JP4288962B2 - 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 - Google Patents
耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4288962B2 JP4288962B2 JP2003054299A JP2003054299A JP4288962B2 JP 4288962 B2 JP4288962 B2 JP 4288962B2 JP 2003054299 A JP2003054299 A JP 2003054299A JP 2003054299 A JP2003054299 A JP 2003054299A JP 4288962 B2 JP4288962 B2 JP 4288962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- functional group
- photosensitive resin
- resin composition
- polymer
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱感光性樹脂組成物に関する。特に耐熱感光性材料として、半導体デバイスの表面保護膜及び層間絶縁膜に用いられる材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体工業にあっては、従来、層間絶縁膜材料には、無機材料が用いられていたが、近年、この層間絶縁膜材料にポリイミド樹脂などのような耐熱性に優れた有機物が、その特性を活かして使用されてきている。
【0003】
しかし、半導体集積回路やプリント基板上の回路パターン形成は、基材表面へのレジスト層の成膜、所定箇所への露光、エッチング等により不要箇所の除去、基板表面の洗浄作業等の煩雑で多岐に亘る工程を経てパターン形成が行われることから、露光及び現像によるパターン形成後も必要な部分のレジストを絶縁材料としてそのまま残して用いることができる耐熱感光材料の開発が望まれている。そうした要求に対して、最近では半導体製造プロセス短縮のために、レジストに用いる構成樹脂として、樹脂自体に感光性を付与し、塗布、露光、現像により容易にパターン形成が可能となる、感光性ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールが主流となりつつある。従来の感光性ポリイミドは有機溶媒を現像液とし、露光部を不溶化するネガ型が主流であり、例えばポリイミド前駆体の酸官能基に対し、感光基を有する化合物を付加もしくは混合する方法(下記特許文献1を参照)などが光架橋反応によりコントラストを作り出すネガ型の感光性ポリイミドとして提案されている。
【0004】
一方最近では材料コストや環境保全の点からアルカリ水溶液現像の要求が高まって来ている。これまでの技術として、感光剤をナフトキノンジアジド化合物として、酸官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体をベース樹脂にしたもの(下記特許文献2を参照)などが提案されている。
【0005】
【特許文献1】
特開昭54−109828号公報
【特許文献2】
特公平1−46862号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
こうした感光性樹脂では現像特性に重点が置かれており、そのため溶解性を高めるべく低い分子量にて重合体を作成している。しかしながら、低い分子量の重合体は、硬化しても十分な機械特性が得られないため、従来の感光性樹脂材料には、樹脂としての望ましい特性が失われてしまうという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記事情に鑑み鋭意検討した結果、耐熱重合体もしくはその前駆体の酸官能基もしくはその誘導置換基を利用し、硬化過程で樹脂成分をより高分子量化することにより、現像特性を損なうことなく、所要の硬化樹脂性質を持たせることができることを見出した。
【0008】
本発明は、硬化過程でより高分子量化することにより、優れた硬化樹脂性質を持つに至る感光性ポリイミド前駆体、又はポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物である樹脂組成物と、前記樹脂組成物を使用したパターンの製造方法、及び前記パターンを有してなる電子デバイスを有する電子部品を提供するものである。
【0009】
すなわち本発明は、以下の通りである。
[1] (A)酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体、(B)前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有し、かつ下記一般式(10)で示される化合物、(C)光反応性化合物、及び(D)溶媒を含有してなり、前記(A)成分が、下記一般式(1)で示されるポリイミド前駆体若しくはその前駆体から誘導されるポリイミド、下記一般式(2)で示されるポリベンゾオキサゾール前駆体若しくはその前駆体から誘導されるポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化1】
(式中、X4はn価の有機基、R4、R5は水素又は1価の有機基であり、かつ少なくとも1つは1価の有機基である。nは、2〜6の整数を示す。)
【化2】
(式(1)中、X 1 は4価の有機基、Y 1 は2価の有機基、R 1 は水素又は1価の有機基を示し、n 1 は2から500の整数で前記重合体の繰り返し単位数を示す。)
【化3】
(式(2)中、X 2 は2価の有機基を示し、Y 2 は4価の有機基でこのうち2価は水酸基との結合にあずかっている。R 2 は水素又は1価の有機基を示し、n 2 は2から500の整数で前記重合体の繰り返し単位数を示す。)
[2] 前記(B)成分が、さらに酸性官能基及び/又はその誘導置換基を少なくとも一つ有する化合物であることを特徴とする[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3] 前記(B)成分が、前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を一つ又は二つ有する化合物であることを特徴とする[1]又は[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4] 前記(B)成分が、前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基を一つ又は二つ有することを特徴とする[3]に記載の感光性樹脂組成物。
[5] 前記(B)成分が、下記一般式(11)で示される化合物であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【化4】
(式中、X 5 はm+n+l価の有機基、R4、R5、R6、R7は水素又は1価の有機基である。nは1−6、l、mは1−4である。R6、R7は1価の有機基であり、R1、R2と同様の官能基を導入することができる。)
[6] 前記(A)成分が、その前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、少なくとも一つのアミン官能基から誘導される置換基をさらに自身に、又は他の(A)成分に有し、かつ前記(B)成分が、さらに酸性官能基及び/又はその誘導置換基を少なくとも一つ有することを特徴とする[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[7] 前記(A)成分の前記アミン官能基から誘導される置換基が一つであり、前記(B)成分の前記アミン官能基から誘導される置換基が一つ又は二つであり、前記(B)成分の前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基が一つであることを特徴とする[6]に記載の感光性樹脂組成物。
[8] 前記重合体(A)が、耐熱樹脂重合体であることを特徴とする[1]〜[7]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[9] 前記重合体(A)が有する酸性官能基が、カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基であることを特徴とする[1]〜[8]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[10] [1]〜[9]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記塗布し乾燥後の感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程、前記現像によって得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とするパターンの製造方法。
[11] [10]に記載のパターンの製造方法により得られるパターンを有してなる電子デバイスを有する電子部品であって、前記パターンが層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層であることを特徴とする電子部品。
【0010】
