JP4300012B2 - 多層配線基板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板等の各種高精細な電気回路といった用途に用いることが可能な多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、多層配線基板の製造方法は、基板上に絶縁膜や、金属配線を形成することにより行われている。この際絶縁膜としては、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料が用いられている。しかしながら、これらの絶縁膜に直接パターニングをすることが困難であることから、この絶縁膜に金属を全面めっきし、さらにドライフィルム等のフォトレジストをラミネートした後、フォトマスク等を用いてパターン露光し、現像する等の多数の工程が必要であった。また、現像時に生じる廃液は有害なものであり、環境に排出するためには処理を行う必要がある等の環境面での問題もあった。
【０００３】
また、絶縁膜にスルーホールを開口する場合においては、一般に、金属配線上にポリイミド樹脂などの絶縁材料を塗布し、フォトレジストでスルホールパターンを形成した後エッチングを行い、スルーホールを開口する方法や、感光性の絶縁材料を利用して、露光と現像を行い、スルーホールを開口する方法、スルーホールを開口する部位に、オーバー露光によりフォトレジストでスルーホールの形状のパターンを形成し、ポリイミド系樹脂で被覆し、酸素プラズマなどでレジストパターンが露出するまでエッチングした後、露出したレジストを除去することによりスルーホールを開口する方法（例えば、特許文献１参照）等がある。
【０００４】
しかしながら、これらの場合においても、絶縁膜のパターニングが困難であることから、スルーホール形成後レジストを除去する工程が必要である等、製造工程が煩雑であり、製造効率やコストの面等から問題があった。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１９８６８７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のことから、簡便な工程で高精細にパターンが形成ができ、さらに廃液処理といった問題のない多層配線基板の提供が望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第１配線基板を、少なくとも２層以上積層してなり、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することを特徴とする多層配線基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、上記特性変化層を有することにより、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となり、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。また、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することにより、上記多層配線基板に、より複雑な配線パターンを形成することが可能となり、様々な用途に用いることが可能な多層配線基板とすることが可能となる。
【０００９】
上記発明においては、上記第１配線基板上に、他の層に含まれる光触媒の作用により特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第２配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。上記多層配線基板が、上記光触媒処理層側基板を用いてエネルギー照射されることにより特性が変化する上記特性反応層を用いることも可能だからである。
【００１０】
また、本発明は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第１配線基板と、他の層に含まれる光触媒の作用により特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第２配線基板とが積層されており、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することを特徴とする多層配線基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、上記特性変化層および特性反応層を有することにより、容易に特性の変化したパターンを形成することが可能となり、この特性の変化したパターンに沿って、導電性パターンを高精細に形成することが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるのである。また、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することにより、上記多層配線基板に、より複雑な配線パターンを形成することが可能となり、様々な用途に用いることが可能な多層配線基板とすることが可能となる。
【００１３】
上記発明においては、上記導電性コネクタが、特性変化層または特性反応層に形成されたスルーホールに導電性材料が充填されてなるものであることが好ましい。これにより、導電性コネクタを、容易に形成することが可能となり、コストや製造効率の面からも好ましいからである。
【００１４】
上記発明においては、基材のいずれか一方の面に、上記第１配線基板、あるいは、上記第１配線基板および上記第２配線基板が形成されていてもよい。上記多層配線基板の最下層部の特性変化層に自己支持性がない場合や、上記多層配線基板に強度が必要な場合には、上記多層配線基板が上記基材上に形成されていてもよいからである。
【００１５】
上記発明においては、上記特性変化層または特性反応層の電気抵抗が、１×１０８Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。上記特性変化層および特性反応層は、上記導電性パターンの周囲に形成されていることから、特性変化層または特性反応層の電気抵抗を上記範囲内とすることにより、上記導電性パターン部のみを導電性を有する部材とすることが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記特性変化層または特性反応層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、上記特性変化層または特性反応層に、液体を滴下することにより、容易に例えばスルーホール等を形成することが可能となるからである。
【００１７】
上記発明においては、上記液体が、アルカリ溶液であることが好ましい。これにより、上記エッチングをより効率よく行うことが可能となり、製造効率やコストの面からも好ましいからである。
【００１８】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒濡れ性変化層であることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒濡れ性変化層自体に含有される光触媒の作用により、濡れ性が低下したパターンを形成することが可能であり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により高精細に導電性パターンを形成することができるからである。
【００１９】
上記発明においては、上記光触媒濡れ性変化層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を含むことが好ましい。本発明においては、光触媒の作用による光触媒濡れ性変化層の濡れ性の変化が、バインダの材質に起因するものであってもよいが、このように光触媒の作用により分解される分解物質を、光触媒濡れ性変化層に含有させることによりその表面の濡れ性をパターン状に変化させてもよいからである。
【００２０】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒密着性変化層であることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒密着性変化層自体に含有される光触媒の作用により、容易に表面の密着性が変化したパターンを形成することが可能となり、この密着性の差を利用して例えば蒸着法等により、高精細に導電性パターンを形成することができるからである。
【００２１】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記濡れ性変化層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２２】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記密着性変化層の表面の密着性が変化したパターンを形成することが可能となり、この密着性の差を利用して、例えば蒸着法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２３】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記分解除去層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記光触媒処理層上に、凹凸を有するパターンを形成することが可能となり、この凹凸を利用して、例えばインクジェット法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２４】
上記発明においては、上記特性反応層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化層であってもよい。上記特性反応層が、上記濡れ性変化層であることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層側基板における光触媒の作用により、上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００２５】
上記発明においては、上記特性反応層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する密着性変化層であってもよい。上記特性反応層が、上記密着性変化層であることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層側基板における光触媒の作用により、上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が変化したパターンを形成することが可能となり、この濡れ性の差を利用して、例えば蒸着法等により導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００２６】
また、本発明は、光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する特性変化層調製工程と、上記特性変化層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する特性変化パターン形成工程と、上記特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程と、を有する配線基板形成工程を少なくとも２回以上行い、上記特性変化層調製工程後、上記特性変化層上にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成するスルーホール特性変化パターン形成工程と、上記スルーホール特性変化パターンに沿って、液体を塗布することにより、スルーホールを形成するスルーホール形成工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法を提供する。
【００２７】
本発明によれば、上記配線基板形成工程が、上記特性変化パターン形成工程を有することにより、特性が変化した特性変化パターンを形成することができ、上記導電性パターン形成工程により、この特性変化パターンに沿って容易に導電性パターンを形成された配線基板を製造することが可能となるのである。
【００２８】
さらに、上記配線基板形成工程を少なくとも２回以上行うことにより、高精細な多層配線基板を製造することが可能となる。また、導電性コネクタを形成するためのスルーホールを、上記スルーホール特性変化パターン形成工程および上記スルーホール形成工程により行うことにより、効率よく形成することが可能となる。
【００２９】
上記発明においては、２回目以降に行われる上記配線基板形成工程における上記特性変化層調製工程が、塗布法により行なわれることが好ましい。これにより、上記特性変化層を、直前の配線基板形成工程により形成された導電性パターンの周囲にも形成することが可能となり、酸素や水蒸気の影響を受けることを防止することが可能な高品質な多層配線基板とすることが可能となり、また製造効率の面からも好ましいからである。
【００３１】
上記発明においては、上記スルーホール形成工程が、アルカリ溶液を塗布することにより行われることが好ましい。これにより、上記スルーホール形成工程を容易に、効率よく行うことが可能となるからである。
【００３２】
上記発明においては、１回目に行なわれる上記配線基板形成工程における上記特性変化層調製工程にて、基材上に上記特性変化層を形成してもよい。これにより、上記多層配線基板における最下層部の配線基板の上記特性変化層が自己支持性を有しない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合には、上記基材上に形成されていてもよい。
【００３３】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒濡れ性変化層であることにより、上記特性変化パターン形成工程において、上記光触媒濡れ性変化層の表面に、濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、導電性パターン形成工程により、容易に導電性パターンを形成することができるからである。
【００３４】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する光触媒密着性変化層であることが好ましい。上記特性変化層が、上記光触媒密着性変化層であることにより、上記特性変化パターン形成工程において、上記光触媒密着性変化層上に密着性の変化したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程において、この密着性の差を利用して、容易に高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３５】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記濡れ性変化層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記濡れ性変化層表面に濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの濡れ性の差を利用して、高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３６】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記濡れ性変化層表面に密着性の変化したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの密着性の差を利用して、導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３７】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記分解除去層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記光触媒処理層上に凹凸を有するパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの凹凸を利用して、導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明は、多層配線基板および多層配線基板の製造方法に関するものである。以下、それぞれについてわけて説明する。
【００３９】
Ａ．多層配線基板
まず、本発明の多層配線基板について説明する。本発明における多層配線基板は、二つの実施態様がある。以下、これらの実施態様についてわけて説明する。
【００４０】
１．第一実施態様
本発明の多層配線基板における第一実施態様は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、前記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板を、少なくとも２層以上積層してなることを特徴とするものである。
【００４１】
本実施態様の多層配線基板は、例えば図１に示すように、特性変化層１と、上記特性変化層１上に形成された導電性パターン２とからなる配線基板３が、少なくとも２層以上積層されたことを特徴とするものであり、図２に示すように、多層配線基板が基材４上に形成されたものであってもよい。
【００４２】
また、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【００４３】
さらに、例えば図３に示すように、特性変化層１と、上記特性変化層１上に形成された導電性パターン２とからなる配線基板３上に、上記配線基板３と同様の配線基板３′が積層されており、配線基板３における導電性パターン２と、隣接する配線基板３′における導電性パターン２′との間に導電性コネクタ１６を有するものであってもよい。
【００４４】
本実施態様によれば、上記配線基板が、光触媒を含有する上記特性変化層を有することにより、エネルギー照射により、導電性パターンを形成するパターン状に特性を変化させることが可能であり、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となるのである。また、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。以下、上述したような多層配線基板の各構成について説明する。
【００４５】
（特性変化層）
まず、本実施態様に用いられる特性変化層について説明する。本実施態様に用いられる特性変化層とは、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する層である。
【００４６】
本実施態様においては、この特性変化層の電気抵抗が、中でも１×１０１５Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。特性変化層の電気抵抗を、上記範囲内とすることにより、多層配線基板を形成した際に、後述する導電性パターンのみを導電性を有する電気配線として用いることが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるからである。
【００４７】
また、本実施態様においては、上記特性変化層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましく、中でもアルカリ溶液によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、例えば多層配線基板中に、隣接する導電性パターン間を接続する導電性コネクタを有する場合に、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを形成する際に、特性の変化したパターンに沿って液体を付着させることにより、容易にエッチングを行うこと等が可能となり、またそのエッチングに用いられる液体がアルカリ溶液であれば、より効率的にエッチングを行うことが可能となるからである。
【００４８】
また、本実施態様に用いられる特性変化層は上述したような特性を有していれば、その特性変化の種類や構成等は特に限定されるものではないが、本実施態様に用いられる特性変化層は、中でも、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層である場合（以下、第一の態様とする）、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層である場合（以下、第二の態様とする）、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層である場合（以下、第三の態様とする）、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層である場合（以下、第四の態様とする）、および少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層である場合（以下、第五の態様とする）であることが好ましい。
【００４９】
以下、上記の各態様についてわけて説明する。
【００５０】
（１）第一の態様
まず、本実施態様の特性変化層における第一の態様について説明する。本実施態様の特性変化層における第一の態様は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層である。
【００５１】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する層であれば特に限定されるものではなく、これにより、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となる。
【００５２】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は中でも、エネルギー照射していない部分、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力３０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分が撥液性が要求される部分であることから、上記液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、後述する導電性パターンを例えば、導電性パターン組成物をインクジェット方式等により塗布し、硬化させて形成する場合等に、撥液性領域にも導電性パターン組成物が付着する可能性があることから、高精細に導電性パターンを形成することが困難となるからである。
【００５３】
また、上記光触媒濡れ性変化層は、エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高い場合は、例えば導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を、親液性領域においてもはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法により導電性パターン組成物を塗布した際に、導電性パターン組成物が十分に塗れ広がらず、導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。
【００５４】
なお、ここでいう液体との接触角は、種々の表面張力を有する液体との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴を滴下して３０秒後）し、その結果から、もしくはその結果をグラフにして得たものである。また、この測定に際して、種々の表面張力を有する液体としては、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を用いた。
【００５５】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は、この光触媒濡れ性変化層中にフッ素が含有され、さらにこの光触媒濡れ性変化層表面のフッ素含有量が、光触媒濡れ性変化層に対しエネルギーを照射した際に、上記光触媒の作用によりエネルギー照射前に比較して低下するように上記光触媒濡れ性変化層が形成されていてもよく、またエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を含むように形成されていてもよい。
【００５６】
上述したような光触媒濡れ性変化層における、後述するような二酸化チタンに代表される光触媒の作用機構は、必ずしも明確なものではないが、光の照射によって生成したキャリアが、近傍の化合物との直接反応、あるいは、酸素、水の存在下で生じた活性酸素種によって、有機物の化学構造に変化を及ぼすものと考えられている。本態様においては、このキャリアが光触媒濡れ性変化層内のバインダ化合物に作用を及ぼし、その表面の濡れ性を変化させるものであると考えられる。
【００５７】
以下、このような光触媒濡れ性変化層を構成する、光触媒、バインダ、およびその他の成分について説明する。
【００５８】
ａ．光触媒
まず、本態様に用いられる光触媒について説明する。本態様に用いられる光触媒としては、光半導体として知られる例えば二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を挙げることができ、これらから選択して１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００５９】
本態様においては、特に二酸化チタンが、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で毒性もなく、入手も容易であることから好適に使用される。二酸化チタンには、アナターゼ型とルチル型があり本態様ではいずれも使用することができるが、アナターゼ型の二酸化チタンが好ましい。アナターゼ型二酸化チタンは励起波長が３８０ｎｍ以下にある。
【００６０】
このようなアナターゼ型二酸化チタンとしては、例えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産業（株）製ＳＴＳ−０２（平均粒径７ｎｍ）、石原産業（株）製ＳＴ−Ｋ０１）、硝酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学（株）製ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））等を挙げることができる。
【００６１】
光触媒の粒径は小さいほど光触媒反応が効果的に起こるので好ましく、平均粒径か５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下の光触媒を使用するのが特に好ましい。
【００６２】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層中の光触媒の含有量は、５〜６０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で設定することができる。また、光触媒濡れ性変化層の厚みは、０．０５〜１０μｍの範囲内が好ましい。
【００６３】
ｂ．バインダ
次に、本態様に用いられるバインダについて説明する。本態様においては、光触媒濡れ性変化層上の濡れ性の変化をバインダ自体に光触媒が作用することにより行う場合（第１の形態）と、エネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層に含有させることにより変化させる場合（第２の形態）と、これらを組み合わせることにより行う場合（第３の形態）の三つ形態に分けることができる。上記第１の形態および第３の形態において用いられるバインダは、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる機能を有する必要があり、上記第２の形態では、このような機能は特に必要ない。
【００６４】
以下、まず第２の形態に用いられるバインダ、すなわち光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を特に必要としないバインダについて説明し、次に第１の形態および第３の形態に用いられるバインダ、すなわち光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を有するバインダについて説明する。
【００６５】
上記第２の形態に用いられる、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を特に必要としないバインダとしては、主骨格が上記光触媒の光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであれば特に限定されるものではない。具体的には、有機置換基を有しない、もしくは多少有機置換基を有するポリシロキサンを挙げることができ、これらはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等を加水分解、重縮合することにより得ることができる。
【００６６】
このようなバインダを用いた場合は、添加剤としてエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層中に含有させることが必須となる。
【００６７】
次に、上記第１の形態および第３の形態に用いられる、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を必要とするバインダについて説明する。このようなバインダとしては、主骨格が上記の光触媒の光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであって、光触媒の作用により分解されるような有機置換基を有するものが好ましく、例えば、（１）ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサン、（２）撥水牲や撥油性に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。
【００６８】
上記の（１）の場合、一般式：
ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）
（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）
で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００６９】
また、バインダとして、特にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンが好ましく用いることができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができる。
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ ＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ ＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンをバインダとして用いることにより、光触媒濡れ性変化層のエネルギー未照射部の撥液性が大きく向上し、導電性パターンを形成する導電性パターン組成物の付着を妨げる機能を発現する。
【００７０】
また、上記の（２）の反応性シリコーンとしては、下記一般式で表される骨格をもつ化合物を挙げることができる。
【００７１】
【化１】
【００７２】
ただし、ｎは２以上の整数であり、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキル基であり、モル比で全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルである。また、Ｒ１、Ｒ２がメチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、モル比でメチル基が６０％以上であることが好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基等の反応性基を有する。
【００７３】
また、上記のオルガノポリシロキサンとともに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応をしない安定なオルガノシリコン化合物をバインダに混合してもよい。
【００７４】
ｃ．分解物質
上記第２の形態および第３の形態においては、さらにエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層に含有させる必要がある。すなわち、バインダ自体に光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能が無い場合、およびそのような機能が不足している場合に、上述したような分解物質を添加して、上記光触媒濡れ性変化層上の濡れ性の変化を起こさせる、もしくはそのような変化を補助させるようにするのである。
【００７５】
このような分解物質としては、光触媒の作用により分解し、かつ分解されることにより光触媒濡れ性変化層表面の濡れ性を変化させる機能を有する界面活性剤を挙げることができる。具体的には、日光ケミカルズ（株）製ＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン社製ＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子（株）製サーフロンＳ−１４１、１４５、大日本インキ化学工業（株）製メガファックＦ−１４１、１４４、ネオス（株）製フタージェントＦ−２００、Ｆ２５１、ダイキン工業（株）製ユニダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム（株）製フロラードＦＣ−１７０、１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤を用いることもできる。
【００７６】
また、界面活性剤の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を挙げることができる。
【００７７】
ｄ．フッ素の含有
また、本態様においては、光触媒濡れ性変化層がフッ素を含有し、さらにこの光触媒濡れ性変化層表面のフッ素含有量が、光触媒濡れ性変化層に対しエネルギーを照射した際に、上記光触媒の作用によりエネルギー照射前に比較して低下するように上記光触媒濡れ性変化層が形成されていることが好ましい。
【００７８】
このような特徴を有する光触媒濡れ性変化層であれば、エネルギーをパターン照射することにより、後述するように容易にフッ素の含有量の少ない部分からなるパターンを形成することができる。ここで、フッ素は極めて低い表面エネルギーを有するものであり、このためフッ素を多く含有する物質の表面は、臨界表面張力がより小さくなる。したがって、フッ素の含有量の多い部分の表面の臨界表面張力に比較してフッ素の含有量の少ない部分の臨界表面張力は大きくなる。これはすなわち、フッ素含有量の少ない部分はフッ素含有量の多い部分に比較して親液性領域となっていることを意味する。よって、周囲の表面に比較してフッ素含有量の少ない部分からなるパターンを形成することは、撥液性域内に親液性領域のパターンを形成することとなる。
【００７９】
したがって、このような光触媒濡れ性変化層を用いた場合は、エネルギーをパターン照射することにより、撥液性領域内に親液性領域のパターンを容易に形成することができるので、例えばインクジェット法等により、導電性パターン組成物を塗布した場合に、高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００８０】
上述したような、フッ素を含む光触媒濡れ性変化層中に含まれるフッ素の含有量としては、エネルギーが照射されて形成されたフッ素含有量が低い親液性領域におけるフッ素含有量が、エネルギー照射されていない部分のフッ素含有量を１００とした場合に１０以下、好ましくは５以下、特に好ましくは１以下であることが好ましい。
【００８１】
このような範囲内とすることにより、エネルギー照射部分と未照射部分との親液性に大きな違いを生じさせることができる。したがって、このような光触媒濡れ性変化層に、例えば導電性パターン組成物を付着させることにより、フッ素含有量が低下した親液性領域のみに正確に導電性パターンを形成することが可能となり、精度の良い配線基板を得ることができるからである。なお、この低下率は重量を基準としたものである。
【００８２】
このような光触媒濡れ性変化層中のフッ素含有量の測定は、一般的に行われている種々の方法を用いることが可能であり、例えばＸ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy, ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)とも称される。）、蛍光Ｘ線分析法、質量分析法等の定量的に表面のフッ素の量を測定できる方法であれば特に限定されるものではない。
【００８３】
また、本態様においては、光触媒として上述したように二酸化チタンが好適に用いられるが、このように二酸化チタンを用いた場合の、光触媒濡れ性変化層中に含まれるフッ素の含有量としては、Ｘ線光電子分光法で分析して定量化すると、チタン（Ｔｉ）元素を１００とした場合に、フッ素（Ｆ）元素が５００以上、このましくは８００以上、特に好ましくは１２００以上となる比率でフッ素（Ｆ）元素が光触媒濡れ性変化層表面に含まれていることが好ましい。
【００８４】
フッ素（Ｆ）が光触媒濡れ性変化層にこの程度含まれることにより、光触媒濡れ性変化層上における臨界表面張力を十分低くすることが可能となることから表面における撥液性を確保でき、これによりエネルギーをパターン照射してフッ素含有量を減少させたパターン部分における表面の親液性領域との濡れ性の差異を大きくすることができ、最終的に得られる配線基板の精度を向上させることができるからである。
【００８５】
さらに、このような配線基板においては、エネルギーをパターン照射して形成される親インク領域におけるフッ素含有量が、チタン（Ｔｉ）元素を１００とした場合にフッ素（Ｆ）元素が５０以下、好ましくは２０以下、特に好ましくは１０以下となる比率で含まれていることが好ましい。
【００８６】
光触媒濡れ性変化層中のフッ素の含有率をこの程度低減することができれば、配線基板を形成するためには十分な親液性を得ることができ、上記エネルギーが未照射である部分の撥液性との濡れ性の差異により、配線基板を精度良く形成することが可能となり、利用価値の高い多層配線基板を得ることができる。
【００８７】
ｅ．光触媒濡れ性変化層の製造方法
上述したようにオルガノポリシロキサンをバインダとして用いた場合は、上記光触媒濡れ性変化層は、光触媒とバインダであるオルガノポリシロキサンとを必要に応じて他の添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を基材上に塗布することにより形成することができる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布はスピンコート、スプレーコート、ディッブコート、ロールコート、ビードコート等の公知の塗布方法により行うことができる。バインダとして紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより、光触媒濡れ性変化層を形成することができる。
【００８８】
（２）第二の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第二の態様について説明する。本態様における特性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層である場合である。
【００８９】
本態様に用いられる光触媒密着性変化層は、エネルギー照射に伴い、光触媒密着性変化層自体に含有される光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する層であれば特に限定されるものではないが、その光触媒密着性変化層表面における物との密着性が向上するように密着性が変化する層であることが好ましい。
【００９０】
このように、エネルギー照射により物との密着性が向上するように密着性が変化する光触媒密着性変化層とすることにより、エネルギーが照射された部分を密着性良好領域、エネルギーが照射されていない部分を密着阻害領域とすることが可能となるのである。この密着性の差を利用して、例えば、全面に導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を蒸着した場合に、密着性良好領域のみに導電性パターン組成物が密着し、密着阻害領域には導電性パターン組成物が密着しないことから、密着阻害領域における導電性パターン組成物を容易に除去することが可能となり、後述する導電性パターンを密着性領域のみに容易に形成することが可能となるのである。
【００９１】
ここで、密着性良好領域とは、物との密着性が良好な領域であり、後述する導電性パターンを形成する導電性パターン組成物に対する密着性の良好な領域をいうこととする。また、密着阻害領域とは、物との密着性が悪い領域であり、導電性パターン組成物に対する密着性が悪い領域をいうこととする。
【００９２】
本実施態様における光触媒密着性変化層は、密着性阻害物質を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性阻害物質が除去される層である場合（第一の形態）と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により光触媒密着性変化層上に凹凸が形成され、物理的に密着性が向上する場合（第二の形態）とがある。以下、それぞれの形態についてわけて説明する。
【００９３】
まず、第一の形態について説明する。本形態の光触媒密着性変化層は、密着性を阻害する物質が含有されており、この密着性阻害物質により、エネルギー照射されていない密着阻害領域においては、例えば蒸着法等により塗布された導電性パターン組成物が密着することを阻害することが可能である。また、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、この密着性阻害物質が除去されることによって密着性が向上し、密着性良好領域を形成することが可能となるのである。
【００９４】
この光触媒密着性変化層の第一の形態として具体的には、光触媒およびバインダ等、上述した第一の態様の光触媒濡れ性変化層の項で説明したものと同様のものを用いることが可能である。
【００９５】
次に、第二の形態について説明する。本形態の光触媒密着性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、表面に凹凸が形成される層であり、この表面の凹凸によるアンカー効果により導電性パターン組成物の密着性を向上させることが可能となるのである。また、エネルギー照射されていない密着阻害領域においては、凹凸が形成されていないことから、導電性パターン組成物が密着することが困難であり、この密着性の差を利用して、特性変化パターンを容易に形成することが可能となるのである。
【００９６】
この光触媒密着性変化層の第二の態様に用として具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、メチルメタクリレート単重合体または共重合体、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ＰＴＦＥ等を用いることが可能である。
【００９７】
（３）第三の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第三の態様について説明する。本態様の特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層である。
【００９８】
本態様において、特性変化層が上記光触媒処理層と上記濡れ性変化層とから構成されることにより、エネルギー照射に伴い、上記光触媒処理層中の光触媒が活性化され、その光触媒処理層上に形成された上記濡れ性変化層表面の濡れ性を変化させるのである。以下、この濡れ性変化層および光触媒処理層について説明する。
【００９９】
ａ．光触媒処理層
本態様に用いられる光触媒処理層は、少なくとも光触媒を含有するものであり、光触媒処理層がバインダを有する場合は、上記第一の態様で説明した光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略する。ただし、本態様においては、光触媒処理層上の濡れ性は特に変化する必要がないことから、バインダ自体に光触媒が作用することによる濡れ性の変化が生じない場合であっても、第一の態様のように分解物質を光触媒処理層に含有させる必要がない。また、バインダを有する場合の光触媒処理層の製造方法は、上述した第一の態様と同様であるので、これについての説明も省略する。
【０１００】
一方、バインダを有さない場合の光触媒処理層の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の真空製膜法を用いる方法を挙げることができる。真空製膜法により光触媒処理層を形成することにより、均一な膜でかつ光触媒のみを含有する光触媒処理層とすることが可能であり、これにより濡れ性変化層上の濡れ性を均一に変化させることが可能であり、かつ光触媒のみからなることから、バインダを用いる場合と比較して効率的に濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることが可能となる。
【０１０１】
また、光触媒のみからなる光触媒処理層の他の形成方法としては、例えば光触媒が二酸化チタンの場合は、基材上に無定形チタニアを形成し、次いで焼成により結晶性チタニアに相変化させる方法等が挙げられる。ここで用いられる無定形チタニアとしては、例えば四塩化チタン、硫酸チタン等のチタンの無機塩の加水分解、脱水縮合、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラメトキシチタン等の有機チタン化合物を酸存在下において加水分解、脱水縮合によって得ることができる。次いで、４００℃〜５００℃における焼成によってアナターゼ型チタニアに変性し、６００℃〜７００℃の焼成によってルチル型チタニアに変性することができる。
【０１０２】
ｂ．濡れ性変化層
次に、本態様に用いられる濡れ性変化層について説明する。
【０１０３】
本態様に用いられる濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するような層であれば、特に限定されるものではないが、中でも、エネルギー照射していない部分、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力３０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分が撥液性が要求される部分であることから、上記液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、後述する導電性パターンを例えば、導電性パターン組成物をインクジェット方式等により塗布し、硬化させて形成する場合等に、撥液性領域にも導電性パターン組成物が付着する可能性があることから、高精細に導電性パターンを形成することが困難となるからである。
【０１０４】
また、上記濡れ性変化層は、エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高い場合は、例えば導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を、親液性領域においてもはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法により導電性パターン組成物を塗布した際に、導電性パターン組成物が十分に塗れ広がらず、導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。
【０１０５】
なお、ここでいう液体との接触角は、第一の態様において説明した方法と同様に測定した値である。
【０１０６】
この濡れ性変化層は、上記光触媒処理層の作用により濡れ性が変化する層であれば特に限定されるものではないが、上述した第一の態様の光触媒処理層中のバインダと同様の材料で形成することが好ましい。なお、このように上記第一の態様の光触媒処理層中のバインダと同様の材料で形成した場合の濡れ性変化層の材料および形成方法に関しては、上記第一の態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０７】
本態様において、この濡れ性変化層の厚みは、光触媒による濡れ性の変化速度等の関係より、０．００１μｍから１μｍであることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲内である。
【０１０８】
本態様において上述した成分の濡れ性変化層を用いることにより、隣接する光触媒処理層中の光触媒の作用により、上記成分の一部である有機基や添加剤の酸化、分解等の作用を用いて、エネルギー照射部分の濡れ性を変化させて親液性とし、エネルギー未照射部との濡れ性に大きな差を生じさせることができる。
【０１０９】
なお、この濡れ性変化層には、上記第一の態様における光触媒処理層の説明中「フッ素の含有」の項で記載したものと同様にして同様のフッ素を含有させることができる。
【０１１０】
なお、本態様においては、濡れ性変化層中に光触媒を含有する必要がなく、この場合には、経時的に導電性パターンが光触媒の影響を受ける可能性を少なくすることが可能である。
【０１１１】
（４）第四の態様
次に、本実施態様における特性変化層の第四の態様について説明する。本態様における特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層である。
【０１１２】
本態様によれば、上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層により構成されることにより、エネルギー照射に伴い、上記光触媒処理層中の光触媒が励起され、これにより上記密着性変化層の密着性が変化するのである。
【０１１３】
なお、本態様に用いられる光触媒処理層については、上述した第三の態様における光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略し、密着性変化層について以下説明する。
【０１１４】
本態様に用いられる密着性変化層は、上記光触媒処理層の作用により密着性が変化する層であれば特に限定されるものではないが、中でもエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が向上する層であることが好ましい。この密着性変化層としては、上述した第二の態様の光触媒密着性変化層中のバインダと同様の材料で形成することが好ましい。なお、このように上記第二の態様の光触媒密着性変化層中のバインダと同様の材料で形成した場合の密着性変化層の材料および形成方法に関しては、上記第二の態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
本態様において、この密着性変化層の厚みは、光触媒による密着性の変化速度等の関係より、０．００１μｍから１μｍであることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲内である。
【０１１６】
（５）第五の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第五の態様について説明する。本態様における特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層である場合である。
【０１１７】
本態様の特性変化層は、上記光触媒処理層と、上記分解除去層とから構成されることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒処理層中の光触媒が励起され、上記分解除去層が分解除去されることにより、上記光触媒処理層上に、凹凸を有するパターンを形成することが可能となるのである。
【０１１８】
本態様に用いられる光触媒処理層は、上述した第三の態様で述べたものと同様であるので、ここでの説明は省略し、以下、分解除去層について説明する。
【０１１９】
本態様に用いられる分解除去層は、エネルギー照射された際に光触媒処理層中の光触媒の作用により、エネルギー照射された部分の分解除去層が分解除去される層であれば、特に限定されるものではない。
【０１２０】
このように分解除去層は、エネルギー照射した部分が光触媒の作用により分解除去されることから、現像工程や洗浄工程を行うことなく分解除去層のある部分と無い部分からなるパターン、すなわち凹凸を有するパターンを形成することができる。
【０１２１】
なお、この分解除去層は、エネルギー照射による光触媒の作用により酸化分解され、気化等されることから、現像・洗浄工程等の特別な後処理なしに除去されるものであるが、分解除去層の材質によっては、洗浄工程等を行ってもよい。
【０１２２】
また、本態様に用いられる分解除去層は、凹凸を形成するのみならず、この分解除去層が、上記露出した部材表面と比較して、液体との接触角が高いことが好ましい。これにより、分解除去層が分解除去された領域を親液性領域、上記分解除去層が残存する領域を撥液性領域とすることが可能となり、種々の導電性パターンを形成することが可能となるからである。この際、分解除去層が分解除去されて露出する部材は、光触媒処理層である。
【０１２３】
ここで、本態様の分解除去層、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分は、本態様においては撥液性が要求される部分であることから、液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、例えばインクジェット法等により、導電性パターン組成物を塗布した際に、撥液性領域にまで導電性パターン組成物が付着する可能性が生じることから、高精細な配線基板とすることが困難となるからである。
【０１２４】
また、エネルギー照射により露出した光触媒処理層、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における導電性パターン組成物との接触角が高い場合は、導電性パターン組成物を塗布した場合に、親液性領域においても導電性パターン組成物をはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法等により親液性領域上に導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。ここで、液体との接触角は、第一実施態様において説明した方法により測定した値である。
【０１２５】
本態様の分解除去層に用いることができる膜としては、具体的にはフッ素系や炭化水素系の撥液性を有する樹脂等による膜を挙げることができる。これらのフッ素系や炭化水素系の樹脂は、撥液性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、これらの樹脂を溶媒に溶解させ、例としてスピンコート法等の一般的な成膜方法により形成することが可能である。
【０１２６】
また、本態様においては、機能性薄膜、すなわち、自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロケット膜、および交互吸着膜等を用いることにより、欠陥のない膜を形成することが可能であることから、このような成膜方法を用いることがより好ましいといえる。
【０１２７】
ここで、本態様に用いられる自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロケット膜、および交互吸着膜について具体的に説明する。
【０１２８】
（ｉ）自己組織化単分子膜
自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer)の公式な定義の存在を発明者らは知らないが、一般的に自己組織化膜として認識されているものの解説文としては、例えばAbraham Ulmanによる総説“Formation and Structure of Self-Assembled Monolayers”, Chemical Review, 96, 1533-1554 (1996)が優れている。本総説を参考にすれば、自己組織化単分子膜とは、適当な分子が適当な基材表面に吸着・結合（自己組織化）した結果生じた単分子層のことと言える。自己組織化膜形成能のある材料としては、例えば、脂肪酸などの界面活性剤分子、アルキルトリクロロシラン類やアルキルアルコキシド類などの有機ケイ素分子、アルカンチオール類などの有機イオウ分子、アルキルフォスフェート類などの有機リン酸分子などが挙げられる。分子構造の一般的な共通性は、比較的長いアルキル鎖を有し、片方の分子末端に基材表面と相互作用する官能基が存在することである。アルキル鎖の部分は分子同士が２次元的にパッキングする際の分子間力の源である。もっとも、ここに示した例は最も単純な構造であり、分子のもう一方の末端にアミノ基やカルボキシル基などの官能基を有するもの、アルキレン鎖の部分がオキシエチレン鎖のもの、フルオロカーボン鎖のもの、これらが複合したタイプの鎖のものなど様々な分子から成る自己組織化単分子膜が報告されている。また、複数の分子種から成る複合タイプの自己組織化単分子膜もある。また、最近では、デンドリマーに代表されるような粒子状で複数の官能基（官能基が一つの場合もある）を有する高分子や直鎖状（分岐構造のある場合もある）の高分子が一層基材表面に形成されたもの（後者はポリマーブラシと総称される）も自己組織化単分子膜と考えられる場合もあるようである。本態様は、これらも自己組織化単分子膜に含める。
【０１２９】
（ii）ラングミュア−ブロジェット膜
本態様に用いられるラングミュア−ブロジェット膜(Langmuir-Blodgett Film)は、基材上に形成されてしまえば形態上は上述した自己組織化単分子膜との大きな相違はない。ラングミュア−ブロジェット膜の特徴はその形成方法とそれに起因する高度な２次元分子パッキング性（高配向性、高秩序性）にあると言える。すなわち、一般にラングミュア−ブロジェット膜形成分子は気液界面上に先ず展開され、その展開膜がトラフによって凝縮されて高度にパッキングした凝縮膜に変化する。実際は、これを適当な基材に移しとって用いる。ここに概略を示した手法により単分子膜から任意の分子層の多層膜まで形成することが可能である。また、低分子のみならず、高分子、コロイド粒子なども膜材料とすることができる。様々な材料を適用した最近の事例に関しては宮下徳治らの総説“ソフト系ナノデバイス創製のナノテクノロジーへの展望” 高分子 50巻 9月号 644-647 (2001)に詳しく述べられている。
【０１３０】
（iii）交互吸着膜
交互吸着膜(Layer-by-Layer Self-Assembled Film)は、一般的には、最低２個の正または負の電荷を有する官能基を有する材料を逐次的に基材上に吸着・結合させて積層することにより形成される膜である。多数の官能基を有する材料の方が膜の強度や耐久性が増すなど利点が多いので、最近ではイオン性高分子（高分子電解質）を材料として用いることが多い。また、タンパク質や金属や酸化物などの表面電荷を有する粒子、いわゆる“コロイド粒子”も膜形成物質として多用される。さらに最近では、水素結合、配位結合、疎水性相互作用などのイオン結合よりも弱い相互作用を積極的に利用した膜も報告されている。比較的最近の交互吸着膜の事例については、静電的相互作用を駆動力にした材料系に少々偏っているがPaula T. Hammondによる総説“Recent Explorations in Electrostatic Multilayer Thin Film Assembly”Current Opinion in Colloid & Interface Science, 4, 430-442 (2000)に詳しい。交互吸着膜は、最も単純なプロセスを例として説明すれば、正（負）電荷を有する材料の吸着−洗浄−負（正）電荷を有する材料の吸着−洗浄のサイクルを所定の回数繰り返すことにより形成される膜である。ラングミュア−ブロジェット膜のように展開−凝縮−移し取りの操作は全く必要ない。また、これら製法の違いより明らかなように、交互吸着膜はラングミュア−ブロジェット膜のような２次元的な高配向性・高秩序性は一般に有さない。しかし、交互吸着膜及びその作製法は、欠陥のない緻密な膜を容易に形成できること、微細な凹凸面やチューブ内面や球面などにも均一に成膜できることなど、従来の成膜法にない利点を数多く有している。
【０１３１】
また、分解除去層の膜厚としては、後述するエネルギーの照射の際に、照射されるエネルギーにより分解除去される程度の膜厚であれば特に限定されるものではない。具体的な膜厚としては、照射されるエネルギーの種類や分解除去層の材料等により大きく異なるものではあるが、一般的には、０．００１μｍ〜１μｍの範囲内、特に０．０１μｍ〜０．１μｍの範囲内とすることが好ましい。
【０１３２】
（特性変化層の特性が変化したパターン）
次に、上記特性変化層の特性が変化したパターンについて説明する。本実施態様においては、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って後述する導電性パターンを形成するために、上記特性変化層の特性が変化したパターンを形成するのである。
【０１３３】
本実施態様における特性変化層の特性が変化したパターンの形成方法は、上記特性変化層に、所定の方向からエネルギーをパターン照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したパターンを形成する方法が用いられる。
【０１３４】
なお、本発明でいうエネルギー照射（露光）とは、上記特性変化層の特性を変化させることが可能ないかなるエネルギー線の照射をも含む概念であり、可視光の照射に限定されるものではない。
【０１３５】
通常このようなエネルギー照射に用いる光の波長は、４００ｎｍ以下の範囲、好ましくは３８０ｎｍ以下の範囲から設定される。これは、上述したように光触媒に二酸化チタンが好ましく用いられ、この二酸化チタンにより光触媒作用を活性化させるエネルギーとして、上述した波長の光が好ましいからである。
【０１３６】
このようなエネルギー照射に用いることができる光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、その他種々の光源を挙げることができる。
【０１３７】
上述したような光源を用い、フォトマスクを介したパターン照射により行う方法の他、エキシマ、ＹＡＧ等のレーザを用いてパターン状に描画照射する方法を用いることも可能である。
【０１３８】
また、エネルギー照射に際してのエネルギーの照射量は、特性変化層が光触媒の作用により特性が変化するのに必要な照射量とする。
【０１３９】
この際、光触媒を加熱しながらエネルギー照射することにより、感度を上昇させことが可能となり、効率的な濡れ性の変化を行うことができる点で好ましい。具体的には３０℃〜８０℃の範囲内で加熱することが好ましい。
【０１４０】
（導電性パターン）
次に、本実施態様に用いられる導電性パターンについて説明する。本実施態様に用いられる導電性パターンは、上述した特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性を有するパターンであれば、そのパターンの形状や材料等は特に限定されるものではない。本実施態様における導電性パターンに用いられる材料として、具体的には、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、鉛、スズおよびこれらのなかの金属を一種以上含む粉末状の金属または合金と、バインダ樹脂、分散材、有機溶剤からなる金属インキを挙げることができ、中でも銅および銀を用いた金属インキであることが好ましい。
【０１４１】
また、本実施態様の導電性パターンの形成方法は、上述した特性変化層の特性の変化により適宜選択されるものであるが、具体的には、蒸着法、無電界めっき、ディップコート、ロールコート、ブレードコート、スピンコート等の塗布手段、インクジェット、電解ジェット等を含むノズル吐出手段等の手段等が挙げられる。
【０１４２】
例えば上記特性変化層が光触媒濡れ性変化層または濡れ性変化層である場合には、親液性領域および撥液性領域が形成されており、この濡れ性の差を利用して、親液性領域のみに、金属コロイド溶液をインクジェット法やロールコート法により塗布する方法や、金属ペーストを電解ジェット法により塗布する方法等が挙げられる。
【０１４３】
また、上記特性変化層が光触媒密着性変化層または密着性変化層である場合には、密着性良好領域および密着阻害領域が形成されており、例えば蒸着法等により全面に金属を付着させ、金属が密着していない密着阻害領域上の金属を除去することにより、密着性良好領域上のみに導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０１４４】
さらに、上記特性変化層が分解除去層である場合には、表面に形成された凹凸を利用して、金属コロイド溶液をインクジェット法により塗布する方法や、金属ペーストを電解ジェット法により塗布する方法等が挙げられる。
【０１４５】
（配線基板）
次に、本実施態様における配線基板について説明する。本実施態様における配線基板とは、上記特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された上記導電性パターンとを有するものであり、その配線パターン等は特に限定されるものではない。
【０１４６】
（多層配線基板）
次に、本実施態様の多層配線基板について説明する。本実施態様の多層配線基板は、上記配線基板が少なくとも２層以上積層されたものであり、中でも３層から５層積層されたものであることが好ましい。
【０１４７】
本実施態様においては、上述した高精細な導電性パターンを有する配線基板を積層することにより、高精細な導電性パターンを有する多層配線基板とすることが可能となるのである。
【０１４８】
また、本実施態様の多層配線基板においては、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層（後で記述する）と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【０１４９】
また、隣接する配線基板の導電性パターン間に、後述するような導電性コネクタを有していてもよく、また最下層部の特性変化層に自己支持性がない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合等には、多層配線基板が後述する基材上に形成されたものであってもよい。以下、各構成について説明する。
【０１５０】
（基材）
ここで、本実施態様に用いられる基材について説明する。本実施態様においては、例えば多層配線基板の最下層部に形成される特性変化層に自己支持性のない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合に基材が用いられ、例として図２に示すように、基材４上に多層配線基板における最下層部の配線基板の特性変化層１が設けられる。
【０１５１】
このような基材としては、最終的に得られる多層配線基板の用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば通常のプリント配線板等の場合においては、一般的に用いられている材料、具体的には紙基材の樹脂積層板、ガラス布・ガラス不織布基材の樹脂積層板、セラミック、金属等を用いることができる。また、フレキシブル配線板においては、可撓性を有する樹脂製フィルムを基材として用いることも可能である。
【０１５２】
（導電性コネクタ）
次に、本実施態様における導電性コネクタについて説明する。本実施態様の多層配線基板においては、隣接する配線基板または後述する特性反応層を有する配線基板の導電性パターン同士を電気的に接続するために設けられる、導電性の材料により形成された部位である導電性コネクタを有していてもよく、例えば図３に示すように、配線基板３における導電性部２と、隣接する配線基板３′における導電性部２′間に、導電性の材料によって形成されたものである。本実施態様においては、この導電性コネクタは、電気的に接続可能なものであれば、その形成方法等は特に限定されるものではないが、本実施態様においては、上述した特性変化層または後述する特性反応層に形成されたスルーホールに導電性材料が充填されることにより、形成されたものであることが好ましい。
【０１５３】
ここで、本実施態様におけるスルーホールとは、導電性パターンと、この導電性パターンと特性変化層をはさんだ直下に存在する導電性パターンとを、電気的に接続する導電性コネクタを形成するために、特性変化層または後述する特性反応層に設けられた孔部のことをいう。
【０１５４】
ここで、本実施態様においては、配線基板中に上述した特性変化層または特性反応層を有することから、これらの特性の変化を利用して、容易にスルーホールを形成することが可能である。
【０１５５】
例えば、上記特性変化層が光触媒濡れ性変化層または濡れ性変化層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に親液性領域を形成し、その親液性領域上に例えばアルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることができ、容易に高精細なスルーホールを形成することが可能となるのである。
【０１５６】
なお、本実施態様の導電性コネクタに用いられる材料および形成方法は、上述した導電性パターンと同様のものを用いることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
【０１５７】
（特性反応層を有する配線基板）
次に、特性反応層を有する配線基板について説明する。本実施態様における上記多層配線基板は、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【０１５８】
以下、この特性反応層を有する配線基板について、各構成ごとに説明する。
【０１５９】
（１）特性反応層
まず、本実施態様の特性反応層を有する配線基板に用いられる特性反応層について説明する。本実施態様の特性反応層を有する配線基板に用いられる特性反応層とは、触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する層であり、この特性の変化したパターンに沿って導電性パターンが形成することが可能な層である。
【０１６０】
本実施態様における特性反応層を有する配線基板については、例えば図４に示すように、基体６および光触媒処理層５を有する光触媒処理層側基板７を、上記特性反応層１５と光触媒処理層５とが所定の間隙となるように配置された後、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向からエネルギー９をパターン状に照射されることにより、特性反応層１５上の特性が変化する層である。
【０１６１】
本実施態様においては、上記特性反応層の電気抵抗が１×１０８Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの、中でも１×１０１５Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。特性反応層の電気抵抗が、上記範囲内より低い場合には、多層配線基板を形成した際に、後述する導電性パターンを電気配線として用いることが困難となるからである。
【０１６２】
また、本実施態様においては、上記特性反応層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましく、中でもアルカリ溶液によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、例えば多層配線基板中に、隣接する導電性パターン間を接続する導電性コネクタを有する場合に、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを形成する際に、特性が変化したパターンに沿って、液体を作用させることにより、容易にエッチングを行うこと等が可能となり、またそのエッチングに用いられる液体がアルカリ溶液であれば、より効率的にエッチングを行うことが可能となるからである。
【０１６３】
本実施態様において、上記特性反応層は、中でも導電性パターンを形成する観点から、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化層である場合、またはエネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する密着性変化層である場合が好ましい。
【０１６４】
上記特性反応層が、上記濡れ性変化層である場合には、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により導電性パターン組成物を親液性領域のみに、高精細に塗布することが可能となるからである。また、上記特性反応層が、上記密着性変化層である場合には、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により形成された密着性を変化させることが可能となり、例えば蒸着法等により、全面に導電性パターン組成物を成膜後、密着性の差を利用して、密着性が良好な領域以外の密着性の悪い部分の導電性パターン組成物を除去することにより、高精細な導電性パターン部を形成することが可能となるのである。
【０１６５】
なお、上記濡れ性変化層および上記密着性変化層については、上述した特性反応層における第三の態様で説明した濡れ性変化層および第四の態様で説明した密着性変化層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１６６】
（２）光触媒処理層側基板
次に上記特性反応層の特性が変化したパターンを形成するために用いられる光触媒処理層側基板について以下説明する。
【０１６７】
本実施態様に用いられる光触媒処理層側基板は、少なくとも光触媒処理層と基体とを有するものであり、通常は基体上に所定の方法で形成された薄膜状の光触媒処理層が形成されてなるものである。また、この光触媒処理層側基板には、パターン状に形成された光触媒処理層側遮光部やプライマー層が形成されたものも用いることができる。
【０１６８】
本実施態様においては、エネルギーを照射する際に、上記特性反応層と、上記光触媒処理層側基板における光触媒処理層とを所定の間隙をおいて対向させ、光触媒処理層側基板の光触媒処理層の作用により、特性反応層の濡れ性を変化させ、エネルギー照射後、光触媒処理層側基板を取り外すことにより濡れ性パターンが形成されるのである。以下、この光触媒処理層側基板の各構成について説明する。
【０１６９】
ａ．光触媒処理層
本実施態様に用いられる光触媒処理層は、少なくとも光触媒を含有するものであり、バインダを有していても、有していなくてもよく、上述した特性変化層の第二の態様で説明した光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１７０】
ここで、本実施態様において用いられる光触媒処理層は、例えば図４に示すように、光触媒処理層側基体６上に全面に形成されたものであってもよいが、例えば図５に示すように、基体６上に光触媒処理層５がパターン状に形成されたものであってもよい。
【０１７１】
このように光触媒処理層をパターン状に形成することにより、エネルギーを照射する際に、フォトマスク等を用いてパターン照射をする必要がなく、全面に照射することにより、特性反応層上に親液性領域と撥液性領域とからなる濡れ性パターンを形成することができる。
【０１７２】
この光触媒処理層のパターニング方法は、特に限定されるものではないが、例えばフォトリソグラフィー法等により行うことが可能である。
【０１７３】
また、光触媒処理層と特性反応層とを例えば密着させてエネルギー照射を行う場合には、実際に光触媒処理層の形成された部分のみの特性が変化するものであるので、エネルギーの照射方向は上記光触媒処理層と特性反応層とが対向する部分にエネルギーが照射されるものであれば、いかなる方向から照射されてもよく、さらには、照射されるエネルギーも特に平行光等の平行なものに限定されないという利点を有するものとなる。
【０１７４】
ｂ．基体
本実施態様においては、図４に示すように、光触媒処理層側基板７は、少なくとも基体６とこの基体６上に形成された光触媒処理層５とを有するものである。
【０１７５】
この際、用いられる基体を構成する材料は、後述するエネルギーの照射方向や、得られる多層配線基板が透明性を必要とするか等により適宜選択される。
【０１７６】
また本実施態様に用いられる基体は、可撓性を有するもの、例えば樹脂製フィルム等であってもよいし、可撓性を有さないもの、例えばガラス基板等であってもよい。これは、エネルギー照射方法により適宜選択されるものである。
【０１７７】
なお、基体表面と光触媒処理層との密着性を向上させるために、基体上にアンカー層を形成するようにしてもよい。このようなアンカー層としては、例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げることができる。
【０１７８】
ｃ．光触媒処理層側遮光部
本実施態様に用いられる光触媒処理層側基板には、パターン状に形成された光触媒処理層側遮光部が形成されたものを用いても良い。このように光触媒処理層側遮光部を有する光触媒処理層側基板を用いることにより、エネルギー照射に際して、フォトマスクを用いたり、レーザ光による描画照射を行う必要がない。したがって、光触媒処理層側基板とフォトマスクとの位置合わせが不要であることから、簡便な工程とすることが可能であり、また描画照射に必要な高価な装置も不必要であることから、コスト的に有利となるという利点を有する。
【０１７９】
このような光触媒処理層側遮光部を有する光触媒処理層側基板は、光触媒処理層側遮光部の形成位置により、下記の二つの態様とすることができる。
【０１８０】
一つが、例えば図６に示すように、基体６上に光触媒処理層側遮光部１１を形成し、この光触媒処理層側遮光部１１上に光触媒処理層５を形成して、光触媒処理層側基板７とする態様である。もう一つは、例えば図７に示すように、基体６上に光触媒処理層５を形成し、その上に光触媒処理層側遮光部１１を形成して光触媒処理層側基板７とする態様である。
【０１８１】
いずれの態様においても、フォトマスクを用いる場合と比較すると、光触媒処理層側遮光部が、上記光触媒処理層と特性反応層との配置部分の近傍に配置されることになるので、基体内等におけるエネルギーの散乱の影響を少なくすることができることから、エネルギーのパターン照射を極めて正確に行うことが可能となる。
【０１８２】
さらに、上記光触媒処理層上に光触媒処理層側遮光部を形成する態様においては、光触媒処理層と特性反応層とを所定の位置に配置する際に、この光触媒処理層側遮光部の膜厚をこの間隙の幅と一致させておくことにより、上記光触媒処理層側遮光部を上記間隙を一定のものとするためのスペーサとしても用いることができるという利点を有する。
【０１８３】
すなわち、所定の間隙をおいて上記光触媒処理層と特性反応層とを対向させた状態で配置する際に、上記光触媒処理層側遮光部と特性反応層とを密着させた状態で配置することにより、上記所定の間隙を正確とすることが可能となり、そしてこの状態で光触媒処理層側基板からエネルギーを照射することにより、特性反応層上に特性変化パターンを精度良く形成することが可能となるのである。
【０１８４】
このよう光触媒処理層側遮光部の形成方法は、特に限定されるものではなく、光触媒処理層側遮光部の形成面の特性や、必要とするエネルギーに対する遮蔽性等に応じて適宜選択されて用いられる。
【０１８５】
例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等により厚み１０００〜２０００Å程度のクロム等の金属薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより形成されてもよい。このパターニングの方法としては、スパッタ等の通常のパターニング方法を用いることができる。
【０１８６】
また、樹脂バインダ中にカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有させた層をパターン状に形成する方法であってもよい。用いられる樹脂バインダとしては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等の樹脂を１種または２種以上混合したものや、感光性樹脂、さらにはＯ／Ｗエマルジョン型の樹脂組成物、例えば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用いることができる。このような樹脂製遮光部の厚みとしては、０．５〜１０μｍの範囲内で設定することができる。このよう樹脂製遮光部のパターニングの方法は、フォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用いることができる。
【０１８７】
なお、上記説明においては、光触媒処理層側遮光部の形成位置として、基体と光触媒処理層との間、および光触媒処理層表面の二つの場合について説明したが、その他、基体の光触媒処理層が形成されていない側の表面に光触媒処理層側遮光部を形成する態様も採ることが可能である。この態様においては、例えばフォトマスクをこの表面に着脱可能な程度に密着させる場合等が考えられ、特性変化パターンを小ロットで変更するような場合に好適に用いることができる。
【０１８８】
ｄ．プライマー層
次に、本実施態様の光触媒処理層側基板に用いられるプライマー層について説明する。本実施態様において、上述したように基体上に光触媒処理層側遮光部をパターン状に形成して、その上に光触媒処理層を形成して光触媒処理層側基板とする場合においては、上記光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層との間にプライマー層を形成してもよい。
【０１８９】
このプライマー層の作用・機能は必ずしも明確なものではないが、光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層との間にプライマー層を形成することにより、プライマー層は光触媒の作用による特性反応層の特性変化を阻害する要因となる光触媒処理層側遮光部および光触媒処理層側遮光部間に存在する開口部からの不純物、特に、光触媒処理層側遮光部をパターニングする際に生じる残渣や、金属、金属イオン等の不純物の拡散を防止する機能を示すものと考えられる。したがって、プライマー層を形成することにより、高感度で特性変化の処理が進行し、その結果、高解像度のパターンを得ることが可能となるのである。
【０１９０】
なお、本実施態様においてプライマー層は、光触媒処理層側遮光部のみならず光触媒処理層側遮光部間に形成された開口部に存在する不純物が光触媒の作用に影響することを防止するものであるので、プライマー層は開口部を含めた光触媒処理層側遮光部全面にわたって形成されていることが好ましい。
【０１９１】
本実施態様におけるプライマー層は、光触媒処理層側基板の光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層とが接触しないようにプライマー層が形成された構造であれば特に限定されるものではない。
【０１９２】
このプライマー層を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、光触媒の作用により分解されにくい無機材料が好ましい。具体的には無定形シリカを挙げることができる。このような無定形シリカを用いる場合には、この無定形シリカの前駆体は、一般式ＳｉＸ４で示され、Ｘはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、またはアセチル基等であるケイ素化合物であり、それらの加水分解物であるシラノール、または平均分子量３０００以下のポリシロキサンが好ましい。
【０１９３】
また、プライマー層の膜厚は、０．００１μｍから１μｍの範囲内であることが好ましく、特に０．００１μｍから０．１μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１９４】
（３）特性反応層の特性が変化したパターン
次に、特性反応層の特性が変化したパターンについて説明する。本実施態様の特性反応層の特性が変化したパターンを形成する方法としては、上記光触媒処理層および上記特性反応層を所定の位置に配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、上記特性反応層表面にパターンを形成する工程が行われる。以下、この特性変化パターンの形成について説明する。
【０１９５】
ａ．光触媒処理層および特性反応層の配置
本実施態様の特性変化パターン形成工程においては、まずエネルギー照射時に光触媒処理層と特性反応層とを光触媒の作用が及ぶように所定の間隔をおいて配置する必要があり、本実施態様においては、上述した光触媒処理層および特性反応層を２００μｍ以下の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射する。この際、光触媒処理層および特性反応層を密着させてもよい。
【０１９６】
本実施態様において上記間隙は、パターン精度が極めて良好であり、光触媒の感度も高く、したがって特性反応層の特性変化の効率が良好である点を考慮すると特に０．２μｍ〜１０μｍの範囲内、好ましくは１μｍ〜５μｍの範囲内とすることが好ましい。このような間隙の範囲は、特に間隙を高い精度で制御することが可能である小面積の特性反応層に対して特に有効である。
【０１９７】
一方、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍといった大面積の特性反応層に対して処理を行う場合は、接触することなく、かつ上述したような微細な間隙を光触媒処理層側基板と特性反応層との間に形成することは極めて困難である。したがって、特性反応層が比較的大面積である場合は、上記間隙は、１０〜１００μｍの範囲内、特に５０〜７５μｍの範囲内とすることが好ましい。間隙をこのような範囲内とすることにより、パターンがぼやける等のパターン精度の低下の問題や、光触媒の感度が悪化して特性変化の効率が悪化する等の問題が生じることなく、さらに特性反応層上の特性変化にムラが発生しないといった効果を有するからである。
【０１９８】
このように比較的大面積の特性反応層をエネルギー照射する際には、エネルギー照射装置内の光触媒処理層側基板と特性反応層との位置決め装置における間隙の設定を、１０μｍ〜２００μｍの範囲内、特に２５μｍ〜７５μｍの範囲内に設定することが好ましい。設定値をこのような範囲内とすることにより、パターン精度の大幅な低下や光触媒の感度の大幅な悪化を招くことなく、かつ光触媒処理層側基板と特性反応層とが接触することなく配置することが可能となるからである。
【０１９９】
このように光触媒処理層と特性反応層表面とを所定の間隔で離して配置することにより、酸素と水および光触媒作用により生じた活性酸素種が脱着しやすくなる。すなわち、上記範囲より光触媒処理層と特性反応層との間隔を狭くした場合は、上記活性酸素種の脱着がしにくくなり、結果的に特性変化速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。また、上記範囲より間隔を離して配置した場合は、生じた活性酸素種が特性反応層に届き難くなり、この場合も特性変化の速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。
【０２００】
本実施態様においては、このような配置状態は、少なくともエネルギー照射の間だけ維持されればよい。
【０２０１】
このような極めて狭い間隙を均一に形成して光触媒処理層と特性反応層とを配置する方法としては、例えばスペーサを用いる方法を挙げることができる。そして、このようにスペーサを用いることにより、均一な間隙を形成することができると共に、このスペーサが接触する部分は、光触媒の作用が特性反応層表面に及ばないことから、このスペーサを上述した特性変化パターンと同様のパターンを有するものとすることにより、特性反応層上に所定の特性変化パターンを形成することが可能となる。
【０２０２】
本実施態様においては、このようなスペーサを一つの部材として形成してもよいが、工程の簡略化等のため、上記光触媒処理層側基板の欄で説明したように、光触媒処理層側基板の光触媒処理層表面に形成することが好ましい。なお、上記光触媒処理層側基板における説明においては、光触媒処理層側遮光部として説明したが、本実施態様においては、このようなスペーサは特性反応層表面に光触媒の作用が及ばないように表面を保護する作用を有すればよいものであることから、特に照射されるエネルギーを遮蔽する機能を有さない材料で形成されたものであってもよい。
【０２０３】
ｂ．エネルギー照射
次に、上述したような配置を維持した状態で、対向する部分へのエネルギー照射が行われる。なお、このエネルギー照射については、上述した特性変化層の特性が変化したパターンの項で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０４】
ここで、光触媒処理層側遮光部が形成されている場合は、光触媒処理層側基板側からエネルギー照射が行なわれる必要があり、かつこの場合は光触媒処理層側基板が照射されるエネルギーに対して透明である必要がある。なお、この場合、光触媒処理層上に光触媒処理層側遮光部が形成され、かつこの光触媒処理層側遮光部を上述したようなスペーサとしての機能を有するように用いた場合においては、多層配線基板の種類によっては、エネルギー照射方向は光触媒処理層側基板側からでも多層配線基板側からであってもよい。
【０２０５】
また、光触媒処理層がパターン状に形成されている場合におけるエネルギー照射方向は、上述したように、光触媒処理層と特性反応層とが対向する部分にエネルギーが照射されるのであれば、多層配線基板の種類によっては、いかなる方向から照射されてもよい。
【０２０６】
同様に、上述したスペーサを用いる場合も、対向する部分にエネルギーが照射されるのであれば、多層配線基板の種類によっては、いかなる方向から照射されてもよい。
【０２０７】
フォトマスクを用いる場合は、フォトマスクが配置された側からエネルギーが照射される。この場合は、フォトマスクが配置された側の基板、すなわち光触媒処理層側基板もしくは多層配線基板のいずれかが透明である必要がある。
【０２０８】
ｃ．光触媒処理層側基板の取り外し
上述したようなエネルギー照射が終了すると、光触媒処理層側基板が特性反応層との配置位置から離され、特性反応層の特性が変化したパターンが特性反応層上に形成される。
【０２０９】
（４）導電性パターン
次に、特性反応層を有する配線基板における導電性パターンについて説明する。本実施態様における特性反応層上に形成される導電性パターンについては、上述した特性反応層上の、特性が変化したパターンに沿って形成される導電性を有するパターンであれば、そのパターンの形状や材料等は特に限定されるものではない。
【０２１０】
なお、上記特性反応層上に形成される導電性パターンについては、上述した特性変化層上に形成される導電性パターンと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１１】
２．第二実施態様
次に、本発明における多層配線基板の第二実施態様について説明する。本発明における多層配線基板の第二実施態様は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板と、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板とが積層されたことを特徴とするものである。
【０２１２】
本実施態様によれば、上記特性変化層および特性反応層を有することにより、これらの層の特性が変化したパターンに沿って、容易に導電性パターンを形成することが可能となることから、高精細な多層配線基板を形成することが可能となるのである。
【０２１３】
ここで、上記特性変化層、特性反応層、導電性パターン、配線基板、光触媒処理層側基板等は、第一実施態様で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１４】
Ｂ．多層配線基板の製造方法
次に、本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。本発明の多層配線基板の製造方法は、
光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する特性変化層調製工程と、
上記特性変化層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する特性変化パターン形成工程と、
上記特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程と、
を有する配線基板形成工程を少なくとも２回以上、好ましくは３回から５回行うことを特徴とするものである。
【０２１５】
この配線基板形成工程を、図８を例として用いて説明する。
【０２１６】
本発明の配線基板形成工程においてはまず、特性変化層１を調製する特性変化層調整工程を行う（図８（ａ））。次に、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向から上記特性変化層上に、エネルギー９をパターン状に照射する特性変化パターン形成工程を行う（図８（ｂ））。これにより、上記特性変化層１上に特性の変化した特性変化パターン１０が形成されるのである。次に、この特性変化パターン１０に沿って、例えばインクジェット法等により、導電性パターン２を形成する導電性パターン形成工程を行い、配線基板３を形成する（図８（ｄ））。この際、上記特性変化層１上の特性が変化した特性変化パターン１０のみに、導電性パターン２を形成する導電性パターン組成物を付着させることが可能となり、高精細な導電性パターン２を形成した配線基板とすることが可能となるのである。
【０２１７】
また、この配線基板形成工程を少なくとも２回以上行うことにより、多層配線基板を形成することから、得られる多層配線基板を高精細な導電性パターンを有するものとすることが可能となるのである。
【０２１８】
また、本発明においては、図９に示すように、上記特性変化層調整工程後（図９（ａ））、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向から特性変化層１上に、エネルギー９を照射することにより（図９（ｂ））、上記特性変化層１表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターン１３を形成するスルーホール特性変化パターン形成工程（図９（ｃ））を行い、そのスルーホール特性変化パターン１３に沿って、液体を塗布することにより、スルーホール１４を形成するスルーホール形成工程（図９（ｄ））を行ってもよい。これにより、上記導電性パターン形成工程において、導電性パターンを形成するのと同時に、スルーホールにも導電性材料を充填することが可能となり、導電性パターン間を電気的に接続する導電性コネクタを容易に形成することが可能となるのである。以下、本発明の多層配線基板の製造方法について各工程ごとに説明する。
【０２１９】
（１）特性変化層調製工程
まず、本発明の特性変化層調製工程について説明する。本発明における特性変化層調製工程は光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する工程であれば、その方法等は特に限定されるものではないが、少なくとも２回目以降の配線基板形成工程においては、塗布法により行なわれることが好ましい。上記特性変化層調製工程が塗布法であることにより、直前の配線基板形成工程により形成された導電性パターンの周囲にも特性変化層を形成することが可能となり、これにより導電性パターンを酸素や水蒸気から保護することが可能となるのである。また、製造効率やコストの面からも好ましい。
【０２２０】
また、本発明に用いられる多層配線基板の最下層部に位置する配線基板の特性変化層が自己支持性を有しない場合は、その最下層部の特性変化層は、基材上に形成されることが必要である。
【０２２１】
なお、本発明に用いられる特性変化層、特性変化層の形成方法および基材等については、上述した「Ａ．多層配線基板」で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２２２】
（２）特性変化パターン形成工程
次に、本発明における特性変化パターン形成工程について説明する。本発明における特性変化パターン形成工程は、所定の方向からエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する工程である。
【０２２３】
本発明の特性変化パターン形成工程は、後述するスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程を行った配線基板について行ってもよく、またスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程を行っていない配線基板について行ってもよい。
【０２２４】
本工程は、後述する導電性パターン形成工程において形成される導電性パターンのパターン状にエネルギーを照射し、後述する導電性パターン形成工程において形成する導電性パターンのパターン状に、上記特性変化層の特性を変化させる工程である。これにより、後述する導電性パターン形成工程において、容易に導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０２２５】
なお、本工程に用いられるエネルギーやエネルギーの照射については、上述した「Ａ．多層配線基板」における特性変化層の特性が変化したパターンの項で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２２６】
（３）導電性パターン形成工程
次に、本発明の導電性パターン形成工程について説明する。本発明の導電性パターン形成工程は、上記特性変化パターン形成工程で形成された特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する工程であり、後述するスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程が行われた配線基板については、導電性パターンを形成することと同時にスルーホールを充填して、導電性コネクタを形成してもよい。
【０２２７】
本発明の導電性パターン形成工程は、上記特性変化パターン上に導電性パターンを形成することが可能な方法であれば、特に限定されるものではなく、上記特性変化層の特性により適宜選択されるものであるが、例えば上記特性変化層が濡れ性変化層である場合には、ディップコート、ロールコート、ブレードコート、スピンコート等の塗布手段、インクジェット、電解ジェット等を含むノズル吐出手段等の手段を用いることが可能である。本発明においては中でも、ノズル吐出手段を用いることが好ましい。上記ノズル吐出手段においては、目的とするパターン状に導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を塗布することが可能となり、より高精細に導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【０２２８】
また、上記特性変化層が密着変化層である場合には、上記方法の他に、蒸着法、無電界めっき等も用いることが可能であり、導電性パターン組成物を成膜後、密着阻害領域に付着した導電性パターン組成物を除去することにより、密着性良好領域にのみ導電性パターン組成物を密着させることができ、導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０２２９】
ここで、上記スルーホールを充填し、導電性コネクタを形成する場合にも、同様の方法を用いることができることから、この導電性コネクタは、上記導電性パターンの形成と同時に行うことが可能である。
【０２３０】
（４）スルーホール特性変化パターン形成工程
次に、本発明のスルーホール特性変化パターン形成工程について説明する。本発明におけるスルーホール特性変化パターン形成工程とは、上記特性変化層調整工程後、上記特性変化層にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成する工程である。
【０２３１】
本発明において、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを形成する場合には、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを、特性変化層に形成するスルーホール特性変化層形成工程およびスルーホール形成工程を有していてもよい。この際、スルーホール特性変化パターン形成工程により、上記特性変化層上に、特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成することにより、後述するスルーホール形成工程において、このスルーホール特性パターンの特性の差を利用して、例えば液体を滴下すること等により、容易にスルーホールを形成することが可能となるからである。
【０２３２】
このスルーホール形成工程におけるエネルギーの照射等は、上述した特性変化パターン形成工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２３３】
（５）スルーホール形成工程
次に、スルーホール形成工程について説明する。本発明におけるスルーホール形成工程は、上記スルーホール特性変化パターンに沿って、液体を塗布することにより、スルーホールを形成する工程である。
【０２３４】
上記液体の塗布は、スルーホールを形成することが可能な方法であれば、特に方法等は限定されるものではないが、本発明においては、他の部材と接触させることなくスルーホール特性変化領域のみに選択的に液体を塗布できる点から、ノズル吐出による方法を用いることが好ましい。このようなノズル吐出法としては、例えばマイクロシリンジ、ディスペンサー、インクジェット等を用いた方法、または針先より電解等の外部刺激により吐出する方法、針先に付着させた液体を特性変化領域に付着させる方法等を用いることができる。本発明においては、中でもディスペンサーまたはインクジェットを用いた方法であることが好ましい。
【０２３５】
また、本発明のスルーホール形成工程に用いられる液体は、アルカリ溶液であることが好ましく、具体的には有機アルカリと無機アルカリの水溶液を上げることができる。好ましいアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液および水酸化カリウム水溶液を挙げることができ、ｐＨとしては、ｐＨ７〜１４、中でもｐＨ１０〜１４、特にｐＨ１２〜１４であることが好ましい。
【０２３６】
本発明においては、上記配線基板中に上述した特性変化層または特性反応層を有することから、これらの特性の変化を利用して、容易にスルーホールを形成することが可能となるのである。
【０２３７】
例えば、上記特性変化層が濡れ性変化層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に親液性領域を形成し、その親液性領域上に例えばアルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることが可能となり、スルーホールを形成することが可能となるのである。
【０２３８】
また、上記特性変化層が分解除去層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に凹凸を形成し、その凹凸を利用して、例えば上記アルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることが可能となり、スルーホールを容易に形成することが可能となるのである。
【０２３９】
本発明に用いられる導電性パターンおよび導電性コネクタの材料は、上記「Ａ．多層配線基板」で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本実施態様の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本実施態様の技術的範囲に包含される。
【０２４１】
【実施例】
以下、本実施態様について、実施例を通じてさらに詳述する。
【０２４２】
（特性変化層の形成・一層目）
イソプロピルアルコール３ｇ、フルオロアルキルシラン（トーケムプロダクツ（株）製；ＭＦ−１６０Ｅ（商品名））、Ｎ−[３−（トリメトキシシリル）プロピル]−Ｎ−エチルパーフルオロオクタンスルホンアミドのイソプロピルエーテル５０重量％溶液０．０７ｇ、酸化チタンゾル（石原産業（株）製；ＳＴＫ−０１（商品名））３ｇ、シリカゾル（日本合成ゴム（株）製；グラスカＨＰＣ７００２（商品名））０．６ｇ、およびアルキルアルコキシシラン（日本合成ゴム（株）製；ＨＰＣ４０２Ｈ（商品名））０．２ｇを混合し、１００℃で２０分間攪拌した。この溶液を膜厚０．７ｍｍのガラス基板上にスピンコーティングし、１５０℃で２０分間乾燥した。これにより、基板上に撥液性を有する膜厚１μｍの特性変化層が形成された。このとき、特性変化層の電気抵抗は１×１０１０Ω・ｃｍであった。
【０２４３】
（特性変化パターン形成・一層目）
次に、上記特性変化層表面に、回路パターン形成用のフォトマスクを介して、超高圧水銀ランプにて露光した。これにより、特性変化層表面の露光された部分のみが親液性領域となった。
【０２４４】
この際の露光量は３６５ｎｍにて１５００ｍＪであった。フォトマスクはクロム製であり、膜厚０．４μｍのブラックマトリックスが２０μｍの幅でライン状に形成されたものを使用した。ラインはフォトマスクの開口部が配線基板の回路パターンとなるように設計した。
【０２４５】
（導電性材料の付与・一層目）
次に、銀微粒子分散体インキ（真空冶金製 Ａｇ００１Ｔ）を用い、インクジェットヘッドより特性変化層上の親液性領域のみに着弾するように吐出した。このインキの特性変化層に対する接触角は撥液性部分で５５°、親液性部分で１０°であった。着弾したインキは撥液性部分に付着することなく、親液性領域のみに濡れ広がった。
【０２４６】
１００℃、３分間の乾燥後、２５０℃、１５分間の焼成を行うことにより、上記フォトマスクの開口部と同様のパターン形状を有する、幅２０μｍ、膜厚０．６μｍの導電性パターンが形成された。導電性パターンの電気抵抗は６×１０−６Ω・ｃｍであった。
【０２４７】
（特性変化層の形成・二層目）
上記特性変化層の一層目の形成と同様の材料、塗布手法により、上記の導電性パターンが形成された配線基板上に二層目の特性変化層を形成した。
【０２４８】
（スルーホール特性変化パターンの形成）
次に、二層目の特性変化層を形成した基板上に、スルーホール形成用のフォトマスクを介し、超高圧水銀ランプにて露光した。これにより、特性変化層表面の露光された部分（直径１５μｍの円形状のパターン）のみ親液性領域であるスルーホール特性変化パターンが形成された。この際、露光量は３６５ｎｍにて１５００ｍＪであった。フォトマスクは、露光時に直径１５μｍの、円形状の複数の開口部が、上記金属パターン部分に重なるように配置されたものを使用した。
【０２４９】
（スルーホールの形成）
次に、上記複数の直径１５μｍのスルーホール特性変化パターンに、耐アルカリ処理を施したインクジェットヘッドから水酸化カリウム水溶液を塗布した。上記水酸化カリウム水溶液は撥液性部分に付着することなく、親液性領域のみに濡れ広がった。この際、水酸化カリウム水溶液はｐＨ１３であり、撥液性部分に対する接触角は５５°、親液性部分に対する接触角は５°であった。
【０２５０】
これを１分間室温にて放置し、純水にてリンス後、乾燥することにより、親液性部分のみ特性変化層が分解除去され、金属配線部分が露出したスルーホールが形成された。
【０２５１】
（特性変化パターン形成・二層目）
上記スルーホールを形成した基板上に、一層目の特性変化パターン形成に用いたフォトマスクを用い、一層目と同様の手法により露光した。これにより、二層目の特性変化層表面の露光された部分のみ親液性領域となった。
【０２５２】
このとき、スルーホールの位置は、フォトマスクの開口部の位置と重なるため、スルーホール周辺およびスルーホール側面は親液性となった。
【０２５３】
（導電性材料の付与・二層目）
一層目の導電性材料の付与と同様の材料および手法にて、導電性材料を付与した。着弾したインキは、撥液性部分に付着することなく、親液性部分のみに濡れ広がり、またスルーホールにも充填された。
【０２５４】
１００℃、３分間の乾燥後、２５０℃、１５分間の焼成を行うことにより、幅２０μｍ、膜厚０．６μｍの二層目の導電性パターンおよび導電性コネクタが形成された。
【０２５５】
（三層目以降）
二層目までの手法と同様の手法にて、配線基板が四層積層された多層配線基板を作成した。各配線パターンの電気的導通および、導電性コネクタによる各層回路パターン間の電気的導通が良好に取れる多層配線基板を形成することができた。
【０２５６】
【発明の効果】
本発明によれば、上記特性変化層を有することにより、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となり、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の多層配線基板の製造方法のスルーホール形成工程を示す工程図である。
【符号の説明】
１ … 特性変化層
２ … 導電性パターン
３ … 配線基板
４ … 基材
５ … 光触媒処理層
６ … 基体
７ … 光触媒処理層側基板
８ … フォトマスク
９ … エネルギー
１０… 特性変化パターン
１１… 光触媒処理層側遮光部
１２… プライマー層
１３… スルーホール特性変化パターン
１４… スルーホール
１５… 特性反応層
１６… 導電性コネクタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板等の各種高精細な電気回路といった用途に用いることが可能な多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、多層配線基板の製造方法は、基板上に絶縁膜や、金属配線を形成することにより行われている。この際絶縁膜としては、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料が用いられている。しかしながら、これらの絶縁膜に直接パターニングをすることが困難であることから、この絶縁膜に金属を全面めっきし、さらにドライフィルム等のフォトレジストをラミネートした後、フォトマスク等を用いてパターン露光し、現像する等の多数の工程が必要であった。また、現像時に生じる廃液は有害なものであり、環境に排出するためには処理を行う必要がある等の環境面での問題もあった。
【０００３】
また、絶縁膜にスルーホールを開口する場合においては、一般に、金属配線上にポリイミド樹脂などの絶縁材料を塗布し、フォトレジストでスルホールパターンを形成した後エッチングを行い、スルーホールを開口する方法や、感光性の絶縁材料を利用して、露光と現像を行い、スルーホールを開口する方法、スルーホールを開口する部位に、オーバー露光によりフォトレジストでスルーホールの形状のパターンを形成し、ポリイミド系樹脂で被覆し、酸素プラズマなどでレジストパターンが露出するまでエッチングした後、露出したレジストを除去することによりスルーホールを開口する方法（例えば、特許文献１参照）等がある。
【０００４】
しかしながら、これらの場合においても、絶縁膜のパターニングが困難であることから、スルーホール形成後レジストを除去する工程が必要である等、製造工程が煩雑であり、製造効率やコストの面等から問題があった。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１９８６８７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のことから、簡便な工程で高精細にパターンが形成ができ、さらに廃液処理といった問題のない多層配線基板の提供が望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第１配線基板を、少なくとも２層以上積層してなり、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することを特徴とする多層配線基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、上記特性変化層を有することにより、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となり、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。また、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することにより、上記多層配線基板に、より複雑な配線パターンを形成することが可能となり、様々な用途に用いることが可能な多層配線基板とすることが可能となる。
【０００９】
上記発明においては、上記第１配線基板上に、他の層に含まれる光触媒の作用により特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第２配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。上記多層配線基板が、上記光触媒処理層側基板を用いてエネルギー照射されることにより特性が変化する上記特性反応層を用いることも可能だからである。
【００１０】
また、本発明は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第１配線基板と、他の層に含まれる光触媒の作用により特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる第２配線基板とが積層されており、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することを特徴とする多層配線基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、上記特性変化層および特性反応層を有することにより、容易に特性の変化したパターンを形成することが可能となり、この特性の変化したパターンに沿って、導電性パターンを高精細に形成することが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるのである。また、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを有することにより、上記多層配線基板に、より複雑な配線パターンを形成することが可能となり、様々な用途に用いることが可能な多層配線基板とすることが可能となる。
【００１３】
上記発明においては、上記導電性コネクタが、特性変化層または特性反応層に形成されたスルーホールに導電性材料が充填されてなるものであることが好ましい。これにより、導電性コネクタを、容易に形成することが可能となり、コストや製造効率の面からも好ましいからである。
【００１４】
上記発明においては、基材のいずれか一方の面に、上記第１配線基板、あるいは、上記第１配線基板および上記第２配線基板が形成されていてもよい。上記多層配線基板の最下層部の特性変化層に自己支持性がない場合や、上記多層配線基板に強度が必要な場合には、上記多層配線基板が上記基材上に形成されていてもよいからである。
【００１５】
上記発明においては、上記特性変化層または特性反応層の電気抵抗が、１×１０８Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。上記特性変化層および特性反応層は、上記導電性パターンの周囲に形成されていることから、特性変化層または特性反応層の電気抵抗を上記範囲内とすることにより、上記導電性パターン部のみを導電性を有する部材とすることが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記特性変化層または特性反応層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、上記特性変化層または特性反応層に、液体を滴下することにより、容易に例えばスルーホール等を形成することが可能となるからである。
【００１７】
上記発明においては、上記液体が、アルカリ溶液であることが好ましい。これにより、上記エッチングをより効率よく行うことが可能となり、製造効率やコストの面からも好ましいからである。
【００１８】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒濡れ性変化層であることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒濡れ性変化層自体に含有される光触媒の作用により、濡れ性が低下したパターンを形成することが可能であり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により高精細に導電性パターンを形成することができるからである。
【００１９】
上記発明においては、上記光触媒濡れ性変化層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を含むことが好ましい。本発明においては、光触媒の作用による光触媒濡れ性変化層の濡れ性の変化が、バインダの材質に起因するものであってもよいが、このように光触媒の作用により分解される分解物質を、光触媒濡れ性変化層に含有させることによりその表面の濡れ性をパターン状に変化させてもよいからである。
【００２０】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒密着性変化層であることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒密着性変化層自体に含有される光触媒の作用により、容易に表面の密着性が変化したパターンを形成することが可能となり、この密着性の差を利用して例えば蒸着法等により、高精細に導電性パターンを形成することができるからである。
【００２１】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記濡れ性変化層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２２】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記密着性変化層の表面の密着性が変化したパターンを形成することが可能となり、この密着性の差を利用して、例えば蒸着法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２３】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記分解除去層から構成されることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、容易に上記光触媒処理層上に、凹凸を有するパターンを形成することが可能となり、この凹凸を利用して、例えばインクジェット法等により、導電性パターンを形成することができるからである。
【００２４】
上記発明においては、上記特性反応層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化層であってもよい。上記特性反応層が、上記濡れ性変化層であることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層側基板における光触媒の作用により、上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００２５】
上記発明においては、上記特性反応層が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する密着性変化層であってもよい。上記特性反応層が、上記密着性変化層であることにより、エネルギー照射に伴う、上記光触媒処理層側基板における光触媒の作用により、上記濡れ性変化層の表面の濡れ性が変化したパターンを形成することが可能となり、この濡れ性の差を利用して、例えば蒸着法等により導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００２６】
また、本発明は、光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する特性変化層調製工程と、上記特性変化層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する特性変化パターン形成工程と、上記特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程と、を有する配線基板形成工程を少なくとも２回以上行い、上記特性変化層調製工程後、上記特性変化層上にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成するスルーホール特性変化パターン形成工程と、上記スルーホール特性変化パターンに沿って、液体を塗布することにより、スルーホールを形成するスルーホール形成工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法を提供する。
【００２７】
本発明によれば、上記配線基板形成工程が、上記特性変化パターン形成工程を有することにより、特性が変化した特性変化パターンを形成することができ、上記導電性パターン形成工程により、この特性変化パターンに沿って容易に導電性パターンを形成された配線基板を製造することが可能となるのである。
【００２８】
さらに、上記配線基板形成工程を少なくとも２回以上行うことにより、高精細な多層配線基板を製造することが可能となる。また、導電性コネクタを形成するためのスルーホールを、上記スルーホール特性変化パターン形成工程および上記スルーホール形成工程により行うことにより、効率よく形成することが可能となる。
【００２９】
上記発明においては、２回目以降に行われる上記配線基板形成工程における上記特性変化層調製工程が、塗布法により行なわれることが好ましい。これにより、上記特性変化層を、直前の配線基板形成工程により形成された導電性パターンの周囲にも形成することが可能となり、酸素や水蒸気の影響を受けることを防止することが可能な高品質な多層配線基板とすることが可能となり、また製造効率の面からも好ましいからである。
【００３１】
上記発明においては、上記スルーホール形成工程が、アルカリ溶液を塗布することにより行われることが好ましい。これにより、上記スルーホール形成工程を容易に、効率よく行うことが可能となるからである。
【００３２】
上記発明においては、１回目に行なわれる上記配線基板形成工程における上記特性変化層調製工程にて、基材上に上記特性変化層を形成してもよい。これにより、上記多層配線基板における最下層部の配線基板の上記特性変化層が自己支持性を有しない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合には、上記基材上に形成されていてもよい。
【００３３】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒濡れ性変化層であることにより、上記特性変化パターン形成工程において、上記光触媒濡れ性変化層の表面に、濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となるのである。この濡れ性の差を利用して、導電性パターン形成工程により、容易に導電性パターンを形成することができるからである。
【００３４】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する光触媒密着性変化層であることが好ましい。上記特性変化層が、上記光触媒密着性変化層であることにより、上記特性変化パターン形成工程において、上記光触媒密着性変化層上に密着性の変化したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程において、この密着性の差を利用して、容易に高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３５】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記濡れ性変化層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記濡れ性変化層表面に濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの濡れ性の差を利用して、高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３６】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記濡れ性変化層表面に密着性の変化したパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの密着性の差を利用して、導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３７】
上記発明においては、上記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層であってもよい。上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記分解除去層から構成されることにより、上記特性変化パターン形成工程において、容易に上記光触媒処理層上に凹凸を有するパターンを形成することが可能となり、上記導電性パターン形成工程により、容易にこの凹凸を利用して、導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明は、多層配線基板および多層配線基板の製造方法に関するものである。以下、それぞれについてわけて説明する。
【００３９】
Ａ．多層配線基板
まず、本発明の多層配線基板について説明する。本発明における多層配線基板は、二つの実施態様がある。以下、これらの実施態様についてわけて説明する。
【００４０】
１．第一実施態様
本発明の多層配線基板における第一実施態様は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、前記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板を、少なくとも２層以上積層してなることを特徴とするものである。
【００４１】
本実施態様の多層配線基板は、例えば図１に示すように、特性変化層１と、上記特性変化層１上に形成された導電性パターン２とからなる配線基板３が、少なくとも２層以上積層されたことを特徴とするものであり、図２に示すように、多層配線基板が基材４上に形成されたものであってもよい。
【００４２】
また、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【００４３】
さらに、例えば図３に示すように、特性変化層１と、上記特性変化層１上に形成された導電性パターン２とからなる配線基板３上に、上記配線基板３と同様の配線基板３′が積層されており、配線基板３における導電性パターン２と、隣接する配線基板３′における導電性パターン２′との間に導電性コネクタ１６を有するものであってもよい。
【００４４】
本実施態様によれば、上記配線基板が、光触媒を含有する上記特性変化層を有することにより、エネルギー照射により、導電性パターンを形成するパターン状に特性を変化させることが可能であり、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となるのである。また、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。以下、上述したような多層配線基板の各構成について説明する。
【００４５】
（特性変化層）
まず、本実施態様に用いられる特性変化層について説明する。本実施態様に用いられる特性変化層とは、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する層である。
【００４６】
本実施態様においては、この特性変化層の電気抵抗が、中でも１×１０１５Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。特性変化層の電気抵抗を、上記範囲内とすることにより、多層配線基板を形成した際に、後述する導電性パターンのみを導電性を有する電気配線として用いることが可能となり、優れた多層配線基板とすることが可能となるからである。
【００４７】
また、本実施態様においては、上記特性変化層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましく、中でもアルカリ溶液によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、例えば多層配線基板中に、隣接する導電性パターン間を接続する導電性コネクタを有する場合に、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを形成する際に、特性の変化したパターンに沿って液体を付着させることにより、容易にエッチングを行うこと等が可能となり、またそのエッチングに用いられる液体がアルカリ溶液であれば、より効率的にエッチングを行うことが可能となるからである。
【００４８】
また、本実施態様に用いられる特性変化層は上述したような特性を有していれば、その特性変化の種類や構成等は特に限定されるものではないが、本実施態様に用いられる特性変化層は、中でも、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層である場合（以下、第一の態様とする）、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層である場合（以下、第二の態様とする）、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層である場合（以下、第三の態様とする）、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層である場合（以下、第四の態様とする）、および少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層である場合（以下、第五の態様とする）であることが好ましい。
【００４９】
以下、上記の各態様についてわけて説明する。
【００５０】
（１）第一の態様
まず、本実施態様の特性変化層における第一の態様について説明する。本実施態様の特性変化層における第一の態様は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層である。
【００５１】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する層であれば特に限定されるものではなく、これにより、エネルギー照射された部分を親液性領域、エネルギー照射されていない部分を撥液性領域とすることが可能となる。
【００５２】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は中でも、エネルギー照射していない部分、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力３０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分が撥液性が要求される部分であることから、上記液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、後述する導電性パターンを例えば、導電性パターン組成物をインクジェット方式等により塗布し、硬化させて形成する場合等に、撥液性領域にも導電性パターン組成物が付着する可能性があることから、高精細に導電性パターンを形成することが困難となるからである。
【００５３】
また、上記光触媒濡れ性変化層は、エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高い場合は、例えば導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を、親液性領域においてもはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法により導電性パターン組成物を塗布した際に、導電性パターン組成物が十分に塗れ広がらず、導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。
【００５４】
なお、ここでいう液体との接触角は、種々の表面張力を有する液体との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴を滴下して３０秒後）し、その結果から、もしくはその結果をグラフにして得たものである。また、この測定に際して、種々の表面張力を有する液体としては、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を用いた。
【００５５】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層は、この光触媒濡れ性変化層中にフッ素が含有され、さらにこの光触媒濡れ性変化層表面のフッ素含有量が、光触媒濡れ性変化層に対しエネルギーを照射した際に、上記光触媒の作用によりエネルギー照射前に比較して低下するように上記光触媒濡れ性変化層が形成されていてもよく、またエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を含むように形成されていてもよい。
【００５６】
上述したような光触媒濡れ性変化層における、後述するような二酸化チタンに代表される光触媒の作用機構は、必ずしも明確なものではないが、光の照射によって生成したキャリアが、近傍の化合物との直接反応、あるいは、酸素、水の存在下で生じた活性酸素種によって、有機物の化学構造に変化を及ぼすものと考えられている。本態様においては、このキャリアが光触媒濡れ性変化層内のバインダ化合物に作用を及ぼし、その表面の濡れ性を変化させるものであると考えられる。
【００５７】
以下、このような光触媒濡れ性変化層を構成する、光触媒、バインダ、およびその他の成分について説明する。
【００５８】
ａ．光触媒
まず、本態様に用いられる光触媒について説明する。本態様に用いられる光触媒としては、光半導体として知られる例えば二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を挙げることができ、これらから選択して１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００５９】
本態様においては、特に二酸化チタンが、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で毒性もなく、入手も容易であることから好適に使用される。二酸化チタンには、アナターゼ型とルチル型があり本態様ではいずれも使用することができるが、アナターゼ型の二酸化チタンが好ましい。アナターゼ型二酸化チタンは励起波長が３８０ｎｍ以下にある。
【００６０】
このようなアナターゼ型二酸化チタンとしては、例えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産業（株）製ＳＴＳ−０２（平均粒径７ｎｍ）、石原産業（株）製ＳＴ−Ｋ０１）、硝酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学（株）製ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））等を挙げることができる。
【００６１】
光触媒の粒径は小さいほど光触媒反応が効果的に起こるので好ましく、平均粒径か５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下の光触媒を使用するのが特に好ましい。
【００６２】
本態様に用いられる光触媒濡れ性変化層中の光触媒の含有量は、５〜６０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で設定することができる。また、光触媒濡れ性変化層の厚みは、０．０５〜１０μｍの範囲内が好ましい。
【００６３】
ｂ．バインダ
次に、本態様に用いられるバインダについて説明する。本態様においては、光触媒濡れ性変化層上の濡れ性の変化をバインダ自体に光触媒が作用することにより行う場合（第１の形態）と、エネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層に含有させることにより変化させる場合（第２の形態）と、これらを組み合わせることにより行う場合（第３の形態）の三つ形態に分けることができる。上記第１の形態および第３の形態において用いられるバインダは、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる機能を有する必要があり、上記第２の形態では、このような機能は特に必要ない。
【００６４】
以下、まず第２の形態に用いられるバインダ、すなわち光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を特に必要としないバインダについて説明し、次に第１の形態および第３の形態に用いられるバインダ、すなわち光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を有するバインダについて説明する。
【００６５】
上記第２の形態に用いられる、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を特に必要としないバインダとしては、主骨格が上記光触媒の光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであれば特に限定されるものではない。具体的には、有機置換基を有しない、もしくは多少有機置換基を有するポリシロキサンを挙げることができ、これらはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等を加水分解、重縮合することにより得ることができる。
【００６６】
このようなバインダを用いた場合は、添加剤としてエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層中に含有させることが必須となる。
【００６７】
次に、上記第１の形態および第３の形態に用いられる、光触媒の作用により光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能を必要とするバインダについて説明する。このようなバインダとしては、主骨格が上記の光触媒の光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであって、光触媒の作用により分解されるような有機置換基を有するものが好ましく、例えば、（１）ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサン、（２）撥水牲や撥油性に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。
【００６８】
上記の（１）の場合、一般式：
ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）
（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）
で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００６９】
また、バインダとして、特にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンが好ましく用いることができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができる。
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ ＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ ＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンをバインダとして用いることにより、光触媒濡れ性変化層のエネルギー未照射部の撥液性が大きく向上し、導電性パターンを形成する導電性パターン組成物の付着を妨げる機能を発現する。
【００７０】
また、上記の（２）の反応性シリコーンとしては、下記一般式で表される骨格をもつ化合物を挙げることができる。
【００７１】
【化１】
ただし、ｎは２以上の整数であり、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキル基であり、モル比で全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルである。また、Ｒ１、Ｒ２がメチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、モル比でメチル基が６０％以上であることが好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基等の反応性基を有する。
【００７３】
また、上記のオルガノポリシロキサンとともに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応をしない安定なオルガノシリコン化合物をバインダに混合してもよい。
【００７４】
ｃ．分解物質
上記第２の形態および第３の形態においては、さらにエネルギー照射による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を光触媒濡れ性変化層に含有させる必要がある。すなわち、バインダ自体に光触媒濡れ性変化層上の濡れ性を変化させる機能が無い場合、およびそのような機能が不足している場合に、上述したような分解物質を添加して、上記光触媒濡れ性変化層上の濡れ性の変化を起こさせる、もしくはそのような変化を補助させるようにするのである。
【００７５】
このような分解物質としては、光触媒の作用により分解し、かつ分解されることにより光触媒濡れ性変化層表面の濡れ性を変化させる機能を有する界面活性剤を挙げることができる。具体的には、日光ケミカルズ（株）製ＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン社製ＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子（株）製サーフロンＳ−１４１、１４５、大日本インキ化学工業（株）製メガファックＦ−１４１、１４４、ネオス（株）製フタージェントＦ−２００、Ｆ２５１、ダイキン工業（株）製ユニダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム（株）製フロラードＦＣ−１７０、１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤を用いることもできる。
【００７６】
また、界面活性剤の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を挙げることができる。
【００７７】
ｄ．フッ素の含有
また、本態様においては、光触媒濡れ性変化層がフッ素を含有し、さらにこの光触媒濡れ性変化層表面のフッ素含有量が、光触媒濡れ性変化層に対しエネルギーを照射した際に、上記光触媒の作用によりエネルギー照射前に比較して低下するように上記光触媒濡れ性変化層が形成されていることが好ましい。
【００７８】
このような特徴を有する光触媒濡れ性変化層であれば、エネルギーをパターン照射することにより、後述するように容易にフッ素の含有量の少ない部分からなるパターンを形成することができる。ここで、フッ素は極めて低い表面エネルギーを有するものであり、このためフッ素を多く含有する物質の表面は、臨界表面張力がより小さくなる。したがって、フッ素の含有量の多い部分の表面の臨界表面張力に比較してフッ素の含有量の少ない部分の臨界表面張力は大きくなる。これはすなわち、フッ素含有量の少ない部分はフッ素含有量の多い部分に比較して親液性領域となっていることを意味する。よって、周囲の表面に比較してフッ素含有量の少ない部分からなるパターンを形成することは、撥液性域内に親液性領域のパターンを形成することとなる。
【００７９】
したがって、このような光触媒濡れ性変化層を用いた場合は、エネルギーをパターン照射することにより、撥液性領域内に親液性領域のパターンを容易に形成することができるので、例えばインクジェット法等により、導電性パターン組成物を塗布した場合に、高精細な導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【００８０】
上述したような、フッ素を含む光触媒濡れ性変化層中に含まれるフッ素の含有量としては、エネルギーが照射されて形成されたフッ素含有量が低い親液性領域におけるフッ素含有量が、エネルギー照射されていない部分のフッ素含有量を１００とした場合に１０以下、好ましくは５以下、特に好ましくは１以下であることが好ましい。
【００８１】
このような範囲内とすることにより、エネルギー照射部分と未照射部分との親液性に大きな違いを生じさせることができる。したがって、このような光触媒濡れ性変化層に、例えば導電性パターン組成物を付着させることにより、フッ素含有量が低下した親液性領域のみに正確に導電性パターンを形成することが可能となり、精度の良い配線基板を得ることができるからである。なお、この低下率は重量を基準としたものである。
【００８２】
このような光触媒濡れ性変化層中のフッ素含有量の測定は、一般的に行われている種々の方法を用いることが可能であり、例えばＸ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy, ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)とも称される。）、蛍光Ｘ線分析法、質量分析法等の定量的に表面のフッ素の量を測定できる方法であれば特に限定されるものではない。
【００８３】
また、本態様においては、光触媒として上述したように二酸化チタンが好適に用いられるが、このように二酸化チタンを用いた場合の、光触媒濡れ性変化層中に含まれるフッ素の含有量としては、Ｘ線光電子分光法で分析して定量化すると、チタン（Ｔｉ）元素を１００とした場合に、フッ素（Ｆ）元素が５００以上、このましくは８００以上、特に好ましくは１２００以上となる比率でフッ素（Ｆ）元素が光触媒濡れ性変化層表面に含まれていることが好ましい。
【００８４】
フッ素（Ｆ）が光触媒濡れ性変化層にこの程度含まれることにより、光触媒濡れ性変化層上における臨界表面張力を十分低くすることが可能となることから表面における撥液性を確保でき、これによりエネルギーをパターン照射してフッ素含有量を減少させたパターン部分における表面の親液性領域との濡れ性の差異を大きくすることができ、最終的に得られる配線基板の精度を向上させることができるからである。
【００８５】
さらに、このような配線基板においては、エネルギーをパターン照射して形成される親インク領域におけるフッ素含有量が、チタン（Ｔｉ）元素を１００とした場合にフッ素（Ｆ）元素が５０以下、好ましくは２０以下、特に好ましくは１０以下となる比率で含まれていることが好ましい。
【００８６】
光触媒濡れ性変化層中のフッ素の含有率をこの程度低減することができれば、配線基板を形成するためには十分な親液性を得ることができ、上記エネルギーが未照射である部分の撥液性との濡れ性の差異により、配線基板を精度良く形成することが可能となり、利用価値の高い多層配線基板を得ることができる。
【００８７】
ｅ．光触媒濡れ性変化層の製造方法
上述したようにオルガノポリシロキサンをバインダとして用いた場合は、上記光触媒濡れ性変化層は、光触媒とバインダであるオルガノポリシロキサンとを必要に応じて他の添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を基材上に塗布することにより形成することができる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布はスピンコート、スプレーコート、ディッブコート、ロールコート、ビードコート等の公知の塗布方法により行うことができる。バインダとして紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより、光触媒濡れ性変化層を形成することができる。
【００８８】
（２）第二の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第二の態様について説明する。本態様における特性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒密着性変化層である場合である。
【００８９】
本態様に用いられる光触媒密着性変化層は、エネルギー照射に伴い、光触媒密着性変化層自体に含有される光触媒の作用により、密着性が変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する層であれば特に限定されるものではないが、その光触媒密着性変化層表面における物との密着性が向上するように密着性が変化する層であることが好ましい。
【００９０】
このように、エネルギー照射により物との密着性が向上するように密着性が変化する光触媒密着性変化層とすることにより、エネルギーが照射された部分を密着性良好領域、エネルギーが照射されていない部分を密着阻害領域とすることが可能となるのである。この密着性の差を利用して、例えば、全面に導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を蒸着した場合に、密着性良好領域のみに導電性パターン組成物が密着し、密着阻害領域には導電性パターン組成物が密着しないことから、密着阻害領域における導電性パターン組成物を容易に除去することが可能となり、後述する導電性パターンを密着性領域のみに容易に形成することが可能となるのである。
【００９１】
ここで、密着性良好領域とは、物との密着性が良好な領域であり、後述する導電性パターンを形成する導電性パターン組成物に対する密着性の良好な領域をいうこととする。また、密着阻害領域とは、物との密着性が悪い領域であり、導電性パターン組成物に対する密着性が悪い領域をいうこととする。
【００９２】
本実施態様における光触媒密着性変化層は、密着性阻害物質を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性阻害物質が除去される層である場合（第一の形態）と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により光触媒密着性変化層上に凹凸が形成され、物理的に密着性が向上する場合（第二の形態）とがある。以下、それぞれの形態についてわけて説明する。
【００９３】
まず、第一の形態について説明する。本形態の光触媒密着性変化層は、密着性を阻害する物質が含有されており、この密着性阻害物質により、エネルギー照射されていない密着阻害領域においては、例えば蒸着法等により塗布された導電性パターン組成物が密着することを阻害することが可能である。また、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、この密着性阻害物質が除去されることによって密着性が向上し、密着性良好領域を形成することが可能となるのである。
【００９４】
この光触媒密着性変化層の第一の形態として具体的には、光触媒およびバインダ等、上述した第一の態様の光触媒濡れ性変化層の項で説明したものと同様のものを用いることが可能である。
【００９５】
次に、第二の形態について説明する。本形態の光触媒密着性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、表面に凹凸が形成される層であり、この表面の凹凸によるアンカー効果により導電性パターン組成物の密着性を向上させることが可能となるのである。また、エネルギー照射されていない密着阻害領域においては、凹凸が形成されていないことから、導電性パターン組成物が密着することが困難であり、この密着性の差を利用して、特性変化パターンを容易に形成することが可能となるのである。
【００９６】
この光触媒密着性変化層の第二の態様に用として具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、メチルメタクリレート単重合体または共重合体、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ＰＴＦＥ等を用いることが可能である。
【００９７】
（３）第三の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第三の態様について説明する。本態様の特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層である。
【００９８】
本態様において、特性変化層が上記光触媒処理層と上記濡れ性変化層とから構成されることにより、エネルギー照射に伴い、上記光触媒処理層中の光触媒が活性化され、その光触媒処理層上に形成された上記濡れ性変化層表面の濡れ性を変化させるのである。以下、この濡れ性変化層および光触媒処理層について説明する。
【００９９】
ａ．光触媒処理層
本態様に用いられる光触媒処理層は、少なくとも光触媒を含有するものであり、光触媒処理層がバインダを有する場合は、上記第一の態様で説明した光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略する。ただし、本態様においては、光触媒処理層上の濡れ性は特に変化する必要がないことから、バインダ自体に光触媒が作用することによる濡れ性の変化が生じない場合であっても、第一の態様のように分解物質を光触媒処理層に含有させる必要がない。また、バインダを有する場合の光触媒処理層の製造方法は、上述した第一の態様と同様であるので、これについての説明も省略する。
【０１００】
一方、バインダを有さない場合の光触媒処理層の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の真空製膜法を用いる方法を挙げることができる。真空製膜法により光触媒処理層を形成することにより、均一な膜でかつ光触媒のみを含有する光触媒処理層とすることが可能であり、これにより濡れ性変化層上の濡れ性を均一に変化させることが可能であり、かつ光触媒のみからなることから、バインダを用いる場合と比較して効率的に濡れ性変化層上の濡れ性を変化させることが可能となる。
【０１０１】
また、光触媒のみからなる光触媒処理層の他の形成方法としては、例えば光触媒が二酸化チタンの場合は、基材上に無定形チタニアを形成し、次いで焼成により結晶性チタニアに相変化させる方法等が挙げられる。ここで用いられる無定形チタニアとしては、例えば四塩化チタン、硫酸チタン等のチタンの無機塩の加水分解、脱水縮合、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラメトキシチタン等の有機チタン化合物を酸存在下において加水分解、脱水縮合によって得ることができる。次いで、４００℃〜５００℃における焼成によってアナターゼ型チタニアに変性し、６００℃〜７００℃の焼成によってルチル型チタニアに変性することができる。
【０１０２】
ｂ．濡れ性変化層
次に、本態様に用いられる濡れ性変化層について説明する。
【０１０３】
本態様に用いられる濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するような層であれば、特に限定されるものではないが、中でも、エネルギー照射していない部分、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力３０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分が撥液性が要求される部分であることから、上記液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、後述する導電性パターンを例えば、導電性パターン組成物をインクジェット方式等により塗布し、硬化させて形成する場合等に、撥液性領域にも導電性パターン組成物が付着する可能性があることから、高精細に導電性パターンを形成することが困難となるからである。
【０１０４】
また、上記濡れ性変化層は、エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高い場合は、例えば導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を、親液性領域においてもはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法により導電性パターン組成物を塗布した際に、導電性パターン組成物が十分に塗れ広がらず、導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。
【０１０５】
なお、ここでいう液体との接触角は、第一の態様において説明した方法と同様に測定した値である。
【０１０６】
この濡れ性変化層は、上記光触媒処理層の作用により濡れ性が変化する層であれば特に限定されるものではないが、上述した第一の態様の光触媒処理層中のバインダと同様の材料で形成することが好ましい。なお、このように上記第一の態様の光触媒処理層中のバインダと同様の材料で形成した場合の濡れ性変化層の材料および形成方法に関しては、上記第一の態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０７】
本態様において、この濡れ性変化層の厚みは、光触媒による濡れ性の変化速度等の関係より、０．００１μｍから１μｍであることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲内である。
【０１０８】
本態様において上述した成分の濡れ性変化層を用いることにより、隣接する光触媒処理層中の光触媒の作用により、上記成分の一部である有機基や添加剤の酸化、分解等の作用を用いて、エネルギー照射部分の濡れ性を変化させて親液性とし、エネルギー未照射部との濡れ性に大きな差を生じさせることができる。
【０１０９】
なお、この濡れ性変化層には、上記第一の態様における光触媒処理層の説明中「フッ素の含有」の項で記載したものと同様にして同様のフッ素を含有させることができる。
【０１１０】
なお、本態様においては、濡れ性変化層中に光触媒を含有する必要がなく、この場合には、経時的に導電性パターンが光触媒の影響を受ける可能性を少なくすることが可能である。
【０１１１】
（４）第四の態様
次に、本実施態様における特性変化層の第四の態様について説明する。本態様における特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層である。
【０１１２】
本態様によれば、上記特性変化層が、上記光触媒処理層および上記密着性変化層により構成されることにより、エネルギー照射に伴い、上記光触媒処理層中の光触媒が励起され、これにより上記密着性変化層の密着性が変化するのである。
【０１１３】
なお、本態様に用いられる光触媒処理層については、上述した第三の態様における光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略し、密着性変化層について以下説明する。
【０１１４】
本態様に用いられる密着性変化層は、上記光触媒処理層の作用により密着性が変化する層であれば特に限定されるものではないが、中でもエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が向上する層であることが好ましい。この密着性変化層としては、上述した第二の態様の光触媒密着性変化層中のバインダと同様の材料で形成することが好ましい。なお、このように上記第二の態様の光触媒密着性変化層中のバインダと同様の材料で形成した場合の密着性変化層の材料および形成方法に関しては、上記第二の態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
本態様において、この密着性変化層の厚みは、光触媒による密着性の変化速度等の関係より、０．００１μｍから１μｍであることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲内である。
【０１１６】
（５）第五の態様
次に、本実施態様の特性変化層における第五の態様について説明する。本態様における特性変化層は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形成された光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層である場合である。
【０１１７】
本態様の特性変化層は、上記光触媒処理層と、上記分解除去層とから構成されることにより、エネルギー照射に伴い、光触媒処理層中の光触媒が励起され、上記分解除去層が分解除去されることにより、上記光触媒処理層上に、凹凸を有するパターンを形成することが可能となるのである。
【０１１８】
本態様に用いられる光触媒処理層は、上述した第三の態様で述べたものと同様であるので、ここでの説明は省略し、以下、分解除去層について説明する。
【０１１９】
本態様に用いられる分解除去層は、エネルギー照射された際に光触媒処理層中の光触媒の作用により、エネルギー照射された部分の分解除去層が分解除去される層であれば、特に限定されるものではない。
【０１２０】
このように分解除去層は、エネルギー照射した部分が光触媒の作用により分解除去されることから、現像工程や洗浄工程を行うことなく分解除去層のある部分と無い部分からなるパターン、すなわち凹凸を有するパターンを形成することができる。
【０１２１】
なお、この分解除去層は、エネルギー照射による光触媒の作用により酸化分解され、気化等されることから、現像・洗浄工程等の特別な後処理なしに除去されるものであるが、分解除去層の材質によっては、洗浄工程等を行ってもよい。
【０１２２】
また、本態様に用いられる分解除去層は、凹凸を形成するのみならず、この分解除去層が、上記露出した部材表面と比較して、液体との接触角が高いことが好ましい。これにより、分解除去層が分解除去された領域を親液性領域、上記分解除去層が残存する領域を撥液性領域とすることが可能となり、種々の導電性パターンを形成することが可能となるからである。この際、分解除去層が分解除去されて露出する部材は、光触媒処理層である。
【０１２３】
ここで、本態様の分解除去層、すなわち撥液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。これは、エネルギー照射していない部分は、本態様においては撥液性が要求される部分であることから、液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、例えばインクジェット法等により、導電性パターン組成物を塗布した際に、撥液性領域にまで導電性パターン組成物が付着する可能性が生じることから、高精細な配線基板とすることが困難となるからである。
【０１２４】
また、エネルギー照射により露出した光触媒処理層、すなわち親液性領域においては、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°未満、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となるような層であることが好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液性領域における導電性パターン組成物との接触角が高い場合は、導電性パターン組成物を塗布した場合に、親液性領域においても導電性パターン組成物をはじいてしまう可能性があり、例えばインクジェット法等により親液性領域上に導電性パターンを形成することが難しくなる可能性があるからである。ここで、液体との接触角は、第一実施態様において説明した方法により測定した値である。
【０１２５】
本態様の分解除去層に用いることができる膜としては、具体的にはフッ素系や炭化水素系の撥液性を有する樹脂等による膜を挙げることができる。これらのフッ素系や炭化水素系の樹脂は、撥液性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、これらの樹脂を溶媒に溶解させ、例としてスピンコート法等の一般的な成膜方法により形成することが可能である。
【０１２６】
また、本態様においては、機能性薄膜、すなわち、自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロケット膜、および交互吸着膜等を用いることにより、欠陥のない膜を形成することが可能であることから、このような成膜方法を用いることがより好ましいといえる。
【０１２７】
ここで、本態様に用いられる自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロケット膜、および交互吸着膜について具体的に説明する。
【０１２８】
（ｉ）自己組織化単分子膜
自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer)の公式な定義の存在を発明者らは知らないが、一般的に自己組織化膜として認識されているものの解説文としては、例えばAbraham Ulmanによる総説“Formation and Structure of Self-Assembled Monolayers”, Chemical Review, 96, 1533-1554 (1996)が優れている。本総説を参考にすれば、自己組織化単分子膜とは、適当な分子が適当な基材表面に吸着・結合（自己組織化）した結果生じた単分子層のことと言える。自己組織化膜形成能のある材料としては、例えば、脂肪酸などの界面活性剤分子、アルキルトリクロロシラン類やアルキルアルコキシド類などの有機ケイ素分子、アルカンチオール類などの有機イオウ分子、アルキルフォスフェート類などの有機リン酸分子などが挙げられる。分子構造の一般的な共通性は、比較的長いアルキル鎖を有し、片方の分子末端に基材表面と相互作用する官能基が存在することである。アルキル鎖の部分は分子同士が２次元的にパッキングする際の分子間力の源である。もっとも、ここに示した例は最も単純な構造であり、分子のもう一方の末端にアミノ基やカルボキシル基などの官能基を有するもの、アルキレン鎖の部分がオキシエチレン鎖のもの、フルオロカーボン鎖のもの、これらが複合したタイプの鎖のものなど様々な分子から成る自己組織化単分子膜が報告されている。また、複数の分子種から成る複合タイプの自己組織化単分子膜もある。また、最近では、デンドリマーに代表されるような粒子状で複数の官能基（官能基が一つの場合もある）を有する高分子や直鎖状（分岐構造のある場合もある）の高分子が一層基材表面に形成されたもの（後者はポリマーブラシと総称される）も自己組織化単分子膜と考えられる場合もあるようである。本態様は、これらも自己組織化単分子膜に含める。
【０１２９】
（ii）ラングミュア−ブロジェット膜
本態様に用いられるラングミュア−ブロジェット膜(Langmuir-Blodgett Film)は、基材上に形成されてしまえば形態上は上述した自己組織化単分子膜との大きな相違はない。ラングミュア−ブロジェット膜の特徴はその形成方法とそれに起因する高度な２次元分子パッキング性（高配向性、高秩序性）にあると言える。すなわち、一般にラングミュア−ブロジェット膜形成分子は気液界面上に先ず展開され、その展開膜がトラフによって凝縮されて高度にパッキングした凝縮膜に変化する。実際は、これを適当な基材に移しとって用いる。ここに概略を示した手法により単分子膜から任意の分子層の多層膜まで形成することが可能である。また、低分子のみならず、高分子、コロイド粒子なども膜材料とすることができる。様々な材料を適用した最近の事例に関しては宮下徳治らの総説“ソフト系ナノデバイス創製のナノテクノロジーへの展望” 高分子 50巻 9月号 644-647 (2001)に詳しく述べられている。
【０１３０】
（iii）交互吸着膜
交互吸着膜(Layer-by-Layer Self-Assembled Film)は、一般的には、最低２個の正または負の電荷を有する官能基を有する材料を逐次的に基材上に吸着・結合させて積層することにより形成される膜である。多数の官能基を有する材料の方が膜の強度や耐久性が増すなど利点が多いので、最近ではイオン性高分子（高分子電解質）を材料として用いることが多い。また、タンパク質や金属や酸化物などの表面電荷を有する粒子、いわゆる“コロイド粒子”も膜形成物質として多用される。さらに最近では、水素結合、配位結合、疎水性相互作用などのイオン結合よりも弱い相互作用を積極的に利用した膜も報告されている。比較的最近の交互吸着膜の事例については、静電的相互作用を駆動力にした材料系に少々偏っているがPaula T. Hammondによる総説“Recent Explorations in Electrostatic Multilayer Thin Film Assembly”Current Opinion in Colloid & Interface Science, 4, 430-442 (2000)に詳しい。交互吸着膜は、最も単純なプロセスを例として説明すれば、正（負）電荷を有する材料の吸着−洗浄−負（正）電荷を有する材料の吸着−洗浄のサイクルを所定の回数繰り返すことにより形成される膜である。ラングミュア−ブロジェット膜のように展開−凝縮−移し取りの操作は全く必要ない。また、これら製法の違いより明らかなように、交互吸着膜はラングミュア−ブロジェット膜のような２次元的な高配向性・高秩序性は一般に有さない。しかし、交互吸着膜及びその作製法は、欠陥のない緻密な膜を容易に形成できること、微細な凹凸面やチューブ内面や球面などにも均一に成膜できることなど、従来の成膜法にない利点を数多く有している。
【０１３１】
また、分解除去層の膜厚としては、後述するエネルギーの照射の際に、照射されるエネルギーにより分解除去される程度の膜厚であれば特に限定されるものではない。具体的な膜厚としては、照射されるエネルギーの種類や分解除去層の材料等により大きく異なるものではあるが、一般的には、０．００１μｍ〜１μｍの範囲内、特に０．０１μｍ〜０．１μｍの範囲内とすることが好ましい。
【０１３２】
（特性変化層の特性が変化したパターン）
次に、上記特性変化層の特性が変化したパターンについて説明する。本実施態様においては、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って後述する導電性パターンを形成するために、上記特性変化層の特性が変化したパターンを形成するのである。
【０１３３】
本実施態様における特性変化層の特性が変化したパターンの形成方法は、上記特性変化層に、所定の方向からエネルギーをパターン照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したパターンを形成する方法が用いられる。
【０１３４】
なお、本発明でいうエネルギー照射（露光）とは、上記特性変化層の特性を変化させることが可能ないかなるエネルギー線の照射をも含む概念であり、可視光の照射に限定されるものではない。
【０１３５】
通常このようなエネルギー照射に用いる光の波長は、４００ｎｍ以下の範囲、好ましくは３８０ｎｍ以下の範囲から設定される。これは、上述したように光触媒に二酸化チタンが好ましく用いられ、この二酸化チタンにより光触媒作用を活性化させるエネルギーとして、上述した波長の光が好ましいからである。
【０１３６】
このようなエネルギー照射に用いることができる光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、その他種々の光源を挙げることができる。
【０１３７】
上述したような光源を用い、フォトマスクを介したパターン照射により行う方法の他、エキシマ、ＹＡＧ等のレーザを用いてパターン状に描画照射する方法を用いることも可能である。
【０１３８】
また、エネルギー照射に際してのエネルギーの照射量は、特性変化層が光触媒の作用により特性が変化するのに必要な照射量とする。
【０１３９】
この際、光触媒を加熱しながらエネルギー照射することにより、感度を上昇させことが可能となり、効率的な濡れ性の変化を行うことができる点で好ましい。具体的には３０℃〜８０℃の範囲内で加熱することが好ましい。
【０１４０】
（導電性パターン）
次に、本実施態様に用いられる導電性パターンについて説明する。本実施態様に用いられる導電性パターンは、上述した特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性を有するパターンであれば、そのパターンの形状や材料等は特に限定されるものではない。本実施態様における導電性パターンに用いられる材料として、具体的には、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、鉛、スズおよびこれらのなかの金属を一種以上含む粉末状の金属または合金と、バインダ樹脂、分散材、有機溶剤からなる金属インキを挙げることができ、中でも銅および銀を用いた金属インキであることが好ましい。
【０１４１】
また、本実施態様の導電性パターンの形成方法は、上述した特性変化層の特性の変化により適宜選択されるものであるが、具体的には、蒸着法、無電界めっき、ディップコート、ロールコート、ブレードコート、スピンコート等の塗布手段、インクジェット、電解ジェット等を含むノズル吐出手段等の手段等が挙げられる。
【０１４２】
例えば上記特性変化層が光触媒濡れ性変化層または濡れ性変化層である場合には、親液性領域および撥液性領域が形成されており、この濡れ性の差を利用して、親液性領域のみに、金属コロイド溶液をインクジェット法やロールコート法により塗布する方法や、金属ペーストを電解ジェット法により塗布する方法等が挙げられる。
【０１４３】
また、上記特性変化層が光触媒密着性変化層または密着性変化層である場合には、密着性良好領域および密着阻害領域が形成されており、例えば蒸着法等により全面に金属を付着させ、金属が密着していない密着阻害領域上の金属を除去することにより、密着性良好領域上のみに導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０１４４】
さらに、上記特性変化層が分解除去層である場合には、表面に形成された凹凸を利用して、金属コロイド溶液をインクジェット法により塗布する方法や、金属ペーストを電解ジェット法により塗布する方法等が挙げられる。
【０１４５】
（配線基板）
次に、本実施態様における配線基板について説明する。本実施態様における配線基板とは、上記特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された上記導電性パターンとを有するものであり、その配線パターン等は特に限定されるものではない。
【０１４６】
（多層配線基板）
次に、本実施態様の多層配線基板について説明する。本実施態様の多層配線基板は、上記配線基板が少なくとも２層以上積層されたものであり、中でも３層から５層積層されたものであることが好ましい。
【０１４７】
本実施態様においては、上述した高精細な導電性パターンを有する配線基板を積層することにより、高精細な導電性パターンを有する多層配線基板とすることが可能となるのである。
【０１４８】
また、本実施態様の多層配線基板においては、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層（後で記述する）と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【０１４９】
また、隣接する配線基板の導電性パターン間に、後述するような導電性コネクタを有していてもよく、また最下層部の特性変化層に自己支持性がない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合等には、多層配線基板が後述する基材上に形成されたものであってもよい。以下、各構成について説明する。
【０１５０】
（基材）
ここで、本実施態様に用いられる基材について説明する。本実施態様においては、例えば多層配線基板の最下層部に形成される特性変化層に自己支持性のない場合や、多層配線基板に強度が必要とされる場合に基材が用いられ、例として図２に示すように、基材４上に多層配線基板における最下層部の配線基板の特性変化層１が設けられる。
【０１５１】
このような基材としては、最終的に得られる多層配線基板の用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば通常のプリント配線板等の場合においては、一般的に用いられている材料、具体的には紙基材の樹脂積層板、ガラス布・ガラス不織布基材の樹脂積層板、セラミック、金属等を用いることができる。また、フレキシブル配線板においては、可撓性を有する樹脂製フィルムを基材として用いることも可能である。
【０１５２】
（導電性コネクタ）
次に、本実施態様における導電性コネクタについて説明する。本実施態様の多層配線基板においては、隣接する配線基板または後述する特性反応層を有する配線基板の導電性パターン同士を電気的に接続するために設けられる、導電性の材料により形成された部位である導電性コネクタを有していてもよく、例えば図３に示すように、配線基板３における導電性部２と、隣接する配線基板３′における導電性部２′間に、導電性の材料によって形成されたものである。本実施態様においては、この導電性コネクタは、電気的に接続可能なものであれば、その形成方法等は特に限定されるものではないが、本実施態様においては、上述した特性変化層または後述する特性反応層に形成されたスルーホールに導電性材料が充填されることにより、形成されたものであることが好ましい。
【０１５３】
ここで、本実施態様におけるスルーホールとは、導電性パターンと、この導電性パターンと特性変化層をはさんだ直下に存在する導電性パターンとを、電気的に接続する導電性コネクタを形成するために、特性変化層または後述する特性反応層に設けられた孔部のことをいう。
【０１５４】
ここで、本実施態様においては、配線基板中に上述した特性変化層または特性反応層を有することから、これらの特性の変化を利用して、容易にスルーホールを形成することが可能である。
【０１５５】
例えば、上記特性変化層が光触媒濡れ性変化層または濡れ性変化層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に親液性領域を形成し、その親液性領域上に例えばアルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることができ、容易に高精細なスルーホールを形成することが可能となるのである。
【０１５６】
なお、本実施態様の導電性コネクタに用いられる材料および形成方法は、上述した導電性パターンと同様のものを用いることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
【０１５７】
（特性反応層を有する配線基板）
次に、特性反応層を有する配線基板について説明する。本実施態様における上記多層配線基板は、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板が、少なくとも１層積層されていてもよい。
【０１５８】
以下、この特性反応層を有する配線基板について、各構成ごとに説明する。
【０１５９】
（１）特性反応層
まず、本実施態様の特性反応層を有する配線基板に用いられる特性反応層について説明する。本実施態様の特性反応層を有する配線基板に用いられる特性反応層とは、触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する層であり、この特性の変化したパターンに沿って導電性パターンが形成することが可能な層である。
【０１６０】
本実施態様における特性反応層を有する配線基板については、例えば図４に示すように、基体６および光触媒処理層５を有する光触媒処理層側基板７を、上記特性反応層１５と光触媒処理層５とが所定の間隙となるように配置された後、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向からエネルギー９をパターン状に照射されることにより、特性反応層１５上の特性が変化する層である。
【０１６１】
本実施態様においては、上記特性反応層の電気抵抗が１×１０８Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの、中でも１×１０１５Ω・ｃｍ〜１×１０１８Ω・ｃｍの範囲内であることが好ましい。特性反応層の電気抵抗が、上記範囲内より低い場合には、多層配線基板を形成した際に、後述する導電性パターンを電気配線として用いることが困難となるからである。
【０１６２】
また、本実施態様においては、上記特性反応層が、液体によりエッチングされる層であることが好ましく、中でもアルカリ溶液によりエッチングされる層であることが好ましい。これにより、例えば多層配線基板中に、隣接する導電性パターン間を接続する導電性コネクタを有する場合に、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを形成する際に、特性が変化したパターンに沿って、液体を作用させることにより、容易にエッチングを行うこと等が可能となり、またそのエッチングに用いられる液体がアルカリ溶液であれば、より効率的にエッチングを行うことが可能となるからである。
【０１６３】
本実施態様において、上記特性反応層は、中でも導電性パターンを形成する観点から、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化層である場合、またはエネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する密着性変化層である場合が好ましい。
【０１６４】
上記特性反応層が、上記濡れ性変化層である場合には、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、濡れ性の低下したパターンを形成することが可能となり、この濡れ性の差を利用して、例えばインクジェット法等により導電性パターン組成物を親液性領域のみに、高精細に塗布することが可能となるからである。また、上記特性反応層が、上記密着性変化層である場合には、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により形成された密着性を変化させることが可能となり、例えば蒸着法等により、全面に導電性パターン組成物を成膜後、密着性の差を利用して、密着性が良好な領域以外の密着性の悪い部分の導電性パターン組成物を除去することにより、高精細な導電性パターン部を形成することが可能となるのである。
【０１６５】
なお、上記濡れ性変化層および上記密着性変化層については、上述した特性反応層における第三の態様で説明した濡れ性変化層および第四の態様で説明した密着性変化層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１６６】
（２）光触媒処理層側基板
次に上記特性反応層の特性が変化したパターンを形成するために用いられる光触媒処理層側基板について以下説明する。
【０１６７】
本実施態様に用いられる光触媒処理層側基板は、少なくとも光触媒処理層と基体とを有するものであり、通常は基体上に所定の方法で形成された薄膜状の光触媒処理層が形成されてなるものである。また、この光触媒処理層側基板には、パターン状に形成された光触媒処理層側遮光部やプライマー層が形成されたものも用いることができる。
【０１６８】
本実施態様においては、エネルギーを照射する際に、上記特性反応層と、上記光触媒処理層側基板における光触媒処理層とを所定の間隙をおいて対向させ、光触媒処理層側基板の光触媒処理層の作用により、特性反応層の濡れ性を変化させ、エネルギー照射後、光触媒処理層側基板を取り外すことにより濡れ性パターンが形成されるのである。以下、この光触媒処理層側基板の各構成について説明する。
【０１６９】
ａ．光触媒処理層
本実施態様に用いられる光触媒処理層は、少なくとも光触媒を含有するものであり、バインダを有していても、有していなくてもよく、上述した特性変化層の第二の態様で説明した光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１７０】
ここで、本実施態様において用いられる光触媒処理層は、例えば図４に示すように、光触媒処理層側基体６上に全面に形成されたものであってもよいが、例えば図５に示すように、基体６上に光触媒処理層５がパターン状に形成されたものであってもよい。
【０１７１】
このように光触媒処理層をパターン状に形成することにより、エネルギーを照射する際に、フォトマスク等を用いてパターン照射をする必要がなく、全面に照射することにより、特性反応層上に親液性領域と撥液性領域とからなる濡れ性パターンを形成することができる。
【０１７２】
この光触媒処理層のパターニング方法は、特に限定されるものではないが、例えばフォトリソグラフィー法等により行うことが可能である。
【０１７３】
また、光触媒処理層と特性反応層とを例えば密着させてエネルギー照射を行う場合には、実際に光触媒処理層の形成された部分のみの特性が変化するものであるので、エネルギーの照射方向は上記光触媒処理層と特性反応層とが対向する部分にエネルギーが照射されるものであれば、いかなる方向から照射されてもよく、さらには、照射されるエネルギーも特に平行光等の平行なものに限定されないという利点を有するものとなる。
【０１７４】
ｂ．基体
本実施態様においては、図４に示すように、光触媒処理層側基板７は、少なくとも基体６とこの基体６上に形成された光触媒処理層５とを有するものである。
【０１７５】
この際、用いられる基体を構成する材料は、後述するエネルギーの照射方向や、得られる多層配線基板が透明性を必要とするか等により適宜選択される。
【０１７６】
また本実施態様に用いられる基体は、可撓性を有するもの、例えば樹脂製フィルム等であってもよいし、可撓性を有さないもの、例えばガラス基板等であってもよい。これは、エネルギー照射方法により適宜選択されるものである。
【０１７７】
なお、基体表面と光触媒処理層との密着性を向上させるために、基体上にアンカー層を形成するようにしてもよい。このようなアンカー層としては、例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げることができる。
【０１７８】
ｃ．光触媒処理層側遮光部
本実施態様に用いられる光触媒処理層側基板には、パターン状に形成された光触媒処理層側遮光部が形成されたものを用いても良い。このように光触媒処理層側遮光部を有する光触媒処理層側基板を用いることにより、エネルギー照射に際して、フォトマスクを用いたり、レーザ光による描画照射を行う必要がない。したがって、光触媒処理層側基板とフォトマスクとの位置合わせが不要であることから、簡便な工程とすることが可能であり、また描画照射に必要な高価な装置も不必要であることから、コスト的に有利となるという利点を有する。
【０１７９】
このような光触媒処理層側遮光部を有する光触媒処理層側基板は、光触媒処理層側遮光部の形成位置により、下記の二つの態様とすることができる。
【０１８０】
一つが、例えば図６に示すように、基体６上に光触媒処理層側遮光部１１を形成し、この光触媒処理層側遮光部１１上に光触媒処理層５を形成して、光触媒処理層側基板７とする態様である。もう一つは、例えば図７に示すように、基体６上に光触媒処理層５を形成し、その上に光触媒処理層側遮光部１１を形成して光触媒処理層側基板７とする態様である。
【０１８１】
いずれの態様においても、フォトマスクを用いる場合と比較すると、光触媒処理層側遮光部が、上記光触媒処理層と特性反応層との配置部分の近傍に配置されることになるので、基体内等におけるエネルギーの散乱の影響を少なくすることができることから、エネルギーのパターン照射を極めて正確に行うことが可能となる。
【０１８２】
さらに、上記光触媒処理層上に光触媒処理層側遮光部を形成する態様においては、光触媒処理層と特性反応層とを所定の位置に配置する際に、この光触媒処理層側遮光部の膜厚をこの間隙の幅と一致させておくことにより、上記光触媒処理層側遮光部を上記間隙を一定のものとするためのスペーサとしても用いることができるという利点を有する。
【０１８３】
すなわち、所定の間隙をおいて上記光触媒処理層と特性反応層とを対向させた状態で配置する際に、上記光触媒処理層側遮光部と特性反応層とを密着させた状態で配置することにより、上記所定の間隙を正確とすることが可能となり、そしてこの状態で光触媒処理層側基板からエネルギーを照射することにより、特性反応層上に特性変化パターンを精度良く形成することが可能となるのである。
【０１８４】
このよう光触媒処理層側遮光部の形成方法は、特に限定されるものではなく、光触媒処理層側遮光部の形成面の特性や、必要とするエネルギーに対する遮蔽性等に応じて適宜選択されて用いられる。
【０１８５】
例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等により厚み１０００〜２０００Å程度のクロム等の金属薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより形成されてもよい。このパターニングの方法としては、スパッタ等の通常のパターニング方法を用いることができる。
【０１８６】
また、樹脂バインダ中にカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有させた層をパターン状に形成する方法であってもよい。用いられる樹脂バインダとしては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等の樹脂を１種または２種以上混合したものや、感光性樹脂、さらにはＯ／Ｗエマルジョン型の樹脂組成物、例えば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用いることができる。このような樹脂製遮光部の厚みとしては、０．５〜１０μｍの範囲内で設定することができる。このよう樹脂製遮光部のパターニングの方法は、フォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用いることができる。
【０１８７】
なお、上記説明においては、光触媒処理層側遮光部の形成位置として、基体と光触媒処理層との間、および光触媒処理層表面の二つの場合について説明したが、その他、基体の光触媒処理層が形成されていない側の表面に光触媒処理層側遮光部を形成する態様も採ることが可能である。この態様においては、例えばフォトマスクをこの表面に着脱可能な程度に密着させる場合等が考えられ、特性変化パターンを小ロットで変更するような場合に好適に用いることができる。
【０１８８】
ｄ．プライマー層
次に、本実施態様の光触媒処理層側基板に用いられるプライマー層について説明する。本実施態様において、上述したように基体上に光触媒処理層側遮光部をパターン状に形成して、その上に光触媒処理層を形成して光触媒処理層側基板とする場合においては、上記光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層との間にプライマー層を形成してもよい。
【０１８９】
このプライマー層の作用・機能は必ずしも明確なものではないが、光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層との間にプライマー層を形成することにより、プライマー層は光触媒の作用による特性反応層の特性変化を阻害する要因となる光触媒処理層側遮光部および光触媒処理層側遮光部間に存在する開口部からの不純物、特に、光触媒処理層側遮光部をパターニングする際に生じる残渣や、金属、金属イオン等の不純物の拡散を防止する機能を示すものと考えられる。したがって、プライマー層を形成することにより、高感度で特性変化の処理が進行し、その結果、高解像度のパターンを得ることが可能となるのである。
【０１９０】
なお、本実施態様においてプライマー層は、光触媒処理層側遮光部のみならず光触媒処理層側遮光部間に形成された開口部に存在する不純物が光触媒の作用に影響することを防止するものであるので、プライマー層は開口部を含めた光触媒処理層側遮光部全面にわたって形成されていることが好ましい。
【０１９１】
本実施態様におけるプライマー層は、光触媒処理層側基板の光触媒処理層側遮光部と光触媒処理層とが接触しないようにプライマー層が形成された構造であれば特に限定されるものではない。
【０１９２】
このプライマー層を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、光触媒の作用により分解されにくい無機材料が好ましい。具体的には無定形シリカを挙げることができる。このような無定形シリカを用いる場合には、この無定形シリカの前駆体は、一般式ＳｉＸ４で示され、Ｘはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基、またはアセチル基等であるケイ素化合物であり、それらの加水分解物であるシラノール、または平均分子量３０００以下のポリシロキサンが好ましい。
【０１９３】
また、プライマー層の膜厚は、０．００１μｍから１μｍの範囲内であることが好ましく、特に０．００１μｍから０．１μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１９４】
（３）特性反応層の特性が変化したパターン
次に、特性反応層の特性が変化したパターンについて説明する。本実施態様の特性反応層の特性が変化したパターンを形成する方法としては、上記光触媒処理層および上記特性反応層を所定の位置に配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、上記特性反応層表面にパターンを形成する工程が行われる。以下、この特性変化パターンの形成について説明する。
【０１９５】
ａ．光触媒処理層および特性反応層の配置
本実施態様の特性変化パターン形成工程においては、まずエネルギー照射時に光触媒処理層と特性反応層とを光触媒の作用が及ぶように所定の間隔をおいて配置する必要があり、本実施態様においては、上述した光触媒処理層および特性反応層を２００μｍ以下の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射する。この際、光触媒処理層および特性反応層を密着させてもよい。
【０１９６】
本実施態様において上記間隙は、パターン精度が極めて良好であり、光触媒の感度も高く、したがって特性反応層の特性変化の効率が良好である点を考慮すると特に０．２μｍ〜１０μｍの範囲内、好ましくは１μｍ〜５μｍの範囲内とすることが好ましい。このような間隙の範囲は、特に間隙を高い精度で制御することが可能である小面積の特性反応層に対して特に有効である。
【０１９７】
一方、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍといった大面積の特性反応層に対して処理を行う場合は、接触することなく、かつ上述したような微細な間隙を光触媒処理層側基板と特性反応層との間に形成することは極めて困難である。したがって、特性反応層が比較的大面積である場合は、上記間隙は、１０〜１００μｍの範囲内、特に５０〜７５μｍの範囲内とすることが好ましい。間隙をこのような範囲内とすることにより、パターンがぼやける等のパターン精度の低下の問題や、光触媒の感度が悪化して特性変化の効率が悪化する等の問題が生じることなく、さらに特性反応層上の特性変化にムラが発生しないといった効果を有するからである。
【０１９８】
このように比較的大面積の特性反応層をエネルギー照射する際には、エネルギー照射装置内の光触媒処理層側基板と特性反応層との位置決め装置における間隙の設定を、１０μｍ〜２００μｍの範囲内、特に２５μｍ〜７５μｍの範囲内に設定することが好ましい。設定値をこのような範囲内とすることにより、パターン精度の大幅な低下や光触媒の感度の大幅な悪化を招くことなく、かつ光触媒処理層側基板と特性反応層とが接触することなく配置することが可能となるからである。
【０１９９】
このように光触媒処理層と特性反応層表面とを所定の間隔で離して配置することにより、酸素と水および光触媒作用により生じた活性酸素種が脱着しやすくなる。すなわち、上記範囲より光触媒処理層と特性反応層との間隔を狭くした場合は、上記活性酸素種の脱着がしにくくなり、結果的に特性変化速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。また、上記範囲より間隔を離して配置した場合は、生じた活性酸素種が特性反応層に届き難くなり、この場合も特性変化の速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。
【０２００】
本実施態様においては、このような配置状態は、少なくともエネルギー照射の間だけ維持されればよい。
【０２０１】
このような極めて狭い間隙を均一に形成して光触媒処理層と特性反応層とを配置する方法としては、例えばスペーサを用いる方法を挙げることができる。そして、このようにスペーサを用いることにより、均一な間隙を形成することができると共に、このスペーサが接触する部分は、光触媒の作用が特性反応層表面に及ばないことから、このスペーサを上述した特性変化パターンと同様のパターンを有するものとすることにより、特性反応層上に所定の特性変化パターンを形成することが可能となる。
【０２０２】
本実施態様においては、このようなスペーサを一つの部材として形成してもよいが、工程の簡略化等のため、上記光触媒処理層側基板の欄で説明したように、光触媒処理層側基板の光触媒処理層表面に形成することが好ましい。なお、上記光触媒処理層側基板における説明においては、光触媒処理層側遮光部として説明したが、本実施態様においては、このようなスペーサは特性反応層表面に光触媒の作用が及ばないように表面を保護する作用を有すればよいものであることから、特に照射されるエネルギーを遮蔽する機能を有さない材料で形成されたものであってもよい。
【０２０３】
ｂ．エネルギー照射
次に、上述したような配置を維持した状態で、対向する部分へのエネルギー照射が行われる。なお、このエネルギー照射については、上述した特性変化層の特性が変化したパターンの項で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０４】
ここで、光触媒処理層側遮光部が形成されている場合は、光触媒処理層側基板側からエネルギー照射が行なわれる必要があり、かつこの場合は光触媒処理層側基板が照射されるエネルギーに対して透明である必要がある。なお、この場合、光触媒処理層上に光触媒処理層側遮光部が形成され、かつこの光触媒処理層側遮光部を上述したようなスペーサとしての機能を有するように用いた場合においては、多層配線基板の種類によっては、エネルギー照射方向は光触媒処理層側基板側からでも多層配線基板側からであってもよい。
【０２０５】
また、光触媒処理層がパターン状に形成されている場合におけるエネルギー照射方向は、上述したように、光触媒処理層と特性反応層とが対向する部分にエネルギーが照射されるのであれば、多層配線基板の種類によっては、いかなる方向から照射されてもよい。
【０２０６】
同様に、上述したスペーサを用いる場合も、対向する部分にエネルギーが照射されるのであれば、多層配線基板の種類によっては、いかなる方向から照射されてもよい。
【０２０７】
フォトマスクを用いる場合は、フォトマスクが配置された側からエネルギーが照射される。この場合は、フォトマスクが配置された側の基板、すなわち光触媒処理層側基板もしくは多層配線基板のいずれかが透明である必要がある。
【０２０８】
ｃ．光触媒処理層側基板の取り外し
上述したようなエネルギー照射が終了すると、光触媒処理層側基板が特性反応層との配置位置から離され、特性反応層の特性が変化したパターンが特性反応層上に形成される。
【０２０９】
（４）導電性パターン
次に、特性反応層を有する配線基板における導電性パターンについて説明する。本実施態様における特性反応層上に形成される導電性パターンについては、上述した特性反応層上の、特性が変化したパターンに沿って形成される導電性を有するパターンであれば、そのパターンの形状や材料等は特に限定されるものではない。
【０２１０】
なお、上記特性反応層上に形成される導電性パターンについては、上述した特性変化層上に形成される導電性パターンと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１１】
２．第二実施態様
次に、本発明における多層配線基板の第二実施態様について説明する。本発明における多層配線基板の第二実施態様は、少なくとも光触媒を含有し、かつ光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、上記特性変化層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板と、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板を、上記光触媒処理層が２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置された後、所定の方向からエネルギー照射されることにより特性が変化する特性反応層と、上記特性反応層の特性が変化したパターンに沿って形成された導電性パターンとからなる配線基板とが積層されたことを特徴とするものである。
【０２１２】
本実施態様によれば、上記特性変化層および特性反応層を有することにより、これらの層の特性が変化したパターンに沿って、容易に導電性パターンを形成することが可能となることから、高精細な多層配線基板を形成することが可能となるのである。
【０２１３】
ここで、上記特性変化層、特性反応層、導電性パターン、配線基板、光触媒処理層側基板等は、第一実施態様で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１４】
Ｂ．多層配線基板の製造方法
次に、本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。本発明の多層配線基板の製造方法は、
光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する特性変化層調製工程と、
上記特性変化層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する特性変化パターン形成工程と、
上記特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程と、
を有する配線基板形成工程を少なくとも２回以上、好ましくは３回から５回行うことを特徴とするものである。
【０２１５】
この配線基板形成工程を、図８を例として用いて説明する。
【０２１６】
本発明の配線基板形成工程においてはまず、特性変化層１を調製する特性変化層調整工程を行う（図８（ａ））。次に、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向から上記特性変化層上に、エネルギー９をパターン状に照射する特性変化パターン形成工程を行う（図８（ｂ））。これにより、上記特性変化層１上に特性の変化した特性変化パターン１０が形成されるのである。次に、この特性変化パターン１０に沿って、例えばインクジェット法等により、導電性パターン２を形成する導電性パターン形成工程を行い、配線基板３を形成する（図８（ｄ））。この際、上記特性変化層１上の特性が変化した特性変化パターン１０のみに、導電性パターン２を形成する導電性パターン組成物を付着させることが可能となり、高精細な導電性パターン２を形成した配線基板とすることが可能となるのである。
【０２１７】
また、この配線基板形成工程を少なくとも２回以上行うことにより、多層配線基板を形成することから、得られる多層配線基板を高精細な導電性パターンを有するものとすることが可能となるのである。
【０２１８】
また、本発明においては、図９に示すように、上記特性変化層調整工程後（図９（ａ））、例えばフォトマスク８等を用いて、所定の方向から特性変化層１上に、エネルギー９を照射することにより（図９（ｂ））、上記特性変化層１表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターン１３を形成するスルーホール特性変化パターン形成工程（図９（ｃ））を行い、そのスルーホール特性変化パターン１３に沿って、液体を塗布することにより、スルーホール１４を形成するスルーホール形成工程（図９（ｄ））を行ってもよい。これにより、上記導電性パターン形成工程において、導電性パターンを形成するのと同時に、スルーホールにも導電性材料を充填することが可能となり、導電性パターン間を電気的に接続する導電性コネクタを容易に形成することが可能となるのである。以下、本発明の多層配線基板の製造方法について各工程ごとに説明する。
【０２１９】
（１）特性変化層調製工程
まず、本発明の特性変化層調製工程について説明する。本発明における特性変化層調製工程は光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する工程であれば、その方法等は特に限定されるものではないが、少なくとも２回目以降の配線基板形成工程においては、塗布法により行なわれることが好ましい。上記特性変化層調製工程が塗布法であることにより、直前の配線基板形成工程により形成された導電性パターンの周囲にも特性変化層を形成することが可能となり、これにより導電性パターンを酸素や水蒸気から保護することが可能となるのである。また、製造効率やコストの面からも好ましい。
【０２２０】
また、本発明に用いられる多層配線基板の最下層部に位置する配線基板の特性変化層が自己支持性を有しない場合は、その最下層部の特性変化層は、基材上に形成されることが必要である。
【０２２１】
なお、本発明に用いられる特性変化層、特性変化層の形成方法および基材等については、上述した「Ａ．多層配線基板」で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２２２】
（２）特性変化パターン形成工程
次に、本発明における特性変化パターン形成工程について説明する。本発明における特性変化パターン形成工程は、所定の方向からエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する工程である。
【０２２３】
本発明の特性変化パターン形成工程は、後述するスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程を行った配線基板について行ってもよく、またスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程を行っていない配線基板について行ってもよい。
【０２２４】
本工程は、後述する導電性パターン形成工程において形成される導電性パターンのパターン状にエネルギーを照射し、後述する導電性パターン形成工程において形成する導電性パターンのパターン状に、上記特性変化層の特性を変化させる工程である。これにより、後述する導電性パターン形成工程において、容易に導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０２２５】
なお、本工程に用いられるエネルギーやエネルギーの照射については、上述した「Ａ．多層配線基板」における特性変化層の特性が変化したパターンの項で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２２６】
（３）導電性パターン形成工程
次に、本発明の導電性パターン形成工程について説明する。本発明の導電性パターン形成工程は、上記特性変化パターン形成工程で形成された特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する工程であり、後述するスルーホール特性変化パターン形成工程およびスルーホール形成工程が行われた配線基板については、導電性パターンを形成することと同時にスルーホールを充填して、導電性コネクタを形成してもよい。
【０２２７】
本発明の導電性パターン形成工程は、上記特性変化パターン上に導電性パターンを形成することが可能な方法であれば、特に限定されるものではなく、上記特性変化層の特性により適宜選択されるものであるが、例えば上記特性変化層が濡れ性変化層である場合には、ディップコート、ロールコート、ブレードコート、スピンコート等の塗布手段、インクジェット、電解ジェット等を含むノズル吐出手段等の手段を用いることが可能である。本発明においては中でも、ノズル吐出手段を用いることが好ましい。上記ノズル吐出手段においては、目的とするパターン状に導電性パターンを形成する導電性パターン組成物を塗布することが可能となり、より高精細に導電性パターンを形成することが可能となるからである。
【０２２８】
また、上記特性変化層が密着変化層である場合には、上記方法の他に、蒸着法、無電界めっき等も用いることが可能であり、導電性パターン組成物を成膜後、密着阻害領域に付着した導電性パターン組成物を除去することにより、密着性良好領域にのみ導電性パターン組成物を密着させることができ、導電性パターンを形成することが可能となるのである。
【０２２９】
ここで、上記スルーホールを充填し、導電性コネクタを形成する場合にも、同様の方法を用いることができることから、この導電性コネクタは、上記導電性パターンの形成と同時に行うことが可能である。
【０２３０】
（４）スルーホール特性変化パターン形成工程
次に、本発明のスルーホール特性変化パターン形成工程について説明する。本発明におけるスルーホール特性変化パターン形成工程とは、上記特性変化層調整工程後、上記特性変化層にエネルギーを照射することにより、上記特性変化層表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成する工程である。
【０２３１】
本発明において、隣接する配線基板の導電性パターン間に導電性コネクタを形成する場合には、この導電性コネクタを形成するためのスルーホールを、特性変化層に形成するスルーホール特性変化層形成工程およびスルーホール形成工程を有していてもよい。この際、スルーホール特性変化パターン形成工程により、上記特性変化層上に、特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成することにより、後述するスルーホール形成工程において、このスルーホール特性パターンの特性の差を利用して、例えば液体を滴下すること等により、容易にスルーホールを形成することが可能となるからである。
【０２３２】
このスルーホール形成工程におけるエネルギーの照射等は、上述した特性変化パターン形成工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２３３】
（５）スルーホール形成工程
次に、スルーホール形成工程について説明する。本発明におけるスルーホール形成工程は、上記スルーホール特性変化パターンに沿って、液体を塗布することにより、スルーホールを形成する工程である。
【０２３４】
上記液体の塗布は、スルーホールを形成することが可能な方法であれば、特に方法等は限定されるものではないが、本発明においては、他の部材と接触させることなくスルーホール特性変化領域のみに選択的に液体を塗布できる点から、ノズル吐出による方法を用いることが好ましい。このようなノズル吐出法としては、例えばマイクロシリンジ、ディスペンサー、インクジェット等を用いた方法、または針先より電解等の外部刺激により吐出する方法、針先に付着させた液体を特性変化領域に付着させる方法等を用いることができる。本発明においては、中でもディスペンサーまたはインクジェットを用いた方法であることが好ましい。
【０２３５】
また、本発明のスルーホール形成工程に用いられる液体は、アルカリ溶液であることが好ましく、具体的には有機アルカリと無機アルカリの水溶液を上げることができる。好ましいアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液および水酸化カリウム水溶液を挙げることができ、ｐＨとしては、ｐＨ７〜１４、中でもｐＨ１０〜１４、特にｐＨ１２〜１４であることが好ましい。
【０２３６】
本発明においては、上記配線基板中に上述した特性変化層または特性反応層を有することから、これらの特性の変化を利用して、容易にスルーホールを形成することが可能となるのである。
【０２３７】
例えば、上記特性変化層が濡れ性変化層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に親液性領域を形成し、その親液性領域上に例えばアルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることが可能となり、スルーホールを形成することが可能となるのである。
【０２３８】
また、上記特性変化層が分解除去層である場合には、スルーホールを形成するパターン状にエネルギーを照射してパターン状に凹凸を形成し、その凹凸を利用して、例えば上記アルカリ溶液等を塗布することによって、エッチングをすることが可能となり、スルーホールを容易に形成することが可能となるのである。
【０２３９】
本発明に用いられる導電性パターンおよび導電性コネクタの材料は、上記「Ａ．多層配線基板」で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本実施態様の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本実施態様の技術的範囲に包含される。
【０２４１】
【実施例】
以下、本実施態様について、実施例を通じてさらに詳述する。
【０２４２】
（特性変化層の形成・一層目）
イソプロピルアルコール３ｇ、フルオロアルキルシラン（トーケムプロダクツ（株）製；ＭＦ−１６０Ｅ（商品名））、Ｎ−[３−（トリメトキシシリル）プロピル]−Ｎ−エチルパーフルオロオクタンスルホンアミドのイソプロピルエーテル５０重量％溶液０．０７ｇ、酸化チタンゾル（石原産業（株）製；ＳＴＫ−０１（商品名））３ｇ、シリカゾル（日本合成ゴム（株）製；グラスカＨＰＣ７００２（商品名））０．６ｇ、およびアルキルアルコキシシラン（日本合成ゴム（株）製；ＨＰＣ４０２Ｈ（商品名））０．２ｇを混合し、１００℃で２０分間攪拌した。この溶液を膜厚０．７ｍｍのガラス基板上にスピンコーティングし、１５０℃で２０分間乾燥した。これにより、基板上に撥液性を有する膜厚１μｍの特性変化層が形成された。このとき、特性変化層の電気抵抗は１×１０１０Ω・ｃｍであった。
【０２４３】
（特性変化パターン形成・一層目）
次に、上記特性変化層表面に、回路パターン形成用のフォトマスクを介して、超高圧水銀ランプにて露光した。これにより、特性変化層表面の露光された部分のみが親液性領域となった。
【０２４４】
この際の露光量は３６５ｎｍにて１５００ｍＪであった。フォトマスクはクロム製であり、膜厚０．４μｍのブラックマトリックスが２０μｍの幅でライン状に形成されたものを使用した。ラインはフォトマスクの開口部が配線基板の回路パターンとなるように設計した。
【０２４５】
（導電性材料の付与・一層目）
次に、銀微粒子分散体インキ（真空冶金製 Ａｇ００１Ｔ）を用い、インクジェットヘッドより特性変化層上の親液性領域のみに着弾するように吐出した。このインキの特性変化層に対する接触角は撥液性部分で５５°、親液性部分で１０°であった。着弾したインキは撥液性部分に付着することなく、親液性領域のみに濡れ広がった。
【０２４６】
１００℃、３分間の乾燥後、２５０℃、１５分間の焼成を行うことにより、上記フォトマスクの開口部と同様のパターン形状を有する、幅２０μｍ、膜厚０．６μｍの導電性パターンが形成された。導電性パターンの電気抵抗は６×１０−６Ω・ｃｍであった。
【０２４７】
（特性変化層の形成・二層目）
上記特性変化層の一層目の形成と同様の材料、塗布手法により、上記の導電性パターンが形成された配線基板上に二層目の特性変化層を形成した。
【０２４８】
（スルーホール特性変化パターンの形成）
次に、二層目の特性変化層を形成した基板上に、スルーホール形成用のフォトマスクを介し、超高圧水銀ランプにて露光した。これにより、特性変化層表面の露光された部分（直径１５μｍの円形状のパターン）のみ親液性領域であるスルーホール特性変化パターンが形成された。この際、露光量は３６５ｎｍにて１５００ｍＪであった。フォトマスクは、露光時に直径１５μｍの、円形状の複数の開口部が、上記金属パターン部分に重なるように配置されたものを使用した。
【０２４９】
（スルーホールの形成）
次に、上記複数の直径１５μｍのスルーホール特性変化パターンに、耐アルカリ処理を施したインクジェットヘッドから水酸化カリウム水溶液を塗布した。上記水酸化カリウム水溶液は撥液性部分に付着することなく、親液性領域のみに濡れ広がった。この際、水酸化カリウム水溶液はｐＨ１３であり、撥液性部分に対する接触角は５５°、親液性部分に対する接触角は５°であった。
【０２５０】
これを１分間室温にて放置し、純水にてリンス後、乾燥することにより、親液性部分のみ特性変化層が分解除去され、金属配線部分が露出したスルーホールが形成された。
【０２５１】
（特性変化パターン形成・二層目）
上記スルーホールを形成した基板上に、一層目の特性変化パターン形成に用いたフォトマスクを用い、一層目と同様の手法により露光した。これにより、二層目の特性変化層表面の露光された部分のみ親液性領域となった。
【０２５２】
このとき、スルーホールの位置は、フォトマスクの開口部の位置と重なるため、スルーホール周辺およびスルーホール側面は親液性となった。
【０２５３】
（導電性材料の付与・二層目）
一層目の導電性材料の付与と同様の材料および手法にて、導電性材料を付与した。着弾したインキは、撥液性部分に付着することなく、親液性部分のみに濡れ広がり、またスルーホールにも充填された。
【０２５４】
１００℃、３分間の乾燥後、２５０℃、１５分間の焼成を行うことにより、幅２０μｍ、膜厚０．６μｍの二層目の導電性パターンおよび導電性コネクタが形成された。
【０２５５】
（三層目以降）
二層目までの手法と同様の手法にて、配線基板が四層積層された多層配線基板を作成した。各配線パターンの電気的導通および、導電性コネクタによる各層回路パターン間の電気的導通が良好に取れる多層配線基板を形成することができた。
【０２５６】
【発明の効果】
本発明によれば、上記特性変化層を有することにより、上記導電性パターンをその特性の変化したパターンに沿って容易に高精細に形成することが可能となり、その配線基板を積層することにより、高品質な多層配線基板とすることが可能となるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明に用いられる光触媒処理層側基板の他の例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の多層配線基板の製造方法のスルーホール形成工程を示す工程図である。
【符号の説明】
１ … 特性変化層
２ … 導電性パターン
３ … 配線基板
４ … 基材
５ … 光触媒処理層
６ … 基体
７ … 光触媒処理層側基板
８ … フォトマスク
９ … エネルギー
１０… 特性変化パターン
１１… 光触媒処理層側遮光部
１２… プライマー層
１３… スルーホール特性変化パターン
１４… スルーホール
１５… 特性反応層
１６… 導電性コネクタ
Claims (9)
- 光触媒を含有し、かつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を調製する特性変化層調製工程と、
前記特性変化層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に特性の変化した特性変化パターンを形成する特性変化パターン形成工程と、
前記特性変化パターンに沿って、導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程と、
を有する配線基板形成工程を少なくとも２回以上行い、
前記特性変化層調製工程後、前記特性変化層上にエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に特性の変化したスルーホール特性変化パターンを形成するスルーホール特性変化パターン形成工程と、前記スルーホール特性変化パターンに沿って、液体を塗布することにより、スルーホールを形成するスルーホール形成工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - ２回目以降に行われる前記配線基板形成工程における前記特性変化層調製工程が、塗布法により行なわれることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記スルーホール形成工程が、アルカリ溶液を塗布することにより行われることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
- １回目に行なわれる前記配線基板形成工程における前記特性変化層調製工程にて、基材上に前記特性変化層を形成することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、液体との接触角が低下する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光触媒濡れ性変化層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記特性変化層の少なくとも一つが、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、密着性が変化する光触媒密着性変化層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、前記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下する層である濡れ性変化層とからなる層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、前記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により密着性が変化する密着性変化層とからなる層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記特性変化層の少なくとも一つが、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層と、前記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される分解除去層とからなる層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089204A1 (ja) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 旭硝子株式会社 | 撥液性化合物、撥液性重合体、硬化性組成物、塗布用組成物、ならびに硬化膜を有する物品、親液性領域と撥液性領域とのパターンを有する物品およびその製造方法 |
| WO2013115195A1 (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 旭硝子株式会社 | 化合物、重合体、硬化性組成物、塗布用組成物、ならびに硬化膜を有する物品、親液性領域と撥液性領域とのパターンを有する物品およびその製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011173429A (ja) * | 2011-05-23 | 2011-09-08 | Ricoh Co Ltd | 積層構造体 |
| JP2013187203A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
| JP2017118050A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | アイシン精機株式会社 | 半導体ユニット |
| RU2674685C1 (ru) * | 2018-06-05 | 2018-12-13 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королёва" | Способ получения деталей из жаропрочных никелевых сплавов, включающий технологию селективного лазерного сплавления и термическую обработку |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3430632B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2003-07-28 | ソニー株式会社 | 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法 |
| JP3384544B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2003-03-10 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体およびパターン形成方法 |
| JP3679943B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2005-08-03 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
| JP4289522B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2009-07-01 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造法 |
| JP3881138B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2007-02-14 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
| JP3945799B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2007-07-18 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
| JP3766288B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2006-04-12 | 株式会社東芝 | 複合部材の製造方法及び電子パッケージ |
| JP4035968B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2008-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法 |
| JP3548130B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2004-07-28 | 株式会社東芝 | 複合部材の製造方法、感光性組成物および多孔質基材 |
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| WO2013089204A1 (ja) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 旭硝子株式会社 | 撥液性化合物、撥液性重合体、硬化性組成物、塗布用組成物、ならびに硬化膜を有する物品、親液性領域と撥液性領域とのパターンを有する物品およびその製造方法 |
| WO2013115195A1 (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 旭硝子株式会社 | 化合物、重合体、硬化性組成物、塗布用組成物、ならびに硬化膜を有する物品、親液性領域と撥液性領域とのパターンを有する物品およびその製造方法 |
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