KR20010098879A - 기판의 제조 방법 - Google Patents

기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010098879A
KR20010098879A KR1020010022369A KR20010022369A KR20010098879A KR 20010098879 A KR20010098879 A KR 20010098879A KR 1020010022369 A KR1020010022369 A KR 1020010022369A KR 20010022369 A KR20010022369 A KR 20010022369A KR 20010098879 A KR20010098879 A KR 20010098879A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
growth
gas
manufacturing
board
Prior art date
Application number
KR1020010022369A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100803709B1 (ko
Inventor
도미오카사토시
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 이데이 노부유끼
Publication of KR20010098879A publication Critical patent/KR20010098879A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100803709B1 publication Critical patent/KR100803709B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

크랙이 적은 양질의 기판을 얻을 수 있는 기판의 제조 방법을 제공한다. 사파이어로 이루어지는 100㎛ 이하의 성장용 기체(基體)(base) 위에, 성장용 기체를 가열하면서 GaN 기판을 성장시키고, 냉각한다. 이 때, 성장시키는 기판의 두께를 200㎛ 이상, 또한 성장용 기체와 기판과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 한다. 이에 따라, 기판이 성장 후의 냉각에 의해 휘어 버려도, 기판에서의 크랙(crack)의 발생이 방지되어, 양질의 기판이 얻어진다.

Description

기판의 제조 방법 {METHOD OF FORMING SUBSTRATE}
본 발명은 IIIB족 원소 중 적어도 1종과 VB족 원소 중 적어도 질소(N)를 함유하는 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 광 디스크와 광자기 디스크 등에서는, 기록/재생의 고밀도화 또는 고해상도화의 요구가 높아지고 있으며, 이 요구를 실현하기 위해, 녹색 파장 대역 또는 자외 영역의 단파장역에서 발광 가능한 반도체 소자의 연구가 활발하게 행해지고 있다. 이와 같은 단파장역에서 발광 가능한 반도체 소자를 구성하는 데 적합한 재료로서는 GaN, AlGaN 혼정(混晶) 또는 GaInN 혼정으로 대표되는 질화물계 III-V족 화합물 반도체가 알려져 있다(Jpn. J. Appl. Phys., 30(1991), L1998).
일반적으로, 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 사용한 발광 소자는 유기 금속 화학 기상 성장(metal organic chemical vapor deposition ; MOCVD)법 또는 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy ; MBE)법 등을 사용하여, 기판 위에 질화물계 III-V족 화합물 반도체층을 연속적으로 성장시킴으로써 제조되고 있다. 기판으로는 보통 사파이어(α-Al2O3) 기판 또는 탄화 규소(SiC) 기판이 사용되고 있다.
그러나, 사파이어 기판 또는 탄화 규소 기판을 사용하면, 격자 상수(格子常數) 및 열 팽창률의 상위에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체층 중에는 결함 또는 크랙(균열)이 발생되어 버린다. 또, 반도체 발광 소자로서 반도체 레이저(laser diode ; LD)를 제조하는 경우에는, 공진기 단면(端面)을 벽개(劈開)에 의해 형성하는 것이 곤란하다. 그래서, 이와 같은 문제가 발생하지 않는 질화물계 III-V족 화합물 기판의 개발이 요망되고 있다.
그러나, 질화물계 III-V족 화합물 기판의 제조에 있어서는, 질소의 증기압이 높기 때문에, 실리콘(Si) 기판이나 갈륨 비소(GaAs) 기판을 제조하는 경우에, 일반적으로 사용되는 방법을 사용할 수 없다. 일반적인 질화물계 III-V족 화합물 기판의 제조 방법으로서는, 사파이어 또는 갈륨 비소로 이루어지는 성장용 기체 위에MOCVD법, MBE법 또는 하이드라이드 기상 성장법에 의해 질화물계 III-V족 화합물 기판을 성장시키는 방법이 알려져 있다. 그 중에서도, 하이드라이드 기상 성장법을 사용하면, 1시간당 수㎛~수백㎛까지 성장시킬 수 있으므로, 단시간에 기판으로서 사용 가능한 두께까지 성장시킬 수 있어, 이미 이 방법에 의해 GaN 기판을 얻었다는 보고가 이루어지고 있다.
그러나, 이와 같이 성장용 기체 위에 질화물계 III-V족 화합물 기판을 성장시키는 방법에서는, 기판으로서 사용 가능한 정도의 두께까지 성장시키면, 성장용 기체와 질화물계 III-V족 화합물 기판과의 열 팽창률의 차에 의해 질화물계 III-V족 화합물 기판에 크랙이 발생해 버리는 등의 문제가 있었다. 따라서, 양질의 질화물계 III-V족 화합물 반도체층을 성장시키기 위한 기판으로서는, 불충분한 것 밖에 얻을 수 없었다.
또한, 일본국 특개평 10(1998)-256662호 공보에는, 두께 1mm 이상으로 두껍게 한 사파이어로 이루어지는 성장용 기체 위에 GaN 기판을 얇게 300㎛ 정도 성장시킨 후, 연마에 의해 성장용 기체를 제거하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 성장용 기체의 두께를 크게 함으로써, 성장 중에 가열에 의해 발생하는 성장용 기체의 휨을 억제하고, 이에 따른 GaN 기판의 결정성(結晶性) 열화를 방지하도록 되어 있다. 그러나, 성장용 기체를 제거하는 도중에 성장용 기체가 얇아지는 데 따라 응력이 증대되어, GaN 기판에 크랙 또는 결손이 발생하여 버린다고 하는 문제가 있었다. 또, 성장용 기체가 1mm 이상으로 두꺼우므로 그 제거가 곤란했다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 크랙이 적은 양질의 기판을 얻을 수 있는 기판의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판의 제조 방법의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 3에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 4에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판의 제조 방법을 사용하여 제조되는 기판의 두께와 곡률과의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 7은 도 6의 일부를 확대하여 나타내는 특성도이다.
본 발명에 의한 기판의 제조 방법은 IIIB족 원소 중 적어도 1종과 VB족 원소 중 적어도 질소(N)를 함유하는 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판의 제조 방법으로서, 기판을 두께 100㎛ 이하의 성장용 기체 위에, 200㎛ 이상의 두께 이며, 또한 성장용 기체와 기판과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판의 곡률이 0.03cm-1이하로 되게 성장시키도록 한 것이다.
본 발명에 의한 기판의 제조 방법에서는, 두께 100㎛ 이하의 성장용 기체 위에 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판이 200㎛ 이상 성장한다. 따라서, 기판에에서의 크랙 등의 발생이 효과적으로 방지되어, 양질의 기판이 얻어진다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판의 제조 방법의 제조 공정을 나타낸 것이다. 이 기판의 제조 방법은, 예를 들면 GaN(질화 갈륨)으로 이루어지는 기판을 제조하는 것이다. 그리고, 이 기판은 필요에 따라 불순물을 함유하는 경우도 있다.
본 실시 형태에서는, 먼저, 도 1에 나타낸 것 같이, 예를 들면, 사파이어, 탄화 규소, 스피넬, 갈륨 비소 또는 규소로 이루어지는 두께 100㎛ 이하, 예를 들면, 60㎛의 성장용 기체(11)를 준비하고, 이 성장용 기체(11)를 유기 용제에 의해 세정한다.
이어서, 도 2에 나타낸 것 같이, 성장용 기체(11) 위(사파이어로 이루어지는 경우에는, 예를 들면 c면)에, 예를 들면, 하이드라이드 기상 성장법 또는 할라이드 기상 성장법을 사용하여 성장용 기체(11)를 가열하면서 GaN으로 이루어지는 기판(12)을 성장시키고, 냉각한다. 여기에서, 하이드라이드 기상 성장법이란 하이드라이드(수소화물)가 반응 또는 원료 가스의 수송에 기여하는 기상 성장법이다. 또, 할라이드 기상 성장법이란 할라이드(할로겐화물)가 반응 또는 원료 가스의 수송에 기여하는 기상 성장법이다. 구체적으로는, 도시하지 않은 서셉터(suscepter) 위에 성장용 기체(11)를 탑재하여 성장용 기체(11)를 1000℃ 정도까지 가열하고, 캐리어 가스로서의 질소 가스(N2)를 흐르게 하면서, 질소의 원료로서 암모니아 가스(NH3)를 공급하는 동시에, 갈륨의 원료로서 850℃ 정도로 가열된 갈륨 단체(單體)(금속 갈륨) 위에 염화 수소 가스(HC1)를 흐르게 함으로써 얻어지는 염화 갈륨 가스(GaC1)를 공급하여 기판(12)을 성장시킨다. 그리고, 이 경우, 원료 가스로서 염화 수소 가스를 사용하고 있으므로, 하이드라이드 기상 성장이며, 할라이드 기상 성장이기도 하다.
이 때, 성장시키는 기판(12)의 두께를 200㎛ 이상, 또한 성장용 기체(11)와 기판(12)과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판(12)의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 한다. 여기에서, 기판(12)의 곡률(K)이란, 성장 후의 냉각에 의해 발생하는것이며, 성장용 기체(11)와의 인접면의 곡률을 가리킨다. 더욱 구체적으로는, 성장용 기체(11)가 사파이어 또는 탄화 규소 등의 대략 6방정계(方晶系)의 결정 구조를 가지는 것으로 이루어지는 경우에는, 곡률(K)은 다음의 수학식 1에 의해 산출된다.
식 중, K는 기판의 곡률을 나타내고,은을 나타내고,는를 나타낸다. Tg는 기판을 성장시킬 때의 성장용 기체의 온도, Tr은 성장 후의 방치 온도를 각각 나타내는 동시에, αi는 선 팽창률, Ei는 성장용 기체의 성장면 내에서의 한 방향으로 인장 응력을 가했을 때에 발생하는 동일 방향의 신장에 대한 영률(Young's modulus), ρi는 성장용 기체의 성장면 내에서의 영률에 관한 인장 방향에 대하여 수직 방향의 수축에 관한 프와송비(Poisson' ratio), ti는 성장용 기체와 기판의 두께를 나타낸다. 단, i는 1과 2 사이의 값이며, i=1의 경우 t1은 성장용 기체의 두께, i=2의 경우 t2는 기판의 두께를 나타낸다.
성장용 기체(11)가 스피넬, 갈륨 비소 또는 규소 등 입방정계(立方晶系)의 결정 구조를 가지는 것으로 이루어지는 경우, 곡률(K)은 수학식 1과는 상이한 다른 수학식을 이용해서, 동일하게 하여 산출된다.
기판(12)을 성장시킨 후의 냉각에 의해, 기판(12)에는 성장용 기체(11)와의 열 팽창률의 상위에 의해 휨이 발생하지만, 본 실시 형태에서는, 성장용 기체(11)의 두께를 100㎛ 이하로 하고, 또한 기판(12)의 두께를 200㎛ 이상으로 함으로써, 휨에 의한 응력을 성장용 기체(11)에 집중시켜, 성장용 기체(11) 쪽에 크랙이 발생하도록 하는 동시에, 기판(12)의 곡률(K)이 0.03cm-1이하로 되도록 성장용 기체(11)에 대한 기판(12)의 두께를 조정함으로써 기판(12)에 크랙이 발생하는 것을 방지하도록 되어 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 기판(12)을 성장시킨 후에 냉각해도, 기판(12)에서의 크랙의 발생이 방지되어, 양질의 기판(12)이 얻어진다.
또, 기판(12)의 두께를 200㎛ 이상으로 함으로써, 이 기판(12)을 사용하여 디바이스 등을 제작할 때의 기판(12)의 조작성을 향상시키도록 되어 있다. 그리고, 성장용 기체(11)에 대한 기판(12)의 두께를 기판(12)의 곡률이 0.025cm-1이하로 되도록 하면, 기판(12)에서의 크랙의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있으므로 바람직하다.
기판(12)에 불순물을 함유시키는 경우에는, 불순물을 첨가하여 기판(12)을 성장시킨다. 불순물로서는, 예를 들면, IV족 원소인 탄소(C), 규소(Si), 게르마늄(Ge) 및 주석(Sn)과, VI족 원소인 유황(S), 셀렌(Se) 및 텔루르(Te)로 이루어지는 군 중 적어도 1종의 원소를 첨가한다. 또, II족 원소인 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd)과, IV족 원소인 탄소, 규소, 게르마늄 및 주석으로 이루어지는 군 중 적어도 1종의 원소를 첨가하도록 해도 된다.
또, 하이드라이드 기상 성장법 또는 할라이드 기상 성장법에 의해 기판(12)을 성장시킬 때의 질소의 원료에는, 암모니아 대신에 히드라진, 모노메틸히드라진 또는 디메틸히드라진 등 화학식이 N2R4(단, R은 수소 원자 또는 알킬기(基)를 나타냄)로 표현되는 히드라진계의 원료나 유기 아민을 사용하도록 해도 된다. 이와 같은 유기 아민으로서는, 예를 들면, 제1급 아민인 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민 또는 제2 부틸아민, 제2급 아민인 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 디-t-부틸아민 또는 디-제2 부틸아민, 또는 제3급 아민인 트리프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-t-부틸아민, 트리-제2 부틸아민, 트리알릴아민, 트리에틸아민, 디이소프로필메틸아민, 디프로필메틸아민, 디부틸메틸아민, 디이소부틸메틸아민, 디-제2 부틸메틸아민 또는 디-t-부틸메틸아민 등을 들 수 있다.
또한, 하이드라이드 또는 할라이드에는, 염화 수소 대신에, 불화 수소(HF), 취화(臭化) 수소(HBr) 또는 요드화 수소(HI)를 사용하도록 해도 된다. 캐리어 가스에는, 질소 가스 대신에, 헬륨 가스(He) 또는 알곤 가스(Ar) 등의 불활성 가스를 캐리어 가스로서 사용하도록 해도 되며, 필요에 따라 수소 가스(H2) 또는 수소 가스를 함유하는 혼합 가스를 사용하도록 해도 된다.
기판(12)을 성장시켜 냉각한 후, 도 3에 나타낸 것 같이, 예를 들면, CVD(chemical vapor deposition : 화학 기상 성장)법에 의해 기판(12)을 피복하도록 2산화 규소(SiO2)로 이루어지는 보호막(13)을 형성한다.
이이서, 도 4에 나타낸 것 같이, 성장용 기체(11)를 제거한다. 이에 따라, 기판(12)의 휨은 없어지고, 평탄한 것으로 된다. 구체적으로는, 성장용 기체(11)가 사파이어로 이루어지는 경우에는, 예를 들면, 인산(H3PO4)과 황산(H2SO4)을 1 : 1(체적비)의 비율로 함유하는 에칭액을 사용하여, 280℃의 온도로 웨트 에칭(wet etching)을 행함으로써 제거한다. 여기에서는, 성장용 기체(11)의 두께가 100㎛ 이하로 얇으므로, 용이하게 제거되는 동시에, 제거 공정에서 기판(12)에 응력이 걸려 크랙이 발생해 버리는 것이 방지된다. 또, 전술한 것 같이, 성장용 기판(11)에 크랙이 발생하고 있는 경우에는, 보다 용이하게 제거되는 동시에, 이 공정 이전에 성장용 기체(11)의 일부가 결손되어 있는 경우도 있고, 이 경우에는 더욱 용이하게 제거된다. 성장용 기체(11)를 제거할 때, 기판(12)은 보호막(13)에 의해 피복되어 있으므로, 에칭 시에 손상을 받거나, 오염될 가능성이 적다.
성장용 기체(11)의 제거는, 또 드라이 에칭 또는 래핑에 의해 행하도록 해도 된다. 드라이 에칭에 의해 제거하는 경우에는, 에칭 가스로서 예를 들면 염소 가스(Cl2)를 사용하여 행한다. 또, 래핑에 의해 제거하는 경우에는, 예를 들면 다이아몬드 연마분(硏磨粉)을 사용하여 행한다.
또한, 성장용 기체(11)의 제거는 기판(12)이 형성된 성장용 기체(11)를, 예를 들면, 가열 및 냉각하고, 기판(12)과 성장용 기체(11)를 분리함으로써 행하도록 해도 된다. 이 방법은 성장용 기체(11)와 기판(12)과의 열 팽창률의 차에 기인하여 발생하는 응력을 이용하는 것이다. 구체적으로는, 성장용 기체(11)를, 예를 들면,적외선 가열로(加熱爐)의 반응관 내부에 설치하고, 성장용 기체(11)를, 예를 들면, 800℃가 될 때까지 가열한 후, 다시 냉각함으로써, 기판(12)과 성장용 기체(11)를 분리한다. 그리고, 이 경우, 전술한 에칭 또는 래핑 등을 병용하여 분리하도록 해도 된다. 또, 가열 방법으로서는, 적외선 가열로를 사용한 가열 이외에도, 히터 가열이나 고주파 유도 가열 등을 적용하도록 해도 된다.
성장용 기체(11)를 제거한 후, 도 5에 나타낸 것 같이, 예를 들면, 불산(HF)을 함유하는 에칭액을 사용하여 보호막(13)을 제거한다. 그 후, 필요에 따라, 기판(12)의 표면을 평탄화 처리한다. 평탄화 처리는 구체적으로는, 예를 들면, 기상 에칭법 또는 액상 화학 에칭법을 사용하여 표면을 에칭하거나, 또는 기계적 화학 폴리싱법을 사용하여 표면 연마함으로써 행한다. 이 평탄화 처리에 의해, 표면이 평탄화되어, 기판(12) 상에 결정성이 우수한 질화물계 III-V족 화합물 반도체층 등을 용이하게 성장시킬 수 있게 된다. 이상에 의해 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판(12)이 얻어진다.
이와 같이 본 실시 형태에 관한 기판의 제조 방법에 의하면, 성장용 기체(11)의 두께를 100㎛ 이하로 하고, 기판(12)의 두께를 200㎛ 이상으로 하는 동시에, 기판(12)의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 했으므로, 기판(12)에서의 크랙의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 성장용 기체(11)를 용이하게 제거할 수 있으므로, 양질의 기판(12)을 얻을 수 있다.
불순물을 주입함으로써 도전성의 기판(12)으로 하면, 반도체 발광 소자 제작시 등에 사용하는 경우에, 기판(12)의 표면측과 이면측에 한 쌍의 전극을 각각 배치할 수 있다. 또, 반도체 발광 소자로서 반도체 레이저를 제작하는 경우에는, 공진기 단면을 벽개에 의해 용이하게 형성할 수 있다.
그리고, 성장용 기체(11)의 두께와 기판(12)의 두께와 기판(12)의 곡률(K)과의 관계, 및 기판(12)의 곡률(K)을 0.03cm-1이하로 함으로써 얻어지는 효과에 대하여, 구체적인 모델 계산 및 실험예에 따라 설명한다.
도 6은 수학식 1로 나타낸 식에, 표 1에 나타낸 값을 각각 대입하고(Jpn. J. Appl. Phys., 32(1993), p1528-1533 참조), 사파이어로 이루어지는 성장용 기체(11)의 두께(t1)를 여러가지로 변화시킨 경우, GaN으로 이루어지는 기판(12)의 두께(t2)와 곡률(K)과의 관계를 나타낸 것이다. 또, 도 7은 도 6의 일부를 확대하여 나타낸 것이다. 도 6 및 도 7에서, 세로축은 곡률(K)(단위; cm-1)을 나타내고, 가로축은 기판(12)의 두께(t2)(단위; ㎛)를 나타내고 있다.
Tg-Tr 1015℃
α1 7.50 ×10-6℃-1
α2 5.45 ×10-6℃-1
E1 345.0 ×109Pa
E2 126.0 ×109Pa
ρ1 0.33
ρ2 0.33
여기에서는, 도 6에 나타낸 모델 계산에 대응하여, 두께를 여러가지로 변화시킨 사파이어로 이루어지는 성장용 기체(11) 위에 하이드라이드 기상 성장법에 의해 두께를 여러가지로 변화시킨 GaN으로 이루어지는 기판(12)을 성장시켜 곡률(K)을 구했다. 구체적으로는, 먼저, 성장용 기체(11)를 1000℃ 정도까지 가열하고, 질소의 원료로서 암모니아 가스를 1dm3/min의 유량으로 공급하는 동시에, 갈륨의 원료로서 850℃ 정도로 가열된 갈륨 단체 위에 염화 수소 가스를 0.03dm3/min의 유량으로 흐르게 함으로써 얻은 염화 갈륨 가스를 공급하여 GaN 기판을 성장시켰다. 그리고, 캐리어 가스에는 질소 가스를 사용하고, 그 유량을 1dm3/min으로 했다. 이어서, 냉각한 후, 레이저 광을 조사하여, 그 반사 각도를 측정함으로써 기판(12)의 곡률을 구했다.
이들 실험으로부터 실측에 의해 얻어진 성장용 기체(11)의 두께(t1)와 기판(12)의 두께(t2)와 곡률(K)과의 관계는 도 6에 나타낸 모델 계산과 매우 양호하게 정합(整合)되어 있는 것이 확인되었다. 또, 도 7에 나타낸 것 같이, 곡률 0.03cm-1이 클랙 발생의 임계점이며, 기판(12)의 곡률(K)이 그 이하이면 기판(12)에 크랙은 발생하지 않았다.
즉, 성장용 기체(11)의 두께(t1)에 대한 기판(12)의 두께(t2)를 기판(12)의 곡률(K)이 0.03cm-1이하로 되도록 하면, 기판(12)에 크랙이 발생하지 않고, 양질의 기판(12)이 얻어지는 것을 알 수 있었다. 또, 성장용 기체(11)의 두께를 얇게 한쪽이 기판(1)의 두께를 두껍게 하는 경우에 있어서, 기판(12)의 곡률(K)을 작게 할 수 있는 것도 알 수 있었다. 특히, 성장용 기체(11)의 두께(t1)를 100㎛ 이하로 하면, 기판(12)의 두께를 600㎛ 정도로 필요 이상으로 두껍게 하지 않아도, 기판(12)의 곡률(K)을 용이하게 0.03cm-1이하, 나아가서는 0.25cm-1이하로 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 그리고, 여기에서는 구체적으로는 설명하지 않지만, 사파이어 이외의 화합물로 이루어지는 성장용 기체(11)를 사용하는 경우에 대해서도 동일한 결과가 얻어진다.
[제2 실시 형태]
본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판의 제조 방법은 하이드라이드 기상 성장법에 대신하여 MOCVD법에 의해 기판(12)을 성장시키는 것을 제외하고, 다른 것은 제1 실시 형태와 동일한 공정이다. 따라서, 여기에서는 제1 실시 형태와 동일한 부호를 붙이고, 제1 실시 형태와 다른 부분에 대해서만 설명한다.
본 실시 형태에서는, 기판(12)을 성장시킬 때, 먼저, 도시하지 않은 MOCVD 장치의 반응관 내부에 성장용 기체(11)를 탑재하고, 반응관 내에, 예를 들면 수소 가스(H2)와 질소 가스(N2)와의 혼합 가스를 캐리어 가스로서 공급하면서, 성장용 기체(11)를, 예를 들면, 1050℃로 가열한다. 이어서, 반응관의 내부에 질소의 원료로서, 예를 들면, 암모니아를 공급하는 동시에, 갈륨의 원료로서, 예를 들면, 트리메틸가륨(TMG; (CH3)3Ga) 또는 트리에틸갈륨(TEG; (C2H5)3Ga)을 공급하여 GaN으로 이루어지는 기판(12)을 성장시킨다.
이와 같이, MOCVD법에 의해 기판(12)을 성장시키는 경우라도, 성장용 기체(11)의 두께를 100㎛ 이하로 하고, 기판(12)의 두께를 200㎛ 이상으로 하는 동시에, 성장용 기체(11)와 기판(12)과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판(12)의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 하면, 제1 실시 형태와 동일하게 기판(12)에서의 크랙의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
이상, 실시 형태를 들어 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 여러가지로 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, GaN으로 이루어지는 기판(12)의 제조 방법을 구체예를 들어 설명했지만, 본 발명은 IIIB족 원소 중 적어도 1종과 VB족 원소 중 적어도 질소를 함유하는 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판을 제조할 때 널리 적용할 수 있다. 구체적으로는, AlGaN 혼정, InN, InGaN 혼정 또는 AlGaInN 혼정 등으로 이루어지는 기판을 제조할 때 적용할 수 있다.
이 때, 하이드라이드 기상 성장법 또는 할라이드 기상 성장법에 의해 성장시키는 경우에는, 알루미늄의 원료로서, 예를 들면, 알루미늄 단체를, 붕소의 원료로서, 예를 들면, 붕소 단체를, 인듐의 원료로서, 예를 들면, 인듐 단체를 각각 사용할 수 있다. 또, MOCVD법에 의해 성장시키는 경우에는, 알루미늄의 원료로서, 예를 들면, 트리메틸알루미늄((CH3)3Al)을, 붕소의 원료로서, 예를 들면, 트리에틸붕소((C2H5)3B)를, 인듐의 원료로서, 예를 들면, 트리메틸인듐((CH3)3In)을 각각 사용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 하이드라이드 기상 성장법 또는 할라이드 기상 성장법 또는 MOCVD법에 의해 기판(12)을 성장시키도록 했지만, 이들 이외의 다른 기상 성장(CVD(chemical vapor deposition) 또는 VPE(vapor phase epitaxy)법에 의해 성장시키도록 해도 된다.
또, 상기 실시 형태에서는, 성장용 기체(11)가 사파이어로 이루어지는 경우에는 그 c면에 기판(12)을 성장시키도록 했지만, c면 이외의 다른 면 방위에 성장시키도록 해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 6방정계의 결정 구조를 가지는 성장용 기체(11) 위에 기판(12)을 성장시키는 경우의 곡률(K)의 산출 방법을 구체예를 들어 설명했지만, 성장용 기체(11)가 다른 결정 구조를 가지는 경우라도 그 결정 구조에 따른 계산식을 사용하여 곡률의 이론값을 구할 수 있어, 동일하게 적용할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에서는, 보호막(13)을 2산화 규소에 의해 형성하도록 했지만, 질화 규소(SixNy)에 의해 형성하도록 해도 된다. 또, 웨트 에칭법에 의해 성장용 기체(11)를 제거하는 경우를 제외하고, 보호막(13)을 형성하지 않아도 된다.
이상 본 발명의 기판의 제조 방법에 대하여 설명한 것 같이, 성장용 기체의 두께를 100㎛ 이하로 하고, 기판의 두께를 200㎛ 이상으로 하는 동시에, 성장용 기체와 기판과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 했으므로, 기판에서의 크랙의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 양질의 기판을 얻을 수 있다.
특히, 본 발명의 기판의 제조 방법에서는, 성장용 기체를 제거하는 공정에서, 성장용 기체를 용이하게 제거할 수 있다.
전술한 것 같이, 본 발명에 대하여 설명했지만, 여러가지 변형 및 변경이 가능하며, 다음의 특허 청구의 범위 내에서 변경 및 변형을 가하여 실시할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. IIIB족 원소 중 적어도 1종과 VB족 원소 중 적어도 질소(N)를 함유하는 질화물계 III-V족 화합물로 이루어지는 기판의 제조 방법으로서,
    상기 기판을 두께 100㎛ 이하의 성장용 기체(基體)(base) 위에, 200㎛ 이상의 두께이며, 또한 성장용 기체와 기판과의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 기판의 곡률이 0.03cm-1이하로 되도록 성장시키는 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    사파이어, 탄화 규소, 스피넬, 갈륨 비소(砒素) 및 규소 중 어느 하나의 1종으로 이루어지는 상기 성장용 기체를 사용하는 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    질화 갈륨(GaN)으로 이루어지는 상기 기판을 성장시키는 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    하이드라이드 (hydride) 기상(氣相) 성장법, 할라이드(halide) 기상 성장법 또는 유기 금속 화학 기상 성장법에 의해 상기 기판을 성장시키는 기판의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    불순물을 첨가하면서 상기 기판을 성장시키는 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 불순물로서, 탄소(C), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 유황(S), 셀렌(Se) 및 텔루르(Te)로 이루어지는 군(群) 중 적어도 1종, 또는 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어지는 군 중 적어도 1종을 첨가하는 기판의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 성장용 기체를 제거하는 공정을 추가로 포함하는 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    에칭, 래핑(lapping) 또는 가열 처리에 의해 상기 성장용 기체를 제거하는 기판의 제조 방법
  9. 제7항에 있어서,
    상기 성장용 기체를 제거하는 공정 전에 상기 기판을 피복하도록 보호막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 기판의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면을 평탄화하는 공정을 추가로 포함하는 기판의 제조 방법.
KR1020010022369A 2000-04-27 2001-04-25 기판의 제조 방법 KR100803709B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-128325 2000-04-27
JP2000128325A JP4396793B2 (ja) 2000-04-27 2000-04-27 基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010098879A true KR20010098879A (ko) 2001-11-08
KR100803709B1 KR100803709B1 (ko) 2008-02-15

Family

ID=18637781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010022369A KR100803709B1 (ko) 2000-04-27 2001-04-25 기판의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6852253B2 (ko)
JP (1) JP4396793B2 (ko)
KR (1) KR100803709B1 (ko)
TW (1) TWI252501B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004048454B4 (de) * 2004-10-05 2008-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Volumenkristallen oder-Kristallschichten aus Metallschmelzen
US7560364B2 (en) * 2006-05-05 2009-07-14 Applied Materials, Inc. Dislocation-specific lateral epitaxial overgrowth to reduce dislocation density of nitride films
JP5047561B2 (ja) * 2006-08-11 2012-10-10 国立大学法人三重大学 積層体からの基材層除去方法およびこれを用いてＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物単結晶の自立基板を作製する方法
EP2094439A2 (en) 2006-12-28 2009-09-02 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
US8740670B2 (en) 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP5344180B2 (ja) * 2008-02-08 2013-11-20 株式会社ニコン 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法
JP2009190936A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP4416044B1 (ja) 2008-10-07 2010-02-17 住友電気工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法、窒化物系半導体素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハを作製する方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window
US9232672B2 (en) 2013-01-10 2016-01-05 Apple Inc. Ceramic insert control mechanism
US9678540B2 (en) 2013-09-23 2017-06-13 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9632537B2 (en) 2013-09-23 2017-04-25 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9225056B2 (en) 2014-02-12 2015-12-29 Apple Inc. Antenna on sapphire structure
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH111399A (ja) * 1996-12-05 1999-01-06 Lg Electron Inc 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
JP3292083B2 (ja) 1997-03-11 2002-06-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
US6252261B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-26 Nec Corporation GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor
JP2000128325A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Nichiei Kiko Kk 粉粒体船積み用搬送システムの船倉口接続シュート
US6211095B1 (en) * 1998-12-23 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Method for relieving lattice mismatch stress in semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
US6852253B2 (en) 2005-02-08
US20020016069A1 (en) 2002-02-07
TWI252501B (en) 2006-04-01
JP2001313255A (ja) 2001-11-09
KR100803709B1 (ko) 2008-02-15
JP4396793B2 (ja) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100743209B1 (ko) 질화물계 ⅲ-ⅴ족 화합물층의 제조방법 및 그것을 사용한기판의 제조방법
KR100629558B1 (ko) ＧａＮ단결정기판 및 그 제조방법
KR100523492B1 (ko) 질화물ⅲ-ⅴ족화합물반도체층의성장방법및질화물ⅲ-ⅴ족화합물반도체기판의제조방법
JP4932121B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法
KR100803709B1 (ko) 기판의 제조 방법
JP5638198B2 (ja) ミスカット基板上のレーザダイオード配向
KR20060043770A (ko) ＧａＮ 단결정 기판의 제조 방법 및 ＧａＮ 단결정 기판
JP2006052102A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体
JP2009505938A (ja) 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層
JPH11135832A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
JP3795765B2 (ja) 化合物半導体基板の製造方法
JP5065625B2 (ja) ＧａＮ単結晶基板の製造方法
JP5051455B2 (ja) エピタキシャル成長用窒化物半導体基板の製造方法
JP4811376B2 (ja) 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層およびそれを用いた基板
JP2006290697A (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法
KR100586940B1 (ko) 질화갈륨계 단결정 기판의 제조방법
JPH1179897A (ja) 窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法
JP4123482B2 (ja) 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層およびそれを用いた基板
US7112243B2 (en) Method for producing Group III nitride compound semiconductor
JP4810517B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板
JP2019077602A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板及びｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP2001313254A (ja) 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140124

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee