JP4375198B2 - 負荷駆動用半導体装置 - Google Patents
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Description
著者の氏名:株式会社東芝セミコンダクター社、表題:TPD2004F データシート、関連箇所:2頁の「ブロック図」、媒体のタイプ:Online、掲載年月日:2003年12月9日、掲載者:株式会社東芝セミコンダクター社、掲載場所:インターネット〈URL:http://www.semicon.toshiba.co.jp/td/ja/Linear#ICs/Intelligent#Power#Devices/20040107#TPD2004F#datasheet.pdf〉、関連する箇所が開示されている頁:2頁、検索日:2004年10月18日、情報の情報源及びアドレス:http://www.semicon.toshiba.co.jp/
図2には、本発明の動作原理を説明するための回路構成図が示されている。この図2は、エアバッグECUのドライバ部分を示すものであり、ハイサイド回路11は、チャージポンプ式の昇圧回路(図示せず)から給電されるハイサイドドライバ12によりゲート端子(制御端子に相当)の電圧制御が行われるnチャネル型のLDMOS(Laterally Diffused MOSFET)13(第1半導体スイッチング素子に相当)を備えており、そのLDMOS13は、ドレインが電源端子VBBに接続され、ソースが出力端子SHに接続されている。ローサイド回路14は、ローサイドドライバ15によりゲート端子(制御端子に相当)の電圧制御が行われるnチャネル型LDMOS16(第2半導体スイッチング素子に相当)を備えており、そのLDMOS16は、ドレインが出力端子SLに接続され、ソースがグランド端子に接続されている。ハイサイド回路11の出力端子SHとローサイド回路14の出力端子SLとの間には、負荷であるエアバッグ用スクイブ17(図2では等価抵抗として表記)が接続される。ここまで説明した回路構成は、「背景技術」の項で説明した図3の回路構成と基本的に同じであり、ローサイドドライバ15によりオンオフ制御されるローサイドLDMOS16は、通常時においてフルオン状態で使用され、ハイサイドLDMOS13による負荷電流の制御が不能な状態となったときにオフされてスクイブ17への通電路を遮断する機能を果たすことになる。本実施例では、このような基本回路に対し、図中に破線で囲った状態で示した追加回路ADCを設けた構成に特徴を有する。
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、例えば以下に述べるような変形或いは拡大が可能である。
半導体スイッチング素子の例としてLDMOS13及び16を挙げたが、負荷駆動能力を備えた素子であれば、他のスイッチング素子(MOSFET、IGBT、バイポーラトランジスタなど)でも良い。
Claims (3)
- 電源端子と負荷との間に接続される第1半導体スイッチング素子と、
前記負荷とグラント端子との間に接続される第2半導体スイッチング素子と、
前記第1半導体スイッチング素子の制御端子に対する印加電圧を制御することにより前記負荷に流れる電流を制御するハイサイドドライバと、
前記第2半導体スイッチング素子の制御端子に対する印加電圧を制御することにより当該半導体スイッチング素子をオンオフ制御するローサイドドライバと、
前記第2半導体スイッチング素子の負荷側電圧レベルが設定電圧未満の状態時に、当該半導体スイッチング素子の制御端子に対し前記ローサイドドライバから印加される電圧のレベルを強制的に低下させる電圧調整手段と、
を備えたことを特徴とする負荷駆動用半導体装置。 - 前記電圧調整手段は、
前記第2半導体スイッチング素子の負荷側端子とグランド端子との間に順方向に介在され、当該負荷側端子の電圧レベルが前記設定電圧以上あるときのみ導通状態を呈する第1ダイオード回路と、
前記第2半導体スイッチング素子の制御端子とグランド端子との間に順方向に介在され、前記第1ダイオード回路が非道通状態にある期間に導通状態を呈して前記制御端子の電圧レベルを引き下げる第2ダイオード回路と、
を含んで構成されていることを特徴とする請求項1記載の負荷駆動用半導体装置。 - 前記第1及び第2の半導体スイッチング素子は、MOSFETであることを特徴とする請求項1または2記載の負荷駆動用半導体装置。
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