板状のフレーム部に広がった放熱部と、上記放熱部から延長される第1リードと上記放熱部と分離された第2リードからなるリード部を形成する段階と、
b)上記広がった放熱部を折れ加工し少なくとも2層以上の金属層を有する放熱部を形成する段階と、
c)上記放熱部と上記リード部を一体に固定するようモールド部を成形する段階と、
d)上記放熱部の上部面に発光部を搭載する段階と、
e)上記発光部と上記リード部を電気的に連結する段階と、
f)上記モールド部の上部面にレンズを結合する段階と、
g)上記リード部を切断して上記モールド部をフレーム部から分離する段階と、
を含む高出力LEDパッケージの製造方法が提供される。
金属板材からなる板状のフレーム部101は図12aに図示した通り、パンチング/打ち抜き加工によって上部面に折れ加工時多層構造の金属層を構成することができるように広がった放熱部120'を具備すると同時に上記広がった放熱部120'から延長される第1リード133と上記広がった放熱部120'から完全分離された第2リード136からなるリード部130を複数の個所に同時に具備する。
上記フレーム部101に加工された広がった放熱部120'は図12bに図示した通り、金属胴体に描かれる仮象の折れ線を沿って上部金属層121に該当する一側端を上部に180度切曲して中間金属層122に該当する中央上部面に折って重なるようにし、他の折れ線を沿って下部金属層123に該当する他側端を上記中央下部面に折って重なるようにする。これにより、上記放熱部120は一つの金属板材から延長される上部金属層121、中間金属層122および下部金属層123のうちの少なくとも2層以上が高さ方向に積層される多層構造の放熱手段で具備される。
上記放熱部120が多層構造を有するよう折れ工程が完了され、上記リード部130の切曲工程が完了されると、図12cに図示した通り、上記放熱部120とリード部130が加工されたフレーム部101を不図示の金型内に配置した状態で上記金型内に樹脂を注入することにより、上記放熱部120とリード部130を一体に固定するモールド部140を成形する。
次いで、上記放熱部120の上部面は上記モールド部140に形成されたメイン開口部145を通して外部露出されるところ、図12dに図示した通り上記メイン開口部145の正中央に半導体素子の発光部110を直接的に搭載するか上記発光部110が装着されたサブマウント(不図示)を上記放熱部120の上部面に搭載することもできる。
また、上記発光部110の搭載が完了されると、図12dに図示した通り、上記発光部110にワイヤ115の一端をボンディング連結し、上記ワイヤ115の他端は上記モールド部140の補助開口部146を通して外部露出される第2リード136の上端134とボンディング連結される。
連続して、上記放熱部120の発光部110と上記リード部130間の電気的な連結作業が終了されると、図12eに図示した通り、上記発光部110から発生される光を外部に集中するか広く透写することができるように事前に設計されたレンズ150を上記発光部110の直上部に配置した状態で、上記レンズ150の下部端を上記モールド部140の上部面に接着剤を用いて接着し結合する。
そして、上記モールド部140とレンズ150間の結合が完了されると、不図示の切断機を利用し上記モールド部140の外部面に突出された第1リード133および第2リード136を切断する。
115 ワイヤ
120 放熱部
121 上部金属層
122 中間金属層
123 下部金属層
125、143 凹部
130 リード部
131、134 上端
132、135 下端
133 第1リード
136 第2リード
140 モールド部
141 露出部
142 組立段差
150 レンズ
Claims (26)
- 電源印加時光を発生する発光部と、上記発光部が上部面に搭載される放熱部と、上記発光部と基板との間を電気的に連結するリード部および上記放熱部とリード部を一体に固定するモールド部を含むLEDパッケージにおいて、
上記放熱部は、1つの金属板材を折って対応面が互いに面接して重なるように積層し、少なくとも2つ以上の金属層が高さ方向に積層される連続する1つの金属板材で構成され、
上記リード部は、上記放熱部の複数個の金属層のうち何れか1つから延長され、上記放熱部と一体をなす少なくとも一つの第1リードと、上記放熱部と分離される少なくとも一つの第2リードとを含み、
上記放熱部の下部面は上記モールド部を貫通して外部に露出されることを特徴とする高出力LEDパッケージ。 - 上記発光部は少なくとも一つの半導体素子であることを特徴とする請求項1に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部とリード部は熱伝導性金属素材で具備されることを特徴とする請求項1または2に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部は上部金属層、下部金属層および中間金属層を具備するよう折られて重なる一つの金属板材で構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記上部金属層および上記下部金属層は上記中間金属層の上部面積と略同一な大きさに具備されることを特徴とする請求項4に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記上部金属層は上記中間金属層の上部面積よりは小さく上記発光部の搭載面積よりは大きい大きさに具備されることを特徴とする請求項4に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記上部金属層および上記下部金属層と中間金属層とは層の間が一体に接合されることを特徴とする請求項4から6のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部は上記基板の上部面と伝導性接着剤を媒介に接着されることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部の下部面は上記モールド部の下部面と同一な水平線上に位置するよう具備されることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部の下部面は上記モールド部の下部面に陥没形成された露出部を通して外部露出されるよう具備されることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部の下部面は上記モールド部の下部面から突出されるよう具備されることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記放熱部は上記金属層の積層数によって形成高さを調節することを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記第1リードおよび上記第2リードは上記発光部を中心に互いに対向して配置されることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記第1リードおよび上記第2リードは上記発光部の搭載面に近接する上端と上記基板の上部面に接続される下端が相互異なる高さを有するよう具備されることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記第1リードは上記モールド部の外部面から露出される外側端に少なくとも2つの補助電極を一体に具備することを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記第2リードは上記モールド部の外部面から露出される少なくとも2つの分割電極で構成されることを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記リード部は上記基板のパターン回路と電気的に連結される最小限の接続面積を具備するよう上記モールド部の外部面に露出されることを特徴とする請求項1から16のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部は上記発光部を取り囲む傾斜面に反射膜を有するメイン開口部を具備することを特徴とする請求項1から17のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部は上記発光部と一端が電気的に連結されるワイヤの他端と接続される第2リードを外部露出させる補助開口部を具備することを特徴とする請求項1から18のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部は熱伝導性樹脂で具備されることを特徴とする請求項1から19のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部は上記放熱部の平面状と略同一な形状で具備されることを特徴とする請求項1から20のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部の最上部面は上記発光部が搭載される放熱部の上部面より低く具備されることを特徴とする請求項1から21のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部の上部面には上記発光部の上部を取り囲むレンズを追加で含むことを特徴とする請求項1から22のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部と上記レンズとの間にはこれら間の空間に埋められる充填剤を含むことを特徴とする請求項23に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記モールド部の上部面には上記レンズの結合時上記レンズとモールド部との間に埋められた後残った充填剤が外部に溢れ出すことを防止する凹部を具備することを特徴とする請求項23または24に記載の高出力LEDパッケージ。
- 上記凹部は上記レンズの下部端の外側縁を沿って具備されることを特徴とする請求項25に記載の高出力LEDパッケージ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050045787A KR100593945B1 (ko) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009253413A Division JP5174783B2 (ja) | 2005-05-30 | 2009-11-04 | 高出力ledパッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339639A JP2006339639A (ja) | 2006-12-14 |
JP4451859B2 true JP4451859B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=37183320
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006146136A Expired - Fee Related JP4451859B2 (ja) | 2005-05-30 | 2006-05-26 | 高出力ledパッケージ |
JP2009253413A Expired - Fee Related JP5174783B2 (ja) | 2005-05-30 | 2009-11-04 | 高出力ledパッケージの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009253413A Expired - Fee Related JP5174783B2 (ja) | 2005-05-30 | 2009-11-04 | 高出力ledパッケージの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7663199B2 (ja) |
JP (2) | JP4451859B2 (ja) |
KR (1) | KR100593945B1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631903B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 |
KR100616684B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
WO2007142018A1 (ja) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
KR100904152B1 (ko) | 2006-06-30 | 2009-06-25 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
US7960819B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
US8044418B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
KR101148127B1 (ko) * | 2006-12-09 | 2012-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열회로기판 및 그 제조방법 |
KR100947454B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2010-03-11 | 서울반도체 주식회사 | 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지 |
US8604506B2 (en) * | 2007-02-22 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same |
KR100856493B1 (ko) | 2007-03-10 | 2008-09-04 | 서울반도체 주식회사 | 방열형 led 패키지 |
TW200843130A (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-01 | Wen Lin | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same |
KR100801621B1 (ko) | 2007-06-05 | 2008-02-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
JP4940088B2 (ja) | 2007-10-12 | 2012-05-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | バックライト装置及び液晶表示装置 |
JP5463447B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2014-04-09 | 三洋電機株式会社 | 発光装置及びそれを備えた灯具 |
DE102008011862A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Miniaturgehäuse, Trägeranordnung mit mindestens einem Miniaturgehäuse, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Trägeranordnung |
TWI363851B (en) | 2008-03-28 | 2012-05-11 | Ind Tech Res Inst | Lighting device and assembling method thereof |
KR100869376B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2008-11-19 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법 |
KR101088910B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2011-12-07 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
KR101007131B1 (ko) | 2008-11-25 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US8101955B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant |
US8089075B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant |
JP2013506251A (ja) * | 2009-09-25 | 2013-02-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体照明装置 |
KR101117616B1 (ko) | 2009-10-15 | 2012-03-09 | 주식회사 이츠웰 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2011228300A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Chang Wook | 大角度led光源及び大角度高放熱性led照明灯 |
CN101963296B (zh) * | 2010-07-07 | 2013-03-20 | 杨东佐 | 一种led集成结构的制造方法 |
KR101890084B1 (ko) | 2010-11-02 | 2018-08-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 및 반도체 장치 |
CN102163656A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-08-24 | 东莞市万丰纳米材料有限公司 | Led封装模块制备方法 |
JP5941249B2 (ja) | 2011-02-02 | 2016-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN103404240B (zh) * | 2011-03-03 | 2017-09-08 | 飞利浦照明控股有限公司 | 电路板组装件 |
WO2013047653A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 撮像レンズユニット及び撮像レンズユニットの製造方法 |
CN103178191B (zh) * | 2011-12-24 | 2015-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
JP2013179271A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Rohm Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR101287149B1 (ko) | 2012-02-16 | 2013-07-17 | (주)씨티엘 | 발광다이오드 장착용 패키지. |
KR101316009B1 (ko) * | 2012-05-29 | 2013-10-08 | 오름반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
DE102012110261A1 (de) * | 2012-10-26 | 2014-04-30 | Osram Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses |
US9627599B2 (en) * | 2013-07-08 | 2017-04-18 | Lg Electronics Inc. | LED lighting apparatus and heat dissipation module |
KR20150009039A (ko) | 2013-07-10 | 2015-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 엘이디 조명기구 및 그 제조방법 |
KR20160069700A (ko) | 2014-12-09 | 2016-06-17 | 경희대학교 산학협력단 | 발광다이오드를 이용한 조명기구, 그리고 그의 제조방법 |
KR102400529B1 (ko) * | 2015-10-26 | 2022-05-20 | 삼성전자주식회사 | 금속 케이스를 구비한 전자기기 및 이에 사용되는 금속 케이스 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57114266A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Resin-sealed semiconductor device |
JPS57170560U (ja) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | ||
JPS60939U (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JPS6117759U (ja) * | 1984-07-07 | 1986-02-01 | オムロン株式会社 | 発光器 |
JP3671457B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2005-07-13 | 株式会社デンソー | 多層基板 |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
DE10117889A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4009097B2 (ja) | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
JP3828036B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-09-27 | 三菱電機株式会社 | 樹脂モールド型デバイスの製造方法及び製造装置 |
KR100550856B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2006-02-10 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드(led) 소자의 제조 방법 |
JP2005116937A (ja) | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2006049442A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
US7365407B2 (en) * | 2006-05-01 | 2008-04-29 | Avago Technologies General Ip Pte Ltd | Light emitting diode package with direct leadframe heat dissipation |
-
2005
- 2005-05-30 KR KR1020050045787A patent/KR100593945B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-26 JP JP2006146136A patent/JP4451859B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-30 US US11/442,414 patent/US7663199B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-04 JP JP2009253413A patent/JP5174783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060267036A1 (en) | 2006-11-30 |
JP2010028149A (ja) | 2010-02-04 |
US7663199B2 (en) | 2010-02-16 |
JP5174783B2 (ja) | 2013-04-03 |
JP2006339639A (ja) | 2006-12-14 |
KR100593945B1 (ko) | 2006-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4451859B2 (ja) | 高出力ledパッケージ | |
JP4934352B2 (ja) | 高出力ledパッケージおよび高出力ledパッケージ製造方法 | |
USRE46851E1 (en) | High power light emitting diode package | |
KR101144489B1 (ko) | Led 패키지 | |
US6841931B2 (en) | LED lamp | |
JP4432275B2 (ja) | 光源装置 | |
KR100641889B1 (ko) | 발광다이오드 구조체 | |
JP2005109282A (ja) | 発光装置 | |
US20130153952A1 (en) | Light emitting device, and package array for light emitting device | |
JP2004281606A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
KR100875702B1 (ko) | 고출력 발광 다이오드 패키지 | |
KR100665182B1 (ko) | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 | |
WO2004102685A1 (en) | Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof | |
KR100566140B1 (ko) | 발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법 | |
KR100764461B1 (ko) | 버퍼층을 갖는 반도체 패키지 | |
KR100613489B1 (ko) | 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법 | |
KR100878398B1 (ko) | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 | |
KR100707958B1 (ko) | 표면실장형 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법 | |
JP2000235808A (ja) | 光源装置 | |
KR102562090B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP2013093409A (ja) | リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |