JP2011173429A - 積層構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも第一の導電性材料7上に、絶縁性材料層2が積層され、その上に第二の導電性材料5が積層されている積層構造体1において、記絶縁性材料層2が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層で構成され、第二の導電性材料5が絶縁性濡れ変化層の高表面エネルギー部3の部位に形成した。
【選択図】図1
Description
(1)薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布する(レジスト塗布)。
(2)加熱により溶剤を除去する(プリベーク)。
(3)マスクを通して紫外光を照射する(露光)。
(4)アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する(現像)。
(5)加熱により未露光部(パターン部)のレジストを硬化する(ポストベーク)。
(6)エッチング液に浸漬またはエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去する(エッチング)。
(7)アルカリ溶液または酸素ラジカルでレジストを除去する(レジスト剥離)。
図1は、本実施形態の積層構造体1の原理的構成例を示す断面模式図である。本実施の形態の積層構造体1は、基板6の上に設けた少なくとも第一の導電性材料7上に、絶縁性材料層としての濡れ性変化層2が積層されてベースとして構成されている。濡れ性変化層2は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料からなる層であって、本実施の形態では、少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位として、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部3と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部4とを有している。ここに、図示例の2つの高表面エネルギー部3間は、例えば、1〜5μm程度の微小ギャップに設定されている。そして、濡れ性変化層2に対して高表面エネルギー部3の部位には各々導電層5が形成されている。すなわち、積層構造体1は、少なくとも第一の導電性材料7上に、絶縁性材料層2が積層され、その上に第二の導電性材料5が積層されていて、この絶縁性材料層が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層2であり、第二の導電性材料5が絶縁性濡れ変化層2の高表面エネルギー部3の部位に形成されている。
ここで、γSは固体11の表面張力、γSLは固体11と液体(液滴12)の界面張力、γLは液体(液滴12)の表面張力である。
(a) 読取顕微鏡を液滴12に向け、顕微鏡内のカーソル線を液滴12の接点に合わせて角度を読取る接線法、
(b) 十字のカーソルを液滴12の頂点に合わせ、一端を液滴12と固体11試料の接する点に合わせた時のカーソル線の角度を2倍することにより求めるθ/2法、
(c) モニター画面に液滴12を映し出し、円周上の1点(できれば頂点)と液滴12と固体11試料の接点(2点)をクリックしてコンピュータで処理する3点クリック法、
がある。(a)→(b)→(c)の順に精度が高くなる。
本形態に用いる溶媒としては、エタノール、メタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール系溶媒、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-ブトキシエタノール等のセロソルブ系溶媒等が挙げられる。また、水と任意の比率で溶解可能な溶媒が、絶縁性濡れ変化材料用の溶媒全体に占める割合は、30vol%以上が望ましい。さらに望ましくは90vol%以上が望ましい。
上記のように電子素子や演算素子を製造すると、非常に安価な製造プロセスで素子製作が可能となるため、製造コストの大幅低減が可能となる。
まず、図18(a)に示すように、ガラス基板50上に絶縁性濡れ変化層2として、焼成後に化6並びに化7で表される構造体となる前駆体を溶解した混合溶液を、スピンコート法にて塗布し200℃で焼成した。この材料の体積固有抵抗は5×1013Ω・cmであった。
[比較例1]
図19に示すように、
・ガラス基板上にCr、Auを順次蒸着
・背景技術の欄で述べたプロセスAにより電極をパターニング
・このパターニングされた電極上にSiO2をスパッタにより成膜(スパッタ膜)
・スパッタ膜上にCr、Auを順次蒸着し、再び前記プロセスAにより電極をパターニング
・以上のプロセスにて、図18(e)に相当する機能を有する積層構造体を製作した。
2、51 絶縁性材料層(絶縁性濡れ変化層)
3、55 高表面エネルギー部
4 低表面エネルギー部
5 第二の導電性材料(電極)
7 第一の導電性材料
13 第一の材料
14、24、34、44 第二の材料
17、53 紫外線
19 除去部
20、33 電子素子
30、86 表示素子
60、70 演算素子
C 膜厚方向
Claims (22)
- 少なくとも第一の導電性材料上に、絶縁性材料層が積層され、その上に第二の導電性材料が積層されている積層構造体において、
前記絶縁性材料層が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層であり、第二の導電性材料が前記絶縁性濡れ変化層の高表面エネルギー部の部位に形成されていることを特徴とする積層構造体。 - 請求項1記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層の成膜に用いる溶剤が、水と任意の比率で溶解可能な有機溶媒を含有していることを特徴とする積層構造体。 - 請求項1または2記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層は、エネルギー照射により低表面エネルギー部と高表面エネルギー部とが形成され、該低表面エネルギー部の臨界表面張力と高表面エネルギー部の臨界表面張力との差が10mN/m以上であることを特徴とする積層構造体。 - 請求項1、2または3記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層は、2種類以上の材料からなることを特徴とする積層構造体。 - 請求項4記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層は、少なくとも、相対的にエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する第一の材料と、第一の材料と比較して電気絶縁性の高い第二の材料とを有することを特徴とする積層構造体。 - 請求項4記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層は、少なくとも、相対的にエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する第一の材料と、第一の材料と比較して低誘電率の第二の材料とを有することを特徴とする積層構造体。 - 請求項4記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層は、少なくとも、相対的にエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する第一の材料と、第一の材料と比較して高誘電率の第二の材料とを有することを特徴とする積層構造体。 - 請求項1ないし7の何れかに記載の積層構造体において、
エネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する材料が、側鎖に疎水性基を含む高分子材料からなることを特徴とする積層構造体。 - 請求項8記載の積層構造体において、
前記側鎖に疎水性基を有する高分子材料は、ポリイミドを含む高分子材料からなることを特徴とする積層構造体。 - 請求項1ないし9の何れかに記載の積層構造体において、
臨界表面張力を変化させるエネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする積層構造体。 - 請求項1ないし9の何れかに記載の積層構造体において、
前記絶縁性濡れ変化層の一部が除去されていて、第一及び第二の導電性材料層とがこの除去部で接続されていることを特徴とする積層構造体。 - 少なくとも第一の導電性材料層上に絶縁性濡れ変化層を成膜する工程と、
前記絶縁性濡れ変化層の一部分にエネルギーを付与することによって臨界表面張力の小さい低表面エネルギー部と臨界表面張力の大きい高表面エネルギー部とからなる臨界表面張力を異ならせたパターンで形成する工程と、
第二の導電性材料を含有する液体を前記パターン上の高表面エネルギー部に付与することで二層に形成された電極間に、層間絶縁膜を形成する行程とを有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 請求項12記載の積層構造体の製造方法において、
臨界表面張力を変化させるエネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 請求項1ないし9の何れかに記載の積層構造体を構成要素として備えたことを特徴とする電子素子。
- 請求項12または13記載の積層構造体の製造方法で製造された積層構造体を構成要素として備えたことを特徴とする電子素子。
- 請求項13または14に記載の電子素子において、
前記絶縁性濡れ変化層の一部が除去されており、第一及び第二の導電性材料層とがこの除去部で接続されていることを特徴とする電子素子。 - 請求項14、15または16記載の電子素子の製造方法であって、
少なくとも第一、第二の導電性材料を含有する液体の一方を、濡れ性パターンが形成された材料表面に付与する方法が、スピンコート法、ディッピング法、ブレードコート法、スプレー塗工法の何れかであることを特徴とする電子素子の製造方法。 - 請求項14、15または16記載の電子素子の製造方法であって、
少なくとも第一、第二の導電性材料を含有する液体の一方を、濡れ性パターンが形成された材料表面に付与する方法が、インクジェット法であることを特徴とする電子素子の製造方法 - 請求項14、15または16記載の電子素子を用いたことを特徴とする表示素子。
- 請求項14、15または16記載の電子素子を用いたことを特徴とする演算素子。
- 請求項17または18記載の電子素子の製造方法を用いて請求項19記載の表示素子を製造したことを特徴とする表示素子の製造方法。
- 請求項17または18記載の電子素子の製造方法を用いて請求項20記載の演算素子を製造したことを特徴とする演算素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014098158A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 株式会社クラレ | 膜形成方法、導電膜、及び絶縁膜 |
JP2014124894A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Seiko Epson Corp | 液体吸収体、液体吸収タンク、電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11344804A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
JP2000255165A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造法 |
JP2004087976A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターン形成体の製造方法 |
JP2004087977A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターン形成体の製造方法 |
JP2004140081A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
JP2004140078A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11344804A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
JP2000255165A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造法 |
JP2004087976A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターン形成体の製造方法 |
JP2004087977A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターン形成体の製造方法 |
JP2004140081A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
JP2004140078A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014098158A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 株式会社クラレ | 膜形成方法、導電膜、及び絶縁膜 |
JP2014124894A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Seiko Epson Corp | 液体吸収体、液体吸収タンク、電子機器 |
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