JP4335078B2 - ソースフォロワ回路 - Google Patents

ソースフォロワ回路 Download PDF

Info

Publication number
JP4335078B2
JP4335078B2 JP2004184195A JP2004184195A JP4335078B2 JP 4335078 B2 JP4335078 B2 JP 4335078B2 JP 2004184195 A JP2004184195 A JP 2004184195A JP 2004184195 A JP2004184195 A JP 2004184195A JP 4335078 B2 JP4335078 B2 JP 4335078B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
source follower
follower circuit
voltage
output
mos transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004184195A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006013631A (ja
Inventor
敏男 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei EMD Corp
Original Assignee
Asahi Kasei EMD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei EMD Corp filed Critical Asahi Kasei EMD Corp
Priority to JP2004184195A priority Critical patent/JP4335078B2/ja
Publication of JP2006013631A publication Critical patent/JP2006013631A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4335078B2 publication Critical patent/JP4335078B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、電源電圧が低電圧で動作し、かつ広い動作範囲を有するソースフォロワ回路に関するものである。
近年、プロセスの微細化に伴いLSI回路に供給できる電源電圧は低下する傾向にあり、将来的には、1〔V〕前後しか供給されなくなる日も近いといわれている。また、近年、電子機器の携帯化に伴い、使用する電池の本数を減らしても動作可能な電子回路が要求されている。電子回路のうち、アナログ回路の代表的なものとしてソースフォロワ回路が知られている。
図5に、従来からのソースフォロワ回路の一例を示す。このソースフォロワ回路は、図示のように、第1ソースフォロワ回路1と、第2ソースフォロワ回路2とからなり、全差動型のものである(例えば、特許文献1参照)。
第1ソースフォロワ回路1は、入力用のP型のMOSトランジスタM1と、定電流源として動作するP型のMOSトランジスタM2からなる。また、第2ソースフォロワ回路2は、入力用のP型のMOSトランジスタM3と、定電流源として動作するP型のMOSトランジスタM4からなる。
第1ソースフォロワ回路1は入力端子3および出力端子4と接続され、第2ソースフォロワ回路2は入力端子6および出力端子7と接続されている。また、定電流源として動作するMOSトランジスタM2,M4の各ゲートはバイアス電圧供給端子5に接続され、そのバイアス電圧供給端子5に供給される電圧により、MOSトランジスタM2,M4に流れる電流が制御できるようになっている。さらに、MOSトランジスタM1,M3の各ウエルには、図示しないが正の電源電圧Vddが印加されるようになっている。
次に、このような構成からなる従来のソースフォロワ回路の動作について、図5〜図7を参照して説明する。
このソースフォロワ回路は全差動型であるので、入力端子3に入力される入力信号Vin1と、入力端子6に入力される入力信号Vin2とは、図7に示すようにお互いに位相が180°ずれた逆相の関係になっている。
このため、全差動型のソースフォロワ回路では、出力端子4および出力端子7から出力される差動出力信号(Vout1−Vout2)は、ソースフォロワ回路が1つの場合に比べて、2倍の信号レンジを確保できるという長所がある上に、2次歪成分を打ち消す効果がある。
