JP2009149483A - 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009149483A JP2009149483A JP2007331221A JP2007331221A JP2009149483A JP 2009149483 A JP2009149483 A JP 2009149483A JP 2007331221 A JP2007331221 A JP 2007331221A JP 2007331221 A JP2007331221 A JP 2007331221A JP 2009149483 A JP2009149483 A JP 2009149483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- substrate
- free
- standing substrate
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 324
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 166
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004719 convergent beam electron diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において10個/cm2以上から600個/cm2以下の密度でインバージョンドメインを有する。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法に用いるHVPE炉の概略図を示す。
第1の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法に用いるハライド気相エピタキシー(Halide Vapor Phase Epitaxy:HVPE)装置としてのHVPE炉10は、石英から形成される石英反応管100と、石英反応管100内部の所定の位置に設置され、窒化物半導体自立基板の原料を搭載する石英ボート120と、石英ボート120に近接した位置に配置されるハロゲンガス導入管としてのHCl導入管130と、窒化物半導体の単結晶が表面上に形成される異種基板1を保持する基板ホルダ150と、異種基板1に近接した位置に配置されるN(窒素)源供給管としてのNH3導入管140とを備える。更に、HVPE炉10は、石英反応管100の周囲を包囲して石英反応管100の内部に熱を供給するヒータ110を備える。
まず、HVPE炉10内にサファイア基板を導入する(S100)。具体的には、基板ホルダ150上にサファイア基板を固定する。続いて、Gaメタルを搭載した石英ボート120を900℃に加熱して、Gaメタルを溶融してGa融液2とする。更に、サファイア基板が配置されている所定の領域を1100℃に加熱して、水素キャリアガス雰囲気で10分間、サファイア基板の表面をクリーニングする(S110)。クリーニング終了後、サファイア基板が配置されている所定の領域を500℃まで降温する。
比較例に係る窒化物半導体自立基板の製造方法は、サファイア基板表面のクリーニング(S110)を実施した後に、サファイア基板が配置されている所定の領域を500℃まで降温した後、サファイア基板の表面を窒化する工程を更に備える点を除き、第1の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法と同一である。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。なお、サファイア基板の表面を窒化する工程は、サファイア基板上に形成されるGaN結晶層中にインバージョンドメインが発生することを防止することを目的としてなされる工程である。
比較例と第1の実施の形態との相違点は、サファイア基板の表面を窒化するか否かである。第1の実施の形態においては、インバージョンドメインが発生しやすい窒化物半導体結晶の成長条件、すなわち、サファイア基板の表面を窒化せずに、サファイア基板上に低温バッファ層を形成する。これにより、第1の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法によれば、インバージョンドメインを有する窒化物半導体自立基板を形成することができる。そして、第1の実施の形態において形成される窒化物半導体自立基板は、サファイア基板の表面を窒化する工程を経て形成された比較例に係る窒化物半導体自立基板よりも反りが小さい。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造の流れを示す。
第2の実施の形態においては、インバージョンドメインが発生しやすい成長条件、すなわち、V/III比を高い条件とする。これにより、第2の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法によれば、インバージョンドメインを有する窒化物半導体自立基板を形成することができる。
図4は、本発明の第3の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造の流れを示す。
第3の実施の形態と第2の実施の形態との相違点は、TiN層上にGaN結晶の成長を開始する時のV/III比を成長開始時から所定膜厚までは所定値に維持して、所定膜厚のGaN結晶を成長した後に、V/III比を変更するか否かである。第3の実施の形態においては、所定膜厚のGaN結晶を成長した後は、インバージョンドメインが発生しにくい成長条件、すなわち、V/III比を低い条件とする。
第4の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法は、第3の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法とは、TiN層上へのGaN結晶の成長を開始した時のV/III比を、所定膜厚のGaNを形成した後に異なる値のV/III比に変更する際に、各V/III比の値が異なる点を除き略同一の工程を備える。したがって、詳細な説明は省略する。
第5の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法は、第3の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法とは、TiN層上へのGaN結晶の成長を開始した時のV/III比を、所定膜厚のGaNを形成した後に異なる値のV/III比に変更する際に、各V/III比の値が異なる点を除き略同一の工程を備える。したがって、詳細な説明は省略する。
図5は、本発明の第1から第5の実施の形態に係る窒化物半導体自立基板の製造方法において製造した窒化物半導体自立基板を用いて形成した発光装置の断面図を示す。
2 Ga融液
10 HVPE炉
20 発光装置
100 石英反応管
110 ヒータ
120 石英ボート
130 HCl導入管
140 NH3導入管
150 基板ホルダ
200 GaN基板
205 n型クラッド層
210 活性層
212 井戸層
214 障壁層
215 p型クラッド層
220 p型コンタクト層
230 上部電極
235 下部電極
Claims (5)
- 窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、
前記窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において10個/cm2以上から600個/cm2以下の密度でインバージョンドメインを有する窒化物半導体自立基板。 - 前記基板表面は、0個/cm2以上から200個/cm2以下の密度でインバージョンドメインを有する請求項1に記載の窒化物半導体自立基板。
- 窒化物半導体結晶の成長初期において窒化物半導体結晶の成長条件を調整することにより、10個/cm2以上から600個/cm2以下の密度のインバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶を異種基板上に成長する窒化物半導体結晶成長工程と、
前記異種基板から前記インバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶を分離して窒化物半導体自立基板を形成する分離工程と
を備える窒化物半導体自立基板の製造方法。 - 前記窒化物半導体結晶成長工程は、
前記インバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶を異種基板上に成長し、前記インバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶の表面上に0個/cm2以上から200個/cm2以下の密度でインバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶を連続的に成長する工程を含む
請求項3に記載の窒化物半導体自立基板の製造方法。 - 前記分離工程の後に、前記異種基板から分離して形成された前記窒化物半導体自立基板から前記窒化物半導体自立基板に含まれる前記インバージョンドメインを有する窒化物半導体結晶の一部を除去する工程を含む
請求項3から4のいずれか1項に記載の窒化物半導体自立基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007331221A JP4888377B2 (ja) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | 窒化物半導体自立基板 |
US12/155,759 US8466471B2 (en) | 2007-12-22 | 2008-06-09 | Nitride semiconductor free-standing substrate and method for making same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007331221A JP4888377B2 (ja) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | 窒化物半導体自立基板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011103358A Division JP5182396B2 (ja) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | 窒化物半導体自立基板及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009149483A true JP2009149483A (ja) | 2009-07-09 |
JP4888377B2 JP4888377B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=40787611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007331221A Expired - Fee Related JP4888377B2 (ja) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | 窒化物半導体自立基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8466471B2 (ja) |
JP (1) | JP4888377B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052660A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置 |
JP2019112268A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社サイオクス | GaN基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2596179C2 (ru) * | 2010-09-29 | 2016-08-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Светоизлучающее устройство с преобразованной длиной волны |
US9793436B2 (en) * | 2015-01-16 | 2017-10-17 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003165799A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
JP2004221480A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 埋め込み基板結晶製造方法および埋め込み基板結晶 |
JP2006066496A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板 |
JP2007142198A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ及び半導体レーザ製造方法 |
JP2008297180A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板 |
JP2009091163A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Hitachi Cable Ltd | GaN単結晶基板及びGaN単結晶基板の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
JP3788041B2 (ja) | 1998-06-30 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
JP4932121B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2012-05-16 | 日本電気株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法 |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
JP2005101475A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 |
JP4830315B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP5140962B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2013-02-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2008140893A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-22 JP JP2007331221A patent/JP4888377B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-09 US US12/155,759 patent/US8466471B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003165799A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
JP2004221480A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 埋め込み基板結晶製造方法および埋め込み基板結晶 |
JP2006066496A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板 |
JP2007142198A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ及び半導体レーザ製造方法 |
JP2008297180A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板 |
JP2009091163A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Hitachi Cable Ltd | GaN単結晶基板及びGaN単結晶基板の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052660A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置 |
WO2017043411A1 (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置 |
JP2019112268A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社サイオクス | GaN基板およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8466471B2 (en) | 2013-06-18 |
US20090160026A1 (en) | 2009-06-25 |
JP4888377B2 (ja) | 2012-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4720125B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 | |
CN107407008B (zh) | 第iii族氮化物半导体晶体衬底的制造方法 | |
JP4932121B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法 | |
EP1997125B1 (en) | Growth method using nanocolumn compliant layers and hvpe for producing high quality compound semiconductor materials | |
JP5531983B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法 | |
JP6031733B2 (ja) | GaN結晶の製造方法 | |
JP2005101475A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
US7348278B2 (en) | Method of making nitride-based compound semiconductor crystal and substrate | |
JP5051455B2 (ja) | エピタキシャル成長用窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP6704386B2 (ja) | 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法、並びにエピタキシャルウエハ | |
JP4952616B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
WO2020158571A1 (ja) | 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP4888377B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板 | |
JP2019029568A (ja) | 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法 | |
JP4359770B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造ロット | |
JP6405767B2 (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP2005203418A (ja) | 窒化物系化合物半導体基板及びその製造方法 | |
JP5182396B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板及び発光装置 | |
JP5488562B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
WO2013141099A1 (ja) | 窒化ガリウム結晶自立基板及びその製造方法 | |
JP4810517B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板 | |
JP4420128B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP2021130585A (ja) | 窒化ガリウム結晶の製造方法 | |
JP2012121771A (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP2010254483A (ja) | 窒化物系半導体基板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110506 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4888377 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |