JP4372984B2 - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
レジスト液の塗布方法としては、レジスト液の供給ノズルを基板の端から端へ縦横方向に走査して、レジスト液を細径の線状にしてガラス基板上に塗布していく方法がある。この塗布方法においては、レジスト液の供給ノズルの吐出孔が単一の方式と、レジスト液の供給ノズルの吐出孔を一定間隔で複数にして、その複数の吐出孔から同時にレジストを吐出させる方式とがある。この複数の吐出孔による方式によれば、単一の吐出孔の方式と比べて供給ノズルのガラス基板上を走査する回数を減らすことができるので、塗布処理のタクトを短縮させることができる。
【０００４】
しかしながら、この複数吐出孔のノズルによる場合であっても、ガラス基板の端から端へ走査して塗布していくので、ガラス基板上の塗布開始側と塗布終了側とでは時間的な差があり、レジストの乾燥時間がガラス基板の塗布開始側と塗布終了側の両端で異なる結果となる。従って基板両端のレジストの乾燥時間が異なった状態で、例えば次工程において、転写跡の生起を防止するために減圧乾燥処理等が行われてしまい、レジスト膜厚がガラス基板の両端で不均一となってしまう。
【０００５】
また複数吐出孔のノズルによる塗布は、単一吐出孔のノズルによる場合と比べて単位時間当たりのレジストの吐出量が多いので、ノズルがガラス基板の周辺付近を走査する際に基板以外への吐出が多くなり、レジストが無駄になっていた。
【０００６】
本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、複数吐出孔のノズルにより塗布する場合において、レジスト液の乾燥時間を基板上で対称にして、基板レジスト膜厚の均一性を確保することを目的とする。
【０００７】
また、本発明の別の目的はレジスト液の節約を図ることにある。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、基板を保持する保持部と、前記基板に対して縦横方向に移動しながら、前記基板の表面に処理液を供給する２つの処理液供給手段と、を具備し、前記基板表面への処理液の供給は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動し、前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動するものである。
【０００９】
本発明は、保持部に基板を保持する工程と、前記基板に対して縦横方向に２つの処理液供給手段を移動させながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程と、を具備し、前記基板表面に処理液を供給する工程は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動され、前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動されるものである。
【００１０】
これにより、基板表面への処理液の供給を当該基板表面の中心線により２分された基板表面の両方に交互に、かつ互いに対称となるようにして、処理液の乾燥時間を基板上で対称にすることができるので、膜厚の均一性を確保することができる。
【００１１】
本発明は、前記処理液の吐出量を可変する手段を更に具備することにより、処理液供給手段が基板の外側を移動する際に、処理液の吐出量を小さくするか、又は吐出を停止することにより、処理液の無駄な吐出を抑制して処理液の節約を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１３】
図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１４】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１６】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００１７】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる冷却ユニット２７が配置されている。
【００１８】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２２が配置され、このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２に隣接して減圧乾燥装置（ＶＤ）４０が配置され、更にこの減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に隣接して、基板Ｇのエッジ部や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジストの除去処理が行われるエッジリムーバ２３（ＥＲ）が配置されている。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、及び疎水化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
【００１９】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
【００２０】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。これらのアーム１７ａ，１８ａ，１９ａにより、基板Ｇを各処理ユニットに搬送可能としている。
【００２１】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、のような塗布系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２２】
また、中継部１５、１６の塗布系ユニット配置側の部分には、それぞれ薬液供給装置３４が配置されており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５がそれぞれ設けられている。
【００２３】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
図２及び図３はレジスト塗布装置（ＣＴ）２２を示している。これらの図に示すように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２の中央には、有底円筒状のフレーム７１ａが配置され、このフレーム７１ａ内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部である基板吸着テーブル５８が配置されている。また、このフレーム７１ａの上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部７１ｃが設けられている。
【００２５】
基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇを真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続されている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰＵ７４によって、その動作が制御される。具体的には、ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されており、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方向に移動し得るようになっている。
