JPH10135474A - 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ソース／ドレイン領域を形成する際の、添
加した不純物の回り込みによるＩＧＦＥＴの特性の劣化
を解決することを課題とする。 【解決手段】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのソ
ース／ドレイン領域を、ソース／ドレインとして機能す
る領域と、ソース／ドレイン領域と電極とのコンタクト
領域とに分離し、電極とのオーミックコンタクトを形成
するため、コンタクト領域には高濃度に不純物を添加
し、ソース／ドレインとして機能する領域には、回り込
みを少なくするため低濃度に不純物を添加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明で開示する発明は、半
導体装置、特にその基本素子である絶縁ゲイト型電界効
果トランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の絶縁ゲイト型電界効果トランジス
タ（以下ＩＧＦＥＴと略）の一例として、低不純物領域
を有するＮ型ＩＧＦＥＴの構成を図１（Ａ）に示す。

【０００３】従来の低不純物領域を有するＮ型ＩＧＦＥ
Ｔの作製工程は、まず、基板００１の上に半導体層とゲ
イト絶縁膜００９を形成する。そして、そのゲイト絶縁
膜００９の上にゲイト電極０１０を形成する。ゲイト電
極０１０に陽極酸化法を用いて陽極酸化膜を形成する。
この陽極酸化膜は、耐腐食性に優れている緻密な陽極酸
化膜０１２と耐腐食性に劣っている多孔性の陽極酸化膜
の２層構造からなり、ゲイト電極の内部に緻密な陽極酸
化膜０１２、外側に多孔性の陽極酸化膜を形成する。

【０００４】そして、陽極酸化したゲイト電極をマスク
としてＰ（リン）を高濃度にドーピングする。こうし
て、ソース／ドレイン領域００４を形成する。次に多孔
性の陽極酸化膜を選択的にエッチングする。この時、緻
密な陽極酸化膜０１２はエッチングされずに残存する。

【０００５】そして、再びリンを低濃度にドーピングを
し、低不純物領域００５を形成する。この低不純物領域
のドレイン側は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ
Ｄｒａｉｎ）とよばれる領域である。

【０００６】この工程で、低不純物領域に挟まれたチャ
ネル領域００３が形成される。そして、層間絶縁膜００
８を形成する。最後にソース／ドレイン領域の引出し電
極０１４を形成する。

【０００７】こうして低不純物領域を有するＮ型ＩＧＦ
ＥＴを作製する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＩＧＦＥＴにおいて、
ソース／ドレイン領域と電極のコンタクト領域は、オー
ミックコンタクトを形成する必要がある。そのため、ソ
ース／ドレイン領域のコンタクト領域に不純物を高濃度
にドーピングする必要がある。

【０００９】図１（Ｃ）に示すように、の範囲にソー
ス／ドレイン領域００４を形成するためのドーピングを
高濃度に行うと、不純物が、に示される領域まで回り
込んで、不純物が添加される。その結果、ソース／ドレ
イン領域００４に近接する低不純物領域００５または／
及びオフセット領域、更にはチャネル領域００３まで不
純物の回り込みによって汚染されてしまう。そしてその
ことに起因して、そのＴＦＴ特性の劣化、ばらつきが起
きてしまう。

【００１０】上記問題点を解決するには、ソース／ドレ
イン領域にドーピングする不純物量をチャネル領域まで
回り込みが広がらないよう減らせばよい。しかし、そう
すると、電極とソース／ドレイン領域とのオーミックコ
ンタクトが形成されず、非線形なコンタクトが形成され
てしまう。

【００１１】更に、レジストマスクを設けた基体に高濃
度の不純物イオンをドーピングすると、レジストマスク
が硬質化してしまうという問題がある。

【００１２】一般にレジストマスクを除去する際に、硬
化した部分を酸素を用いてアッシングを行う。その後、
柔らかい部分のレジストマスクを剥離液を用いて除去す
る。しかし、硬化したレジストマスクが厚いときは、保
護している下地膜にまで酸素プラズマによって損傷を与
えることがあり、酸素プラズマ処理のプロセスマージン
が取れなくなるという工程上の問題が生じる。

【００１３】本明細書で開示する発明は、上述した各種
問題を解決することを課題とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願発明では、従来のソ
ース／ドレイン領域を、機能別に二つの領域に分離する
構成を採る。つまり、電極とコンタクトを取るための領
域には、オーミックコンタクトを形成するに足る量の不
純物を添加し、チャネル領域と近接して設けられたソー
ス／ドレインとして機能する領域においては、回り込み
が少なくなるように不純物のドーズ量を減らしたことを
特徴とする。

