JP4267528B2 - 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
この構成の本発明が備える薄膜トランジスタは、上記の目的を達成するために、非単結晶シリコンを含む半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、上記非単結晶シリコン中における少なくとも一部のシリコンの未結合手に重水素が結合されている。
まず、本発明の実施の形態1として、非単結晶シリコンを含む半導体層を有する薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置に組み込まれるTFTの構成を図1に基づいて説明する。
非単結晶シリコンを含む半導体層を有する薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置の主要要素である薄膜トランジスタ(TFT)の製造方法の他の例を図4に基づいて説明する。なお、この実施の形態2において、上記実施の形態1と同様の構成要素については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
上記実施の形態1または実施の形態2の製造方法によって製造されたTFTを適用したアクティブマトリックス型液晶表示装置の例を図5に基づいて更に説明する。
11 下地絶縁膜
12 半導体層
12a チャネル領域
12b ソース領域
12c ドレイン領域
13 ゲート絶縁膜
14 Si−D結合
14’ Si−H結合
15 ゲート電極
16 層間絶縁膜
17 コンタクトホール
18 ソース電極
19 ドレイン電極
20 パッシベイション膜
45 TFT
46a TFT
47a TFT
Claims (6)
- 非単結晶シリコンを含む半導体層を有する薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法において、
上記薄膜トランジスタを、
上記非単結晶シリコン中における少なくとも一部のシリコンの未結合手に水素を結合させる水素化工程と、
上記半導体層の表面付近における少なくとも一部のシリコンの未結合手に重水素を結合させる重水素化工程と、
を有する工程で製造することを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。 - 半導体層を重水素を含む溶液に浸漬することにより、上記重水素化工程を行う、請求項1に記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
- 上記重水素を含む溶液は、重水素を溶解した弗化水素酸である、請求項2に記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
- 上記水素化工程を行った後に、上記重水素化工程を行う、請求項1に記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
- 上記非単結晶シリコンは、多結晶シリコンである、請求項1から4のいずれかに記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
- 上記非単結晶シリコンは、非晶質シリコンである、請求項1から4のいずれかに記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。
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