JP4396793B2 - 基板の製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ディスクや光磁気ディスクなどにおいては、記録・再生の高密度化または高解像度化の要求が高まっており、それを実現するために、緑色波長帯域ないし紫外領域の短波長域で発光可能な半導体発光素子の研究が活発に行われている。このような短波長域で発光可能な半導体素子を構成するのに適した材料としては、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＧａＩｎＮ混晶に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が知られている（Jpn.J.Appl.Phys.,30(1991),L1998 ）。
【０００３】
一般に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子は、有機金属化学気相成長（metal organic chemical vapor deposition ；ＭＯＣＶＤ）法あるいは分子線エピタキシー（molecular beam epitaxy；ＭＢＥ）法などを用いて、基板の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより製造されている。その際、基板には、主にサファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）基板あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板が使用されている。
【０００４】
しかし、サファイア基板あるいは炭化ケイ素基板を用いると、格子定数および熱膨張率の違いにより、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中には欠陥あるいはクラック（割れ）が発生してしまう。また、半導体発光素子として半導体レーザ（laser diode ；ＬＤ）を製造する場合には、共振器端面を劈開により形成することが難しい。そこで、このような問題が発生しない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の開発が望まれている。
【０００５】
ところが、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の製造に際しては、窒素の蒸気圧が高いため、シリコン（Ｓｉ）基板やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を製造する場合に一般的に用いられる方法を用いることができない。一般的な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の製造方法としては、サファイアあるいはガリウムヒ素よりなる成長用基体の上に、ＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法あるいはハイドライド気相成長法により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板を成長させる方法が知られている。中でも、ハイドライド気相成長法を用いれば、１時間当たり数μｍ〜数百μｍ成長させることができるので、短時間で基板として使用可能な厚さまで成長させることができ、既にこの方法によりＧａＮ基板を得たとの報告がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように成長用基体の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板を成長させる方法では、基板として使用可能な程度の厚さまで成長させると、成長用基体と窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板との熱膨張率の差により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板にクラックが発生してしまうなどの問題があった。よって、良質な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるための基板としては、不十分なものしか得られなかった。
【０００７】
なお、特開平１０−２５６６６２号公報には、厚さ１ｍｍ以上と厚くしたサファイアよりなる成長用基体の上にＧａＮ基板を薄く３００μｍ程度成長させたのち、研磨により成長用基体を除去する方法が開示されている。この方法では、成長用基体の厚さを大きくすることにより、成長中に加熱により生じる成長用基体の反りを抑制し、それに伴うＧａＮ基板の結晶性の劣化を防止するようになっている。しかし、成長用基体を除去する途中で、成長用基体が薄くなるに従って応力が増大し、ＧａＮ基板にクラックまたは欠損が生じてしまうという問題があった。また、成長用基体が１ｍｍ以上と厚いので、その除去が難しかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、クラックが少ない良質な基板を得ることができる基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による基板の製造方法は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板を、サファイア，炭化ケイ素，スピネル，ガリウムヒ素およびケイ素のうちの少なくとも１種よりなる厚さ１００μｍ以下の成長用基体の上に直接に、２００μｍ以上の厚さでかつ成長用基体と基板との熱膨張率の差により生じる基板の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるように成長させ、基板を覆うように保護膜を形成し、保護膜が形成された状態で、成長用基体を除去するようしたものである。
【００１０】
本発明による基板の製造方法では、厚さ１００μｍ以下の成長用基体の上に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板が２００μｍ以上成長する。ここで成長用基体と基板との熱膨張率の差により生じる基板の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるようにする。よって、基板におけるクラックなどの発生が効果的に防止され、良質な基板が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
［第１の実施の形態］
図１ないし図５は、本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方法の製造工程を表すものである。この基板の製造方法は、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）よりなる基板を製造するものである。なお、この基板は、必要に応じて不純物を含む場合もある。
【００１３】
本実施の形態では、まず、図１に示したように、例えば、サファイア，炭化ケイ素，スピネル，ガリウムヒ素あるいはケイ素よりなる厚さ１００μｍ以下、例えば６０μｍの成長用基体１１を用意し、この成長用基体１１を有機溶剤により洗浄する。
【００１４】
次いで、図２に示したように、成長用基体１１の上（サファイアよりなる場合は、例えばｃ面上）に、例えば、ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法を用いて成長用基体１１を加熱しつつＧａＮよりなる基板１２を成長させ、放冷する。なお、ハイドライド気相成長法とは、ハイドライド（水素化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことである。また、ハライド気相成長法とは、ハライド（ハロゲン化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことである。具体的には、図示しないサセプタの上に成長用基体１１を載置して成長用基体１１を１０００℃程度まで加熱し、キャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ2 ）を流しつつ、窒素の原料としてアンモニアガス（ＮＨ3 ）を供給すると共に、ガリウムの原料として、８５０℃程度に加熱されたガリウム単体（金属ガリウム）上に塩化水素ガス（ＨＣｌ）を流すことにより得られる塩化ガリウムガス（ＧａＣｌ）を供給して基板１２を成長させる。なお、この場合、原料ガスとして塩化水素ガスを用いているので、ハイドライド気相成長であり、ハライド気相成長でもある。
【００１５】
このとき、成長させる基板１２の厚さを、２００μｍ以上でかつ成長用基体１１と基板１２との熱膨張率の差により生じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるようにする。ここで、基板１２の曲率Ｋとは、成長後の放冷により生じるものであり、成長用基体１１との隣接面の曲率のことを指す。具体的には、成長用基体１１がサファイアあるいは炭化ケイ素などのほぼ六方晶系の結晶構造を有するものよりなる場合には、下記の数１に示した式により算出される。
【００１６】
【数１】
Figure 0004396793
【００１７】
また、成長用基体１１がスピネル，ガリウムヒ素あるいはケイ素などの立方晶系の結晶構造を有するものよりなる場合には、数１とは異なるが他の数式を用い、同様にして算出される。
【００１８】
基板１２を成長させた後の放冷により、基板１２には成長用基体１１との熱膨張率の違いによって反りが生ずるが、本実施の形態では、成長用基体１１の厚さを１００μｍ以下とし、かつ基板１２の厚さを２００μｍ以上とすることにより、反りによる応力を成長用基体１１に集中させ、成長用基体１１の方にクラックが生じるようにすると共に、基板１２の曲率Ｋが０．０３ｃｍ-1以下となるように成長用基体１１に対する基板１２の厚さを調整することにより基板１２にクラックが発生することを防止するようになっている。よって、本実施の形態では、基板１２を成長させた後に放冷しても、基板１２におけるクラックの発生が防止され、良質な基板１２が得られる。
【００１９】
また、基板１２の厚さを２００μｍ以上とすることにより、この基板１２を用いてデバイスなどを作製する際の基板１２の操作性を向上させるようにもなっている。なお、成長用基体１１に対する基板１２の厚さを、基板１２の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるようにすれば、基板１２におけるクラックの発生をより効果的に防止することができるので好ましい。
【００２０】
なお、この基板１２に不純物を含ませる場合には、不純物を添加して基板１２を成長させる。不純物としては、例えば、ＩＶ族元素である炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）と、ＶＩ族元素である硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）とからなる群のうちの少なくとも１種の元素を添加する。また、ＩＩ族元素であるベリリウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）と、ＩＶ族元素である炭素，ケイ素，ゲルマニウムおよびスズとからなる群のうちの少なくとも１種の元素を添加するようにしてもよい。
【００２１】
また、ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法により基板１２を成長させる際の窒素の原料には、アンモニアの代わりに、ヒドラジン，モノメチルヒドラジンまたはジメチルヒドラジンなどの一般式がＮ2 Ｒ4 （但し、Ｒは、水素原子またはアルキル基を表す。）で示されるヒドラジン系の原料や有機アミンを用いるようにしてもよい。このような有機アミンとしては、例えば、第１級アミンであるプロピルアミン，イソプロピルアミン，ブチルアミン，イソブチルアミン，ｔ−ブチルアミンあるいは第二ブチルアミン、第２級アミンであるジプロピルアミン，ジイソプロピルアミン，ジブチルアミン，ジイソブチルアミン，ジｔ−ブチルアミンあるいはジ第二ブチルアミン、または第３級アミンであるトリプロピルアミン，トリイソプロピルアミン，トリブチルアミン，トリイソブチルアミン，トリｔ−ブチルアミン，トリ第二ブチルアミン，トリアリルアミン，トリエチルアミン，ジイソプロピルメチルアミン，ジプロピルメチルアミン，ジブチルメチルアミン，ジイソブチルメチルアミン，ジ第二ブチルメチルアミンあるいはジｔ−ブチルメチルアミンなどが挙げられる。
【００２２】
更に、ハイドライドまたはハライドには、塩化水素の代わりに、フッ化水素（ＨＦ)，臭化水素（ＨＢｒ）あるいはヨウ化水素（ＨＩ）を用いるようにしてもよい。キャリアガスには、窒素ガスの代わりに、ヘリウムガス（Ｈｅ）あるいはアルゴンガス（Ａｒ）などの不活性ガスをキャリアガスとして用いるようにしてもよいし、必要に応じて水素ガス（Ｈ2 ）または水素ガスを含む混合ガスを用いるようにしてもよい。
【００２３】
基板１２を成長させて放冷したのち、図３に示したように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により基板１２を覆うように二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる保護膜１３を形成する。
【００２４】
次いで、図４に示したように、成長用基体１１を除去する。これにより、基板１２の反りはなくなり、平坦なものとなる。具体的には、成長用基体１１がサファイアよりなる場合には、例えば、リン酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）と硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）とを１：１（体積比）の割合で含むエッチング液を用いて、２８５℃の温度でウェットエッチングを行うことにより除去する。ここでは、成長用基体１１の厚さが１００μｍ以下と薄いので、容易に除去されると共に、除去工程において基板１２に応力がかかりクラックが発生してしまうことが防止される。また、上述したように成長用基体１１にクラックが生じている場合には、より容易に除去されると共に、この工程以前において成長用基体１１の一部が欠損している場合もあり、その場合には更に容易に除去される。なお、基板１２は保護膜１３により覆われているので、エッチング時に損傷を受けたり、汚染される可能性が少ない。
【００２５】
成長用基体１１の除去は、また、ドライエッチングあるいはラッピングにより行うようにしてもよい。ドライエッチングにより除去する場合には、エッチングガスとして例えば塩素ガス（Ｃｌ2 ）を用いて行う。また、ラッピングにより除去する場合には、例えばダイヤモンド研磨粉を用いて行う。
【００２６】
成長用基体１１の除去は、更に、基板１２が形成された成長用基体１１を例えば加熱および冷却し、基板１２と成長用基体１１とを分離することにより行うようにしてもよい。この方法は、成長用基体１１と基板１２との熱膨張率の差に起因して生じる応力を利用するものである。具体的には、成長用基体１１を、例えば赤外線加熱炉の反応管の内部に設置し、成長用基体１１を例えば８００℃になるまで加熱したのち、更に冷却することにより、基板１２と成長用基体１１とを分離する。なお、この場合、上述したエッチングあるいはラッピングなどを併用して分離するようにしてもよい。また、加熱方法としては、赤外線加熱炉を用いた加熱以外にも、ヒータ加熱や高周波誘導加熱などを適用するようにしてもよい。
【００２７】
成長用基体１１を除去したのち、図５に示したように、例えば、フッ酸（ＨＦ）を含むエッチング液を用いて、保護膜１３を除去する。そののち、必要に応じて、基板１２の表面を平坦化処理する。平坦化処理は、具体的には、例えば、気相エッチング法あるいは液相化学エッチング法を用いて表面をエッチングするか、または機械的化学ポリッシング法を用いて表面研磨することにより行う。この平坦化処理により、表面が平坦化され、基板１２の上に結晶性に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層などを容易に成長させることができるようになる。以上により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板１２が得られる。
【００２８】
このように本実施の形態に係る基板の製造方法によれば、成長用基体１１の厚さを１００μｍ以下とし、基板１２の厚さを２００μｍ以上とすると共に、基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるようにしたので、基板１２におけるクラックの発生を効果的に防止することができる。よって、良質な基板１２を得ることができる。また、成長用基体１１を容易に除去することができる。
【００２９】
更に、不純物を注入することにより導電性の基板１２とすれば、半導体発光素子作製時などに用いる場合に、基板１２の表面側と裏面側とに一対の電極をそれぞれ配設することができる。また、半導体発光素子として半導体レーザを作製する場合には、共振器端面を劈開により容易に形成することができる。
【００３０】
なお、成長用基体１１の厚さと基板１２の厚さと基板１２の曲率Ｋとの関係、および基板１２の曲率Ｋを０．０３ｃｍ-1以下とすることにより得られる効果について、具体的なモデル計算および実験例に基づき説明する。
【００３１】
図６は、数１に示した式に、表１に示した値をそれぞれ代入し（Jpn.J.Appl.Phys.,32(1993),p1528-1533参照）、サファイアよりなる成長用基体１１の厚さｔ1 を種々変化させた場合の、ＧａＮよりなる基板１２の厚さｔ2 と曲率Ｋとの関係を表すものである。また、図７は図６の一部を拡大して表すものである。図６および図７において、縦軸は曲率Ｋ（単位；ｃｍ-1）を示し、横軸は基板１２の厚さｔ2 （単位；μｍ）を示している。
【００３２】
【表１】
Figure 0004396793
【００３３】
ここでは、図６に示したモデル計算に対応して、厚さを種々変化させたサファイアよりなる成長用基体１１の上に、ハイドライド気相成長法により厚さを種々変化させたＧａＮよりなる基板１２を成長させ、曲率Ｋを求めた。具体的には、まず、成長用基体１１を１０００℃程度まで加熱し、窒素の原料としてアンモニアガスを１ｄｍ3 ／ｍｉｎの流量で供給すると共に、ガリウムの原料として、８５０℃程度に加熱されたガリウム単体上に塩化水素ガスを０．０３ｄｍ3 ／ｍｉｎの流量で流すことにより得た塩化ガリウムガスを供給し、ＧａＮ基板を成長させた。なお、キャリアガスには窒素ガスを用い、その流量を１ｄｍ3 ／ｍｉｎとした。次いで、放冷したのち、レーザ光を照射し、その反射角度を測定することにより基板１２の曲率を求めた。
【００３４】
これらの実験から、実測により得られた成長用基体１１の厚さｔ1 と基板１２の厚さｔ2 と曲率Ｋとの関係は、図６に示したモデル計算と非常に良く整合していることが確認された。また、図７に示したように、曲率０．０３ｃｍ-1がクラック発生の臨界点であり、基板１２の曲率Ｋがそれ以下であれば基板１２にクラックは生じていなかった。
【００３５】
すなわち、成長用基体１１の厚さｔ1 対する基板１２の厚さｔ2 を基板１２の曲率Ｋが０．０３ｃｍ-1以下となるようにすれば、基板１２にクラックが発生することがなく、良質な基板１２を得られることが分かった。また、成長用基体１１の厚さを薄くした方が、基板１２の厚さを厚くする場合において、基板１２の曲率Ｋを小さくできることも分かった。特に、成長用基体１１の厚さｔ1 を１００μｍ以下とすれば、基板１２の厚さを６００μｍ程度と必要以上に厚くしなくても、基板１２の曲率Ｋを容易に０．０３ｃｍ-1以下、更には０．０２５ｃｍ-1以下とできることが分かった。なお、ここでは具体的には説明しないが、サファイア以外の化合物よりなる成長用基体１１を用いる場合についても同様の結果が得られる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態に係る基板の製造方法は、ハイドライド気相成長法に代えてＭＯＣＶＤ法により基板１２を成長させることを除き、他は第１の実施の形態と同様の工程である。よって、ここでは第１の実施の形態と同一の符号を付し、第１の実施の形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３７】
本実施の形態では、基板１２を成長させる際、まず、図示しないＭＯＣＶＤ装置の反応管の内部に成長用基体１１を載置し、反応管内に、例えば水素ガス（Ｈ2 ）と窒素ガス（Ｎ2 ）との混合ガスをキャリアガスとして供給しつつ、成長用基体１１を例えば１０５０℃に加熱する。次いで、反応管の内部に、窒素の原料として例えばアンモニアを供給すると共に、ガリウムの原料として例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ；（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ；（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）を供給してＧａＮよりなる基板１２を成長させる。
【００３８】
このように、ＭＯＣＶＤ法により基板１２を成長させる場合であっても、成長用基体１１の厚さを１００μｍ以下とし、基板１２の厚さを２００μｍ以上とすると共に、成長用基体１１と基板１２との熱膨張率の差により生じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるようにすれば、第１の実施の形態と同様に基板１２におけるクラックの発生を効果的に防止することができる。
【００３９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、ＧａＮよりなる基板１２の製造方法を具体例に挙げて説明したが、本発明は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板を製造する際に、広く適用することができる。具体的には、ＡｌＧａＮ混晶，ＩｎＮ，ＩｎＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶などよりなる基板を製造する際に適用することができる。
【００４０】
その際、ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法により成長させる場合には、アルミニウムの原料として例えばアルミニウム単体を、ホウ素の原料として例えばホウ素単体を、インジウムの原料として例えばインジウム単体をそれぞれ用いることができる。また、ＭＯＣＶＤ法により成長させる場合には、アルミニウムの原料として例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）を、ホウ素の原料として例えばトリエチルホウ素（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｂ）を、インジウムの原料として例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）をそれぞれ用いることができる。
【００４１】
更に、上記実施の形態では、ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法またはＭＯＣＶＤ法により基板１２を成長させるようにしたが、これら以外の他の気相成長（ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）またはＶＰＥ（Vapor Phase Epitaxy ））法により成長させるようにしてもよい。
【００４２】
また、上記実施の形態では、成長用基体１１がサファイアよりなる場合にはそのｃ面に基板１２を成長させるようにしたが、ｃ面以外の他の面方位に成長させるようにしてもよい。
【００４３】
更に、上記実施の形態では、六方晶系の結晶構造を有する成長用基体１１の上に基板１２を成長させる場合の曲率Ｋの算出方法を具体例に挙げて説明したが、成長用基体１１が他の結晶構造を有する場合であってもその結晶構造に応じた計算式を用いて曲率の理論値を求めることができ、同様に適用することができる。
【００４４】
加えて、上記実施の形態では、保護膜１３を二酸化ケイ素により形成するようにしたが、窒化ケイ素（Ｓｉx Ｎy ）により形成するようにしてもよい。また、ウェットエッチング法により成長用基体１１を除去する場合を除き、保護膜１３を形成しなくてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の基板の製造方法によれば、成長用基体の厚さを１００μｍ以下とし、基板の厚さを２００μｍ以上とすると共に、成長用基体と基板との熱膨張率の差により生じる基板の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるようにしたので、基板におけるクラックの発生を効果的に防止することができる。よって、良質な基板を得ることができるという効果を奏する。
【００４６】
特に、成長させた基板に保護膜を形成したのち、成長用基体を除去するようにしたので、容易に除去することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方法の製造工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方法を用いて製造される基板の厚さと曲率との関係を表す特性図である。
【図７】図６の一部を拡大して表す特性図である。
【符号の説明】
１１…成長用基体、１２…基板、１３…保護膜

Claims (7)

  1. ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板を、サファイア，炭化ケイ素，スピネル，ガリウムヒ素およびケイ素のうちの少なくとも１種よりなる厚さ１００μｍ以下の成長用基体の上に直接に、２００μｍ以上の厚さでかつ成長用基体と基板との熱膨張率の差により生じる基板の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるように成長させ、
    前記基板を覆うように保護膜を形成し、
    前記保護膜が形成された状態で、前記成長用基体を除去する
    基板の製造方法。
  2. 窒化ガリウム（ＧａＮ）よりなる基板を成長させる請求項１記載の基板の製造方法。
  3. ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法または有機金属化学気相成長法により基板を成長させる請求項１記載の基板の製造方法。
  4. 不純物を添加しつつ基板を成長させる請求項１記載の基板の製造方法。
  5. 不純物として、炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの少なくとも１種、または炭素，ケイ素，ゲルマニウム，スズ，ベリリウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種を添加する請求項４記載の基板の製造方法。
  6. エッチングまたはラッピングまたは加熱処理を行うことにより成長用基体を除去する請求項１記載の基板の製造方法。
  7. 更に、基板の表面を平坦化する工程を含む請求項１記載の基板の製造方法。
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