JP4411936B2 - 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス - Google Patents
感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4411936B2 JP4411936B2 JP2003372247A JP2003372247A JP4411936B2 JP 4411936 B2 JP4411936 B2 JP 4411936B2 JP 2003372247 A JP2003372247 A JP 2003372247A JP 2003372247 A JP2003372247 A JP 2003372247A JP 4411936 B2 JP4411936 B2 JP 4411936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- acid
- photosensitive resin
- bis
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
また、本発明の他の課題は、前記良好な硬化樹脂特性を有するパターンの層を、従来の有機溶剤現像ではなく、安価なアルカリ水溶液現像にて行えるパターン形成方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の課題は、前記良好な硬化樹脂特性をバッファーコート膜、層間絶縁膜等として有する半導体デバイスを提供することにある。
[1] 酸性官能基もしくはその誘導置換基を有する耐熱性重合体またはその前駆体からなるポリマー成分(A)と、下記一般式(3):
[2] 前記光反応性化合物(B)が、光反応によりカルボキシル基を発生させる化合物であることを特徴とする[1]記載の感光性樹脂組成物。
[3] 前記ポリマー成分(A)を構成する重合体における酸性官能基が、カルボキシル基またはフェノール性水酸基であることを特徴とする[1]または[2]記載の感光性樹脂組成物。
[4] 前記ポリマー成分(A)が、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体もしくはそれらの共重合体、またはそれらの混合物であるであることを特徴とする[1]から[3]のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
[5] 前記[1]から[4]のいずれかに1項に記載の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程と、前記乾燥後の感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程と、前記現像によって得られたパターンを加熱処理する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
[6] 前記[5]に記載の製造法により得られたパターンの層を有してなることを特徴とする電子デバイス。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述のように、酸性官能基もしくはその誘導置換基を有する耐熱性重合体またはその前駆体からなるポリマー成分(A)と、主骨格部にアミド結合を有し、かつ光反応により酸を発生する光反応性化合物(B)と、溶媒(C)とを必須成分とする。前記主骨格部にアミド結合を有し、かつ光反応により酸を発生する(B)成分としては、後述の一般式(3)で表される化合物が用いられる。
このような酸官能基を有するジアミンとしては、例えば、2,4−ジアミノ安息香酸,3,5−ジアミノ安息香酸,3,3´−ジアミノビフェニル−5,5’−ジカルボン酸,4,4’−ジアミノジフェニルエーテル −5,5´−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルメタン −5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン −5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド −5,5’−ジカルボン酸またはそれらの異性体のようにカルボキシル基を1つ以上もつか、あるいは4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,4−ジアミノフェノール、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−2,4−ジアミノフェノール、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−2,4−ジアミノフェノール、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼンのようなフェノール基を有するもの、等をあげることができるが、これらに限定されない。これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
これら置換基は水素または一般式(2)で表される。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100gの乾燥N−メチルピロリドンと21.18g(0.072mol)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液に、1.1g(0.018mol)のイソプロピルアルコールを加え、45℃で一夜撹拌した。この溶液を反応溶液(a)と称す。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100gの乾燥N−メチルピロリドンと25.8g(0.1mol)の4,4’−オキシビス(カルボキシフェニル)とからなる溶液を0℃に冷却し、この溶液に23.8g(0.2mol)の塩化チオニルを滴下し、滴下後30分間撹拌して、反応溶液(A−1)を得た。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、100gの乾燥N−メチルピロリドンと14.8g(0.2mol)のn−ブタノールとを入れ、さらに31.0g(0.1mol)のビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物を加え、70℃で24時間攪拌し、エステル物を得た。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100gの乾燥N−メチルピロリドンと22.3g(0.072mol)のビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物からなる撹拌溶液(a)に、80gの乾燥N−メチルピロリドン中に1.2g(0.008mol)の3,5−ジアミノ安息香酸と26.4g(0.072mol)の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンとを添加してなる溶液(b)を、添加し、室温で一夜撹拌して反応液(c)を得た。その後、この反応溶液(c)に対し、2.4g(0.015mol)のフェニルクロロフォーメイトおよび1.2g(0.015mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中の300gの乾燥N−メチルピロリドンと25.8g(0.1mol)の4,4’−オキシビス(カルボキシフェニル)とからなる溶液を、0℃に冷却し、この溶液に、23.8g(0.2mol)の塩化チオニルを滴下し、滴下後30分間撹拌して、反応溶液(i)を得た。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中の100gに、乾燥N−メチルピロリドンと3−アミノフェノール10.9g(0.1mol)からなる溶液を調製した。この溶液を0℃に冷却した後、この溶液に10.1g(0.05mol)のイソフタル酸クロリドを添加し、さらに4.0g(0.05mol)のピリジンを添加し、室温で30分間撹拌した。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、100gの乾燥N−メチルピロリドンと4−アミノフェノール21.8g(0.2mol)とからなる溶液を調製した。この溶液を0℃に冷却した後、この溶液に、21.3g(0.1mol)の1,4−シクロヘキシルジカルボン酸クロリドを添加し、さらに15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で一晩撹拌した。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、100gの乾燥N−メチルピロリドンと3−アミノフェノール21.8g(0.2mol)とからなる溶液を調製した。この溶液を0℃に冷却した後、この溶液に、18.6g(0.07mol)の1,3,5―ベンゼントリカルボニルトリクロライドを添加し、さらに15.82g(0.2mol)のピリジンを添加し、室温で一晩撹拌した。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン14.6g(0.05mol)と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド37.6g(0.14mol)と、200gの乾燥N−メチルピロリドンとからなる溶液を調製した。この溶液に対し、トリエチルアミン14.2g(0.14mol)を冷却下で滴下反応させた。得られた反応混合物をろ過し、得られたろ液を2.0Lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥し、これにより主骨格部にアミド結合を持たないオルトキノンジアジド化合物(B−5:比較光反応性化合物)を得た。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた密閉反応容器中に、トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1−エチル−4−イソプロピルベンゼン21.1g(0.05mol)と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド37.6g(0.14mol)と、200gの乾燥N−メチルピロリドンとからなる溶液を調製した。この溶液に対し、トリエチルアミン14.2g(0.14mol)を冷却下で滴下反応させた。得られた反応混合物をろ過し、得られたろ液を2.0lのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水にて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が1.0重量%より少なくなるまで減圧乾燥し、これにより主骨格部にアミド結合を持たないオルトキノンジアジド化合物(B−6:比較光反応性化合物)を得た。
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた三口フラスコに、前記合成例1で得られたポリマー(P−1)10gとγ−ブチロラクトン15gを撹拌混合して溶解させた後、さらに前記合成例5で得られた光反応性化合物(B−1)2.0gを加えて、室温下にて、一昼夜撹拌溶解し、その後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得た。この溶液を5インチシリコンウエハ上にスピンコートした後に乾燥して、5.0±1.0μmの塗膜を形成した。その後、この塗膜を、I線ステッパを用いパターンマスクし、露光量を200〜1000mJ/cm2とし、露光した。これを1時間遮光箱内にて放置した後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液を用いてパドル現像した。その結果、その解像度は露光量780mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。
配合物として、前記合成例2で得られたポリマー(P−2)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例5で得られた光反応性化合物(B−1)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量480mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて測定した。この結果、伸び率は34%であった。
配合物として、前記合成例2で得られたポリマー(P−2)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例6で得られた光反応性化合物(B−2)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量550mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は32%であった。
配合物として、前記合成例2で得られたポリマー(P−2)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例8で得られた光反応性化合物(B−4)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量440mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は38%であった。
配合物として、前記合成例2で得られたポリマー(P−2)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、合成例5で得られた光反応性化合物(B−1)0.75gと、前記合成例10で得られた光反応性化合物(B−6)0.25gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量510mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は26%であった。
配合物として、前記合成例3で得られたポリマー(P−3)10gと、γブチロラクトン15gと、前記合成例5で得られた光反応性化合物(B−1)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量500mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は30%であった。
配合物として、前記合成例3で得られたポリマー(P−3)10gと、γブチロラクトン15gと、前記合成例7で得られた光反応性化合物(B−3)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量480mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は24%であった。
配合物として、前記合成例3で得られたポリマー(P−3)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例6で得られた光反応性化合物(B−2)0.50gと、前記合成例9で得られた比較光反応性化合物(B−6)0.50gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量540mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は29%であった。
配合物として、前記合成例4で得られたポリマー(P−4)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例5で得られた光反応性化合物(B−1)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量600mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は27%であった。
配合物として、前記合成例4で得られたポリマー(P−4)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例6で得られた光反応性化合物(B−2)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量600mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。また、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率を、オートグラフを用いて、測定した。この結果、伸び率は31%であった。
配合物として、前記合成例1で得られたポリマー(P−1)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例9で得られた比較光反応性化合物(B−5)2.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量800mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。しかし、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率をオートグラフを用いて測定したところ、伸び率は10%であった。
配合物として、前記合成例2で得られたポリマー(P−2)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例10で得られた比較光反応性化合物(B−6)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量570mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。しかし、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率をオートグラフを用いて測定したところ、伸び率は15%であった。
配合物として、前記合成例3で得られたポリマー(P−3)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例9で得られた比較光反応性化合物(B−5)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量550mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。しかし、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率をオートグラフを用いて測定したところ、伸び率は8%であった。
配合物として,前記合成例3で得られたポリマー(P−3)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例10で得られた比較光反応性化合物(B−6)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量570mJ/cm2で10μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。しかし、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率をオートグラフを用いて測定したところ、伸び率は7%であった。
配合物として、前記合成例4で得られたポリマー(P−4)10gと、γ−ブチロラクトン15gと、前記合成例10で得られた比較光反応性化合物(B−6)1.0gとを用い、それ以外は、実施例1と全く同様に処理してレリーフパターン形成を行った。その結果、得られたパターンの解像度は露光量650mJ/cm2で15μm(最小ライン幅)まで達し、良好なレリーフパターンが得られた。しかし、実施例1と同様な処理をして得られた短冊状の薄膜の伸び率をオートグラフを用いて測定したところ、伸び率は12%であった。
Claims (6)
- 前記光反応性化合物(B)が、光反応によりカルボキシル基を発生させる化合物であることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリマー成分(A)を構成する重合体における酸性官能基が、カルボキシル基またはフェノール性水酸基であることを特徴とする請求項1または2記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリマー成分(A)が、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体もしくはそれらの共重合体、またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程と、前記乾燥後の感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程と、前記現像によって得られたパターンを加熱処理する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項5に記載の製造法により得られたパターンの層を有してなることを特徴とする電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372247A JP4411936B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372247A JP4411936B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005134729A JP2005134729A (ja) | 2005-05-26 |
JP4411936B2 true JP4411936B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=34648681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003372247A Expired - Fee Related JP4411936B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4411936B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019210430A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 住友化学株式会社 | ポリアミドイミドの製造方法 |
-
2003
- 2003-10-31 JP JP2003372247A patent/JP4411936B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005134729A (ja) | 2005-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4207581B2 (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 | |
JP5636456B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JPWO2008020573A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2008216569A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
KR101074173B1 (ko) | 내열감광성 수지조성물, 해당 조성물을 이용한 패턴 제조방법 및 전자부품 | |
JPWO2018021262A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、その硬化物、層間絶縁膜、表面保護膜及び電子部品 | |
JP5079089B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 | |
JP5655794B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP2011046918A (ja) | 電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP4288962B2 (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターン製造方法、及び電子部品 | |
JP4411936B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法および半導体デバイス | |
JP2001329061A (ja) | ヒドロキシポリアミド | |
JP4627030B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JPH11338143A (ja) | ポジ型感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物及びこれを用いたレリーフパターンの製造法 | |
JP4488611B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2008122667A (ja) | 感光性樹脂組成物及び半導体デバイス | |
JP5381742B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5241142B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4836607B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2005165185A (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物 | |
JP5139886B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP4578369B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2005309214A (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体デバイス | |
JP4744318B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4698356B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4411936 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131127 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |