JP6149796B2 - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Description
始め、サセプタの温度を室温より高くエピタキシャル成長の処理温度よりも低い搬入温度に維持しておく。そこに被処理基板をロボットなどを用いて搬入し、サセプタ上に置く。次に被処理基板の温度をエピタキシャル成長の処理温度まで上げ、反応ガスを流通させてエピタキシャル膜を形成する。次に基板の温度を搬出温度まで下げ、ロボットなどを用いて反応室から搬出する。その後、再びサセプタの温度を上げクリーニングガスを流通させてサセプタをクリーニングした後、サセプタの温度を搬入温度にまで下げて次の被処理基板を搬入する。
図1〜5に示した本発明のエピタキシャル成長装置を用い、表1に示した反応条件にて、直径300mmのシリコン単結晶基板表面に反応ガス(原料ガスがトリクロルシラン、キャリアガスが水素ガス)を供給して1μmの厚さのエピタキシャル成長膜を前記基板上に形成した。カーボンサセプタは、グラファイトに炭化ケイ素を被覆したもので熱膨張率が約4×10-6、それを支持するサセプタサポートは石英製であり熱膨張率が約5×10-7のものを使用した。サセプタの直径は350mmのものを使用した。室温は25℃、エピタキシャル成長膜形成後にシリコンウェーハを炉内から搬出する温度は900℃であった。上述した図5の間隙34は約1mmとなるように設計した。
図6に示した従来のエピタキシャル成長装置を用い、実施例と同様に表1に示した反応条件にて、直径300mmのシリコン単結晶基板表面に反応ガス(原料ガスがトリクロルシラン、キャリアガスが水素ガス)を供給して1μmの厚さのエピタキシャル成長膜を前記基板上に形成した。サセプタは、グラファイトに炭化ケイ素を被覆したもので熱膨張率が約4×10-6、それを支持するサセプタサポートもグラファイトに炭化ケイ素を被覆したもので熱膨張率が約4×10-6のものを使用した。サセプタの直径は350mmのものを使用した。室温は25℃、エピタキシャル成長膜形成後にシリコンウェーハを炉内から搬出する温度は900℃であった。
Claims (3)
- 反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を支持する回転可能なサセプタと、前記サセプタに嵌合されて前記サセプタを下方から支持するサセプタサポートと、反応性ガスを前記反応室内に供給するガス供給手段と、反応室外に配置された複数のランプによる加熱手段を具備したエピタキシャル成長装置であり、
前記サセプタと前記サセプタサポートとを熱膨張率の異なる材質で構成し、
前記サセプタと前記サセプタサポートとの熱膨張率の差により、室温では前記サセプタを前記サセプタサポートに取付けおよび取外しが可能な嵌合状態であり、エピタキシャル成長膜形成後に前記被処理基板を前記反応室内から搬出する温度では取付けおよび取外しが不可能な嵌合状態になるエピタキシャル成長装置 。 - 前記サセプタの材質が炭化ケイ素であり、前記サセプタサポートの材質が石英ガラスである請求項1記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記サセプタの材質が炭化ケイ素で被覆されたグラファイトであり、前記サセプタサポートの材質が石英ガラスである請求項1記載のエピタキシャル成長装置。
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