JP4300523B2 - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Description
エピタキシャル膜を成膜する装置には、枚葉式のエピタキシャル成長装置がある。このエピタキシャル成長装置は、コンパクトな反応室を有しており、ハロゲンランプによる輻射加熱方式を採用している。枚葉処理であるため、均熱条件、ガス流分布の設計が容易であり、エピタキシャル膜特性を高くすることが可能である。したがって、大口径の半導体ウェーハを処理するのに有効な装置である。
反応室2内には、半導体ウェーハWを搭載する円板状のサセプタ20が設けられている。図7に示すように、サセプタ20は、その一部が裏面に当接するサセプタ支持部材18により支持される。サセプタ支持部材18は、中心部の支持材18dと、120°間隔を有して放射状に形成された3本の支持材18a〜18cとで構成されている。サセプタ支持部材18の下方には軸部7が連結され、これにより、サセプタ20はサセプタ支持部材18とともに回転自在に設けられる。
なお、本願発明に係る先行技術文献として特許文献1に記載の半導体製造装置が開示されている。
しかし、半導体ウェーハの一部(特に3本の支持材の直上に位置する部分)は、サセプタ支持部材の中心部の支持材と3本の放射方向に配設された支持材とにより、下方のハロゲンランプからの輻射熱の直接の伝達が妨げられ、支持材からの輻射熱が伝達される。この結果、エピタキシャル成膜した時、この支持材からの輻射熱の影響を受ける部分と受けない部分との間にエピタキシャル膜厚の不均一が生じる。
さらにまた、サセプタ支持部材は、一部が開放された室を形成しているので、反応室内に供給されたガス(特にサセプタ裏面側に供給されたガス)は、その流れが大きく妨げられることはない。
そして、サセプタ支持部材は、円筒形状または円錐形状を有しているので、一部開放された室を画成してサセプタの下方から全面を覆うことができる。すなわち、ハロゲンランプの輻射熱を均一に半導体ウェーハに対して供給することができる。
半導体ウェーハを搭載するサセプタの素材は限定されない。例えば、炭素基材の表面にSiC被膜をコーティングしたものを使用する。サセプタの形状は円板状である。
また、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性も向上させることができる。
さらに、サセプタ支持部材の上側開口を形成する周縁部に、その周方向へ互いに離間して3本の支持ピンを配設したので、サセプタの裏面とサセプタ支持部材の上端との間に一部が開放された室を画成することができる。これにより、サセプタの裏面側にも反応室に供給されたガスのスムースな流れを形成することができる。
まず、この発明の一実施例に係るエピタキシャル成長装置10を図1〜図3を参照して説明する。
図1は、この発明の一実施例に係るエピタキシャル成長装置10の概略構成を示す垂直断面図である。このエピタキシャル成長装置10には、凹面を有する円形の上側ドーム3と同じく円形の下側ドーム4とが設けられる。上側ドーム3および下側ドーム4は、石英などの透明な素材で形成されている。そして、上側ドーム3と下側ドーム4とを上下に対向して配設し、これらの両端は円環状のドーム取付体5の上下面にそれぞれ固定される。これにより、密閉された平面視して略円形の反応室2が形成される。反応室2の上方および下方には、反応室2内を加熱するハロゲンランプ6が円周方向に略均等間隔で離間して複数個それぞれ設けられる。ドーム取付体5の所定位置には、反応室2にガスを流入するガス供給口12が設けられる。また、ドーム取付体5の対向位置(ガス供給口と180°離間した位置)には、反応室2内のガスをこの外部へ排出するガス排出口13が設けられている。これらのガス供給口12およびガス排出口13は、上下に離間して2つずつ設けられている。これは、シリコンウェーハWの表面側およびサセプタ裏面側にガス流れを形成するためである。
円筒形状または円錐形状のサセプタ支持部材8にあって、その上面開口を形成する円形の周縁部(リング状の上面)には、サセプタ20の裏面に当接してこれを支持する所定長さの支持ピン22a〜22cがそれぞれ突設されている。各支持ピン22a〜22cは、円周方向に120°間隔を有して周縁部の3点に設けられる。サセプタ20の裏面の対応位置には、これらの支持ピン22a〜22cの突出端が嵌入・係合される孔23a〜23cがそれぞれ設けられる。そして、3つの支持ピン22a〜22cのうちの1つを位置決め用の支持ピン22aとする。また、サセプタ20裏面の孔23a〜23bのうち、位置決め用支持ピンの孔23aは、挿入される支持ピン外周との間に遊びを有しないような大きさに形成されている。他の2点の孔23b、23cは、サセプタ20の裏面に嵌入・係合されやすいように所定の遊び(隙間)を設けて大きめに形成されている。これにより、サセプタ支持部材8は、サセプタ20に対しての位置決めを容易にして、サセプタ20の裏面から当接して支持することが可能となる。
この結果、シリコンウェーハWを搭載するサセプタ20は、反応室2外下方に設けられたハロゲンランプからみて、サセプタ支持部材8によりその裏面略全面が覆われた構成とすることができる。また、上記支持ピン22a〜23cを設けることで、サセプタ20裏面とサセプタ支持部材8上端との間に一部が開放された室を画成することができる。これにより、サセプタ20の裏面側にも反応室2に供給されたガスのスムースな流れを形成することができる。
サセプタ20には、エピ成膜後にシリコンウェーハWを下方から持ち上げるためのリフトピン9が複数個(3本)設けられている。各リフトピン9は、サセプタ20およびサセプタ支持部材8に貫通した孔に挿入・垂下されて保持される。なお、リフトピン9は、ベルヌイチャック方式等によるシリコンウェーハ搬送を行うエピタキシャル成長装置10には不要である。
これにより、シリコンウェーハWは、反応室2内でサセプタ20に搭載されて回転しながら供給されたガスと反応して、その表面に所定厚さのエピタキシャル膜が成膜される。成膜後は、リフトアーム支持材25によりリフトアーム11を上方に持ち上げ、サセプタ8の孔に挿入保持された各リフトピン9を所定高さだけ持ち上げる。これにより、サセプタ20のポケット部24からシリコンウェーハWを持ち上げ、図示してない移載機構によりシリコンウェーハWが反応室2から排出される。
まず、直径200mm、比抵抗15mΩcmのシリコンウェーハW(片面研磨ウェーハ)を準備する。次いで、このシリコンウェーハWを、その研磨面を上方にして反応室2内のサセプタ20のポケット部24に載置する。図示していない移載機構による。この後、反応室2を密閉する。このとき、サセプタ支持部材8の3本のピン22a,22b,22cがサセプタ8裏面の孔23a,23b,23cにそれぞれ係合している。そして、サセプタ支持部材8の軸部7を所定速度で回転させて、サセプタ20に搭載されたシリコンウェーハWを回転させる。
11 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)、
20 サセプタ、
8 サセプタ支持部材。
Claims (2)
- 反応室の上壁を構成する透明な石英からなる上側ドームと、
前記反応室の下壁を構成する透明な石英からなる下側ドームと、
前記反応室内に水平に収納され、表面に半導体ウェーハが搭載される円板状のサセプタと、
前記上側ドームの上方におよび前記下側ドームの下方にそれぞれ配置され、前記サセプタに載置された前記半導体ウェーハを熱処理する複数のハロゲンランプと、
前記反応室のうち、前記サセプタの裏面側の空間に配置され、前記サセプタを下方から支持する透明な石英からなるサセプタ支持部材とを備えたエピタキシャル成長装置において、
前記サセプタ支持部材は、円筒の周側壁と該周側壁の下側開口を塞ぐ底壁とから構成された円形容器状または上側開口を有した円錐容器状のもので、
前記サセプタ支持部材は、前記サセプタのうち、前記半導体ウェーハが搭載される部分の裏面を覆う大きさで、
前記サセプタ支持部材の上側開口を形成する周縁部には、前記サセプタの裏面に先端が当接され、かつ該サセプタの裏面と前記サセプタ支持部材との間に、前記サセプタの裏面と平行にガスが流れる隙間を形成する3本の支持ピンが、前記サセプタ支持部材の周方向へ互いに離間して配設されたエピタキシャル成長装置。 - 前記サセプタの裏面のうち、前記各支持ピンの当接位置には、対応する該支持ピンの先端部が嵌入される孔が形成され、1つの該孔を残り2つの該孔より小径化することで、1本の前記支持ピンを前記サセプタの位置決め用のピンとした請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
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