次に、図5のソースフォロワ回路を低電圧で動作させる場合について説明する。
いま、電源電圧Vdd=1〔V〕、P型のMOSトランジスタのしきい値電圧Vtを−0.6〔V〕、オーバーゲート電圧Δ(=Vgs−Vth)を−0.1〔V〕とすると、ソースフォロワ回路の入力電圧Vinと出力電圧Voutとの間には、下記のような(1)式が成立する。
Vout=Vin−Vt−Δ・・・(1)
図6に、図5に示す第1ソースフォロワ回路1または第2ソースフォロワ回路2を単独で使用する場合の入力電圧と出力電圧の関係を示す。図6では、横軸が入力電圧を示し、縦軸が出力電圧を示している。
図6に示すように、入力電圧が0〔V〕のときには、(1)式により出力電圧は0.7〔V〕になり、入力電圧が0.2〔V〕のときには出力電圧は0.9〔V〕になる。しかし、出力電圧が0.9〔V〕以上では、電流源として動作するMOSトランジスタM2またはMOSトランジスタM4は十分なソース・ドレイン間の電圧を確保できないため、ソースフォロワ回路として正常に動作しなくなる。
このため、入出力特性は直線から外れることになる。すなわち、この第1ソースフォロワ回路1または第1ソースフォロワ回路2を単独で使用する場合の動作範囲は、入力電圧が0〔V〕から0.2〔V〕までのわずか0.2〔V〕である。図5に示す全差動方式のソースフォロワ回路であっても、入出力範囲はその2倍の0.4〔V〕にすぎない。
図7は、図5に示すソースフォロワ回路の入力端子3、6に入力される入力信号Vin1、Vin2と、その出力端子4、7から出力される出力信号Vout1、Vout2の波形例を示す。
図7によれば、入力信号Vin1、Vin2はお互いに位相が180°ずれた逆相の関係にあり、出力信号Vout1、Vout2も同様の関係にある。また、これらの入力信号と出力信号との間には(1)式の関係がある。
以上述べたように、図5に示す従来のソースフォロワ回路では、電源電圧が低電圧の場合には、動作範囲を広く確保できないという不具合がある。
ここで、このような不具合の具体的な数値例について、図5を参照して説明する。従来のソースフォロワ回路の場合の出力電圧の波形は、しきい値Vt=−0.6〔V〕とオーバーゲート電圧Δ=−0.1〔V〕である。
この場合、レベルシフト量は0.7〔V〕になる。このため、正常に動作できる入力信号の上限としては、図7に示すように入力レベルの平均値が0.1〔V〕、振幅が0.2〔V〕の時に出力信号は平均値が0.8〔V〕、振幅が0.2〔V〕となる場合である。これ以上大きな振幅を入力するために、入力レベルの平均値を大きくしても、出力レベルの平均値も大きくなり、出力の上限である0.9〔V〕を超えてしまい正常動作できないことになる。
特開平5−14175号公報
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、電源電圧が低電圧の場合でも、動作範囲の広いソースフォロワ回路を提供することにある。
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、請求項1および請求項2係る各発明は、以下のように構成した。
すなわち、請求項1に係る発明は、第1入力端子に接続するゲート、第1出力端子に接続するソース、および外部から電圧が供給可能なウエルを含む入力用の第1MOSトランジスタと、この第1MOSトランジスタに定電流を供給する電流源用の第2MOSトランジスタとを有する第1ソースフォロワ回路と、第2入力端子に接続するゲート、第2出力端子に接続するソース、および外部から電圧が供給可能なウエルを含む入力用の第3MOSトランジスタと、この第3MOSトランジスタに定電流を供給する電流源用の第4MOSトランジスタとを有する第2ソースフォロワ回路と、前記第1ソースフォロワ回路の出力と前記第2ソースフォロワ回路の出力の平均を求め、この求めた平均と所定の基準値との差に応じた電圧を前記第1MOSトランジスタおよび前記第3MOSトランジスタのウエルにそれぞれ供給する制御部と、を備えている。
また、請求項2に係る発明は、請求項1に係るソースフォロワ回路において、前記制御部は、前記第1ソースフォロワ回路の出力と前記第2ソースフォロワ回路の出力の平均を求める平均算出回路と、この平均算出回路で求めた平均と所定の基準値との差を増幅する差動増幅器とからなり、前記差動増幅器の出力を前記第1MOSトランジスタおよび前記第3MOSトランジスタのウエルにそれぞれ供給するようになっている。
本発明によれば、電源電圧が低電圧の場合でも、動作範囲の広いソースフォロワ回路を提供できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明のソースフォロワ回路の実施形態の構成を示す回路図である。
この実施形態に係るソースフォロワ回路は、図1に示すように、全差動型のものであって、第1ソースフォロワ回路1と、第2ソースフォロワ回路2と、ソースフォロワ回路1、2の各出力範囲を拡大させるための制御を行う制御部8と、を備えている。
第1ソースフォロワ回路1は、入力用のP型のMOSトランジスタM1と、定電流源として動作するP型のMOSトランジスタM2とからなる。第2ソースフォロワ回路2は、入力用のP型のMOSトランジスタM3と、定電流源として動作するP型のMOSトランジスタM4とからなる。
MOSトランジスタM1のゲートは入力端子3に接続され、その入力端子3には第1の入力信号が供給されるようになっている。また、MOSトランジスタM1のドレインには、負の電源電圧Vssが印加されるようになっている。さらに、MOSトランジスタM1のソースは、出力端子4およびMOSトランジスタM2のドレインにそれぞれ接続されている。出力端子4からは、出力を取り出すようになっている。
MOSトランジスタM2のゲートはバイアス電圧供給端子5に接続され、そのバイアス電圧供給端子5に供給されるバイアス電圧により、MOSトランジスタM2に流れる電流が制御できるようになっている。また、MOSトランジスタM2のソースには、正の電源電圧Vddが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM3のゲートは入力端子6に接続され、その入力端子6には第2の入力信号が供給されるようになっている。また、MOSトランジスタM3のドレインには、負の電源電圧Vssが印加されるようになっている。さらに、MOSトランジスタM3のソースは、出力端子7およびMOSトランジスタM4のドレインにそれぞれ接続されている。出力端子7からは、出力が取り出されるようになっている。
P型のMOSトランジスタM4のゲートはバイアス電圧供給端子5に接続され、そのバイアス電圧供給端子5に供給されるバイアス電圧により、MOSトランジスタM4に流れる電流が制御できるようになっている。また、MOSトランジスタM4のソースには、正の電源電圧Vddが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM1,M3は、外部から電圧が供給可能なウエルをそれぞれ有し、その各ウエルの電圧が後述のようにそれぞれ制御されるようになっている。
制御部8は、第1ソースフォロワ回路1の出力と第2ソースフォロワ回路2の出力との平均を求め、この求めた平均と所定の基準値との差に応じた電圧を生成し、この生成した電圧をMOSトランジスタM1およびMOSトランジスタM3のウエルにウエル電圧としてそれぞれ供給するようになっている。
すなわち、制御部8は、図1に示すように、第1ソースフォロワ回路1の出力と第2ソースフォロワ回路2の出力の平均を求める平均算出回路81と、この平均算出回路81で求めた平均と基準電圧Vrefとの差を増幅する差動増幅器82とを備え、その差動増幅器82の出力電圧をMOSトランジスタM1およびMOSトランジスタM3のウエルにウエル電圧としてそれぞれ供給するようになっている。
平均算出回路81は、第1ソースフォロワ回路1の出力端子4と第2ソースフォロワ回路2の出力端子7との間に、抵抗値が同じ抵抗R1および抵抗R2が直列に接続され、その両抵抗R1,R2の共通接続点(中点)の電圧を、第1ソースフォロワ回路1の出力と第2ソースフォロワ回路2の出力の平均電圧Vmとして生成し、この生成した平均電圧Vmを差動増幅器82の反転入力端子(−)に供給するようになっている。
差動増幅器82は、反転入力端子(−)に平均算出回路81からの平均電圧Vmを入力するとともに、非反転入力端子(+)に基準電圧供給端子9に印加される基準電圧Vrefが入力されるようになっている。
次に、このような構成からなる実施形態に係るソースフォロワ回路の動作について、図1および図2を参照して説明する。
図1において、入力用のP型のMOSトランジスタM1,M3の各しきい値電圧Vtは、近似的に次の(2)式で与えられる。
Vt=Vto+γ・Vsb・・・(2)
ここで、Vsbはソース電圧Vsとウエル電圧Vbとの電位差(Vs−Vb)、すなわちソース・ウエル間の電圧差、Vtoはその電位差Vsbがゼロの場合のしきい値である。また、γは比例定数であり、一般的にγは0.1〜0.5の範囲になる。
P型のMOSトランジスタの場合には、ソース・ウエル間の電圧差Vsbを負に大きくすると、すなわち、ウエル電圧Vbを電源電圧Vddの方向に高くすると、しきい値電圧Vtも負側に大きくなる。すなわち、しきい値電圧Vtの絶対値が大きくなる。逆に、ウエル電圧Vbを低くすると、しきい値電圧Vtの絶対値は小さくなる。このようにしきい値電圧Vtが小さいと、(1)式により出力電圧は低くなる。
次に,図1に示すソースフォロワ回路の動作について説明する。
平均算出回路81は、第1ソースフォロワ回路1の出力と第2ソースフォロワ回路2の出力の平均である平均電圧Vmを求め、この求めた平均電圧Vmを差動増幅器82の反転入力端子(−)に供給する。また、差動増幅器82の非反転入力端子(+)には基準電圧Vrefが供給されている。
いま、その求めた平均電圧Vmが基準電圧Vrefよりも低いときには、差動増幅器82の出力電圧は高くなる。すなわち、MOSトランジスタM1、M3の各ウエル電圧は高くなり、(2)式によりしきい値電圧Vtの絶対値は大きくなる。このため、(1)式に従って、第1ソースフォロワ回路1および第2ソースフォロワ回路2の各出力電圧は高くなる。この結果、平均算出回路81の求める平均電圧Vmは高くなる。
逆に、その求めた平均電圧Vmが基準電圧Vrefよりも高いときには、差動増幅器82の出力電圧は低くなる。すなわち、MOSトランジスタM1、M2の各ウエル電圧は低くなり、(2)式によりしきい値電圧Vtの絶対値は小さくなる。このため、(1)式に従って、第1ソースフォロワ回路1および第2ソースフォロワ回路2の各出力電圧は低くなる。この結果、平均算出回路81の求める平均電圧Vmは低くなる。
このような一連の動作により、最終的には、第1ソースフォロワ回路1および第2ソースフォロワ回路2のそれぞれの平均出力電圧は、基準電圧Vrefと等しくなる。
次に、実施形態の動作範囲について従来の回路と性能を比較するために、従来回路で用いた数値を用いて説明する。
いま、電源電圧Vdd=1V、P型のMOSトランジスタのしきい値電圧Vtを−0.6〔V〕、オーバーゲート電圧Δ(=Vgs−Vth)を−0.1〔V〕とする。このような条件の下で、図1の入力端子3、6に印加する入力信号Vin1,Vin2の一例を図2に示す。
図2によれば、入力信号Vin1,Vin2はその振幅が0.4〔V〕であり、0.2〔V〕を基準としてお互いに反転関係となっている。また、入力信号Vin1,Vin2の平均値は、0.2〔V〕になっている。
そして、図1において、差動増幅器82に印加される基準電圧Vrefを0.7〔V〕とする。この場合には、図1のソースフォロワ回路は出力の平均値が0.7〔V〕となるように動作するので、出力の波形は図2のVout1,Vout2に示すように0.7〔V〕を基準として振幅が0.4Vとなるような信号波形となる。
次に、これについてMOSトランジスタM1,M3の各ウエルに印加するウエル電圧を含めてもう少し詳しく説明する。
図1の初期状態において、差動増幅器82の出力が電源電圧Vdd、すなわち1.0〔V〕とする。入力端子3、6の入力は、わかりやすくするために、いずれも入力基準電圧である0.2〔V〕とする。
この場合には、しきい値電圧Vtは−0.6〔V〕であるので、オーバーゲート電圧Δ=−0.1〔V〕を加えて、(1)式によりソースフォロワ回路1、2の各出力の平均値は0.9〔V〕になる。この値は差動増幅器82の非反転入力端子(+)に印加する基準電圧Vref=0.7〔V〕よりも高いため、差動増幅器82の出力は反転入力端子(−)の電圧が0.7〔V〕になるまで低下する。
仮に、γ=0.4とすると、Vbs=0.5〔V〕になると(2)式によりしきい値電圧Vtの絶対値が0.2〔V〕小さくなる。これによって(1)式によりソースフォロワ回路1、2の各出力の平均値は0.7〔V〕となる。
このように図1に示す実施形態では、ソースフォロワ回路1、2の各出力の最大の振幅を0.5〔V〕〜0.9〔V〕の範囲で0.4〔V〕とすることができる(図2を参照)。
これに対して、図5に示す従来回路の場合では、その出力の最大の振幅は0.7〔V〕〜0.9〔V〕の範囲で0.2〔V〕しか得ることができなかった(図7を参照)。
従って、図1に示すソースフォロワ回路によれば、電源電圧が低い場合であっても、出力の最大振幅を、従来回路に比べて2倍に拡大することができる。
以上の説明から明らかなように実施形態によれば、平均算出回路81と差動増幅器82の作用により、出力の平均値を低下することができるので、出力範囲を広くすることができ、電源電圧が低電圧の下であっても、広い範囲の信号を処理できるようになる。
ところで、図1に示すMOSトランジスタM1、M3のソース・ウエル間電圧は、その各ゲートに図2に示すような入力信号Vin1,Vin2が入力されると、その入力に応じて逐次変化する。このため、MOSトランジスタM1,M3のしきい値電圧は常に変化し、正確な数値を用いて説明すると複雑になるが、実施形態の効果を説明するには上記のように簡略化しても特に問題はない。
なお、差動増幅器82に対する基準電圧Vrefの設定値は、処理したい最大信号範囲と係数γによって最適値を選択することができる。例えば、係数γがより大きい場合には、基準電圧Vrefをさらに低下させてより一層信号範囲を広くしても良く、係数γが小さいときは基準電圧Vrefを高めに設定して無理のない範囲を使うことになる。
次に、図1に示す差動増幅器82の具体的な構成について、図3を参照しながら説明する。
この差動増幅器82は、図3に示すように、差動対を構成する入力用のN型のMOSトランジスタM11、M12と、カレントミラー回路を構成し能動負荷として機能するP型のMOSトランジスタM13、M14と、MOSトランジスタM11、M12に定電流を供給する電流源として機能するN型のMOSトランジスタM10とを備えている。
さらに詳述すると、MOSトランジスタM11、M12の各ゲートは、非反転入力端子(+)および反転入力端子(−)にそれぞれ接続されている。また、MOSトランジスタM11、M12の各ソースは共通接続され、その共通接続部がMOSトランジスタM10を介して負の電源Vssに接続され、または接地されている。MOSトランジスタM10のゲートはバイアス供給端子に接続され、そのバイアス供給端子に供給されるバイアス電圧の値で、MOSトランジスタM10に流れる電流値を任意に設定できるようになっている。
MOSトランジスタM13、M14の各ゲートは共通接続され、その共通接続部がMOSトランジスタM13、M11の各ドレインに接続されている。また、MOSトランジスタM14のドレインはMOSトランジスタM12のドレインに接続され、その共通接続部が出力端子に接続されている。MOSトランジスタM13、M14の各ソースには正の電源Vddに接続されている。
このような構成からなる差動増幅器82の動作の詳細は、John Wiley & Sons社 Anlog CMOS Integrated Circuits for Signal Processing 著者R.Gregorian、G.C.Temes 153ページFigure4.44に記載されているので、ここではその説明は省略する。
なお、上記の文献には、図3に示すような差動増幅器の他に、様々な形態の差動増幅器が記載されているので、図1に示すソースフォロワ回路を実現する際には、電源電圧、スピード特性に応じて最適な回路を選択すれば良い。
[第2実施形態]
図4は、図1に示す本発明に係るソースフォロワ回路を、演算増幅器に適用した実施形態を示す。
従来の演算増幅器を低電圧で動作させる場合には、同相入力範囲を拡大するため、差動増幅回路の入力用のMOSトランジスタとしてN型のMOSトランジスタとP型のMOSトランジスタの2種類を組み合わせたものが用いられている。
しかし、P型のMOSトランジスタおよびN型のMOSトランジスタのうち、いずれか一方しか動作しない領域、両方とも動作する領域が生じ、それぞれの領域において演算増幅器の帯域が異なってくるため、各領域をまたがって信号が入力する際に歪を引き起こすという不具合があった。
そこで、その不具合を解消するために、各領域での入力用MOSトランジスタのgmがいつも一定になるような手段が必要であることが、Laszlo Moldovan 、 Hua Harry Li著 IEEE Journal of Solid−State Circuits 1997年 32巻 2号 169〜176ページに記載されている。
しかし、上記の手段では、回路が複雑になること、切り替え付近で完全に連続性を満たすことができないという不具合があり、その解決が望まれる。
そこで、図4に示す演算増幅器では、図示のように、従来の演算増幅器31の入力側に図1に示すソースフォロワ回路を設け、そのソースフォロワ回路をレベルシフト回路30として使用するようにした。この結果、そのソースフォロワ回路の働きで、同相入力範囲に関係なく、N型のMOSトランジスタが動作する範囲に入力を常にレベルシフトできるようになった。
この演算増幅器の構成について、図4を参照して詳しく説明する。
レベルシフト回路30は、図1に示すソースフォロワ回路と同一の構成からなる。すなわち、レベルシフト回路30は、一方の入力信号をレベルシフトさせて一方の出力信号とし、この出力信号が公知の演算増幅器31の反転入力端子(−)に入力されるようになっている。また、レベルシフト回路30は、他方の入力信号をレベルシフトさせて他方の出力信号とし、この出力信号が演算増幅器31の非反転入力端子(+)に入力されるようになっている。
このように、入力信号がレベルシフト回路31を通過することで、従来の回路では動作できなかったVssに近い低い同相入力レベルの信号処理が可能になり、結果として、同相入力範囲を拡大することができる。
さらに、このようなレベルシフト回路30を用いると、従来のようなP型のMOSトランジスタ,N型のMOSトランジスタの回路の切り替えが存在しないため、従来切り替えで抱えていた歪という問題がなくなるという長所がある。
以上説明したように、図4に示す演算増幅器によれば、従来の演算増幅器にソースフォロワ回路からなるレベルシフト回路30を追加するだけで、同相入力範囲を格段に向上させることができる。
さらに、図1に示すウエル電圧を発生する差動増幅器82に供給する電源電圧(図3に示すの電源電圧Vdd)を昇圧回路または外部から供給することで、ウエルに印加する電圧をより高くでき、これにより一層の入力範囲の向上を図ることもできる。
本発明のソースフォロワ回路は、出力が任意の設定値になるように入力用のMOSトランジスタのウエル電圧を平均算出回路と差動増幅器で制御しているため、従来よりも低電圧で広い範囲で動作できる。このため、本発明のソースフォロワ回路の使用により、アナログLSIの低電圧化が可能になる。
本発明のソースフォロワ回路の実施形態の構成を示す回路図である。 その実施形態の入力信号と出力信号の波形例を示す図である 図1に示す差動増幅器の具体的な構成を示す回路図である 本発明のソースフォロワ回路を適用した演算増幅器の実施形態の構成を示すブロック図である。 従来のソースフォロワ回路の回路図である。 従来のソースフォロワ回路の入出力特性を示す図である。 従来のソースフォロワ回路の入力信号と出力信号の波形例を示す図である
符号の説明
M1〜M4 N型のMOSトランジスタ
1 第1ソースフォロワ回路
2 第2ソースフォロワ回路
3、6 入力端子
4、7 出力端子
8 制御部
81 平均算出回路
82 差動増幅器

Claims (2)

  1. 第1入力端子に接続するゲート、第1出力端子に接続するソース、および外部から電圧が供給可能なウエルを含む入力用の第1MOSトランジスタと、この第1MOSトランジスタに定電流を供給する電流源用の第2MOSトランジスタとを有する第1ソースフォロワ回路と、
    第2入力端子に接続するゲート、第2出力端子に接続するソース、および外部から電圧が供給可能なウエルを含む入力用の第3MOSトランジスタと、この第3MOSトランジスタに定電流を供給する電流源用の第4MOSトランジスタとを有する第2ソースフォロワ回路と、
    前記第1ソースフォロワ回路の出力と前記第2ソースフォロワ回路の出力の平均を求め、この求めた平均と所定の基準値との差に応じた電圧を前記第1MOSトランジスタおよび前記第3MOSトランジスタのウエルにそれぞれ供給する制御部と、
    を備えていることを特徴とするソースフォロワ回路。
  2. 前記制御部は、
    前記第1ソースフォロワ回路の出力と前記第2ソースフォロワ回路の出力の平均を求める平均算出回路と、
    この平均算出回路で求めた平均と所定の基準値との差を増幅する差動増幅器とからなり、
    前記差動増幅器の出力を前記第1MOSトランジスタおよび前記第3MOSトランジスタのウエルにそれぞれ供給するようになっていることを特徴とする請求項1に記載のソースフォロワ回路。
JP2004184195A 2004-06-22 2004-06-22 ソースフォロワ回路 Expired - Fee Related JP4335078B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004184195A JP4335078B2 (ja) 2004-06-22 2004-06-22 ソースフォロワ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004184195A JP4335078B2 (ja) 2004-06-22 2004-06-22 ソースフォロワ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006013631A JP2006013631A (ja) 2006-01-12
JP4335078B2 true JP4335078B2 (ja) 2009-09-30

Family

ID=35780377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004184195A Expired - Fee Related JP4335078B2 (ja) 2004-06-22 2004-06-22 ソースフォロワ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4335078B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009019761A1 (ja) * 2007-08-07 2009-02-12 Fujitsu Limited バッファ装置
US8493136B2 (en) 2011-04-08 2013-07-23 Icera Inc. Driver circuit and a mixer circuit receiving a signal from the driver circuit
JP6929624B2 (ja) * 2016-08-30 2021-09-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示ドライバ及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006013631A (ja) 2006-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4805699B2 (ja) 半導体装置
JP4240316B2 (ja) 演算増幅器
JP4192191B2 (ja) 差動増幅回路、サンプルホールド回路
US8193861B2 (en) Differential amplifier
US6891433B2 (en) Low voltage high gain amplifier circuits
US7446607B2 (en) Regulated cascode circuit, an amplifier including the same, and method of regulating a cascode circuit
EP1686686A1 (en) Am intermediate frequency variable gain amplifier circuit, variable gain amplifier circuit, and semiconductor integrated circuit thereof
EP1435693B1 (en) Amplification circuit
JP2007251507A (ja) 差動増幅回路
JP2005303664A (ja) 差動増幅回路
TW201838327A (zh) 跨導放大器
JP3482159B2 (ja) 電源装置、及びこれを用いた液晶表示装置
JP4335078B2 (ja) ソースフォロワ回路
JP2007180796A (ja) 差動増幅回路
US10812029B2 (en) Operational amplifier
JP4532847B2 (ja) 差動増幅器
US7816989B2 (en) Differential amplifier
US7800432B2 (en) Semiconductor circuit and controlling method thereof
JP2005080090A (ja) 差動増幅回路の出力電圧制御回路及び電圧検出器
JP5203809B2 (ja) 電流ミラー回路
JP5450226B2 (ja) デューティ比自動調整コンパレータ回路
JP2008042487A (ja) 演算増幅器
JP4447383B2 (ja) プッシュプル増幅器
JPH1115545A (ja) 半導体装置
US7825723B1 (en) Method and apparatus using an I/O device to eliminate a level shifter in low-voltage CMOS integrated circuits

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070402

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070402

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090616

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090624

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees