JP4394872B2 - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は荷電粒子ビーム露光方法に関するものであり、例えば、ブロックマスクを用いた電子ビーム露光方法における電子ビーム照射履歴によるブロックマスクの変形を補正するための手法に特徴ある荷電粒子ビーム露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置においては、スループット向上のため第２スリット部に所望とするパターンの基本形状の開口を複数有するブロックマスクを設け、露光時に必要とする開口にビームを偏向して、パターンを形成していくブロック露光／セルプロジェクションという露光方式がある。
【０００３】
この場合、必要とする開口の選択は、ブロックマスクの前段に設けられた偏向器によってデータに応じて電子ビームを偏向することによって行われる。
この場合の偏向位置は、予め調整時に補正係数等を求め正確にその位置に偏向されるようにしてある。
【０００４】
ここで、図９乃至図１１を参照して、ブロック露光の一例を説明する（例えば、特許文献１参照）。
図９参照
図９は、ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置の概念的構成図であり、最上部には電子ビームの発生源である電子銃２１が設けられると共に、次段には、電子ビームを所定断面形状で通過させる開口部を有する第１スリット２２が設けられている。
【０００５】
第１スリット２２で例えば矩形に整形された電子ビームは電磁レンズ２３で収束されたのち、偏向器２４で第２スリットとなるブロックマスク１０に設けられた所定の透過孔群１１に設けられた可変矩形開口やブロック開口等の開口部を選択するように偏向され、次いで、電磁レンズ２５で集束されたのちブロックマスク１０に設けられた所定の透過孔群１１に設けられた開口部を通過する。
【０００６】
透過孔群１１に設けられた開口部を通過した電子ビームは、電磁レンズ２６で集束されたのち、偏向器２７によってコラム軸に戻され、次いで、ブランキング２８において、所定のブランキング信号に応じて遮断或いは通過されることになる。
【０００７】
ブランキング２８を通過した電子ビームは電磁レンズ２９で収束されてラウンドアパーチャ３０に設けた開口部を通過したのち、電磁レンズ３１によって集束され、次いで、副偏向器３２及び主偏向器３３によって所定の位置に偏向されて電磁レンズ３４によって試料３６に照射される。
なお、主偏向器３３の下部には反射電子検出器３５が設けられている。
【０００８】
図１０（ａ）参照
図１０（ａ）は、ブロックマスクの概念的構成図であり、ブロックマスク１０には、可変矩形形成用の開口及び所定の基本回路パターンを形成した開口からなる透過孔群１１が設けられている。
【０００９】
図１０（ｂ）参照
図１０（ｂ）は、ブロックマスク１０に形成されている透過孔群１１の具体的構成の一例を示す図であり、透過孔群１１の四隅には可変矩形開口１２が設けられ、また、中央部に設けられたブロック開口１３には、半導体デバイスを構成するための基本回路パターン開口が形成されており、この基本回路パターン開口及び可変矩形開口１２を組み合わせ或いは繰り返して選択して露光することによって、所望のパターンを形成する。
【００１０】
なお、透過孔群１１は、偏向器２４で偏向可能な領域であり、透過孔郡間の移動は、機械的移動手段によって行われる。
【００１１】
図１１参照
図１１は、ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置のシステム構成図であり、コラム５１及び露光室５２からなる電子ビーム露光装置の装置本体部５０は、ＸＹステージ防振装置５３上に固定され、ステージ制御装置５４を介して、制御用ＥＷＳ（エンジニアリングワークステーション）７０によって、試料３６を載置したＸＹステージ３７を駆動制御する。
なお、この制御用ＥＷＳ７０には、表示部７１、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ装置）７２、ＣＭＴ（カートリッジ磁気テープ）７３、及び、メモリ部７４等が設けられている。
【００１２】
また、コラム５１には、ＥＯＳ５５を介して電子銃や各電磁レンズに電源電流が加えられるとともに、デジタル制御部５６及びアナログ回路６１を介して各偏向器に電流が加えられる。
【００１３】
この場合、デジタル制御部５６は、バッファメモリ５７、パターンジェネレータＰＧ５８、パターンコレクタＰＣ５９、および、補正メモリ６０等で構成され、また、アナログ回路６１は、Ｄ／Ａ変換器（ＤＡＣ）６２及び増幅器（ＡＭＰ）６３等により構成される。
【００１４】
また、制御用ＥＷＳ７０により制御されるマーク検出部６４により、試料３６に設けられたマークを検出して電子ビームのサイズ等を測定する。
また、制御用ＥＷＳ７０により制御される搬送制御部６５により、試料３６の露光室５２内への搬入、露光室５２からの搬出を行う。
【００１５】
【特許文献１】
特開平１１−２２４６４２号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ブロックマスクには絶えず電子ビームが照射されており、その影響でブロックマスク自体の変形、膨張、或いは、移動等が起こってしまうという問題がある。
なお、各開口部においては、抜けパターン部では、電子ビームはそのまま下に透過する。
【００１７】
すると、予め調整してあった照射位置( 偏向位置) から開口位置が移動し所望の開口パターンの全体を照射出来なくなってしまう問題が発生する。
【００１８】
また、開口パターンの一部にビームを照射して汎用性を持たせた使用方法であると、所望パターン寸法が得られなくなったり、パターン繋ぎ部が離れたり、オーバーラップし過ぎたりしてしまう問題が生じる。
【００１９】
また、ブロックマスク内の一箇所のみの位置測定ではその部分での変化及び１ベクトル方向の補正しか出来ないという問題が生じていた。
【００２０】
したがって、本発明は、ブロックマスクの照射位置ズレをなくし精度良いパターンを形成することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、複数の基本回路パターンの開口３を有するブロックマスクを使用し、所望とするパターンに応じて選択的に基本回路パターンの開口３を照射してパターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、ビームサイズの変化測定可能な測定用開口２を複数個形成し、露光開始時及び露光中の任意の時間間隔毎に、前記複数の測定用開口２上のビームサイズを測定して前記ブロックマスクの経時的変形量を求め、前記経時的変形量と前記複数の測定用開口２と前記基本回路パターンとの相互の位置関係に基づいて、偏向補正量を求め、前記偏向補正量を用いて偏向量を補正して前記ブロックマスクにビームを照射し、前記基本回路パターンを基板にパターンを露光することを特徴とする。
【００２２】
このように、ブロックマスクに、変化測定が可能な複数の測定用開口２を設けてることによって測定用開口２の位置の経時変化の正確な測定が可能になり、測定結果に基づいて偏向補正量を決定することによって精度の高い露光を高速に行うことができる。
【００２３】
この場合、測定用開口２としては、基本回路パターンの開口３の他に設けられている可変矩形形成用開口を用いることが望ましく、また、ビーム位置の測定は、試料上に照射されたビームのサイズ又は電流値を測定することによって行えば良い。
【００２４】
また、偏向補正量を求める場合には、各測定用開口位置における経時変化による変移量を、補間によって求めれば良い。
【００２６】
或いは、各露光パターン毎の各測定用開口位置の変移量を記憶しておき、露光時には各露光パターン毎に記憶した変移量に基づいて変動量を予測して、予測に基づいて補正を加えながら露光を行なっても良いものであり、それによって、露光中に位置変動の測定を行う必要はなくなる。
【００２７】
これらの場合、測定用開口２は、ブロックマスク透過孔群１の四隅に設けることが望ましいが、必ずしも四隅である必要はなく, 三隅或いは二隅でも良い。
【００２８】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図２参照
図２は、ブロックマスクに規則的に配置して設けた透過孔群１１の一例を表す概念的構成図であり、まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２を変移測定用開口Ａ〜Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ〜Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００２９】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ〜Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００３０】
例えば、各変移測定用開口Ａ〜Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘc ，ｄｙc ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ），Ｃ（１x ，１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｒx ×Ｙ＋ｈx ×Ｘ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｒy ×Ｘ＋ｈy ×Ｘ×Ｙ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ（拡縮），ｒ（回転），ｈ（台形），ｏ（オフセット）は、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ＋ｄｘc −ｄｘd ）／４ｌx
ｇy ＝（−ｄｙa −ｄｙb ＋ｄｙc ＋ｄｙd ）／４１y
ｒx ＝（−ｄｘa −ｄｘb ＋ｄｘc ＋ｄｘd ）／４ｌy
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ＋ｄｙc −ｄｙd ）／４ｌx
ｈx ＝（ｄｘa −ｄｘb ＋ｄｘc −ｄｘd ）／４（ｌx ×ｌy ）
ｈy ＝（ｄｙa −ｄｙb ＋ｄｙc −ｄｙd ） ／４（ｌx ×ｌy ）
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘb ＋ｄｘc ＋ｄｘd ）／４
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙb ＋ｄｙc ＋ｄｙd ）／４
となる。
【００３１】
この補正係数ｇ，ｒ，ｈ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
たとえば、所定の露光中で一度だけでも良いし、１０分毎に行っても良く、照射電子ビーム量に応じて適宜設定すれば良い。
【００３２】
このように、本発明の第１の実施の形態においては、ブロックマスクに設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２を利用して開口の変移量を測定し、測定結果に基づいて上述の補正係数をかけて偏向を行っているので、露光工程における経時的な透過孔群１１の変形を手早く精度良く補正することができ、露光工程のスループットを向上することができる。
【００３３】
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図３（ａ）及び（ｂ）参照
図３（ａ）は、ある露光工程における、電子ビームの累積露光量の透過孔群１１内における分布を模式的に示したもので、図３（ｂ）は、透過孔群１１に設けた各開口に対するショット数を示すショット回数データメモリであり、測定用開口Ａには１００００ショット、ブロック開口ｄ，ｅには１０００ショット、ブロック開口ｆには５００ショットの電子ビームが照射されたことを示している。
【００３４】
このように、電子ビームの照射位置に偏りがあるばあい、透過孔群１１、ひいては、ブロックマスク１０の面内変形は一様ではないので、露光するパターンデータにより偏向位置の頻度を記憶し、補正の掛け方を変える、即ち、照射頻度に応じて補正量の重み付けをする。
【００３５】
なお、補正の仕方は、予めある開口を使用し、ショット数と周辺開口の位置ズレ量の相関関係を求めておき、露光開始から現在までのショットに使用した開口でのショット数を順次メモリに貯えておき、この２つの情報を基にして図２に示した補正に、局所的に開口の使用頻度に応じた補正量を加算する。
【００３６】
次に、図４を参照して、本発明の第３の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、前回露光時のズレ量変化であり、この前回露光時のズレ量変化をメモリしておき、露光前に初期値のみを測定し、その測定値にメモリした前回露光時の情報を加えて露光する。
【００３７】
図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、前回露光時のズレ量変化であり、この前回露光時のズレ量変化を測定間隔の変動分として補正をかけ、測定毎に補正値を更新して露光する。
【００３８】
次に、図５を参照して、本発明の第４の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図５参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の内の３箇所を変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００３９】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４０】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｒx ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｒy ×Ｘ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ）／２ｌx
ｇy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙd ）／２１y
ｒx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘd ）／２ｌy
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ）／２ｌx
ｏx ＝（ｄｘb ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙb ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００４１】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が３箇所しかない場合も同様である。
【００４２】
次に、図６を参照して、本発明の第５の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図６参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ａ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００４３】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４４】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｒx ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙd ）／２１y
ｒx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘd ）／２ｌy
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００４５】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００４６】
次に、図７を参照して、本発明の第６の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図７参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ａ，Ｂとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｂに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００４７】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｂとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４８】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｂでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｏx
ｄｙ＝ｒy ×Ｘ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ）／２ｌx
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ）／２ｌx
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘb ）／２
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙb ）／２
となる。
【００４９】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００５０】
次に、図８を参照して、本発明の第７の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図８参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ｂ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ｂ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００５１】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ｂ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００５２】
例えば、各変移測定用開口Ｂ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＢ（１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｏx
ｄｙ＝ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｏは、
ｏx ＝（ｄｘb ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙb ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００５３】
この補正係数ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００５４】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては電子ビーム露光方法として説明しているが、電子ビームに限られるものではなく、各種のイオン等の荷電粒子ビーム露光方法にも適用されるものである。
【００５５】
また、上記の第４乃至第７の実施の形態においても、図３に示したように、ビーム照射頻度に基に重み付けして偏向補正量を求めるようにしても良いものである。
【００５６】
また、上記の第４乃至第７の実施の形態においても、図４に示したように、前回露光時のズレ量のデータをメモリしておき、この前回露光時のズレ量のデータを今回露光時の測定値に組み入れて偏向補正量を求めるようにしても良いものである。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、露光中のブロックマスクのビーム照射による熱等による変形での開口位置ズレの経時変化を測定し、補間によって偏向位置を補正することでマスク開口位置に正確にビームを照射することができるので、所望とするパターン寸法を安定して得ることができ、ひいては、荷電粒子ビーム露光の高速化、高精度化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図９】電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
【図１０】ブロックマスクの構成説明図である。
【図１１】ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置のシステム構成図である。
【符号の説明】
１ ブロックマスク透過孔群
２ 測定用開口
３ 基本パターンの開口
１０ ブロックマスク
１１ 透過孔群
１２ 可変矩形開口
１３ ブロック開口
２１ 電子銃
２２ 第１スリット
２３ 電磁レンズ
２４ 偏向器
２５ 電磁レンズ
２６ 電磁レンズ
２７ 偏向器
２８ ブランキング
２９ 電磁レンズ
３０ ラウンドアパーチャ
３１ 電磁レンズ
３２ 副偏向器
３３ 主偏向器
３４ 電磁レンズ
３５ 反射電子検出器
３６ 試料
３７ ＸＹステージ
５０ 装置本体部
５１ コラム
５２ 露光室
５３ ＸＹステージ防振装置
５４ ステージ制御装置
５５ ＥＯＳ
５６ デジタル制御部
５７ バッファメモリ
５８ パターンジェネレータ
５９ パターンコレクタ
６０ 補正メモリ
６１ アナログ回路
６２ Ｄ／Ａ変換器
６３ 増幅器
６４ マーク検出部
６５ 搬送制御部
７０ 制御用ＥＷＳ
７１ 表示部
７２ ＨＤＤ
７３ ＣＭＴ
７４ メモリ部
【発明の属する技術分野】
本発明は荷電粒子ビーム露光方法に関するものであり、例えば、ブロックマスクを用いた電子ビーム露光方法における電子ビーム照射履歴によるブロックマスクの変形を補正するための手法に特徴ある荷電粒子ビーム露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置においては、スループット向上のため第２スリット部に所望とするパターンの基本形状の開口を複数有するブロックマスクを設け、露光時に必要とする開口にビームを偏向して、パターンを形成していくブロック露光／セルプロジェクションという露光方式がある。
【０００３】
この場合、必要とする開口の選択は、ブロックマスクの前段に設けられた偏向器によってデータに応じて電子ビームを偏向することによって行われる。
この場合の偏向位置は、予め調整時に補正係数等を求め正確にその位置に偏向されるようにしてある。
【０００４】
ここで、図９乃至図１１を参照して、ブロック露光の一例を説明する（例えば、特許文献１参照）。
図９参照
図９は、ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置の概念的構成図であり、最上部には電子ビームの発生源である電子銃２１が設けられると共に、次段には、電子ビームを所定断面形状で通過させる開口部を有する第１スリット２２が設けられている。
【０００５】
第１スリット２２で例えば矩形に整形された電子ビームは電磁レンズ２３で収束されたのち、偏向器２４で第２スリットとなるブロックマスク１０に設けられた所定の透過孔群１１に設けられた可変矩形開口やブロック開口等の開口部を選択するように偏向され、次いで、電磁レンズ２５で集束されたのちブロックマスク１０に設けられた所定の透過孔群１１に設けられた開口部を通過する。
【０００６】
透過孔群１１に設けられた開口部を通過した電子ビームは、電磁レンズ２６で集束されたのち、偏向器２７によってコラム軸に戻され、次いで、ブランキング２８において、所定のブランキング信号に応じて遮断或いは通過されることになる。
【０００７】
ブランキング２８を通過した電子ビームは電磁レンズ２９で収束されてラウンドアパーチャ３０に設けた開口部を通過したのち、電磁レンズ３１によって集束され、次いで、副偏向器３２及び主偏向器３３によって所定の位置に偏向されて電磁レンズ３４によって試料３６に照射される。
なお、主偏向器３３の下部には反射電子検出器３５が設けられている。
【０００８】
図１０（ａ）参照
図１０（ａ）は、ブロックマスクの概念的構成図であり、ブロックマスク１０には、可変矩形形成用の開口及び所定の基本回路パターンを形成した開口からなる透過孔群１１が設けられている。
【０００９】
図１０（ｂ）参照
図１０（ｂ）は、ブロックマスク１０に形成されている透過孔群１１の具体的構成の一例を示す図であり、透過孔群１１の四隅には可変矩形開口１２が設けられ、また、中央部に設けられたブロック開口１３には、半導体デバイスを構成するための基本回路パターン開口が形成されており、この基本回路パターン開口及び可変矩形開口１２を組み合わせ或いは繰り返して選択して露光することによって、所望のパターンを形成する。
【００１０】
なお、透過孔群１１は、偏向器２４で偏向可能な領域であり、透過孔郡間の移動は、機械的移動手段によって行われる。
【００１１】
図１１参照
図１１は、ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置のシステム構成図であり、コラム５１及び露光室５２からなる電子ビーム露光装置の装置本体部５０は、ＸＹステージ防振装置５３上に固定され、ステージ制御装置５４を介して、制御用ＥＷＳ（エンジニアリングワークステーション）７０によって、試料３６を載置したＸＹステージ３７を駆動制御する。
なお、この制御用ＥＷＳ７０には、表示部７１、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ装置）７２、ＣＭＴ（カートリッジ磁気テープ）７３、及び、メモリ部７４等が設けられている。
【００１２】
また、コラム５１には、ＥＯＳ５５を介して電子銃や各電磁レンズに電源電流が加えられるとともに、デジタル制御部５６及びアナログ回路６１を介して各偏向器に電流が加えられる。
【００１３】
この場合、デジタル制御部５６は、バッファメモリ５７、パターンジェネレータＰＧ５８、パターンコレクタＰＣ５９、および、補正メモリ６０等で構成され、また、アナログ回路６１は、Ｄ／Ａ変換器（ＤＡＣ）６２及び増幅器（ＡＭＰ）６３等により構成される。
【００１４】
また、制御用ＥＷＳ７０により制御されるマーク検出部６４により、試料３６に設けられたマークを検出して電子ビームのサイズ等を測定する。
また、制御用ＥＷＳ７０により制御される搬送制御部６５により、試料３６の露光室５２内への搬入、露光室５２からの搬出を行う。
【００１５】
【特許文献１】
特開平１１−２２４６４２号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ブロックマスクには絶えず電子ビームが照射されており、その影響でブロックマスク自体の変形、膨張、或いは、移動等が起こってしまうという問題がある。
なお、各開口部においては、抜けパターン部では、電子ビームはそのまま下に透過する。
【００１７】
すると、予め調整してあった照射位置( 偏向位置) から開口位置が移動し所望の開口パターンの全体を照射出来なくなってしまう問題が発生する。
【００１８】
また、開口パターンの一部にビームを照射して汎用性を持たせた使用方法であると、所望パターン寸法が得られなくなったり、パターン繋ぎ部が離れたり、オーバーラップし過ぎたりしてしまう問題が生じる。
【００１９】
また、ブロックマスク内の一箇所のみの位置測定ではその部分での変化及び１ベクトル方向の補正しか出来ないという問題が生じていた。
【００２０】
したがって、本発明は、ブロックマスクの照射位置ズレをなくし精度良いパターンを形成することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、複数の基本回路パターンの開口３を有するブロックマスクを使用し、所望とするパターンに応じて選択的に基本回路パターンの開口３を照射してパターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、ビームサイズの変化測定可能な測定用開口２を複数個形成し、露光開始時及び露光中の任意の時間間隔毎に、前記複数の測定用開口２上のビームサイズを測定して前記ブロックマスクの経時的変形量を求め、前記経時的変形量と前記複数の測定用開口２と前記基本回路パターンとの相互の位置関係に基づいて、偏向補正量を求め、前記偏向補正量を用いて偏向量を補正して前記ブロックマスクにビームを照射し、前記基本回路パターンを基板にパターンを露光することを特徴とする。
【００２２】
このように、ブロックマスクに、変化測定が可能な複数の測定用開口２を設けてることによって測定用開口２の位置の経時変化の正確な測定が可能になり、測定結果に基づいて偏向補正量を決定することによって精度の高い露光を高速に行うことができる。
【００２３】
この場合、測定用開口２としては、基本回路パターンの開口３の他に設けられている可変矩形形成用開口を用いることが望ましく、また、ビーム位置の測定は、試料上に照射されたビームのサイズ又は電流値を測定することによって行えば良い。
【００２４】
また、偏向補正量を求める場合には、各測定用開口位置における経時変化による変移量を、補間によって求めれば良い。
【００２６】
或いは、各露光パターン毎の各測定用開口位置の変移量を記憶しておき、露光時には各露光パターン毎に記憶した変移量に基づいて変動量を予測して、予測に基づいて補正を加えながら露光を行なっても良いものであり、それによって、露光中に位置変動の測定を行う必要はなくなる。
【００２７】
これらの場合、測定用開口２は、ブロックマスク透過孔群１の四隅に設けることが望ましいが、必ずしも四隅である必要はなく, 三隅或いは二隅でも良い。
【００２８】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図２参照
図２は、ブロックマスクに規則的に配置して設けた透過孔群１１の一例を表す概念的構成図であり、まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２を変移測定用開口Ａ〜Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ〜Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００２９】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ〜Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００３０】
例えば、各変移測定用開口Ａ〜Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘc ，ｄｙc ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ），Ｃ（１x ，１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｒx ×Ｙ＋ｈx ×Ｘ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｒy ×Ｘ＋ｈy ×Ｘ×Ｙ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ（拡縮），ｒ（回転），ｈ（台形），ｏ（オフセット）は、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ＋ｄｘc −ｄｘd ）／４ｌx
ｇy ＝（−ｄｙa −ｄｙb ＋ｄｙc ＋ｄｙd ）／４１y
ｒx ＝（−ｄｘa −ｄｘb ＋ｄｘc ＋ｄｘd ）／４ｌy
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ＋ｄｙc −ｄｙd ）／４ｌx
ｈx ＝（ｄｘa −ｄｘb ＋ｄｘc −ｄｘd ）／４（ｌx ×ｌy ）
ｈy ＝（ｄｙa −ｄｙb ＋ｄｙc −ｄｙd ） ／４（ｌx ×ｌy ）
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘb ＋ｄｘc ＋ｄｘd ）／４
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙb ＋ｄｙc ＋ｄｙd ）／４
となる。
【００３１】
この補正係数ｇ，ｒ，ｈ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
たとえば、所定の露光中で一度だけでも良いし、１０分毎に行っても良く、照射電子ビーム量に応じて適宜設定すれば良い。
【００３２】
このように、本発明の第１の実施の形態においては、ブロックマスクに設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２を利用して開口の変移量を測定し、測定結果に基づいて上述の補正係数をかけて偏向を行っているので、露光工程における経時的な透過孔群１１の変形を手早く精度良く補正することができ、露光工程のスループットを向上することができる。
【００３３】
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図３（ａ）及び（ｂ）参照
図３（ａ）は、ある露光工程における、電子ビームの累積露光量の透過孔群１１内における分布を模式的に示したもので、図３（ｂ）は、透過孔群１１に設けた各開口に対するショット数を示すショット回数データメモリであり、測定用開口Ａには１００００ショット、ブロック開口ｄ，ｅには１０００ショット、ブロック開口ｆには５００ショットの電子ビームが照射されたことを示している。
【００３４】
このように、電子ビームの照射位置に偏りがあるばあい、透過孔群１１、ひいては、ブロックマスク１０の面内変形は一様ではないので、露光するパターンデータにより偏向位置の頻度を記憶し、補正の掛け方を変える、即ち、照射頻度に応じて補正量の重み付けをする。
【００３５】
なお、補正の仕方は、予めある開口を使用し、ショット数と周辺開口の位置ズレ量の相関関係を求めておき、露光開始から現在までのショットに使用した開口でのショット数を順次メモリに貯えておき、この２つの情報を基にして図２に示した補正に、局所的に開口の使用頻度に応じた補正量を加算する。
【００３６】
次に、図４を参照して、本発明の第３の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、前回露光時のズレ量変化であり、この前回露光時のズレ量変化をメモリしておき、露光前に初期値のみを測定し、その測定値にメモリした前回露光時の情報を加えて露光する。
【００３７】
図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、前回露光時のズレ量変化であり、この前回露光時のズレ量変化を測定間隔の変動分として補正をかけ、測定毎に補正値を更新して露光する。
【００３８】
次に、図５を参照して、本発明の第４の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図５参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の内の３箇所を変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００３９】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４０】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｂ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｒx ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｒy ×Ｘ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ）／２ｌx
ｇy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙd ）／２１y
ｒx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘd ）／２ｌy
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ）／２ｌx
ｏx ＝（ｄｘb ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙb ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００４１】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が３箇所しかない場合も同様である。
【００４２】
次に、図６を参照して、本発明の第５の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図６参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ａ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００４３】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４４】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｒx ×Ｙ＋ｏx
ｄｙ＝ｇy ×Ｙ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙd ）／２１y
ｒx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘd ）／２ｌy
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００４５】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００４６】
次に、図７を参照して、本発明の第６の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図７参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ａ，Ｂとして用いて、この変移測定用開口Ａ，Ｂに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００４７】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ａ，Ｂとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００４８】
例えば、各変移測定用開口Ａ，Ｂでの変移量を各々( ｄｘa ，ｄｙa ），( ｄｘb ，ｄｙb ）とし、各座標をＡ（−１x ，−１y ），Ｂ（１x ，−１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｇx ×Ｘ＋ｏx
ｄｙ＝ｒy ×Ｘ＋ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｇ，ｒ，ｏは、
ｇx ＝（−ｄｘa ＋ｄｘb ）／２ｌx
ｒy ＝（−ｄｙa ＋ｄｙb ）／２ｌx
ｏx ＝（ｄｘa ＋ｄｘb ）／２
ｏy ＝（ｄｙa ＋ｄｙb ）／２
となる。
【００４９】
この補正係数ｇ，ｒ，ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００５０】
次に、図８を参照して、本発明の第７の実施の形態の偏向補正量の決定方法を説明する。
図８参照
まず、基本回路パターンを形成したブロック開口１３（ａ〜ｉ）を設けた透過孔群１１の四隅に設けた可変矩形開口１２の２箇所を変移測定用開口Ｂ，Ｄとして用いて、この変移測定用開口Ｂ，Ｄに電子ビームを偏向し、そこを通過して形成された電子ビームで、試料上に設けたマークを走査してビームサイズを測定する。
【００５１】
この測定は、露光前及び露光中の任意の時間に繰り返し、前回測定したビームサイズと今回測定したビームサイズとの差、即ち変移量を求め、求めた変移量を基にして測定した変移測定用開口Ｂ，Ｄとブロック開口１３（ａ〜ｉ）の位置関係より補間する。
【００５２】
例えば、各変移測定用開口Ｂ，Ｄでの変移量を各々( ｄｘb ，ｄｙb ），( ｄｘd ，ｄｙd ）とし、各座標をＢ（１x ，−１y ），Ｄ（−１x ，１y ）とすると、照射開口（Ｘ，Ｙ）でのズレ量( 補正量) ｄｘ，ｄｙは、
ｄｘ＝ｏx
ｄｙ＝ｏy
となる。
この場合の、補正係数ｏは、
ｏx ＝（ｄｘb ＋ｄｘd ）／２
ｏy ＝（ｄｙb ＋ｄｙd ）／２
となる。
【００５３】
この補正係数ｏで次回の測定まで補正して露光を行なう。
この場合の測定時間間隔は可変であり、露光開始直後は密に行なって細かい補正をかけても良い。
また、可変矩形開口１２が２箇所しかない場合も同様である。
【００５４】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては電子ビーム露光方法として説明しているが、電子ビームに限られるものではなく、各種のイオン等の荷電粒子ビーム露光方法にも適用されるものである。
【００５５】
また、上記の第４乃至第７の実施の形態においても、図３に示したように、ビーム照射頻度に基に重み付けして偏向補正量を求めるようにしても良いものである。
【００５６】
また、上記の第４乃至第７の実施の形態においても、図４に示したように、前回露光時のズレ量のデータをメモリしておき、この前回露光時のズレ量のデータを今回露光時の測定値に組み入れて偏向補正量を求めるようにしても良いものである。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、露光中のブロックマスクのビーム照射による熱等による変形での開口位置ズレの経時変化を測定し、補間によって偏向位置を補正することでマスク開口位置に正確にビームを照射することができるので、所望とするパターン寸法を安定して得ることができ、ひいては、荷電粒子ビーム露光の高速化、高精度化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態の偏向補正量の決定方法の説明図である。
【図９】電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
【図１０】ブロックマスクの構成説明図である。
【図１１】ブロック露光に用いる電子ビーム露光装置のシステム構成図である。
【符号の説明】
１ ブロックマスク透過孔群
２ 測定用開口
３ 基本パターンの開口
１０ ブロックマスク
１１ 透過孔群
１２ 可変矩形開口
１３ ブロック開口
２１ 電子銃
２２ 第１スリット
２３ 電磁レンズ
２４ 偏向器
２５ 電磁レンズ
２６ 電磁レンズ
２７ 偏向器
２８ ブランキング
２９ 電磁レンズ
３０ ラウンドアパーチャ
３１ 電磁レンズ
３２ 副偏向器
３３ 主偏向器
３４ 電磁レンズ
３５ 反射電子検出器
３６ 試料
３７ ＸＹステージ
５０ 装置本体部
５１ コラム
５２ 露光室
５３ ＸＹステージ防振装置
５４ ステージ制御装置
５５ ＥＯＳ
５６ デジタル制御部
５７ バッファメモリ
５８ パターンジェネレータ
５９ パターンコレクタ
６０ 補正メモリ
６１ アナログ回路
６２ Ｄ／Ａ変換器
６３ 増幅器
６４ マーク検出部
６５ 搬送制御部
７０ 制御用ＥＷＳ
７１ 表示部
７２ ＨＤＤ
７３ ＣＭＴ
７４ メモリ部
Claims (5)
- 複数の基本回路パターンの開口を有するブロックマスクを使用し、所望とするパターンに応じて選択的に基本回路パターンの開口を照射してパターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、ビームサイズの変化測定可能な測定用開口を複数個形成し、露光開始時及び露光中の任意の時間間隔毎に、前記複数の測定用開口上のビームサイズを測定して前記ブロックマスクの経時的変形量を求め、前記経時的変形量と前記複数の測定用開口と前記基本回路パターンとの相互の位置関係に基づいて、偏向補正量を求め、前記偏向補正量を用いて偏向量を補正して前記ブロックマスクにビームを照射し、前記基本回路パターンを基板に露光することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
- 前記測定用開口を前記基本回路パターンの開口より外側の周辺部に設けたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
- 前記測定用開口を可変矩形形成用開口とし、上記ビーム位置の測定を試料上に照射されたビームのサイズ又は電流値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
- 前記各測定用開口位置における経時変化による変移量を、補間によって求めることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
- 前記各露光パターン毎の各測定用開口位置の変移量を記憶しておき、露光時には各露光パターン毎に記憶した変移量に基づいて変動量を予測して、前記予測に基づいて補正を加えながら露光を行なうことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
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