[1]から[8]に記載の発明は、(A)酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体、(B)前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有する化合物、(C)光反応性化合物、及び(D)溶媒を含有してなる感光性樹脂組成物に関し、従来ある耐熱樹脂重合体もしくはその前駆体の酸官能基もしくはその誘導置換基を利用し、現像特性を損なうことなく、樹脂成分を硬化過程で高分子量化して、耐熱重合体もしくはその前駆体に所要の硬化樹脂性質を持たせるものである。
【0011】
[7]に記載の発明は、[1]〜[6]に記載の発明の効果を奏し、さらに優れた硬化樹脂性質を持たせるものであり、[8]に記載の発明は、(A)の重合体における酸性官能基がカルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基である感光性樹脂組成物に関する。
【0012】
[9]に記載の発明は、(A)の重合体が、一般式(1)で示されるポリイミド前駆体、又は一般式(2)で示されるポリベンゾオキサゾール前駆体、それらから誘導されるポリイミド又はポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物であることを特徴とする感光性樹脂組成物に関し、[1]〜[8]のいずれかに記載の発明の効果を奏し、さらに優れた硬化樹脂性質を持たせる感光性ポリイミド前駆体、又はポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物である樹脂組成物に関する。
【0013】
[10]に記載の発明は、[1]〜[9]のいずれかに記載の発明の効果を奏する耐熱感光性樹脂組成物を使用したパターンの製造方法に関し、[11]に記載の発明は、前記[10]に記載の製造法により得られるパターンを表面保護膜層及び/又は層間絶縁膜層として有してなる電子デバイスを有する電子部品に関する。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明は、(A)酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体、(B)前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有する化合物、(C)光反応性化合物、及び(D)溶媒を須成分とする。
【0015】
本発明における(A)成分の酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体としては、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとから得られるポリイミド前駆体、又は、ジカルボン酸とビスアミノフェノールとから得られるポリベンゾオキサゾール前駆体、又は、これらの共重合体、又は混合物などが挙げられる。これらの重合体は、その分子内にカルボン酸及び芳香族性水酸基などの酸性官能基、及び/又は、それらの誘導置換基を有し、さらに、アミン官能基から誘導される置換基を有することもできる。これらの官能基を利用して、(A)成分の重合体をより高分子量化することができる。
【0016】
(A)成分の重合体は、例えば、(B)成分のアミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有する化合物が、その重合体に反応することにより、より高分子量化することができる。また、例えば、重合体に結合したアミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有する化合物が、さらに、その重合体自身、又は他の(A)成分の重合体と反応することにより、すなわち、重合体分子内、又は重合体分子間の前記化合物による架橋形成により、(A)成分の重合体は、さらに、より高分子量化することができる。(A)成分の重合体をより高分子量化する形態は、特に限定されない。
【0017】
前記テトラカルボン酸二無水物としては、例えばピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等の公知のテトラカルボン酸二酸無水物が単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0018】
前記ジアミンとしては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’−テトラエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル等の公知の芳香族ジアミン化合物等単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0019】
また、酸性官能基導入方法として、ジアミン成分の少なくとも一部を2,4−ジアミノ安息香酸,3,3´−ジアミノビフェニル−5,5´−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル−5,5´−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルメタン −5,5´−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン−5,5´−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド−5,5´−ジカルボン酸又はそれらの異性体、のようにカルボキシル基を1つ以上もつか、あるいは4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、2,2‘−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンのようにフェノール性水酸基をもつものを重合させることもできる。
【0020】
このようにテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させることにより、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸が得られるが、一般式(1)のR1のように官能基を導入することで現像時溶解性の制御、及び/又は光反応を利用したパターン加工が可能となる。
【0021】
この官能基としては,ネガ型感光性を付与する場合には反応性官能基であるビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基を含んでいる方が、良好な現像後パターン形状を得る上で好ましい。
【0022】
前記反応性官能基の一例として炭素炭素不飽和二重結合を有する官能基を挙げることができる。炭素炭素不飽和二重結合を有する官能基の例としては、アリルアルコール、2−メチル−2−プロペン−1−オル、クロチルアルコール、3−ブテン−1−オル、3−ブテン−2−オル、3−メチル−2−ブテン−1−オル、2−メチル−3−ブテン−1−オル、3−メチル−3−ブテン−1−オル、2−メチル−3−ブテン−2−オル、2−ペンテン−1−オル、4−ペンテン−1−オル、3−ペンテン−2−オル、4−ペンテン−2−オル、1−ペンテン−3−オル、4−メチル−3−ペンテン−1−オル、3−メチル−1−ペンテン−3−オル、2−へキセン−1−オル、3−ヘキセン−1−オル、4−ヘキセン−1−オル、5−ヘキセン−1−オル、1−ヘキセン−3−オル、1−ヘプタン−3−オル、6−メチル−5−ヘプタン−2−オル、1−オクタン−3−オル、シトロネロール、3−ノネン−1−オル、5−デカン−1−オル、9−デカン−1−オル、7−デカン−1−オル、1,4−ペンタジエン−3−オル、2,4−ヘキサジエン−1−オル、1,5−ヘキサジエン−3−オル、1,6−ヘプタジエン−4−オル、2,4−ジメチル−2,6−ヘプタジエン−1−オル、ネロール、ゲラニオール、リナロール、2−シクロヘキセン−1−オル、3−シクロヘキセン−1−メタノール、イソプレゴール、5−ノルボルネン−2−オル、5−ノルボルネン−2−メタノール、エチレングリコールビニルエーテル、1,4−ブタンジオールビニルエーテル、1,6−ヘキサンジオールビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、2−ヒドロキシエチルアクリレート、3−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、カプロラクトン2−(メタクリロイロキシ)エチルエステル、ジカプロラクトン2−(メタクリロイロキシ)エチルエステル、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルメタクリレートが挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。また、これらの官能基は部分的に導入することでアルカリ可溶性を付与することもできる。また、重合体の末端が酸性官能基を有する場合には、これら官能基を導入することも可能である。
【0023】
またポジ型感光性を付与する場合には溶解性を制御する目的や脱離反応を利用する目的で置換基を導入することも可能である。このような置換基としては、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、シクロプロぺニル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキセニル、ノルボルニル、ノルボルネニル、アダマンチル、ベンジル、p−ニトロベンジル、トリフルオロメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエトキシメチル、ベンゾキシメチル、エトキシテトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、2−トリメチルシリルエトキシメチル、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、3−オキソシクロヘキシル、9−フルオレニルメチル、メチルチオメチルなどを挙げることができる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。これら官能基を部分的に導入することでアルカリ可溶性を制御することもできる。また、重合体の末端が酸性官能基を有する場合には、これら官能基を導入することも可能である。
【0024】
前記ポリベンゾオキサゾール前駆体を得るためのジカルボン酸としては、3−フルオロイソフタル酸、2−フルオロイソフタル酸、3−フルオロフタル酸、2−フルオロフタル酸、2,4,5,6−テトラフルオロイソフタル酸、3,4,5,6−テトラフルオロフタル酸、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル−1,1’−ジカルボン酸、パーフルオロスベリン酸、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ビフェニレンジカルボン酸、テレフタル酸、イソフタル酸、4,4’−オキシジフェニル−1,1’−ジカルボン酸等の公知のジカルボン酸を挙げることができ、単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0025】
前記ビスアミノフェノールとしては、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等の公知のビスアミノフェノール挙げることができ、単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0026】
ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の場合と同様に、ポリベンゾオキサゾール前駆体においては、一般式(2)のR2に、一般式(1)のR1と同種の官能基を導入することで現像時溶解性の制御、及び/又は光反応を利用したパターン加工が可能となる。また、これら官能基を部分的に導入することでアルカリ可溶性を制御することもできる。さらに、重合体の末端が酸性官能基を有する場合には、これら官能基を導入することも可能である。
【0027】
より一般には、テトラカルボン酸二無水物は下記の一般式(3)で表される。
【化5】
【0028】
より一般には、ジアミンは下記の一般式(4)で表される。
【化6】
【0029】
より一般には、ジカルボン酸は下記の一般式(5)で表される。
【化7】
【0030】
より一般には、ビスアミノフェノールは下記の一般式(6)で表される。
【化8】
【0031】
また一般式(3)ないし(6)においてR、Zの記号は共通して1価及び2価の有機基であり、それぞれ下記の式で表される。
【0032】
【化9】
【0033】
【化10】
【0034】
また、前記(A)は、その末端部に少なくとも一つのアミン官能基から誘導される置換基及び/又は少なくとも一つの酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体であると、さらにより優れた硬化樹脂性質を得る点で好ましい。アミン官能基が一級アミンである場合には副反応により感光性樹脂組成物の安定性が劣化するため、アミン官能基上の二つ水素原子のうち少なくとも一つは他原子もしくは他官能基に置換されている方が、感光性樹脂組成物としての十分な安定性を得る上で好ましい。
【0035】
アミン官能基から誘導される窒素上置換基としては、アミド、カーバメイト、スルホニル、スルフェニル、ホスフィニル、アルキルシリルなど挙げることができる。このうちアミド、カーバメイト、スルホニル、がより優れた硬化樹脂性質を得る点で好ましい。
【0036】
これら置換基は水素又は下記の一般式(7)乃至(9)で表される。
【化11】
式(7)乃至(9)中、R3は1価の有機基であり、炭素原子数は1−20のものが好ましい。X3は酸素、硫黄若しくは窒素原子。X3が酸素原子若しくは硫黄原子の場合は、n=1、窒素原子の場合は、n=2を示す。
【0037】
前記R3としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、シクロプロぺニル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキセニル、ノルボルニル、ノルボルネニル、アダマンチル、ベンジル、p−ニトロベンジル、トリフルオロメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエトキシメチル、ベンゾキシメチル、エトキシテトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、2−トリメチルシリルエトキシメチル、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、3−オキソシクロヘキシル、9−フルオレニルメチル、メチルチオメチルなどが挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0038】
前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基としては、前記一般式(1)のR1、R2に示されるものが用いられる。
【0039】
本発明における前記化合物(B)としては、基本的にアミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有する化合物が好ましい。アミン官能基が一級アミンである場合には副反応により感光性樹脂組成物の安定性が劣化するため、アミン官能基上の二つ水素原子のうち少なくとも一つは他原子もしくは他官能基に置換されている必要がある。
【0040】
より一般には、下記の一般式(10)で表される。
【化1】
式(10)中、X4はn価の有機基、R4、R5は水素又は1価の有機基であり、かつ少なくとも1つは1価の有機基である。nは、2〜6の整数を示す。
【0041】
X4としては、脂肪族ではアルキル鎖、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロオクチル環、その他ビシクロ環等を挙げることができ、それらは酸素、硫黄などからなるヘテロ原子を含んでいてもよい。
【0042】
また、芳香族ではベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられる。これらのうち、耐熱性の点から芳香族である方が好ましい。例えばベンゼン、トルエン、クメン、ジフェニルメタン、キシレン、9,10−ジヒドロアンスラセン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、トリフェニルベンゼン、クォーターフェニル、ジメチルビフェニル、アズレン、ナフタレン、メチルナフタレン、アンスラセン、フルオレン、フルオロベンゼン、フルオロビフェニル、アニソール、ベンジルフェニルエーテル、フェニルエーテル、フェノキシトルエン、トリルエーテル、メトキシビフェニル、ジメトキシビフェニル、メトキシナフタレン、ジメトキシナフタレン、ニトロベンゼン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンズアニリド、フェニルスルホン、フラン、チオフェンなどが挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0043】
一般式(10)中のR4、R5はより一般には、水素又は下記の一般式(11)で表される。R4,R5としてはアミド、カーバメイト、スルホニル、スルフェニル、ホスフィニル、アルキルシリルなどが挙げられる。このうちアミド、カーバメイト、スルホニルがより優れた硬化樹脂性質を得る点で好ましい。これら置換基は水素又は前記一般式(7)乃至(9)で表されるものが用いられる。
【0044】
また前記一般式(10)で表される鎖延長剤が、アミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有し、さらに少なくとも一つの酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する化合物であってもよい。その酸性官能基はカルボン酸及び/もしくはフェノール性水酸基である方がより好ましい。すなわち下記の一般式(11)で表される。
【0045】
【化4】
式(11)中、X 5 はm+n+l価の有機基、R4、R5、R6、R7は水素又は1価の有機基である。nは1−6、l、mは1−4である。R6、R7は1価の有機基であり、前記のR1、R2と同様の官能基を導入することができる。
【0046】
前記化合物(B)は、(A)の重合体成分100重量部に対して、0.05〜50重量部、より好ましくは0.2〜20重量部の範囲で配合すると良い。
【0047】
本発明に使用される光反応性化合物(C)は、感光剤であり、ネガ型の感光剤としては光重合反応性を示し、光の照射部の可溶性を減少させる機能を有するものである。
【0048】
前記感光剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、4,4,−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、3,3,4,4,−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類や3,5−ビス(ジエチルアミノベンジリデン)−N−メチル−4−ピペリドン、3,5−ビス(ジエチルアミノベンジリデン)−N−エチル−4−ピペリドン等のベンジリデン類、7−ジエチルアミノ−3−テノニルクマリン、4,6−ジメチル−3−エチルアミノクマリン、3,3,−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、7−ジエチルアミノ−3−(1−メチルメチルベンゾイミダゾリル)クマリン、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン等のクマリン類、2−t−ブチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン等のアントラキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾイン類、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類、エチレングリコールジ(3−メルカプトプロピオネート)、2−メルカプトベンズチアゾール、2−メルカプトベンゾキサゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール等のメルカプト類、N−フェニルグリシン、N−メチル−N−フェニルグリシン、N−エチル−N−(p−クロロフェニル)グリシン、N−(4−シアノフェニル)グリシン等のグリシン類、1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム等のオキシム類、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0049】
これらの感光剤は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用される。感光剤の使用量は(A)の重合体成分100重量部に対して、通常1種類につき、0.01〜15重量%、組み合わせる場合は合計で0.1〜40重量%とされる。より好ましくは1〜20重量部の範囲で配合すると良い。
【0050】
またポジ型の感光剤は、酸を発生させ、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。その種類としては、o−キノンジアジド化合物、アリルジアゾニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム塩などが挙げられ、ここに挙げられた化合物に限らず、光により酸を発生する化合物であれば使用できる。
【0051】
前記o−キノンジアジド化合物は、例えば、o−キノンジアジドスルホニルクロリド類と、ヒドロキシ化合物、アミノ化合物などとを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。前記o−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド等が挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0052】
前記ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,3’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン,2,3,4,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テトラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンなどが使用できる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0053】
また、前記アリルジアゾニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム塩などとしては例えば、ベンゼンジアゾニウム−p−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウム9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホナート、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、N−ナフタルイミドトリフルオロメタンスルホナート、p−ニトロベンジル−9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホナート、4−メトキシーα―[[[(4−メチルフェニル)スルホニル]オキシ]イミノ]ベンゼンアセトニトリル、2−(2’−フリルエテニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
【0054】
これらの感光剤は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用される。感光剤の使用量は(A)の重合体成分100重量部に対して、通常1種類につき、0.1〜40重量%、組み合わせる場合は合計で0.1〜40重量%とされる。より好ましくは1〜20重量部の範囲で配合すると良い。
【0055】
本発明における溶媒(D)としては、ガンマブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチルイミダゾリジノン、N−アセチル−ε−カプロラクタム等の極性溶媒が好ましく、その他、この極性溶媒以外に、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、例えば、アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等も使用することができる。これらの有機溶媒は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用される。ただし、本報の感光性樹脂組成物を溶解するものであれば特にその種類を限定するものではない。
【0056】
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物には、上記必須成分以外に、シリコン基板に対する接着性増強剤としてシランカップリング剤や式(1)中のR2にジアミノシロキサンをベース重合体に変性して使用することができる。また、目的に応じて付加重合性化合物、溶解阻害剤、溶解促進剤、安定剤などを配合してもよい。
【0057】
ネガ型の付加重合性化合物は、反応性不飽和官能基を含有し、その官能基としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等の不飽和二重結合官能基、またプロパルギル等の不飽和三重結合官能基が挙げられ、これらの中でも共役型のビニル基やアクリロイル基、メタクリロイル基が反応性の面から好ましい。また、その官能基の含有数としては、安定性の点から1〜4であることが好ましく、それぞれは同一の基でなくとも構わない。
【0058】
前記付加重合性化合物としては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、スチレン、α-メチルスチレン、1,2−ジヒドロナフタレン、1,3−ジイソプロペニルベンゼン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、2−ビニルナフタレン、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールメタクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、1,3−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
【0059】
前記付加重合性化合物の使用量は、感光性ポリイミド前駆体の樹脂の量に対して、5〜100重量%とすることが好ましく、相溶性の点から5〜40重量%とすることがより好ましい。この使用量が、5重量%未満であると、現像時に露光部が溶出するため現像後の膜が残らなくなる傾向があり、100重量%を超えた場合も同様に現像後の膜が残らなくなる傾向があり、また膜形成時に膜が白化することがある。
【0060】
また、保存時の安定性を高めるために、ラジカル重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤を含有することができる。前記ラジカル重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤としては、例えば、p−メトキシフェノール、ジフェニル−p−ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レソルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、N−フェニル−1−ナフチルアミン、N−フェニル−2−ナフチルアミン、クペロン、フェノチアジン、2,5−トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上組み合わせて使用される。ラジカル重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤を用いる場合、その使用量は、通常ポリイミド前駆体の量に対して、0.01〜30重量%とされる。
【0061】
本発明の感光性樹脂組成物は、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によってシリコンウエーハ、金属基板、セラミック基板等の基材上に塗布され、溶剤を適度に加熱乾燥することにより粘着性のない塗膜とすることができる。この塗膜上に、所望のパターンが描かれたマスクを通して活性光線又は化学線を照射する。照射する活性光線又は化学線としては、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミテイ露光機、ミラープロジェクション露光機、i 線ステッパ、g線ステッパ、その他の紫外線、可視光源や、X線、電子線を用いることができる。この後,必要に応じて露光後加熱(PEB;post exposure bake)処理を行い、現像を行う。ネガ型感光性樹脂組成物である場合には照射後、未照射部を現像液で溶解除去することにより所望のネガパターンを得る。ポジ型感光性樹脂組成物である場合には照射後、照射部を現像液で溶解除去することにより所望のポジパターンを得る。
【0062】
前記現像液としては、有機溶媒、アルカリ水溶液が用いられる。有機溶媒現像液としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリアミド、γ-ブチロラクトン、水、或いはアルコール類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等が、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用される。
【0063】
前記アルカリ水溶液としては、苛性カリ、苛性ソーダ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、コリン等の水酸化四級アンモニウム、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミン等のアミン水溶液が用いられる。現像後は必要に応じて水又は貧溶媒でリンスが行われる。例えばリンス液としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水等が用いられる。これにより得られたパターンを加熱することにより、感光剤と溶媒を除去した安定な高耐熱性ポリイミドパターンを得る。
【0064】
この時の加熱温度は、150〜500℃とすることが好ましく、200〜400℃とすることがより好ましい。この加熱温度が、150℃未満であると、膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向があり、500℃を超えると、膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向がある。
【0065】
また、この時の加熱時間は、0.05〜10時間とすることが好ましい。この加熱時間が、0.05時間未満であると、膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向があり、10時間を超えると、膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向がある。
【0066】
本発明の感光性樹脂組成物は、半導体装置や多層配線板などの電子部品に使用することができ、具体的には、半導体装置の表面保護膜層や層間絶縁膜層、多層配線板の層間絶縁膜層などの形成に使用することができる。本発明の半導体装置は、前記組成物を用いて形成される表面保護膜層や層間絶縁膜層を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
【0067】
本発明の電子部品の一例である半導体装置製造工程の一例を以下に説明する。図1は多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。図1において、回路素子を有するSi基板などの半導体基板1は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜などの保護膜2などで被覆され、露出した回路素子上に第一導体層3が形成されている。前記半導体基板上にスピンコート法などで層間絶縁膜層4が形成される(工程(a))。
【0068】
次に塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層5が前記層間絶縁膜層4上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層4が露出する様に窓6Aが設けられている(工程(b))。
【0069】
前記窓6Aから露出した層間絶縁膜層4は、酸素、四フッ化炭素などのガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓6Bがあけられている。ついで窓6Bから露出した第一導体層3を腐食することなく、感光性樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層5が完全に除去される(工程(c))。
【0070】
さらに公知の写真食刻技術を用いて、第二導体層7を形成させ、第一導体層3との電気的接続が完全に行われる(工程(d))。3層以上の多層配線構造を形成する場合には、前記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
【0071】
次に表面保護膜層8が形成される。この図1の例では、この表面保護膜層8を前記感光性樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓6Cを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、加熱して樹脂膜とする。この樹脂膜は、導体層を外部からの応力、α線などから保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。なお、前記例において、層間絶縁膜層4を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
【0072】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明する。
[合成例1]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと21.18g(0.072mol)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液に2.34g(0.018mol)の2−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、70℃で1時間そして室温下で一夜撹拌した。この反応溶液に攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の80mlの乾燥N−メチルピロリドン中の6.49g(0.06mol)のメタフェニレンジアミン及び0.25g(0.001mol)の1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンの溶液を1時間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌した。その後100mlの乾燥N−メチルピロリドン中の29.92g(0.145mol)のN,N−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液を1時間にわたり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反応溶液に対し45.5g(0.35mol)の2−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、50℃で5時間、そして室温で一夜撹拌した。この反応混合物を50mlのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥してポリマーP−1を得た。
【0073】
