JP4397646B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4397646B2 JP4397646B2 JP2003282342A JP2003282342A JP4397646B2 JP 4397646 B2 JP4397646 B2 JP 4397646B2 JP 2003282342 A JP2003282342 A JP 2003282342A JP 2003282342 A JP2003282342 A JP 2003282342A JP 4397646 B2 JP4397646 B2 JP 4397646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing unit
- processing
- unit
- batch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
基板に対して第1の処理およびそれに続く第2の処理を順次行う基板処理部と、
前記容器載置部と前記基板処理部との間に設けられ、前記容器から複数の基板を一括して取り出して前記基板処理部に搬送し、または処理後の複数の基板を一括して前記基板処理部から前記容器内に搬送する第1の基板搬送装置を有する基板搬送部と
を具備し、
前記基板処理部は、
前記容器から取り出された複数の基板に対して一括して前記第1の処理を行う少なくとも一つのバッチ式処理ユニットと、
前記第1の処理が終了した基板に対して1枚ずつ前記第2の処理を行う複数の枚葉式処理ユニットと、
前記枚葉式処理ユニットでの前記第2の処理が終了した基板を一時的に複数載置する基板載置部と、
前記バッチ式処理ユニットから前記枚葉式処理ユニットへ基板を搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ基板を搬送する第2の基板搬送装置とを有し、
前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部、および前記第2の基板搬送装置は一体的に筐体内に設けられ、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部は、前記第2の基板搬送装置を囲繞するように配置され、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、および前記基板載置部に囲まれた空間内で上下動、上下軸に対する回転動、および水平方向への伸縮動可能な、基板搬送用のアームを有し、
前記バッチ式処理ユニットは、前記基板搬送部に対向して設けられた基板搬入口と、前記第2の搬送装置に対向して設けられた基板搬出口とを有し、
前記第1の基板搬送装置は、前記容器載置部に載置された容器から複数の基板を一括して取り出し、前記基板搬入口を介して前記バッチ式処理ユニットへ搬入するとともに、前記基板載置部に一時的に載置された前記第2の処理が終了した基板を一括して受け取り、前記容器載置部に載置された容器に一括して搬入し、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニットにて前記第1の処理が終了した基板を前記アームにより前記バッチ式処理部から前記複数の枚葉式処理ユニットへ1枚ずつ搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットにて前記第2の処理が終了した基板を前記アームにより前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ一枚ずつ搬送することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
基板に対して第1の処理およびそれに続く第2の処理を順次行う基板処理部と、
前記容器載置部と前記基板処理部との間に設けられ、前記容器から複数の基板を一括して取り出して前記基板処理部に搬送し、または処理後の複数の基板を一括して前記基板処理部から前記容器内に搬送する第1の基板搬送装置を有する基板搬送部と
を具備し、
前記基板処理部は、
前記容器から取り出された複数の基板に対して一括して前記第1の処理を行う少なくとも一つのバッチ式処理ユニットと、
前記第1の処理が終了した基板に対して1枚ずつ前記第2の処理を行う複数の枚葉式処理ユニットと、
前記枚葉式処理ユニットでの前記第2の処理が終了した基板を一時的に複数載置する基板載置部と、
前記バッチ式処理ユニットから前記枚葉式処理ユニットへ基板を搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ基板を搬送する第2の基板搬送装置とを有し、
前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部、および前記第2の基板搬送装置は一体的に筐体内に設けられ、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部は、前記第2の基板搬送装置を囲繞するように配置され、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、および前記基板載置部に囲まれた空間内で上下動、上下軸に対する回転動、および水平方向への伸縮動可能な、基板搬送用のアームを有し、
前記バッチ式処理ユニットは、前記基板搬送部に対向して設けられた基板搬入口と、前記第2の搬送装置に対向して設けられた基板搬出口とを有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記第1の基板搬送装置により、前記容器載置部に載置された容器から複数の基板を一括して取り出し、前記基板搬入口を介して前記バッチ式処理ユニットへ搬入する工程と、
前記バッチ式処理ユニットにおいて、複数の基板に所定の第1の処理を行う工程と、
前記バッチ式処理ユニットにて前記第1の処理が終了した基板を前記第2の基板搬送装置の前記アームにより前記バッチ式処理部から前記複数の枚葉式処理ユニットへ1枚ずつ逐次搬送する工程と、
前記複数の枚葉式処理ユニットの各々について1枚の基板に対して第2の処理を行う工程と、
前記枚葉式処理ユニットにて前記第2の処理が終了した基板を前記第2の基板搬送装置の前記アームにより前記複数の枚葉式処理ユニットの各々から前記基板載置部へ1枚ずつ搬送する工程と、
前記基板載置部に載置された複数の基板を前記第1の基板搬送装置により受け取り、前記容器載置部の容器へ搬入する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。
3;フープ載置部
4;ウエハ搬送部
5;ウエハ処理部
6;流体供給部
14;第1ウエハ搬送装置
15;櫛形アーム
21a・21b;レジスト変性処理ユニット
22;水洗処理ユニット
24;第1ウエハ載置部
27;第2ウエハ搬送装置
28a・28b;シングルアーム
30;処理チャンバ
37;混合器
38;水蒸気発生装置
39;オゾン発生器
Claims (9)
- 複数の基板を収容可能な容器を載置する容器載置部と、
基板に対して第1の処理およびそれに続く第2の処理を順次行う基板処理部と、
前記容器載置部と前記基板処理部との間に設けられ、前記容器から複数の基板を一括して取り出して前記基板処理部に搬送し、または処理後の複数の基板を一括して前記基板処理部から前記容器内に搬送する第1の基板搬送装置を有する基板搬送部と
を具備し、
前記基板処理部は、
前記容器から取り出された複数の基板に対して一括して前記第1の処理を行う少なくとも一つのバッチ式処理ユニットと、
前記第1の処理が終了した基板に対して1枚ずつ前記第2の処理を行う複数の枚葉式処理ユニットと、
前記枚葉式処理ユニットでの前記第2の処理が終了した基板を一時的に複数載置する基板載置部と、
前記バッチ式処理ユニットから前記枚葉式処理ユニットへ基板を搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ基板を搬送する第2の基板搬送装置とを有し、
前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部、および前記第2の基板搬送装置は一体的に筐体内に設けられ、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部は、前記第2の基板搬送装置を囲繞するように配置され、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、および前記基板載置部に囲まれた空間内で上下動、上下軸に対する回転動、および水平方向への伸縮動可能な、基板搬送用のアームを有し、
前記バッチ式処理ユニットは、前記基板搬送部に対向して設けられた基板搬入口と、前記第2の搬送装置に対向して設けられた基板搬出口とを有し、
前記第1の基板搬送装置は、前記容器載置部に載置された容器から複数の基板を一括して取り出し、前記基板搬入口を介して前記バッチ式処理ユニットへ搬入するとともに、前記基板載置部に一時的に載置された前記第2の処理が終了した基板を一括して受け取り、前記容器載置部に載置された容器に一括して搬入し、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニットにて前記第1の処理が終了した基板を前記アームにより前記バッチ式処理部から前記複数の枚葉式処理ユニットへ1枚ずつ搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットにて前記第2の処理が終了した基板を前記アームにより前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ一枚ずつ搬送することを特徴とする基板処理装置。 - 前記複数の枚葉式処理ユニットのうち少なくとも2台が同時に使用されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記バッチ式処理ユニットを複数具備することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記複数のバッチ式処理ユニットは、逐次、異なるバッチ式処理ユニットに切り替えて使用されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記第1の基板搬送装置が一度に搬送する基板の数は、前記バッチ式処理ユニットと前記枚葉式処理ユニットのタクトに合わせて前記第1の処理と前記第2の処理が連続してスムーズに行われるように定められていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板はレジスト膜を備え、
前記バッチ式処理ユニットにおいては、オゾンと水蒸気を含む処理ガスによって前記レジスト膜を水溶性に変性される処理が行われ、
前記枚葉式処理ユニットにおいては、前記水溶性に変性したレジスト膜が水洗除去される処理が行われることを特徴とする請求項1、請求項2および請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記バッチ式処理ユニットを複数具備し、前記複数のバッチ式処理ユニットの中から選択された一部のバッチ式処理ユニットにのみオゾンが送られるように前記オゾンの供給を制御するオゾン供給源をさらに具備し、かつ、前記複数のバッチ式処理ユニットはそれぞれ水蒸気を発生させる水蒸気供給源を具備することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 複数の基板を収容可能な容器を載置する容器載置部と、
基板に対して第1の処理およびそれに続く第2の処理を順次行う基板処理部と、
前記容器載置部と前記基板処理部との間に設けられ、前記容器から複数の基板を一括して取り出して前記基板処理部に搬送し、または処理後の複数の基板を一括して前記基板処理部から前記容器内に搬送する第1の基板搬送装置を有する基板搬送部と
を具備し、
前記基板処理部は、
前記容器から取り出された複数の基板に対して一括して前記第1の処理を行う少なくとも一つのバッチ式処理ユニットと、
前記第1の処理が終了した基板に対して1枚ずつ前記第2の処理を行う複数の枚葉式処理ユニットと、
前記枚葉式処理ユニットでの前記第2の処理が終了した基板を一時的に複数載置する基板載置部と、
前記バッチ式処理ユニットから前記枚葉式処理ユニットへ基板を搬送し、かつ前記枚葉式処理ユニットから前記基板載置部へ基板を搬送する第2の基板搬送装置とを有し、
前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部、および前記第2の基板搬送装置は一体的に筐体内に設けられ、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、前記基板載置部は、前記第2の基板搬送装置を囲繞するように配置され、
前記第2の基板搬送装置は、前記バッチ式処理ユニット、前記枚葉式処理ユニット、および前記基板載置部に囲まれた空間内で上下動、上下軸に対する回転動、および水平方向への伸縮動可能な、基板搬送用のアームを有し、
前記バッチ式処理ユニットは、前記基板搬送部に対向して設けられた基板搬入口と、前記第2の搬送装置に対向して設けられた基板搬出口とを有する基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記第1の基板搬送装置により、前記容器載置部に載置された容器から複数の基板を一括して取り出し、前記基板搬入口を介して前記バッチ式処理ユニットへ搬入する工程と、
前記バッチ式処理ユニットにおいて、複数の基板に所定の第1の処理を行う工程と、
前記バッチ式処理ユニットにて前記第1の処理が終了した基板を前記第2の基板搬送装置の前記アームにより前記バッチ式処理部から前記複数の枚葉式処理ユニットへ1枚ずつ逐次搬送する工程と、
前記複数の枚葉式処理ユニットの各々について1枚の基板に対して第2の処理を行う工程と、
前記枚葉式処理ユニットにて前記第2の処理が終了した基板を前記第2の基板搬送装置の前記アームにより前記複数の枚葉式処理ユニットの各々から前記基板載置部へ1枚ずつ搬送する工程と、
前記基板載置部に載置された複数の基板を前記第1の基板搬送装置により受け取り、前記容器載置部の容器へ搬入する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記バッチ式処理ユニットにおいて処理される基板はレジスト膜を備え、
前記第1の処理は、オゾンと水蒸気を含む処理ガスを用いて前記レジスト膜を水溶性に変性させる処理であり、
前記第2の処理は、前記水溶性に変性したレジスト膜を溶解除去する水洗処理であることを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003282342A JP4397646B2 (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10/900,576 US7357846B2 (en) | 2003-07-30 | 2004-07-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003282342A JP4397646B2 (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005051089A JP2005051089A (ja) | 2005-02-24 |
JP4397646B2 true JP4397646B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=34101008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003282342A Expired - Fee Related JP4397646B2 (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7357846B2 (ja) |
JP (1) | JP4397646B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5008280B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006310724A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5008268B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4926433B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5154007B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4401285B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5041667B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2012-10-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4688533B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-05-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20060245871A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-11-02 | Wen-Ming Lo | Wafer transfer system, wafer transfer method, cassette exchange system and cassette exchange method |
JP4514657B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-07-28 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP2007173732A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP4807579B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-11-02 | 株式会社ダイフク | 基板収納設備及び基板処理設備 |
JP4756372B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-08-24 | 株式会社ダイフク | 基板処理方法 |
US7922485B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-04-12 | Tokyo Electron Limited | Vertical type heat processing apparatus and vertical type heat processing method |
US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
KR100904392B1 (ko) * | 2007-06-18 | 2009-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP5706682B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-04-22 | 川崎重工業株式会社 | 基板搬送中継装置 |
JP5806463B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-11-10 | 川崎重工業株式会社 | 搬送ロボット及びその基板搬送方法 |
CN103250238B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-08-10 | 川崎重工业株式会社 | 搬运机器人、其基板搬运方法、以及基板搬运中转装置 |
JP6706935B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2020-06-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
SG11201811656VA (en) * | 2016-06-30 | 2019-01-30 | Kokusai Electric Corp | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and recording medium |
WO2018055699A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP6899813B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7189013B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の運転方法 |
JP7360849B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
KR20220106900A (ko) * | 2021-01-22 | 2022-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 적재용 카세트 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0608620B1 (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-14 | Applied Materials, Inc. | Vacuum Processing apparatus having improved throughput |
JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP3264879B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、インターフェイス装置、および基板搬送方法 |
JP2001176855A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US6488778B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-12-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing |
US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
JP3914842B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2007-05-16 | 有限会社ユーエムエス | 有機被膜の除去方法および除去装置 |
US20030084918A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-08 | Kim Yong Bae | Integrated dry-wet processing apparatus and method for removing material on semiconductor wafers using dry-wet processes |
-
2003
- 2003-07-30 JP JP2003282342A patent/JP4397646B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-27 US US10/900,576 patent/US7357846B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050027387A1 (en) | 2005-02-03 |
JP2005051089A (ja) | 2005-02-24 |
US7357846B2 (en) | 2008-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4397646B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US8133327B2 (en) | Substrate processing method, storage medium and substrate processing apparatus | |
US20160240410A1 (en) | Substrate lift assemblies | |
KR101522437B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
JP5358366B2 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
JP7113949B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004134525A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2008053550A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
US11557493B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
KR102638072B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2009267167A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20190112639A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20020155709A1 (en) | Method and apparatus of processing surface of substrate | |
JPH10335298A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP4236109B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2009188411A (ja) | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム | |
TW202002053A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2008311266A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 | |
JP3102826B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000049215A (ja) | 処理システム | |
JPH08203858A (ja) | 基板処理装置 | |
US20240203757A1 (en) | Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same | |
TWI838931B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP5541627B2 (ja) | 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置 | |
WO2023002860A1 (ja) | ドア機構、基板処理装置及び基板洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081112 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090812 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091021 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151030 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |