JP4339657B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図3は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
図5〜図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。これらの図において、第1実施形態で説明した部材には第1実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
図9は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法について示す断面図である。これらの図において、第1、第2実施形態で既に説明した部材に対してはこれらの実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
次に、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
次に、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
上記した各実施形態において、放熱効果を更に高めるために、ヒートシンク(放熱板)を設けてもよい。図18に示すように、そのヒートシンク50は、例えば断面が凹凸状のアルミニウムよりなり、第1〜第3実施形態では、不図示の接着材等により接地電極8上に設けられる。また、第4、第5実施形態では、接地電極32上にそのヒートシンクを設ければよい。
前記SiC基板中の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記熱伝導体の上の前記膜に形成されたホールと、
前記ホール内に形成され、前記熱伝導体と直接接続された電極とを有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記SiC基板の一方の面の第1孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第1熱伝導体と、
前記第1孔から間隔をおいて前記SiC基板の一方の面に形成された第2孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第2熱伝導体と、
前記SiC基板の他方の面上に形成された素子と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記SiC基板中の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第1熱伝導体と、
前記SiC基板の一方の面の全面を覆うように形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第2熱伝導体と、
前記SiC基板の他方の面上に形成された素子と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板中の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記SiC基板を熱処理することにより、前記窓から露出するSiC基板に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて熱伝導体にする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記熱伝導体と電気的に接続される電極を前記ホールの中に形成する工程とを有することを特徴とする付記17に記載の半導体装置の製造方法。
前記SiC基板に対して第1の熱処理をすることにより、前記第1窓から露出する該SiC基板に炭素の線状構造体を選択的に成長させて第1熱伝導体にする工程と、
前記第1マスク膜が除去されたSiC基板の一方の面上と前記第1熱伝導体上とに、該第1熱伝導体から離れた部分に第2窓を備えた第2マスク膜を形成する工程と、
前記SiC基板に対して第2の熱処理をすることにより、前記第2窓から露出する該SiC基板に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて第2熱伝導体にする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記SiC基板に対して第1の熱処理を行うことにより、前記窓から露出する該SiC基板に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて第1熱伝導体にする工程と、
前記マスク膜が除去されたSiC基板に対して第2の熱処理を行うことにより、該SiC基板の一方の面の全面に炭素の線状構造体を成長させて第2熱伝導体にする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記SiC基板を熱処理することにより、前記窓から露出する該SiC基板に炭素元素の線状構造体を途中の深さまで選択的に成長させて熱伝導体とする工程と、
前記SiC基板を他方の面側から研磨して前記熱伝導体の表面を露出させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記保護膜の上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする付記23に記載の半導体装置の製造方法。
前記熱伝導体と電気的に接続される電極を前記ホール内に形成する工程とを有することを特徴とする付記24に記載の半導体装置の製造方法。
前記孔の中に炭素の線状構造物を選択的に成長させて熱伝導体にする工程と、
前記半導体基板を他方の面側から研磨して前記熱伝導体の表面を露出させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (8)
- SiC基板と、
前記SiC基板の一方の面の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体と、
前記熱伝導体を覆う保護膜と、
前記保護膜の上に形成された膜と、
前記SiC基板の一方の面上と前記熱伝導体の一方の面側の端面上を覆うように形成された接地電極と、
前記SiC基板の他方の面上に形成され、前記熱伝導体の上の前記膜及び前記保護膜に形成されたホールを介して前記熱伝導体に接続された電極を有する半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。 - SiC基板と、
前記SiC基板の一方の面の第1孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第1熱伝導体と、
前記第1孔から間隔をおいて前記SiC基板の一方の面に形成された第2孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第2熱伝導体と、
前記第1熱伝導体及び前記第2熱伝導体を覆う保護膜と、
前記保護膜の上に形成された膜と、
前記SiC基板の一方の面上と前記第1及び前記第2熱伝導体の一方の面側の端面上を覆うように形成された接地電極と、
前記SiC基板の他方の面上に形成され、前記第1熱伝導体の上の前記膜及び前記保護膜に形成されたホールを介して前記第1熱伝導体に接続された電極を有する半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記素子はHEMTであり、前記SiC基板の上から見た場合に、少なくとも前記第2熱伝導体の一部が、前記HEMTのゲート電極とドレイン電極との間に位置することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- SiC基板と、
前記SiC基板の一方の面の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第1熱伝導体と、
前記SiC基板の一方の面を覆うようにかつ前記第1熱伝導体と接続して形成され、炭素元素の線状構造体により構成される第2熱伝導体と、
前記第2熱伝導体上を覆うように形成された接地電極と、
前記SiC基板の他方の面上に形成され、前記第1熱伝導体に接続された電極を有する半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 窓を備えたマスク膜をSiC基板の一方の面上に形成する工程と、
前記SiC基板に対してSiC表面分解法を用いた熱処理を行うことにより、前記窓から露出するSiC基板内に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて熱伝導体にする工程と、
前記SiC基板の他方の面上に半導体素子を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1窓を備えた第1マスク膜をSiC基板の一方の面上に形成する工程と、
前記SiC基板に対してSiC表面分解法を用いた第1の熱処理をすることにより、前記第1窓から露出する該SiC基板に炭素の線状構造体を選択的に成長させて第1熱伝導体にする工程と、
前記第1マスク膜が除去されたSiC基板の一方の面上と前記第1熱伝導体上とに、該第1熱伝導体から離れた部分に第2窓を備えた第2マスク膜を形成する工程と、
前記SiC基板に対してSiC表面分解法を用いた第2の熱処理をすることにより、前記第2窓から露出する該SiC基板に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて第2熱伝導体にする工程と、
前記SiC基板の他方の面上に半導体素子を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 窓を備えたマスク膜をSiC基板の一方の面上に形成する工程と、
前記SiC基板に対してSiC表面分解法を用いた第1の熱処理を行うことにより、前記窓から露出するSiC基板に炭素元素の線状構造体を選択的に成長させて第1熱伝導体にする工程と、
前記マスク膜が除去されたSiC基板に対してSiC表面分解法を用いた第2の熱処理を行うことにより、該SiC基板の一方の面に炭素の線状構造体を成長させて第2熱伝導体にする工程と、
前記SiC基板の他方の面上に半導体素子を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 窓を備えたマスク膜をSiC基板の一方の面上に形成する工程と、
前記SiC基板に対してSiC表面分解法を用いた熱処理を行うことにより、前記窓から露出する該SiC基板に炭素元素の線状構造体を途中の深さまで選択的に成長させて熱伝導体とする工程と、
前記SiC基板を他方の面側から研磨して前記熱伝導体の表面を露出させる工程と、
前記SiC基板の他方の面上に半導体素子を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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