[合成例2]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の80mlの乾燥N−メチルピロリドン、14.4g(0.072mol)の4,4’−オキシジアニリン及び0.63g(0.008mol)のピリジンの溶液を0℃に冷却した。これに1.12g(0.008mol)のベンゾイルクロリドを滴下し、滴下後室温下で30分間撹拌して反応溶液A−1を得た。次いで別の攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、100mlの乾燥N−メチルピロリドンと21.18g(0.072mol)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を添加し、攪拌しながら先ほど得られた反応溶液A−1を30分間かけて滴下した後、50℃で5時間、そして室温で一夜撹拌した。この反応溶液を0℃に冷却し、10.4g(0.11mol)の塩化メチルエチルエーテル、続けて11.1g(0.11mol)のトリエチルアミンを30分間かけて滴下添加した後、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥してポリマーP−2を得た。
【0074】
[合成例3]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと14.8g(0.2mol)のn−ブタノールを入れ、31.0g(0.1mol)のビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物を加え、70℃で24時間攪拌し、エステル物を得た。この溶液を0℃に冷却し、23.8g(0.2mol)の塩化チオニルを滴下し、滴下後30分間撹拌して、反応溶液A−2を得た。次いで別の攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、100mlの乾燥N−メチルピロリドンと33.0g(0.09mol)の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン及び15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、攪拌溶解した。この溶液を0℃に冷却し、先ほど得られた反応溶液A−2を30分間かけて滴下した後、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥してポリマーP−3を得た。
【0075】
[合成例4]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと25.8g(0.1mol)の4,4’−オキシビス(カルボキシフェニル)の溶液を0℃に冷却し、23.8g(0.2mol)の塩化チオニルを滴下し、滴下後30分間撹拌して、反応溶液A−3を得た。次いで別の攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと36.6g(0.1mol)の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン及び0.79g(0.01mol)のピリジンの溶液を0℃に冷却し、これに1.57g(0.01mol)のフェニルクロロフォーメイトを滴下し、滴下後室温下で30分間撹拌した。15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、0℃に冷却した後、先ほど得られた反応溶液A−3を30分間かけて滴下した後、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥してポリマーP−4を得た。
【0076】
[合成例5]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと9.76g(0.05mol)の1−メチル 2−アミノテレフタレートの溶液を0℃に冷却し、これに8.85g(0.05mol)のベンゼンスルフォニルクロライドを滴下し、30分間撹拌した。その後15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥して鎖延長剤B−1を得た。
【0077】
[合成例6]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと18.3g(0.05mol)の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンの溶液を0℃に冷却し、これに12.1g(0.1mol)のピバロイルクロライドを滴下し、30分間撹拌した。その後15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥して鎖延長剤B−2を得た。
【0078】
[合成例7]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと7.6g(0.05mol)の3,5−ジアミノ安息香酸の溶液を0℃に冷却し、これに15.7g(0.1mol)のフェニルクロロフォーメイトを滴下し、30分間撹拌した。その後15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥して鎖延長剤B−3を得た。
【0079】
[合成例8]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと25.9g(0.05mol)の4'',4'''−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)−ビス(4−フェノキシアニリン)の溶液を0℃に冷却し、これに16.4g(0.1mol)のジイソプロピルカルバミルクロリドを滴下し、30分間撹拌した。その後15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥して鎖延長剤B−4を得た。
【0080】
[合成例9]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100mlの乾燥N−メチルピロリドンと6.86g(0.05mol)の4−アミノ安息香酸の溶液を0℃に冷却し、これに3.93g(0.05mol)のアセチルクロライドを滴下し、30分間撹拌した。その後15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。この反応混合物を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥して鎖延長剤B−5を得た。
【0081】
[合成例10]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた密閉反応容器中のトリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン 0.1molとナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド 0.29mol及び150gのジオキサンの溶液に対し、トリエチルアミン 0.3molを冷却下で滴下反応させた、この反応混合物をろ過し、ろ液を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥してオルトキノンジアジド化合物C−1を得た。
【0082】
[実施例1]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに合成例1で得られたP−1 100gとN−メチルピロリドン140gとp−メトキシフェノール 0.3gを撹拌混合し溶解させた後、さらに2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール6.0g、2−メルカプトベンゾキサゾール 3.0gとエチルミヒラーズケトン 0.6gの感光剤と付加重合性化合物としてテトラエチレングリコールジアクリレート18.0g及び合成例で得られた鎖延長剤B−1 5.0gを加えて室温下にて一昼夜撹拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得た。この溶液を5インチシリコンウエハ上にスピンコートした後に乾燥して、5.0±1.0μmの塗膜を形成した後、I線ステッパを用いパターンマスクし、露光量を200〜1000mJ/cm2とし、露光した。これを1時間遮光箱内にて放置した後、γブチロラクトンを用いてパドル現像したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。この溶液を5インチシリコンウエハ上にスピンコートした後に乾燥して18.0±1.0μmの塗膜を形成した後、コンタクトアライナーを用いパターンマスクし、1000mJ/cm2の露光量にて露光した。これを1時間遮光箱内にて放置した後、γブチロラクトンを用いてパドル現像して10mm×120mmの短冊状のパターンを得た。このウエハを窒素置換されたオーブンにて320℃1時間硬化ベークし、硬化膜を得た。フッ酸水溶液を用い、短冊状の薄膜をシリコンウエハより剥離し、乾燥した後、オートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は50%となった。
【0083】
[実施例2]
合成例6で得られた鎖延長剤B−2を5.0g用い、それ以外は、実施例1と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量450mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は70%となった。
【0084】
[実施例3]
合成例6で得られた鎖延長剤B−3を5.0g用い、それ以外は、実施例1と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量450mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は55%となった。
【0085】
[実施例4]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに合成例2で得られたP−2 100gとN−メチルピロリドン140gを撹拌混合し溶解させた後、さらにp−ニトロベンジル−9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホナート5.0g及び合成例6で得られた鎖延長剤B−2 5.0gを加えて室温下にて一昼夜撹拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得た。露光後にホットプレートにて120℃、60秒間加熱した後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と全く同様に処理したところ、その解像度は露光量900mJ/cm2で20μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、露光後にホットプレートにて120℃、60秒間加熱した後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は40%となった。
【0086】
[実施例5]
合成例7で得られた鎖延長剤B−3を5.0g用い、それ以外は、実施例4と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量900mJ/cm2で20μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例4と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は45%となった。
【0087】
[実施例6]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに合成例3で得られたP−3 100gとN−メチルピロリドン140gを撹拌混合し溶解させた後、さらに合成例10で得られた感光剤C−1 6.0g及び合成例5で得られた鎖延長剤B−1 5.0gを加えて室温下にて一昼夜撹拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得た。2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は40%となった。
【0088】
[実施例7]
鎖延長剤として合成例8で得られた鎖延長剤B−4を5.0g用い、それ以外は、実施例6と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例6と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は50%となった。
【0089】
[実施例8]
攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに合成例4で得られたP−4 100gとN−メチルピロリドン140gを撹拌混合し溶解させた後、さらに合成例10で得られた感光剤C−1 6.0g及び合成例8で得られた鎖延長剤B−4 5.0gを加えて室温下にて一昼夜撹拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得た。2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と全く同様に処理したところ、その解像度は露光量350mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてパドル現像したこと以外は、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は70%となった。
【0090】
[実施例9]
合成例9で得られた鎖延長剤B−5を5.0g用い、それ以外は、実施例8と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例8と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は55%となった。
【0091】
[比較例1]
合成例5で得られた鎖延長剤B−1を用いない以外は、実施例1と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は30%となった。
【0092】
[比較例2]
合成例6で得られた鎖延長剤B−2を用いない以外は、実施例4と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量900mJ/cm2で20μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例4と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は15%となった。
【0093】
[比較例3]
合成例5で得られた鎖延長剤B−1を用いない以外は、実施例6と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例6と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は10%となった。
【0094】
[比較例4]
合成例8で得られた鎖延長剤B−4を用いない以外は、実施例8と全く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は露光量400mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例8と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜をオートグラフを用い伸び率を測定した。この結果伸び率は30%となった。
【0095】
それぞれの感光性重合物、鎖延長剤の組み合わせと、感光特性、伸び率の結果を下表にまとめる。
【0096】
【表1】
【0097】
【発明の効果】
本発明は、硬化過程で樹脂成分をより高分子量化することにより、優れた硬化樹脂性質を持つ感光性ポリイミド前駆体、又はポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物である樹脂組成物と、前記樹脂組成物を使用したパターンの製造方法、及び前記パターンを有してなる電子デバイスを有する電子部品を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
【符号の説明】
1…半導体基板
2…保護膜
3…第一導体層
4…層間絶縁膜層
5…感光樹脂層
6A、6B、6C…窓
7…第二導体層
8…表面保護膜層
Claims (11)
- (A)酸性官能基及び/又はその誘導置換基を有する重合体、(B)前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を少なくとも一つ有し、かつ下記一般式(10)で示される化合物、(C)光反応性化合物、及び(D)溶媒を含有してなり、前記(A)成分が、下記一般式(1)で示されるポリイミド前駆体若しくはその前駆体から誘導されるポリイミド、下記一般式(2)で示されるポリベンゾオキサゾール前駆体若しくはその前駆体から誘導されるポリベンゾオキサゾール、又はそれらの共重合体、又はそれらの混合物であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
- 前記(B)成分が、さらに酸性官能基及び/又はその誘導置換基を少なくとも一つ有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(B)成分が、前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、アミン官能基から誘導される置換基を一つ又は二つ有する化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(B)成分が、前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基を一つ又は二つ有することを特徴とする請求項3に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(A)成分が、その前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基と加熱により反応し、前記重合体をより高分子量化する、少なくとも一つのアミン官能基から誘導される置換基をさらに自身に、又は他の(A)成分に有し、かつ前記(B)成分が、さらに酸性官能基及び/又はその誘導置換基を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記(A)成分の前記アミン官能基から誘導される置換基が一つであり、前記(B)成分の前記アミン官能基から誘導される置換基が一つ又は二つであり、前記(B)成分の前記酸性官能基及び/又はその誘導置換基が一つであることを特徴とする請求項6に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記重合体(A)が、耐熱重合体であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 前記重合体(A)が有する酸性官能基が、カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記塗布し乾燥後の感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程、前記現像によって得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とするパターンの製造方法。
- 請求項10に記載のパターンの製造方法により得られるパターンを有してなる電子デバイスを有する電子部品であって、前記パターンが層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層であることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003054299A JP4288962B2 (ja) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 |
TW93108797A TWI342466B (en) | 2003-02-28 | 2004-03-31 | Heat resisting photosensitive resin composition, manufacturing method of pattern using thereof and electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003054299A JP4288962B2 (ja) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004264537A JP2004264537A (ja) | 2004-09-24 |
JP4288962B2 true JP4288962B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=33118676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003054299A Expired - Lifetime JP4288962B2 (ja) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4288962B2 (ja) |
TW (1) | TWI342466B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005101125A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-03-06 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008535003A (ja) * | 2005-03-25 | 2008-08-28 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
JP4918968B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2012-04-18 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
TWI416204B (zh) * | 2009-04-30 | 2013-11-21 | Innolux Corp | 電容式觸控螢幕的製作方法 |
JP6364788B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-08-01 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン硬化膜の製造方法 |
WO2015125469A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 樹脂組成物、それによって形成される硬化膜及びパターン硬化膜、及びそれらの製造方法 |
-
2003
- 2003-02-28 JP JP2003054299A patent/JP4288962B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-31 TW TW93108797A patent/TWI342466B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005101125A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-03-06 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004264537A (ja) | 2004-09-24 |
TWI342466B (en) | 2011-05-21 |
TW200531984A (en) | 2005-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4826415B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
KR101074173B1 (ko) | 내열감광성 수지조성물, 해당 조성물을 이용한 패턴 제조방법 및 전자부품 | |
KR20040040349A (ko) | 감광성 수지조성물, 릴리프패턴의 형성방법 및 전자부품 | |
JP3475924B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
KR101012569B1 (ko) | 감광성 수지 전구체 조성물 | |
JP3211108B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2000187321A (ja) | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 | |
JPWO2018021262A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、その硬化物、層間絶縁膜、表面保護膜及び電子部品 | |
JP4288962B2 (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 | |
JP5115045B2 (ja) | ポリイミドワニス | |
US5616448A (en) | Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same | |
JP4329182B2 (ja) | アルカリネガ現像型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
JP2003255535A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン製造法及びこれを用いた電子部品 | |
JPH1184653A (ja) | 耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法 | |
JP4348763B2 (ja) | ヘキサアリールビイミダゾール化合物、これを用いた感光性組成物及びパターンの製造法並びに電子部品 | |
JP3913022B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物 | |
JP4568971B2 (ja) | ポリイミド及びその前駆体、感光性樹脂組成物、パターンの製造法並びに電子部品 | |
JPH11282160A (ja) | 感光性ポリイミド組成物、これを用いたパターン製造法及び半導体装置 | |
JP2002040658A (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた半導体装置及び電子部品 | |
JP4396143B2 (ja) | 耐熱性樹脂前駆体組成物 | |
JP4411936B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス | |
JP2002131905A (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターンの製造法並びに電子部品 | |
JP2001337453A (ja) | 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
JP2000231192A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 | |
JP2001281859A (ja) | アルカリネガ現像型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4288962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |