JP2001313255A - 基板の製造方法 - Google Patents

基板の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クラックが少ない良質な基板を得ることがで
きる基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる厚さ１００μｍ以下
の成長用基体１１の上に、成長用基体１１を加熱しつつ
ＧａＮよりなる基板１２を成長させ、放冷する。その
際、成長させる基板１２の厚さを、２００μｍ以上でか
つ成長用基体１１と基板１２との熱膨張率の差により生
じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるように
する。これにより、基板１２が成長後の放冷により反っ
てしまっても、基板１２におけるクラックの発生が防止
され、良質な基板１２が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３Ｂ族元素のうち
の少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素
（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクなど
においては、記録・再生の高密度化または高解像度化の
要求が高まっており、それを実現するために、緑色波長
帯域ないし紫外領域の短波長域で発光可能な半導体発光
素子の研究が活発に行われている。このような短波長域
で発光可能な半導体素子を構成するのに適した材料とし
ては、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＧａＩｎＮ混晶
に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が知ら
れている（Jpn.J.Appl.Phys.,30(1991),L1998 ）。
【０００３】一般に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体を用いた発光素子は、有機金属化学気相成長（metal
organic chemical vapor deposition ；ＭＯＣＶＤ）法
あるいは分子線エピタキシー（molecular beam epitax
y；ＭＢＥ）法などを用いて、基板の上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより製造さ
れている。その際、基板には、主にサファイア（α−Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）基板あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板が使
用されている。
【０００４】しかし、サファイア基板あるいは炭化ケイ
素基板を用いると、格子定数および熱膨張率の違いによ
り、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中には欠陥あ
るいはクラック（割れ）が発生してしまう。また、半導
体発光素子として半導体レーザ（laser diode ；ＬＤ）
を製造する場合には、共振器端面を劈開により形成する
ことが難しい。そこで、このような問題が発生しない窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の開発が望まれている。
【０００５】ところが、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基
板の製造に際しては、窒素の蒸気圧が高いため、シリコ
ン（Ｓｉ）基板やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を製造
する場合に一般的に用いられる方法を用いることができ
ない。一般的な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の製造
方法としては、サファイアあるいはガリウムヒ素よりな
る成長用基体の上に、ＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法あるいは
ハイドライド気相成長法により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物基板を成長させる方法が知られている。中でも、ハ
イドライド気相成長法を用いれば、１時間当たり数μｍ
〜数百μｍ成長させることができるので、短時間で基板
として使用可能な厚さまで成長させることができ、既に
この方法によりＧａＮ基板を得たとの報告がなされてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに成長用基体の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板
を成長させる方法では、基板として使用可能な程度の厚
さまで成長させると、成長用基体と窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物基板との熱膨張率の差により窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物基板にクラックが発生してしまうなどの問題
があった。よって、良質な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層を成長させるための基板としては、不十分なも
のしか得られなかった。
【０００７】なお、特開平１０−２５６６６２号公報に
は、厚さ１ｍｍ以上と厚くしたサファイアよりなる成長
用基体の上にＧａＮ基板を薄く３００μｍ程度成長させ
たのち、研磨により成長用基体を除去する方法が開示さ
れている。この方法では、成長用基体の厚さを大きくす
ることにより、成長中に加熱により生じる成長用基体の
反りを抑制し、それに伴うＧａＮ基板の結晶性の劣化を
防止するようになっている。しかし、成長用基体を除去
する途中で、成長用基体が薄くなるに従って応力が増大
し、ＧａＮ基板にクラックまたは欠損が生じてしまうと
いう問題があった。また、成長用基体が１ｍｍ以上と厚
いので、その除去が難しかった。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、クラックが少ない良質な基板を得る
ことができる基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による基板の製造
方法は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元
素のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物よりなる基板の製造方法であって、基板を、厚
さ１００μｍ以下の成長用基体の上に、２００μｍ以上
の厚さでかつ成長用基体と基板との熱膨張率の差により
生じる基板の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるように成
長させるようしたものである。
【００１０】本発明による基板の製造方法では、厚さ１
００μｍ以下の成長用基体の上に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物よりなる基板が２００μｍ以上成長する。よっ
て、基板におけるクラックなどの発生が効果的に防止さ
れ、良質な基板が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】［第１の実施の形態］図１ないし図５は、
本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方法の製造
工程を表すものである。この基板の製造方法は、例えば
ＧａＮ（窒化ガリウム）よりなる基板を製造するもので
ある。なお、この基板は、必要に応じて不純物を含む場
合もある。
【００１３】本実施の形態では、まず、図１に示したよ
うに、例えば、サファイア，炭化ケイ素，スピネル，ガ
リウムヒ素あるいはケイ素よりなる厚さ１００μｍ以
下、例えば６０μｍの成長用基体１１を用意し、この成
長用基体１１を有機溶剤により洗浄する。
【００１４】次いで、図２に示したように、成長用基体
１１の上（サファイアよりなる場合は、例えばｃ面上）
に、例えば、ハイドライド気相成長法またはハライド気
相成長法を用いて成長用基体１１を加熱しつつＧａＮよ
りなる基板１２を成長させ、放冷する。なお、ハイドラ
イド気相成長法とは、ハイドライド（水素化物）が反応
もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことで
ある。また、ハライド気相成長法とは、ハライド（ハロ
ゲン化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気
相成長法のことである。具体的には、図示しないサセプ
タの上に成長用基体１１を載置して成長用基体１１を１
０００℃程度まで加熱し、キャリアガスとしての窒素ガ
ス（Ｎ2 ）を流しつつ、窒素の原料としてアンモニアガ
ス（ＮＨ 3 ）を供給すると共に、ガリウムの原料とし
て、８５０℃程度に加熱されたガリウム単体（金属ガリ
ウム）上に塩化水素ガス（ＨＣｌ）を流すことにより得
られる塩化ガリウムガス（ＧａＣｌ）を供給して基板１
２を成長させる。なお、この場合、原料ガスとして塩化
水素ガスを用いているので、ハイドライド気相成長であ
り、ハライド気相成長でもある。
【００１５】このとき、成長させる基板１２の厚さを、
２００μｍ以上でかつ成長用基体１１と基板１２との熱
膨張率の差により生じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ
-1以下となるようにする。ここで、基板１２の曲率Ｋと
は、成長後の放冷により生じるものであり、成長用基体
１１との隣接面の曲率のことを指す。具体的には、成長
用基体１１がサファイアあるいは炭化ケイ素などのほぼ
六方晶系の結晶構造を有するものよりなる場合には、下
記の数１に示した式により算出される。
【００１６】
【数１】
【００１７】また、成長用基体１１がスピネル，ガリウ
ムヒ素あるいはケイ素などの立方晶系の結晶構造を有す
るものよりなる場合には、数１とは異なるが他の数式を
用い、同様にして算出される。