【００２６】
フレーム７１ａの両側には、搬送レール６６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間には、スキャン機構１００が設けられている。このスキャン機構１００は、搬送レール６６、６６間に掛け渡され、この搬送レール６６、６６に沿ってＹ方向に移動する第１のスライダ６７と、この第１のスライダ６７に付設され、第１のスライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向に移動可能で、処理液供給手段としてのレジスト液供給ノズル４６が固定された第２のスライダ４３とを有して構成される。レジスト液供給ノズル４６は、レジスト液を貯留するタンク５０からの供給管４２に接続され、レジスト液供給ノズル４６とタンク５０との間にはレジスト液を吐出させるためのベローズポンプ４９が接続されている。レジスト液供給ノズル４６の下面側には図示しない複数の吐出孔が例えば２０個設けられている。
【００２７】
搬送レール６６の一方の走行端付近には、ＣＰＵ７４の指令により、該搬送レール６６に沿って第１のスライダ６７を移動させると共に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿って移動させる駆動部４８が設けられている。また、ＣＰＵ７４は各スライダ６７及び４３の移動距離、すなわちガラス基板Ｇ上のレジスト液供給ノズル４６の移動位置に応じて、ベローズポンプ４９の作動量を制御してレジスト液の吐出量を可変としている。
【００２８】
以上のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムの作用を説明する。
【００２９】
図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇが、搬送アーム１１により処理部２に搬送される。処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３０】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２に搬入される。
【００３１】
このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２では、まず、基板吸着テーブル５８がフレーム７１ａの開口部７１ｃより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス基板Ｇが開口部７１ｃを通過してフレーム７１ａ内に搬入される。
【００３２】
続いてガラス基板Ｇの大きさに応じてＣＰＵ７４の指令に基づき、駆動部４８は第１のスライダ６７を搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動させるとともに、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動させる。これにより第２スライダに固定されている塗布液供給ノズル４６が、図４（ａ）に示すように例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１まで移動する。
【００３３】
そして塗布液供給ノズル４６が吐出開始点Ｓ１から辺Ｇ１の対辺であるＧ３に向かってＹ方向に移動し、図４（ｂ）に示すように第１列目のレジストＲを吐出していく。ここで図解を容易にするために、塗布液供給ノズル４６から吐出されるレジストＲは５本の実線で示しているが、吐出孔は例えば２０個設けられているので実際には更に細かい２０本の線になる。続いて辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出を停止し、図５（ａ）に示すように、位置Ｓ２から辺Ｇ４に向かって基板Ｇの角の外側の所定位置Ｓ３までＸ方向に移動する。そして位置Ｓ３から再び吐出を開始して、図５（ｂ）に示すように位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かってＹ方向に移動しながら第２列目のレジストＲ２を吐出していき、辺Ｇ１の角の外側の所定位置Ｓ４まで到達すると、ここで吐出を停止し、続いてこの位置Ｓ４から、吐出開始点Ｓ１よりノズル４６の幅の分だけ辺Ｇ４側よりの位置Ｓ５までＸ方向に移動して、この位置Ｓ５から再び辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながら第３列目のレジストR３を吐出していく。以上の動作を繰り返して、すなわち基板Ｇ両端部から中心部へレジストを供給してガラス基板Ｇの全面にレジストが塗布されることになる。
【００３４】
図６は、以上説明したノズル４６の基板Ｇ上における軌跡を模式的に示している。このように塗布順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第1列）、Ｓ２からＳ３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・・、Ｓｎ−１から吐出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇの両端部Ｇ２及びＧ４から中心部へ向かうように塗布しているので、両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となる。更には図において各塗布列の乾燥時間が、破線で示した基板中心線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、この乾燥状態のままで次工程の処理を受けることになり、膜厚の均一性を確保することができる。更に、ノズル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止しているので、レジストの節約を図ることができる。
【００３５】
また、従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度が低く、基板Ｇの中心部列から両端部Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて膜厚が小さくなり、レジスト液が該両端Ｇ２及びＧ４から外側に垂れる現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇの中心部列から両端に向かうにつれて乾燥時間は長くなるので、両端に向かうにつれてレジスト液は固化していき、両端からレジスト液が垂れるおそれはない。
【００３６】
また、図６に示す基板中心部列の吐出終了点Ｓｎを、図７に示すように吐出開始点Ｓ１として上記実施形態の塗布順序とは逆の順序で塗布するようにしてもよい。すなわち、中心列の基板外側の所定の吐出開始点Ｓ１から辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながらレジストを吐出していき、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出を停止し、この位置Ｓ２から辺Ｇ２に向かってＸ方向にノズル４６の幅の分だけ移動して、続いて位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かって辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４までＹ方向に移動しながら吐出していく。そしてＳ４から吐出を停止して、Ｘ方向にノズル４６の幅の2倍分に当たる位置Ｓ５まで移動して再びＹ方向に移動しながら吐出していく。これにより、図６に示す塗布順序と同様に両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となり、膜厚を均一とすることができる。特に従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度が高く、また表面張力ために両端でレジストが盛り上がる現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇの中心部列から両端Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて乾燥時間は短くなるので、両端においてレジストが盛り上がるおそれはなく、膜厚の均一性を確保することができる。また、本実施形態においても、ノズル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止しているので、無駄なレジスト供給をなくしてレジストの節約を図ることができる。
【００３７】
レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で処理液が塗布された後は、ロッド７５が上昇し、ガラス基板Ｇは真空吸着が解除されて、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２からエッジリムーバ（ＥＲ）２３の間で基板Ｇの受け渡しを行う図示しないアームにより、次工程である減圧乾燥装置（ＶＤ）４０まで搬送されて乾燥処理される。続いて、エッジリムーバ（ＥＲ）により基板Ｇのエッジ部分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジストの除去処理が行われる。
【００３８】
その後、ガラス基板Ｇは、中段部２ｂに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９によりインターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理される。
【００３９】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４０】
図８は第２の実施形態のレジスト塗布装置を示しており、このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１において第1の実施形態におけるレジスト塗布装置（ＣＴ）２２の構成要素と異なる点は、複数の吐出孔を有する塗布液供給ノズル４６が２つ設けられている点である。これら一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズル４６ｂは、第1のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動する第２の一方のスライダ４３ａ及び第２の他方のスライダ４３ｂにそれぞれ固定されている。また、一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズル４６ｂは、それぞれレジスト液の供給管４２に接続されている。その他の構成要素は同一であるので同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】
このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１においては、駆動部４８により、まず第１のスライダ６７が搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動するとともに、第２の一方及び他方のスライダ４３ａ及び４３ｂが、第１のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動する。これにより第２の一方のスライダ４３ａに固定されている一方の塗布液供給ノズル４６ａが、図９（ａ）に示すように例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の一方の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ａまで移動するとともに、第２の他方のスライダ４３ｂに固定されている他方の塗布液供給ノズル４６ｂが、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の他方の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ｂまで移動する。そして一方のノズル４６ａ及び他方のノズル４６ｂはそれぞれＹ方向に同時に移動しながら第1列目のレジストを供給していき、図９（ｂ）に示すように、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで達するとそれぞれＣＰＵ７４の制御によりレジストの吐出量を小さくする。そしてその吐出量を維持したまま一方のノズル４６ａはＸ方向の図中左方へＳ３ａまで移動するとともに、他方のノズル４６ｂもＸ方向の図中右方へＳ３ｂまで移動し、それぞれＳ３ａ及びＳ３ｂから吐出量を再び第１列と同じにして、同時にＹ方向に移動しながら第２列目のレジストを吐出していく。そしてそれぞれ辺Ｇ１の外側Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで達すると、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ、Ｓ２ｂ〜Ｓ３ｂと同様にレジストの吐出量を小さくして、それぞれＳ５ａ及びＳ５ｂから吐出量を第１列及び第２列と同じくしてＹ方向に移動していく。この動作を繰り返すことにより、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ列まで全面にレジスト塗布を行う。
【００４２】
この第2の実施形態によれば、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ列まで順に塗布するので、第1の実施形態における効果と同様の効果が得られるとともに、2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより基板Ｇ両端から同時に塗布しているので、基板Ｇ両端の乾燥時間はより正確に一致することになるため、膜厚の均一性は更に向上し、かつ、第1の実施形態よりもタクトを短縮することができる。
【００４３】
また、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ間、Ｓ４ａ〜Ｓ５ａ間等の基板Ｇの外側においてはレジスト液の吐出量を小さくしているので、レジスト液の節約を図ることができる。なお、この基板Ｇ外側において、吐出量を小さくするのではなく第1の実施形態と同様に吐出を停止するようにしてもよい。
【００４４】
図１０は上記した第2の実施形態における塗布順序を逆にしたものを示す図である。すなわち2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、所定の中心部の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから吐出して、基板Ｇ中心部の第１列から基板Ｇ両端の第ｎ列まで全面に塗布する。図１１は2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、それぞれ辺Ｇ１の外側両端の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから、同時に辺Ｇ３の外側両端位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで吐出し、位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂから、それぞれ基板中心部列の位置Ｓ３ａ及びＳ３ｂまで移動して、ここから同時に辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで吐出してき、これを繰り返して所定の吐出終了点まで同時に移動しながら吐出する。
【００４５】
図１０及び図１１に示す塗布順序により基板Ｇ両端に塗布されたレジストの乾燥時間は同一となり、この乾燥状態で次工程の処理が受けられるので、膜厚を均一にすることができる。これは第1実施形態と同様に、特に基板Ｇ両端の膜厚の精密な制御が必要とされる場合に有効である。また以上の場合においても、基板Ｇの外側のＳ２ａ〜Ｓ３ａ間等はレジストの吐出量を小さくするか、または吐出を停止している。これによりレジストの節約を図ることができる。
【００４６】
図１２（ａ）、（ｂ）は、第３の実施形態による塗布方法を示している。本実施形態では、図１２（ａ）に示すように、１つの塗布液供給ノズル４６により、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１（図４（ａ））よりノズル４６の幅の半分だけ図中右方にずれた位置Ｓ１´から、Ｙ方向に位置Ｓ２までレジストを吐出しながら移動し（第1列）、続いて第１の実施形態における位置Ｓ３よりノズル４６の幅の半分だけ図中左方にずれた位置Ｓ３´まで移動して、位置Ｓ３から位置Ｓ４までＹ方向に（第２列）移動しながら吐出する。そして位置Ｓ４から、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１に相当する位置Ｓ５´まで移動して第１列のレジストにノズル４６の幅の半分だけ重ね塗りをして、Ｙ方向に移動していく（第３列）。続いて第２列目にも同様に重ね塗りをしながらＹ方向に辺Ｇ１に向かって移動していき、この幅半分だけの重ね塗りの動作を繰り返して、基板Ｇ両端から中心部列に向かって順に塗布していく。なお、この場合もＳ２´〜Ｓ３´間等の基板Ｇの外側の移動の際には吐出量を小さくするか、または停止している。
【００４７】
本実施形態によれば各列の塗布されたレジスト間に塗布されない部分が発生するおそれはなく、膜厚を均一にして塗布することができる。また、本実施形態においては、第1列と第３列との重ね塗り、及び第２列と第４列との重ね塗りは行わず、第１及び第２実施形態と同様にノズル幅分の塗布を行って、それ以外の各列は重ね塗りを行うようにしてもよい。これにより基板両端Ｇ２及びＧ４の膜厚を他の部位の膜厚より小さくして、両端の膜厚の盛り上がりを抑制することができる。従って膜厚の均一性を確保できる。なお、この場合には、該両端の塗布量（第1列及び第２列の塗布量）を調整するようにしてもよい。
【００４８】
なお、本発明は以上説明した実施形態には限定されない。
【００４９】
例えば第２の実施形態において、塗布液供給ノズルを２つ設ける構成としたが、これを４つとして、又はそれより多くして、基板の大きさに応じてノズルの個数を適宜選択できるようにしてもよい。
【００５０】
また、第１及び第2の実施形態では、ノズルが基板の外側を移動するときのみレジストの吐出量を変化させていたが、例えば基板上の両端においても変化させるようにして膜厚の制御を行うようにしてもよい。
【００５１】
以上説明したように、本発明によれば、複数吐出孔のノズルによるレジストの塗布処理において、レジスト膜厚の均一性を確保し、特に基板両端における膜厚を均一にして、かつレジスト液の節約を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図３】図２に示したレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略構成を示す一部断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるレジストの塗布順序を説明するための平面図である。
【図５】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図６】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図７】同塗布順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への塗布を示す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によるレジストの塗布順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への塗布を示す平面図である。
【図１０】同塗布順序を説明するための図で、基板中心部から両端部への塗布を示す平面図である。
【図１１】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態によるレジストの塗布方法を説明するための図で、重ね塗りを示す平面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｇ１〜Ｇ４…辺
２２…レジスト塗布装置
４１…レジスト塗布装置
４６…塗布液供給ノズル
４６ａ…一方の塗布液供給ノズル
４６ｂ…他方の塗布液供給ノズル
５８…基板吸着テーブル
７４…ＣＰＵ
７６…バキュームシール部
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
レジスト液の塗布方法としては、レジスト液の供給ノズルを基板の端から端へ縦横方向に走査して、レジスト液を細径の線状にしてガラス基板上に塗布していく方法がある。この塗布方法においては、レジスト液の供給ノズルの吐出孔が単一の方式と、レジスト液の供給ノズルの吐出孔を一定間隔で複数にして、その複数の吐出孔から同時にレジストを吐出させる方式とがある。この複数の吐出孔による方式によれば、単一の吐出孔の方式と比べて供給ノズルのガラス基板上を走査する回数を減らすことができるので、塗布処理のタクトを短縮させることができる。
【０００４】
しかしながら、この複数吐出孔のノズルによる場合であっても、ガラス基板の端から端へ走査して塗布していくので、ガラス基板上の塗布開始側と塗布終了側とでは時間的な差があり、レジストの乾燥時間がガラス基板の塗布開始側と塗布終了側の両端で異なる結果となる。従って基板両端のレジストの乾燥時間が異なった状態で、例えば次工程において、転写跡の生起を防止するために減圧乾燥処理等が行われてしまい、レジスト膜厚がガラス基板の両端で不均一となってしまう。
【０００５】
また複数吐出孔のノズルによる塗布は、単一吐出孔のノズルによる場合と比べて単位時間当たりのレジストの吐出量が多いので、ノズルがガラス基板の周辺付近を走査する際に基板以外への吐出が多くなり、レジストが無駄になっていた。
【０００６】
本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、複数吐出孔のノズルにより塗布する場合において、レジスト液の乾燥時間を基板上で対称にして、基板レジスト膜厚の均一性を確保することを目的とする。
【０００７】
また、本発明の別の目的はレジスト液の節約を図ることにある。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、基板を保持する保持部と、前記基板に対して縦横方向に移動しながら、前記基板の表面に処理液を供給する２つの処理液供給手段と、を具備し、前記基板表面への処理液の供給は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動し、前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動するものである。
【０００９】
本発明は、保持部に基板を保持する工程と、前記基板に対して縦横方向に２つの処理液供給手段を移動させながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程と、を具備し、前記基板表面に処理液を供給する工程は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動され、前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動されるものである。
【００１０】
これにより、基板表面への処理液の供給を当該基板表面の中心線により２分された基板表面の両方に交互に、かつ互いに対称となるようにして、処理液の乾燥時間を基板上で対称にすることができるので、膜厚の均一性を確保することができる。
【００１１】
本発明は、前記処理液の吐出量を可変する手段を更に具備することにより、処理液供給手段が基板の外側を移動する際に、処理液の吐出量を小さくするか、又は吐出を停止することにより、処理液の無駄な吐出を抑制して処理液の節約を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１３】
図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１４】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１６】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００１７】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる冷却ユニット２７が配置されている。
【００１８】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２２が配置され、このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２に隣接して減圧乾燥装置（ＶＤ）４０が配置され、更にこの減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に隣接して、基板Ｇのエッジ部や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジストの除去処理が行われるエッジリムーバ２３（ＥＲ）が配置されている。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、及び疎水化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
【００１９】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
【００２０】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。これらのアーム１７ａ，１８ａ，１９ａにより、基板Ｇを各処理ユニットに搬送可能としている。
【００２１】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、のような塗布系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２２】
また、中継部１５、１６の塗布系ユニット配置側の部分には、それぞれ薬液供給装置３４が配置されており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５がそれぞれ設けられている。
【００２３】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
図２及び図３はレジスト塗布装置（ＣＴ）２２を示している。これらの図に示すように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２の中央には、有底円筒状のフレーム７１ａが配置され、このフレーム７１ａ内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部である基板吸着テーブル５８が配置されている。また、このフレーム７１ａの上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部７１ｃが設けられている。
【００２５】
基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇを真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続されている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰＵ７４によって、その動作が制御される。具体的には、ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されており、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方向に移動し得るようになっている。
【００２６】
フレーム７１ａの両側には、搬送レール６６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間には、スキャン機構１００が設けられている。このスキャン機構１００は、搬送レール６６、６６間に掛け渡され、この搬送レール６６、６６に沿ってＹ方向に移動する第１のスライダ６７と、この第１のスライダ６７に付設され、第１のスライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向に移動可能で、処理液供給手段としてのレジスト液供給ノズル４６が固定された第２のスライダ４３とを有して構成される。レジスト液供給ノズル４６は、レジスト液を貯留するタンク５０からの供給管４２に接続され、レジスト液供給ノズル４６とタンク５０との間にはレジスト液を吐出させるためのベローズポンプ４９が接続されている。レジスト液供給ノズル４６の下面側には図示しない複数の吐出孔が例えば２０個設けられている。
【００２７】
搬送レール６６の一方の走行端付近には、ＣＰＵ７４の指令により、該搬送レール６６に沿って第１のスライダ６７を移動させると共に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿って移動させる駆動部４８が設けられている。また、ＣＰＵ７４は各スライダ６７及び４３の移動距離、すなわちガラス基板Ｇ上のレジスト液供給ノズル４６の移動位置に応じて、ベローズポンプ４９の作動量を制御してレジスト液の吐出量を可変としている。
【００２８】
以上のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムの作用を説明する。
【００２９】
図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇが、搬送アーム１１により処理部２に搬送される。処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３０】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２に搬入される。
【００３１】
このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２では、まず、基板吸着テーブル５８がフレーム７１ａの開口部７１ｃより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス基板Ｇが開口部７１ｃを通過してフレーム７１ａ内に搬入される。
【００３２】
続いてガラス基板Ｇの大きさに応じてＣＰＵ７４の指令に基づき、駆動部４８は第１のスライダ６７を搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動させるとともに、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動させる。これにより第２スライダに固定されている塗布液供給ノズル４６が、図４（ａ）に示すように例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１まで移動する。
【００３３】
そして塗布液供給ノズル４６が吐出開始点Ｓ１から辺Ｇ１の対辺であるＧ３に向かってＹ方向に移動し、図４（ｂ）に示すように第１列目のレジストＲを吐出していく。ここで図解を容易にするために、塗布液供給ノズル４６から吐出されるレジストＲは５本の実線で示しているが、吐出孔は例えば２０個設けられているので実際には更に細かい２０本の線になる。続いて辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出を停止し、図５（ａ）に示すように、位置Ｓ２から辺Ｇ４に向かって基板Ｇの角の外側の所定位置Ｓ３までＸ方向に移動する。そして位置Ｓ３から再び吐出を開始して、図５（ｂ）に示すように位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かってＹ方向に移動しながら第２列目のレジストＲ２を吐出していき、辺Ｇ１の角の外側の所定位置Ｓ４まで到達すると、ここで吐出を停止し、続いてこの位置Ｓ４から、吐出開始点Ｓ１よりノズル４６の幅の分だけ辺Ｇ４側よりの位置Ｓ５までＸ方向に移動して、この位置Ｓ５から再び辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながら第３列目のレジストR３を吐出していく。以上の動作を繰り返して、すなわち基板Ｇ両端部から中心部へレジストを供給してガラス基板Ｇの全面にレジストが塗布されることになる。
【００３４】
図６は、以上説明したノズル４６の基板Ｇ上における軌跡を模式的に示している。このように塗布順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第1列）、Ｓ２からＳ３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・・、Ｓｎ−１から吐出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇの両端部Ｇ２及びＧ４から中心部へ向かうように塗布しているので、両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となる。更には図において各塗布列の乾燥時間が、破線で示した基板中心線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、この乾燥状態のままで次工程の処理を受けることになり、膜厚の均一性を確保することができる。更に、ノズル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止しているので、レジストの節約を図ることができる。
【００３５】
また、従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度が低く、基板Ｇの中心部列から両端部Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて膜厚が小さくなり、レジスト液が該両端Ｇ２及びＧ４から外側に垂れる現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇの中心部列から両端に向かうにつれて乾燥時間は長くなるので、両端に向かうにつれてレジスト液は固化していき、両端からレジスト液が垂れるおそれはない。
【００３６】
また、図６に示す基板中心部列の吐出終了点Ｓｎを、図７に示すように吐出開始点Ｓ１として上記実施形態の塗布順序とは逆の順序で塗布するようにしてもよい。すなわち、中心列の基板外側の所定の吐出開始点Ｓ１から辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながらレジストを吐出していき、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出を停止し、この位置Ｓ２から辺Ｇ２に向かってＸ方向にノズル４６の幅の分だけ移動して、続いて位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かって辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４までＹ方向に移動しながら吐出していく。そしてＳ４から吐出を停止して、Ｘ方向にノズル４６の幅の2倍分に当たる位置Ｓ５まで移動して再びＹ方向に移動しながら吐出していく。これにより、図６に示す塗布順序と同様に両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となり、膜厚を均一とすることができる。特に従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度が高く、また表面張力ために両端でレジストが盛り上がる現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇの中心部列から両端Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて乾燥時間は短くなるので、両端においてレジストが盛り上がるおそれはなく、膜厚の均一性を確保することができる。また、本実施形態においても、ノズル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止しているので、無駄なレジスト供給をなくしてレジストの節約を図ることができる。
【００３７】
レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で処理液が塗布された後は、ロッド７５が上昇し、ガラス基板Ｇは真空吸着が解除されて、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２からエッジリムーバ（ＥＲ）２３の間で基板Ｇの受け渡しを行う図示しないアームにより、次工程である減圧乾燥装置（ＶＤ）４０まで搬送されて乾燥処理される。続いて、エッジリムーバ（ＥＲ）により基板Ｇのエッジ部分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジストの除去処理が行われる。
【００３８】
その後、ガラス基板Ｇは、中段部２ｂに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９によりインターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理される。
【００３９】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４０】
図８は第２の実施形態のレジスト塗布装置を示しており、このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１において第1の実施形態におけるレジスト塗布装置（ＣＴ）２２の構成要素と異なる点は、複数の吐出孔を有する塗布液供給ノズル４６が２つ設けられている点である。これら一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズル４６ｂは、第1のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動する第２の一方のスライダ４３ａ及び第２の他方のスライダ４３ｂにそれぞれ固定されている。また、一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズル４６ｂは、それぞれレジスト液の供給管４２に接続されている。その他の構成要素は同一であるので同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】
このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１においては、駆動部４８により、まず第１のスライダ６７が搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動するとともに、第２の一方及び他方のスライダ４３ａ及び４３ｂが、第１のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動する。これにより第２の一方のスライダ４３ａに固定されている一方の塗布液供給ノズル４６ａが、図９（ａ）に示すように例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の一方の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ａまで移動するとともに、第２の他方のスライダ４３ｂに固定されている他方の塗布液供給ノズル４６ｂが、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の他方の角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ｂまで移動する。そして一方のノズル４６ａ及び他方のノズル４６ｂはそれぞれＹ方向に同時に移動しながら第1列目のレジストを供給していき、図９（ｂ）に示すように、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで達するとそれぞれＣＰＵ７４の制御によりレジストの吐出量を小さくする。そしてその吐出量を維持したまま一方のノズル４６ａはＸ方向の図中左方へＳ３ａまで移動するとともに、他方のノズル４６ｂもＸ方向の図中右方へＳ３ｂまで移動し、それぞれＳ３ａ及びＳ３ｂから吐出量を再び第１列と同じにして、同時にＹ方向に移動しながら第２列目のレジストを吐出していく。そしてそれぞれ辺Ｇ１の外側Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで達すると、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ、Ｓ２ｂ〜Ｓ３ｂと同様にレジストの吐出量を小さくして、それぞれＳ５ａ及びＳ５ｂから吐出量を第１列及び第２列と同じくしてＹ方向に移動していく。この動作を繰り返すことにより、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ列まで全面にレジスト塗布を行う。
【００４２】
この第2の実施形態によれば、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ列まで順に塗布するので、第1の実施形態における効果と同様の効果が得られるとともに、2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより基板Ｇ両端から同時に塗布しているので、基板Ｇ両端の乾燥時間はより正確に一致することになるため、膜厚の均一性は更に向上し、かつ、第1の実施形態よりもタクトを短縮することができる。
【００４３】
また、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ間、Ｓ４ａ〜Ｓ５ａ間等の基板Ｇの外側においてはレジスト液の吐出量を小さくしているので、レジスト液の節約を図ることができる。なお、この基板Ｇ外側において、吐出量を小さくするのではなく第1の実施形態と同様に吐出を停止するようにしてもよい。
【００４４】
図１０は上記した第2の実施形態における塗布順序を逆にしたものを示す図である。すなわち2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、所定の中心部の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから吐出して、基板Ｇ中心部の第１列から基板Ｇ両端の第ｎ列まで全面に塗布する。図１１は2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、それぞれ辺Ｇ１の外側両端の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから、同時に辺Ｇ３の外側両端位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで吐出し、位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂから、それぞれ基板中心部列の位置Ｓ３ａ及びＳ３ｂまで移動して、ここから同時に辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで吐出してき、これを繰り返して所定の吐出終了点まで同時に移動しながら吐出する。
【００４５】
図１０及び図１１に示す塗布順序により基板Ｇ両端に塗布されたレジストの乾燥時間は同一となり、この乾燥状態で次工程の処理が受けられるので、膜厚を均一にすることができる。これは第1実施形態と同様に、特に基板Ｇ両端の膜厚の精密な制御が必要とされる場合に有効である。また以上の場合においても、基板Ｇの外側のＳ２ａ〜Ｓ３ａ間等はレジストの吐出量を小さくするか、または吐出を停止している。これによりレジストの節約を図ることができる。
【００４６】
図１２（ａ）、（ｂ）は、第３の実施形態による塗布方法を示している。本実施形態では、図１２（ａ）に示すように、１つの塗布液供給ノズル４６により、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１（図４（ａ））よりノズル４６の幅の半分だけ図中右方にずれた位置Ｓ１´から、Ｙ方向に位置Ｓ２までレジストを吐出しながら移動し（第1列）、続いて第１の実施形態における位置Ｓ３よりノズル４６の幅の半分だけ図中左方にずれた位置Ｓ３´まで移動して、位置Ｓ３から位置Ｓ４までＹ方向に（第２列）移動しながら吐出する。そして位置Ｓ４から、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１に相当する位置Ｓ５´まで移動して第１列のレジストにノズル４６の幅の半分だけ重ね塗りをして、Ｙ方向に移動していく（第３列）。続いて第２列目にも同様に重ね塗りをしながらＹ方向に辺Ｇ１に向かって移動していき、この幅半分だけの重ね塗りの動作を繰り返して、基板Ｇ両端から中心部列に向かって順に塗布していく。なお、この場合もＳ２´〜Ｓ３´間等の基板Ｇの外側の移動の際には吐出量を小さくするか、または停止している。
【００４７】
本実施形態によれば各列の塗布されたレジスト間に塗布されない部分が発生するおそれはなく、膜厚を均一にして塗布することができる。また、本実施形態においては、第1列と第３列との重ね塗り、及び第２列と第４列との重ね塗りは行わず、第１及び第２実施形態と同様にノズル幅分の塗布を行って、それ以外の各列は重ね塗りを行うようにしてもよい。これにより基板両端Ｇ２及びＧ４の膜厚を他の部位の膜厚より小さくして、両端の膜厚の盛り上がりを抑制することができる。従って膜厚の均一性を確保できる。なお、この場合には、該両端の塗布量（第1列及び第２列の塗布量）を調整するようにしてもよい。
【００４８】
なお、本発明は以上説明した実施形態には限定されない。
【００４９】
例えば第２の実施形態において、塗布液供給ノズルを２つ設ける構成としたが、これを４つとして、又はそれより多くして、基板の大きさに応じてノズルの個数を適宜選択できるようにしてもよい。
【００５０】
また、第１及び第2の実施形態では、ノズルが基板の外側を移動するときのみレジストの吐出量を変化させていたが、例えば基板上の両端においても変化させるようにして膜厚の制御を行うようにしてもよい。
【００５１】
以上説明したように、本発明によれば、複数吐出孔のノズルによるレジストの塗布処理において、レジスト膜厚の均一性を確保し、特に基板両端における膜厚を均一にして、かつレジスト液の節約を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図３】図２に示したレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略構成を示す一部断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるレジストの塗布順序を説明するための平面図である。
【図５】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図６】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図７】同塗布順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への塗布を示す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によるレジストの塗布順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への塗布を示す平面図である。
【図１０】同塗布順序を説明するための図で、基板中心部から両端部への塗布を示す平面図である。
【図１１】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態によるレジストの塗布方法を説明するための図で、重ね塗りを示す平面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｇ１〜Ｇ４…辺
２２…レジスト塗布装置
４１…レジスト塗布装置
４６…塗布液供給ノズル
４６ａ…一方の塗布液供給ノズル
４６ｂ…他方の塗布液供給ノズル
５８…基板吸着テーブル
７４…ＣＰＵ
７６…バキュームシール部
Claims (6)
- 基板を保持する保持部と、
前記基板に対して縦横方向に移動しながら、前記基板の表面に処理液を供給する２つの処理液供給手段と、
を具備し、
前記基板表面への処理液の供給は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、
前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動し、
前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動するものであることを特徴とする塗布装置。 - 請求項１に記載の塗布装置であって、
前記処理液の吐出量を可変する手段を更に具備することを特徴とする塗布装置。 - 請求項１又は請求項２に記載の塗布装置であって、
前記処理液供給手段は、前記処理液を吐出させる孔を複数有することを特徴とする塗布装置。 - 保持部に基板を保持する工程と、
前記基板に対して縦横方向に２つの処理液供給手段を移動させながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程と、
を具備し、
前記基板表面に処理液を供給する工程は、前記縦横方向の内のいずれか一方向の各前記処理液供給手段の複数回の移動によりなされ、
前記２つの処理液供給手段の移動は、前記一方向と平行な前記基板表面の中心線により２分された前記基板表面の各々に１つずつの前記処理液供給手段が前記中心線を基準として互いに対称となるように移動され、
前記対称となる移動は、前記２分された基板表面の両方で同時に移動されるものであることを特徴とする塗布方法。 - 請求項４に記載の塗布方法であって、
前記処理液の吐出量を変化させる工程を更に具備することを特徴とする塗布方法。 - 請求項４又は請求項５に記載の塗布方法であって、
前記処理液供給手段は、前記処理液を吐出させる孔を複数有し、前記複数の孔から前記処理液を同時に吐出させることを特徴とする塗布方法。
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