JP2005116937A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005116937A JP2005116937A JP2003352018A JP2003352018A JP2005116937A JP 2005116937 A JP2005116937 A JP 2005116937A JP 2003352018 A JP2003352018 A JP 2003352018A JP 2003352018 A JP2003352018 A JP 2003352018A JP 2005116937 A JP2005116937 A JP 2005116937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor light
- light emitting
- emitting device
- frame
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】放熱効果を向上させるとともに樹脂パッケージのクラックを防止する半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】凹部の内周に反射壁を有する樹脂パッケージと、一端部が前記凹部の底面に露出し、他端部が前記樹脂パッケージの外側面から突出した一対のリードフレームと、前記凹部内の前記リードフレームの一端部に搭載された半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、前記リードフレームを、複数枚を重ねて配置すると、半導体発光素子で発生した熱が、上側のリードフレームに伝達されて、さらに下側のリードフレームに伝達される。複数枚のリードフレームが重ねて配置されているので、熱が厚み方向に伝達され、また、各リードフレームが別部材なので、これを重ねて曲げたときの変形量が、2枚分の厚みを有するリードフレームを折り曲げたときの変形より小さくなる。
【選択図】図1
【解決手段】凹部の内周に反射壁を有する樹脂パッケージと、一端部が前記凹部の底面に露出し、他端部が前記樹脂パッケージの外側面から突出した一対のリードフレームと、前記凹部内の前記リードフレームの一端部に搭載された半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、前記リードフレームを、複数枚を重ねて配置すると、半導体発光素子で発生した熱が、上側のリードフレームに伝達されて、さらに下側のリードフレームに伝達される。複数枚のリードフレームが重ねて配置されているので、熱が厚み方向に伝達され、また、各リードフレームが別部材なので、これを重ねて曲げたときの変形量が、2枚分の厚みを有するリードフレームを折り曲げたときの変形より小さくなる。
【選択図】図1
Description
本発明は、樹脂パッケージとリードフレームを一体成型したパッケージ半導体発光装置およびその製造方法に関する。
従来、半導体発光装置は、光取り出し用の凹部が形成された樹脂パッケージと対となるリードフレームとを一体成型し、リードフレーム上に半導体発光素子を搭載した構造のものが多く用いられている。
このような半導体発光装置の駆動電流を増加させて高輝度化を実現しようとするとき、温度上昇による輝度特性の低下や、樹脂パッケージの変形等の不具合を防止するため、半導体発光素子からの放熱特性を向上させる必要がある。
図4は、従来の半導体発光装置の平面図である。図4に示すように、従来の半導体発光装置70は、対となるリードフレーム71,72の面積を広くして放熱面を拡大したものである。半導体発光素子73の熱は、リードフレーム71,72に伝達され、リードフレーム71,72から樹脂パッケージ74の外部に伝導する。このリードフレーム71,72の外側端部は、屈曲されて電極端子となる。
図5は、従来の他の半導体発光装置の断面図である。図5に示すように、従来の他の半導体発光装置75は、リードフレーム76,77の厚みを厚くしたものである。半導体発光素子78の熱は、リードフレーム76,77に伝達され、リードフレーム76,77から樹脂パッケージ79の外部に伝導する。このリードフレーム76,77の外側端部は、屈曲されて電極端子となる。
また、1枚の板材からなるリードフレームに電極端子とは別に、樹脂パッケージの外側に露出する放熱部を形成した発光装置も開発されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平11−87780号公報(第2−6頁、第2図)
しかしながら、図4に示す従来の半導体発光装置のように、リードフレームの面積を広くして放熱面を拡大すると、樹脂とリードフレームとの境界面も広くなるため、樹脂がリードフレームの界面から剥離しやすくなり、信頼性が低下するという問題がある。
また、図5に示す従来の他の半導体発光装置のように、リードフレームの厚みを厚く形成して、放熱部分の断面積を拡大すると、リードフレームの剛性が増加するので、リードフレームの突出部分を曲げて電極端子を形成するときに、リードフレームの基部から樹脂パッケージに伝達される応力が大きくなり、樹脂パッケージにクラックが発生するので、後加工が困難になるという問題がある。
また、特許文献1に示すような放熱部を形成しても、空気への放熱効果は低く、他の部材に接触させなければ放熱効果は得られないので、結局は面積を広く形成しないと放熱効果は向上しない。
そこで本発明は、放熱効果を向上させるとともに樹脂パッケージのクラックを防止する半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体発光装置においては、リードフレームとして、異なる材質からなる接続用フレームと放熱用フレームとを、重ねて配置した半導体発光装置としたものである。
また、本発明の半導体発光装置の製造方法においては、リードフレームを無接合状態で重ね、上型および下型で挟持して成型している。
この発明によれば、放熱効果を向上させるとともに樹脂パッケージのクラックを防止する半導体発光装置およびその製造方法が得られる。
本発明によれば、樹脂パッケージと、一対のリードフレームと、半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、リードフレームを複数枚重ねて配置したので、半導体発光素子で発生した熱が、上側のリードフレームに伝達されて、さらに下側のリードフレームに伝達されることになり、放熱効果が向上する。また、2枚重ねているので、2枚分の厚みを有するリードフレームを折り曲げたときの変形より小さくなり、樹脂パッケージにクラックが入ることを防止できる。
本願の請求項1に記載の発明は、凹部の内周に反射壁を有する樹脂パッケージと、一端部が前記凹部の底面に露出し、他端部が前記樹脂パッケージの外側面から突出した一対のリードフレームと、前記凹部内の前記リードフレームの一端部に搭載された半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、前記リードフレームは、複数枚が重ねて配置されていることを特徴とする半導体発光装置としたものであり、半導体発光素子から発生した熱は、上側のリードフレームに伝達されて、さらに下側のリードフレームに伝達される。複数枚のリードフレームが重ねて配置されているので、熱が厚み方向に伝達され、また、各リードフレームが別部材なので、これを重ねて曲げたときの変形量が、2枚分の厚みを有するリードフレームを折り曲げたときの変形より小さくなるという作用を有する。
請求項2に記載の発明は、前記リードフレームは、材質が異なる接続用フレームおよび放熱用フレームからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置としたものであり、半導体発光素子との接続の信頼性を向上させる材質で接続用フレームを形成し、放熱性に優れる材質で放熱用フレームを形成すると、半導体発光素子の熱は接続用フレームを介して放熱用フレームに伝達された後、迅速に拡散するとともに、接続用フレームと半導体発光素子との剥離が防止される。
請求項3に記載の発明は、前記接続用フレームの表面には銀めっきが施され、前記凹部内にある前記接続用フレームの一端部は、前記凹部内にある前記放熱用フレームの一端部より小さく形成され、前記凹部内には、光透過性を有する樹脂により封止されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置としたものであり、接続用フレームに銀めっきを施すことにより、半導体発光素子との接続性をよくし、また、樹脂との密着性が悪い接続用フレームを小さくして、樹脂を放熱用フレームに密着させるという作用を有する。
請求項4に記載の発明は、前記放熱用フレームの他端部は、前記樹脂パッケージ内で複数に分岐して前記外側面からそれぞれ突出し、前記接続用フレームの他端部とは重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光装置としたものであり、樹脂パッケージの外側には、放熱用フレームの他端部と接続用フレームの他端部とがそれぞれ1枚ずつ突出するという作用を有する。また、樹脂パッケージの内部では、分岐した放熱用フレームの間に樹脂パッケージを形成する樹脂が充填され、リードフレームの上下の樹脂が接続される。
請求項5に記載の発明は、前記放熱用フレームの他端部は、前記接続用フレームの他端部と同形状に折り曲げられていることを特徴とする請求項2から4のいずれかの項に記載の半導体発光装置としたものであり、使用時に、接続用フレームが接続される電極部に放熱用フレームも接続されるという作用を有する。
請求項6に記載の発明は、半導体発光素子が搭載される複数のリードフレームを成型金型に配置し、熱可塑性樹脂を用いて樹脂パッケージの成形を行う一体成型工程を有する半導体発光装置の製造方法において、複数の前記リードフレームは、無接合状態で重ねられ、前記成型金型の上型および下型で挟持されて成型されることを特徴とする半導体発光装置の製造方法としたものであり、成型時には、複数のリードフレームが密接した状態で熱可塑性樹脂が流入し、密接しているリードフレームの間の界面へ、流動性が悪い熱可塑性樹脂が浸入することがなく、重なっているリードフレームの周囲を覆って硬化するという作用を有する。
以下、本発明の実施の形態について、図1、図2を用いて説明する。
図1(A)は本発明の一実施の形態の半導体発光装置の平面図、(B)は同半導体発光装置の断面図を示す。図1(A)、(B)に示すように、一実施の形態の半導体発光装置1は、凹部2の内周に反射壁3を有する樹脂パッケージ4と、一端部が凹部2の円形の底面27に露出し、他端部が樹脂パッケージ4の外側面から突出した一対のリードフレーム5,6と、凹部2内のリードフレーム5,6の一端部に搭載された半導体発光素子7とを有している。凹部2内の半導体発光素子7は、光透過性を有するエポキシ等からなる封止樹脂28により封止されている。なお、リードフレーム5,6の一端部とは樹脂パッケージ4の中央側、他端部とは樹脂パッケージ4の両外側を示している。
リードフレーム5は、接続用フレーム8および放熱用フレーム10を片側に重ねて配置し、その反対側に接続用フレーム9および放熱用フレーム11を重ねて配置している。
半導体発光素子7のn電極およびp電極は、サブ基板12にバンプ(図示せず)を介して接続されている。サブ基板12のn電極は、片側の接続用フレーム8に導電性接着剤を用いて固着され、p側電極は、その反対側の接続用フレーム9に金線29をワイヤボンディングすることにより接続されている。
樹脂パッケージ4は、ガラス繊維を混入した白色の熱可塑性樹脂からなり、直方体状に形成されている。凹部2は、樹脂パッケージ4の光取り出し面に形成されている。凹部2は、断面円形で、奥側に行くほど徐々に縮径する形状に形成されている。
図2は放熱用フレーム10,11の平面図を示す。図2に示すように、放熱用フレーム10、11は、アルミニウム合金等の放熱性がよい材料により形成され、対向する一端部の両角部にそれぞれ面取り部15〜18を形成している。
また、放熱用フレーム10,11の他端部は、樹脂パッケージ4内で2つに分岐して外側面からそれぞれ突出している。すなわち、放熱用フレーム10,11は、U字状に形成され、それぞれの開口部13,14を他端側に配置し、それぞれの溝底部を一端側に配置している。また、対向した面取り部15,17および面取り部16,18の間の隙間19,20は三角形状に形成されている。
図3は接続用フレーム8,9の平面図を示す。図3に示すように、接続用フレーム8,9は、鉄合金や銅合金等の表面に銀めっきを施したもので、半導体発光素子7との接続性がよい材料を使用している。
接続用フレーム8,9は、それぞれの一側端部に幅狭の素子接続部21,22を有し、中間部に放熱用拡形部23,24を有し、他側に接続端子部25,26を有している。
図1に示すように、素子接続部21,22および放熱用拡形部23,24は、放熱用フレーム10,11に当接した状態で重ねて配置され、接続端子部25,26は、放熱用フレーム10,11とは重ならない位置に配置されている。
接続用フレーム8,9の一端部であって、樹脂パッケージ4の凹部2の底面27に露出している部分は、放熱用フレーム10,11の露出している部分より小さく形成されている。
放熱用フレーム10,11の他端部は、接続用フレーム8,9の他端部と同じ形状に折り曲げられている。すなわち、放熱用フレーム10,11の他端部および接続用フレーム8,9の他端部は、樹脂パッケージ4の外側で下方に屈曲し、その先部がそれぞれ一側に屈曲し、樹脂パッケージ4の下面に当接している。
次に半導体発光装置1の製造方法について説明する。
リードフレーム5,6は、平板状の材料をそれぞれプレスで打ち抜いて形成されるが、インサート成型を行うときには、それぞれの他端部が支持フレーム(図示せず)から分離していない状態で行われる。
対となる接続用フレーム8,9が多数形成された支持フレームと、対となる放熱用フレーム10,11が多数形成された支持フレームとは、同じ外形に形成され、放熱用フレーム10,11が形成された支持フレームに接続用フレーム8,9が形成された支持フレームを重ねると、図1に示すように製品と同じ配置となる。両支持フレームは接着剤等を用いずに無接合状態で重ねられる。
これを成型金型にセットし、樹脂パッケージ4が設けられる部分の外側を上型および下型で挟持する。放熱用フレーム10,11の一側部分と接続用フレーム8,9の一側部を隙間なく重ねた状態で、キャビティ内に熱可塑性樹脂を流入させて充填する。使用される熱可塑性樹脂はガラス繊維等が混入されているので、流動性が悪く、接続用フレーム8,9と放熱用フレーム10,11との間の隙間には浸入しない。従って、接続用フレーム8,9と放熱用フレーム10,11とが直接当接した状態で成型されるので、熱伝達率が向上し、放熱を効率よく行うことができる。なお、放熱用フレーム10,11の表面は、熱可塑性樹脂で覆われ、凹部2内には露出しない。
樹脂パッケージ4を製造した後は、接続用フレーム8,9にサブ基板12に搭載された半導体発光素子7を接続し、その後、凹部2内にエポキシ樹脂を充填して硬化させる。エポキシ樹脂は、銀めっきされた接続用フレーム8,9との密着性が悪いが、接続用フレーム8,9の大きさが小さく形成されているので、エポキシ樹脂の密着性をよくすることができ、装置の信頼性が向上する。
そして、支持フレームから各他端部を切断し、屈曲させることにより、図1に示すような半導体発光装置1を製造することができる。
次に、半導体発光装置1の使用状態について説明する。
半導体発光装置1は、例えば、回路基板上の電極端子に接続用フレーム8,9の他端部を導通接続されて面実装される。このとき、放熱用フレーム10,11の他端部も接続用フレーム8,9の他端部と同じ形状に形成されているので、回路基板上の電極端子に接続することができる。
回路基板上の電極端子に電圧が加わると、半導体発光素子7内に電流が流れ発光層が発光し、熱を発生させる。光は、封止樹脂28内を通過し、反射壁3で反射して外側に取り出される。
一方、発生した熱は、半導体発光素子7の底面から接続用フレーム8の素子接続部21に伝達される。また、半導体発光素子7から発生した熱の一部は金線29を介して接続用フレーム9の素子接続部22に伝達される。
素子接続部21,22に伝達された熱は、放熱用拡形部23,24に伝導されるとともに放熱用フレーム10,11に伝達される。そして、放熱用拡形部23,24および放熱用フレームの一側部内を伝導されてそれぞれの他端部を介して回路基板の電極に熱を放出する。このように迅速に熱を放出するので、半導体発光素子7の温度上昇が抑えられ、この分だけ駆動電流を増加させることができる。
また、半導体発光装置1は、放熱用フレーム10,11と接続用フレーム8,9を重ねて配置しているので、面積を小さくしても十分な放熱性を有している。面積を小さくすることにより、開口部13,14および隙間19,20で上下の樹脂を一体的に接続することができ、リードフレーム5,6から樹脂が剥離することが防止される。
本発明の半導体発光装置は接続用フレームと放熱用フレームとを、重ねて配置することによって、放熱効果が必要な用途にも適用できる。
1 半導体発光装置
2 凹部
3 反射壁
4 樹脂パッケージ
5,6 リードフレーム
7 半導体発光素子
8,9 接続用フレーム
10,11 放熱用フレーム
12 サブ基板
13,14 開口部
15〜18 面取り部
19,20 隙間
21,22 素子接続部
23,24 放熱用拡形部
25,26 接続端子部
27 底面
28 封止樹脂
29 金線
2 凹部
3 反射壁
4 樹脂パッケージ
5,6 リードフレーム
7 半導体発光素子
8,9 接続用フレーム
10,11 放熱用フレーム
12 サブ基板
13,14 開口部
15〜18 面取り部
19,20 隙間
21,22 素子接続部
23,24 放熱用拡形部
25,26 接続端子部
27 底面
28 封止樹脂
29 金線
Claims (6)
- 凹部の内周に反射壁を有する樹脂パッケージと、一端部が前記凹部の底面に露出し、他端部が前記樹脂パッケージの外側面から突出した一対のリードフレームと、前記凹部内の前記リードフレームの一端部に搭載された半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、
前記リードフレームは、複数枚が重ねて配置されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記リードフレームは、材質が異なる接続用フレームおよび放熱用フレームからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記接続用フレームの表面には銀めっきが施され、前記凹部内にある前記接続用フレームの一端部は、前記凹部内にある前記放熱用フレームの一端部より小さく形成され、前記凹部内には、光透過性を有する樹脂により封止されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記放熱用フレームの他端部は、前記樹脂パッケージ内で複数に分岐して前記外側面からそれぞれ突出し、前記接続用フレームの他端部とは重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光装置。
- 前記放熱用フレームの他端部は、前記接続用フレームの他端部と同形状に折り曲げられていることを特徴とする請求項2から4のいずれかの項に記載の半導体発光装置。
- 半導体発光素子が搭載される複数のリードフレームを成型金型に配置し、熱可塑性樹脂を用いて樹脂パッケージの成形を行う一体成型工程を有する半導体発光装置の製造方法において、
複数の前記リードフレームは、無接合状態で重ねられ、前記成型金型の上型および下型で挟持されて成型されることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003352018A JP2005116937A (ja) | 2003-10-10 | 2003-10-10 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003352018A JP2005116937A (ja) | 2003-10-10 | 2003-10-10 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116937A true JP2005116937A (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=34543083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003352018A Pending JP2005116937A (ja) | 2003-10-10 | 2003-10-10 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005116937A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100679272B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2007036073A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置 |
EP1753038A2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2007305785A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2009088534A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
US7663199B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High power light emitting diode package and fabrication method thereof |
KR101258230B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀과 이를 이용한 발광소자 |
US9076942B2 (en) | 2010-04-01 | 2015-07-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting device and lighting system having the same |
CN106169532A (zh) * | 2011-10-27 | 2016-11-30 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
CN110246834A (zh) * | 2018-03-08 | 2019-09-17 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件封装件 |
US10923643B2 (en) | 2018-06-25 | 2021-02-16 | Nichia Corporation | Package, light emitting device, and method of manufacturing the package |
-
2003
- 2003-10-10 JP JP2003352018A patent/JP2005116937A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7663199B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High power light emitting diode package and fabrication method thereof |
KR100679272B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2007036073A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置 |
US8169128B2 (en) | 2005-08-08 | 2012-05-01 | Samsung Led Co., Ltd. | LED package having recess in heat conducting part |
EP1753038A2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
JP2007049149A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ |
EP1753038A3 (en) * | 2005-08-08 | 2012-11-21 | Samsung LED Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
KR101258230B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀과 이를 이용한 발광소자 |
KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2007305785A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2009088534A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2013211579A (ja) * | 2007-10-01 | 2013-10-10 | Everlight Electronics Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
US9076942B2 (en) | 2010-04-01 | 2015-07-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting device and lighting system having the same |
CN106169532A (zh) * | 2011-10-27 | 2016-11-30 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
CN110246834A (zh) * | 2018-03-08 | 2019-09-17 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件封装件 |
CN110246834B (zh) * | 2018-03-08 | 2024-03-19 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件封装件 |
US10923643B2 (en) | 2018-06-25 | 2021-02-16 | Nichia Corporation | Package, light emitting device, and method of manufacturing the package |
US11581463B2 (en) | 2018-06-25 | 2023-02-14 | Nichia Corporation | Package |
US11935995B2 (en) | 2018-06-25 | 2024-03-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5038623B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP4910220B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP2005294736A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
US8890295B2 (en) | Package for mounting a light emitting element including a flat plate-shaped electrode and method for manufacture | |
JP2002094122A (ja) | 光源装置及びその製造方法 | |
TWI505519B (zh) | 發光二極體燈條及其製造方法 | |
TW201212297A (en) | Power surface mount light emitting die package | |
JP2007288198A (ja) | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 | |
JP4914998B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP2008147203A (ja) | 半導体発光装置 | |
TW201438298A (zh) | 發光組件及其製造方法 | |
JP2008140944A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2005116937A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2010093066A (ja) | 発光装置 | |
KR20080079745A (ko) | 리드프레임과 열방출판의 이중 방열구조를 갖는 발광다이오드 패키지 베이스 및 그 제조방법 | |
JP6566092B2 (ja) | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 | |
JP5180690B2 (ja) | Ledチップ実装用基板の製造方法、ledチップ実装用基板のモールド金型、ledチップ実装用基板、及び、led | |
JP2012104542A (ja) | Led発光素子用リードフレーム及びそれを用いたledパッケージ、およびその製造方法 | |
JP2005217308A (ja) | 半導体発光装置及びその製法 | |
JP6651699B2 (ja) | 側面発光型発光装置の製造方法 | |
JP2015038902A (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP5556369B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いた表示装置 | |
JP5359135B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5998716B2 (ja) | 発光装置 | |
EP1976032A2 (en) | Light emitting diode lamp with low thermal resistance |