【００１８】基板１２を成長させた後の放冷により、基
板１２には成長用基体１１との熱膨張率の違いによって
反りが生ずるが、本実施の形態では、成長用基体１１の
厚さを１００μｍ以下とし、かつ基板１２の厚さを２０
０μｍ以上とすることにより、反りによる応力を成長用
基体１１に集中させ、成長用基体１１の方にクラックが
生じるようにすると共に、基板１２の曲率Ｋが０．０３
ｃｍ-1以下となるように成長用基体１１に対する基板１
２の厚さを調整することにより基板１２にクラックが発
生することを防止するようになっている。よって、本実
施の形態では、基板１２を成長させた後に放冷しても、
基板１２におけるクラックの発生が防止され、良質な基
板１２が得られる。
【００１９】また、基板１２の厚さを２００μｍ以上と
することにより、この基板１２を用いてデバイスなどを
作製する際の基板１２の操作性を向上させるようにもな
っている。なお、成長用基体１１に対する基板１２の厚
さを、基板１２の曲率が０．０２５ｃｍ-1以下となるよ
うにすれば、基板１２におけるクラックの発生をより効
果的に防止することができるので好ましい。
【００２０】なお、この基板１２に不純物を含ませる場
合には、不純物を添加して基板１２を成長させる。不純
物としては、例えば、ＩＶ族元素である炭素（Ｃ），ケ
イ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓ
ｎ）と、ＶＩ族元素である硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ）
およびテルル（Ｔｅ）とからなる群のうちの少なくとも
１種の元素を添加する。また、ＩＩ族元素であるベリリ
ウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃ
ａ），亜鉛（Ｚｎ）およびカドミウム（Ｃｄ）と、ＩＶ
族元素である炭素，ケイ素，ゲルマニウムおよびスズと
からなる群のうちの少なくとも１種の元素を添加するよ
うにしてもよい。
【００２１】また、ハイドライド気相成長法またはハラ
イド気相成長法により基板１２を成長させる際の窒素の
原料には、アンモニアの代わりに、ヒドラジン，モノメ
チルヒドラジンまたはジメチルヒドラジンなどの一般式
がＮ2 Ｒ4 （但し、Ｒは、水素原子またはアルキル基を
表す。）で示されるヒドラジン系の原料や有機アミンを
用いるようにしてもよい。このような有機アミンとして
は、例えば、第１級アミンであるプロピルアミン，イソ
プロピルアミン，ブチルアミン，イソブチルアミン，ｔ
−ブチルアミンあるいは第二ブチルアミン、第２級アミ
ンであるジプロピルアミン，ジイソプロピルアミン，ジ
ブチルアミン，ジイソブチルアミン，ジｔ−ブチルアミ
ンあるいはジ第二ブチルアミン、または第３級アミンで
あるトリプロピルアミン，トリイソプロピルアミン，ト
リブチルアミン，トリイソブチルアミン，トリｔ−ブチ
ルアミン，トリ第二ブチルアミン，トリアリルアミン，
トリエチルアミン，ジイソプロピルメチルアミン，ジプ
ロピルメチルアミン，ジブチルメチルアミン，ジイソブ
チルメチルアミン，ジ第二ブチルメチルアミンあるいは
ジｔ−ブチルメチルアミンなどが挙げられる。
【００２２】更に、ハイドライドまたはハライドには、
塩化水素の代わりに、フッ化水素（ＨＦ)，臭化水素
（ＨＢｒ）あるいはヨウ化水素（ＨＩ）を用いるように
してもよい。キャリアガスには、窒素ガスの代わりに、
ヘリウムガス（Ｈｅ）あるいはアルゴンガス（Ａｒ）な
どの不活性ガスをキャリアガスとして用いるようにして
もよいし、必要に応じて水素ガス（Ｈ2 ）または水素ガ
スを含む混合ガスを用いるようにしてもよい。
【００２３】基板１２を成長させて放冷したのち、図３
に示したように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ；化学気相成長）法により基板１２を覆うよう
に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる保護膜１３を形成
する。
【００２４】次いで、図４に示したように、成長用基体
１１を除去する。これにより、基板１２の反りはなくな
り、平坦なものとなる。具体的には、成長用基体１１が
サファイアよりなる場合には、例えば、リン酸（Ｈ3 Ｐ
Ｏ4 ）と硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）とを１：１（体積比）の割
合で含むエッチング液を用いて、２８５℃の温度でウェ
ットエッチングを行うことにより除去する。ここでは、
成長用基体１１の厚さが１００μｍ以下と薄いので、容
易に除去されると共に、除去工程において基板１２に応
力がかかりクラックが発生してしまうことが防止され
る。また、上述したように成長用基体１１にクラックが
生じている場合には、より容易に除去されると共に、こ
の工程以前において成長用基体１１の一部が欠損してい
る場合もあり、その場合には更に容易に除去される。な
お、基板１２は保護膜１３により覆われているので、エ
ッチング時に損傷を受けたり、汚染される可能性が少な
い。
【００２５】成長用基体１１の除去は、また、ドライエ
ッチングあるいはラッピングにより行うようにしてもよ
い。ドライエッチングにより除去する場合には、エッチ
ングガスとして例えば塩素ガス（Ｃｌ2 ）を用いて行
う。また、ラッピングにより除去する場合には、例えば
ダイヤモンド研磨粉を用いて行う。
【００２６】成長用基体１１の除去は、更に、基板１２
が形成された成長用基体１１を例えば加熱および冷却
し、基板１２と成長用基体１１とを分離することにより
行うようにしてもよい。この方法は、成長用基体１１と
基板１２との熱膨張率の差に起因して生じる応力を利用
するものである。具体的には、成長用基体１１を、例え
ば赤外線加熱炉の反応管の内部に設置し、成長用基体１
１を例えば８００℃になるまで加熱したのち、更に冷却
することにより、基板１２と成長用基体１１とを分離す
る。なお、この場合、上述したエッチングあるいはラッ
ピングなどを併用して分離するようにしてもよい。ま
た、加熱方法としては、赤外線加熱炉を用いた加熱以外
にも、ヒータ加熱や高周波誘導加熱などを適用するよう
にしてもよい。
【００２７】成長用基体１１を除去したのち、図５に示
したように、例えば、フッ酸（ＨＦ）を含むエッチング
液を用いて、保護膜１３を除去する。そののち、必要に
応じて、基板１２の表面を平坦化処理する。平坦化処理
は、具体的には、例えば、気相エッチング法あるいは液
相化学エッチング法を用いて表面をエッチングするか、
または機械的化学ポリッシング法を用いて表面研磨する
ことにより行う。この平坦化処理により、表面が平坦化
され、基板１２の上に結晶性に優れた窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層などを容易に成長させることができ
るようになる。以上により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
よりなる基板１２が得られる。
【００２８】このように本実施の形態に係る基板の製造
方法によれば、成長用基体１１の厚さを１００μｍ以下
とし、基板１２の厚さを２００μｍ以上とすると共に、
基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下となるようにした
ので、基板１２におけるクラックの発生を効果的に防止
することができる。よって、良質な基板１２を得ること
ができる。また、成長用基体１１を容易に除去すること
ができる。
【００２９】更に、不純物を注入することにより導電性
の基板１２とすれば、半導体発光素子作製時などに用い
る場合に、基板１２の表面側と裏面側とに一対の電極を
それぞれ配設することができる。また、半導体発光素子
として半導体レーザを作製する場合には、共振器端面を
劈開により容易に形成することができる。
【００３０】なお、成長用基体１１の厚さと基板１２の
厚さと基板１２の曲率Ｋとの関係、および基板１２の曲
率Ｋを０．０３ｃｍ-1以下とすることにより得られる効
果について、具体的なモデル計算および実験例に基づき
説明する。
【００３１】図６は、数１に示した式に、表１に示した
値をそれぞれ代入し（Jpn.J.Appl.Phys.,32(1993),p152
8-1533参照）、サファイアよりなる成長用基体１１の厚
さｔ 1 を種々変化させた場合の、ＧａＮよりなる基板１
２の厚さｔ2 と曲率Ｋとの関係を表すものである。ま
た、図７は図６の一部を拡大して表すものである。図６
および図７において、縦軸は曲率Ｋ（単位；ｃｍ-1）を
示し、横軸は基板１２の厚さｔ2 （単位；μｍ）を示し
ている。
【００３２】
【表１】
【００３３】ここでは、図６に示したモデル計算に対応
して、厚さを種々変化させたサファイアよりなる成長用
基体１１の上に、ハイドライド気相成長法により厚さを
種々変化させたＧａＮよりなる基板１２を成長させ、曲
率Ｋを求めた。具体的には、まず、成長用基体１１を１
０００℃程度まで加熱し、窒素の原料としてアンモニア
ガスを１ｄｍ3 ／ｍｉｎの流量で供給すると共に、ガリ
ウムの原料として、８５０℃程度に加熱されたガリウム
単体上に塩化水素ガスを０．０３ｄｍ3 ／ｍｉｎの流量
で流すことにより得た塩化ガリウムガスを供給し、Ｇａ
Ｎ基板を成長させた。なお、キャリアガスには窒素ガス
を用い、その流量を１ｄｍ3 ／ｍｉｎとした。次いで、
放冷したのち、レーザ光を照射し、その反射角度を測定
することにより基板１２の曲率を求めた。
【００３４】これらの実験から、実測により得られた成
長用基体１１の厚さｔ1 と基板１２の厚さｔ2 と曲率Ｋ
との関係は、図６に示したモデル計算と非常に良く整合
していることが確認された。また、図７に示したよう
に、曲率０．０３ｃｍ-1がクラック発生の臨界点であ
り、基板１２の曲率Ｋがそれ以下であれば基板１２にク
ラックは生じていなかった。
【００３５】すなわち、成長用基体１１の厚さｔ1 対す
る基板１２の厚さｔ2 を基板１２の曲率Ｋが０．０３ｃ
ｍ-1以下となるようにすれば、基板１２にクラックが発
生することがなく、良質な基板１２を得られることが分
かった。また、成長用基体１１の厚さを薄くした方が、
基板１２の厚さを厚くする場合において、基板１２の曲
率Ｋを小さくできることも分かった。特に、成長用基体
１１の厚さｔ1 を１００μｍ以下とすれば、基板１２の
厚さを６００μｍ程度と必要以上に厚くしなくても、基
板１２の曲率Ｋを容易に０．０３ｃｍ-1以下、更には
０．０２５ｃｍ-1以下とできることが分かった。なお、
ここでは具体的には説明しないが、サファイア以外の化
合物よりなる成長用基体１１を用いる場合についても同
様の結果が得られる。
【００３６】［第２の実施の形態］本発明の第２の実施
の形態に係る基板の製造方法は、ハイドライド気相成長
法に代えてＭＯＣＶＤ法により基板１２を成長させるこ
とを除き、他は第１の実施の形態と同様の工程である。
よって、ここでは第１の実施の形態と同一の符号を付
し、第１の実施の形態と異なる部分についてのみ説明す
る。
【００３７】本実施の形態では、基板１２を成長させる
際、まず、図示しないＭＯＣＶＤ装置の反応管の内部に
成長用基体１１を載置し、反応管内に、例えば水素ガス
（Ｈ 2 ）と窒素ガス（Ｎ2 ）との混合ガスをキャリアガ
スとして供給しつつ、成長用基体１１を例えば１０５０
℃に加熱する。次いで、反応管の内部に、窒素の原料と
して例えばアンモニアを供給すると共に、ガリウムの原
料として例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ；（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ；
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）を供給してＧａＮよりなる基板１
２を成長させる。
【００３８】このように、ＭＯＣＶＤ法により基板１２
を成長させる場合であっても、成長用基体１１の厚さを
１００μｍ以下とし、基板１２の厚さを２００μｍ以上
とすると共に、成長用基体１１と基板１２との熱膨張率
の差により生じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ-1以下
となるようにすれば、第１の実施の形態と同様に基板１
２におけるクラックの発生を効果的に防止することがで
きる。
【００３９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、ＧａＮよりなる基板１２の製造方法を具体例に挙げ
て説明したが、本発明は、３Ｂ族元素のうちの少なくと
も１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素とを含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板を製造する際
に、広く適用することができる。具体的には、ＡｌＧａ
Ｎ混晶，ＩｎＮ，ＩｎＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎ
Ｎ混晶などよりなる基板を製造する際に適用することが
できる。
【００４０】その際、ハイドライド気相成長法またはハ
ライド気相成長法により成長させる場合には、アルミニ
ウムの原料として例えばアルミニウム単体を、ホウ素の
原料として例えばホウ素単体を、インジウムの原料とし
て例えばインジウム単体をそれぞれ用いることができ
る。また、ＭＯＣＶＤ法により成長させる場合には、ア
ルミニウムの原料として例えばトリメチルアルミニウム
（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）を、ホウ素の原料として例えばト
リエチルホウ素（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｂ）を、インジウムの
原料として例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3
Ｉｎ）をそれぞれ用いることができる。
【００４１】更に、上記実施の形態では、ハイドライド
気相成長法またはハライド気相成長法またはＭＯＣＶＤ
法により基板１２を成長させるようにしたが、これら以
外の他の気相成長（ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）またはＶＰＥ（Vapor Phase Epitaxy ））法により
成長させるようにしてもよい。
【００４２】また、上記実施の形態では、成長用基体１
１がサファイアよりなる場合にはそのｃ面に基板１２を
成長させるようにしたが、ｃ面以外の他の面方位に成長
させるようにしてもよい。
【００４３】更に、上記実施の形態では、六方晶系の結
晶構造を有する成長用基体１１の上に基板１２を成長さ
せる場合の曲率Ｋの算出方法を具体例に挙げて説明した
が、成長用基体１１が他の結晶構造を有する場合であっ
てもその結晶構造に応じた計算式を用いて曲率の理論値
を求めることができ、同様に適用することができる。
【００４４】加えて、上記実施の形態では、保護膜１３
を二酸化ケイ素により形成するようにしたが、窒化ケイ
素（Ｓｉx Ｎy ）により形成するようにしてもよい。ま
た、ウェットエッチング法により成長用基体１１を除去
する場合を除き、保護膜１３を形成しなくてもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項１０のいずれか１項に記載の基板の製造方法によれ
ば、成長用基体の厚さを１００μｍ以下とし、基板の厚
さを２００μｍ以上とすると共に、成長用基体と基板と
の熱膨張率の差により生じる基板の曲率が０．０３ｃｍ
-1以下となるようにしたので、基板におけるクラックの
発生を効果的に防止することができる。よって、良質な
基板を得ることができるという効果を奏する。
【００４６】特に、請求項７ないし請求項９のいずれか
１項に記載の基板の製造方法では、成長用基体を除去す
る工程において、容易に除去することができるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方
法の製造工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図３】図２に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図４】図３に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図５】図４に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方
法を用いて製造される基板の厚さと曲率との関係を表す
特性図である。
【図７】図６の一部を拡大して表す特性図である。
【符号の説明】
１１…成長用基体、１２…基板、１３…保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA05 AA13 AA18 AA20 BA01 BA03 BA08 BA09 BA16 BA21 BA24 BA27 BA29 BA38 BA55 BA56 CA04 CA05 DA08 JA01 LA14 5F045 AA04 AB14 AC01 AC12 AC13 AC16 AC17 AF02 AF04 AF09 AF11 BB11 DA69 HA12

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５
    Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる基板の製造方法であっ
    て、 前記基板を、厚さ１００μｍ以下の成長用基体の上に、
    ２００μｍ以上の厚さでかつ成長用基体と基板との熱膨
    張率の差により生じる基板の曲率が０．０３ｃｍ-1以下
    となるように成長させることを特徴とする基板の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 サファイア，炭化ケイ素，スピネル，ガ
    リウムヒ素およびケイ素のうちのいずれか１種よりなる
    成長用基体を用いることを特徴とする請求項１記載の基
    板の製造方法。
  3. 【請求項３】 窒化ガリウム（ＧａＮ）よりなる基板を
    成長させることを特徴とする請求項１記載の基板の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 ハイドライド気相成長法またはハライド
    気相成長法または有機金属化学気相成長法により基板を
    成長させることを特徴とする請求項１記載の基板の製造
    方法。
  5. 【請求項５】 不純物を添加しつつ基板を成長させるこ
    とを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 不純物として、炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓ
    ｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種、または炭素，ケイ素，ゲル
    マニウム，スズ，ベリリウム（Ｂｅ），マグネシウム
    （Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），亜鉛（Ｚｎ）およびカ
    ドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少なくとも１種を
    添加することを特徴とする請求項５記載の基板の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 更に、成長用基体を除去する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 エッチングまたはラッピングまたは加熱
    処理を行うことにより成長用基体を除去することを特徴
    とする請求項７記載の基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記成長用基体を除去する工程の前に、
    更に、基板を覆うように保護膜を形成する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項７記載の基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 更に、基板の表面を平坦化する工程を
    含むことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
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