【００１５】本願発明で開示する発明の一つは、図１
（Ｂ）にその具体的な構成を示すように、絶縁性表面を
有する基板００１の上に半導体層が形成され、半導体層
は、チャネル００３領域と、ソース／ドレインとして機
能する領域００６と、チャネル領域００３とソース／ド
レインとして機能する領域００６との間に低不純物領域
００５と、高濃度に不純物が添加されたソース／ドレイ
ン領域と電極とがオーミックコンタクトを形成するコン
タクト領域００７とが形成されていることを特徴とす
る。

【００１６】以上の構成を採ることによって、図１
（Ｄ）に示されるように、その作製工程において、オー
ミックコンタクトを取るために高濃度に不純物をドーピ
ングする範囲は、チャネル領域００３から離れてい
る。そのため、不純物が回り込む領域’は、その間に
あるソース／ドレインとして機能する領域００６までし
か伸長せず、チャネル領域００３まで広がらない。

【００１７】そして、ソース／ドレインとして機能する
領域００６を形成するためのドーピングは、オーミッ
クコンタクトを取るほどの不純物濃度は必要ではない。
従って、このドーピングによる回り込み領域は狭いた
め、チャネル領域に不純物が回り込むことを防ぐことが
できる。当然、低不純物領域を形成するためのドーピン
グは、更に低ドーズ量なのでチャネル領域まで回り込
むことはない。

【００１８】なお、図２（Ｃ）、（Ｄ）以外の本明細書
の図面において、不純物の回り込みは図面が煩雑となる
ため省略している。

【００１９】本明細書中でいうソース／ドレインとして
機能する領域とは、ソース／ドレインとして機能できる
程度の濃度に不純物が添加された領域のことを指す。つ
まり、シート抵抗が数１００Ω／□〜１０ｋΩ／□以下
の領域を指す。そして、そのドーピングによって回り込
む不純物が、チャネル領域まで広がらない程度のドーピ
ングによって形成された領域を指す。

【００２０】本明細書中でいうコンタクト領域とは、電
極とオーミックコンタクトを形成するために、高濃度に
不純物が添加された領域である。つまり、シート抵抗が
１ｋΩ／□以下の領域のことを指す。そして、コンタク
ト領域に接して、チャネル領域又は低不純物領域は存在
しない。

【００２１】上記のソース／ドレインとして機能する領
域を形成するためのドーズ量は、その作製工程や、膜厚
等によって変化する。

【００２２】本願発明の他の発明の構成は、基板上に半
導体層と、半導体層上にゲイト絶縁膜を介して形成され
た二つ以上のゲイト電極とを有する絶縁ゲイト型電界効
果トランジスタにおいて、前記半導体層が、各ゲイト電
極の下に形成された複数個のチャネル領域と、チャネル
領域に近接して設けられたソース／ドレインとして機能
する領域と、ソース／ドレインと電極とのコンタクト領
域とからなり、隣接する二つのチャネル領域に挟まれた
領域中の不純物濃度が、前記コンタクト領域よりも低い
ことを特徴とする。

【００２３】また、他の発明の構成は、同一基板上に画
素マトリクス部と、Ｎチャネルドライバー部とＰチャネ
ルドライバー部からなる周辺駆動回路部とを配置した構
成を有し、Ｎチャネルドライバー部又はＰチャネルドラ
イバー部の一方或いは両方の半導体層に、チャネル領域
と、ソース／ドレインとして機能する領域と、チャネル
領域とソース／ドレイン領域に挾まれた低濃度不純物領
域と、高濃度に不純物が添加されたコンタクト領域とが
形成されていることを特徴とする。

【００２４】

【実施例】

〔実施例１〕図２に本願発明の実施例の作製工程の一つ
を示す。本実施例では、ガラス基板上にＮ型ＩＧＦＥＴ
を形成した例を示す。

【００２５】図２（Ａ）に示すように本実施例ではガラ
ス基板００１を利用するが、ガラス基板の代わりに石英
基板、絶縁表面を有する半導体等を用いてもよい。

【００２６】まず、ガラス基板００１の上に図示しない
下地層を成膜する。ここでは下地層としてスパッタ法で
２０００Å厚の酸化珪素を形成する。

【００２７】下地層を形成するのはスパッタ法に限定さ
れるわけではなく、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法等て
もよい。下地膜は、基板からの不純物の拡散や応力緩和
のために形成する。

【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法によって活性層を
形成する。本実施例では活性層は、珪素を主成分とする
被膜を用いているが、他の半導体にも利用できる。

【００２９】活性層を形成する方法は、特にプラズマＣ
ＶＤ法に限定されるものではなく、プラズマＣＶＤ法の
代わりに減圧熱ＣＶＤ法を利用してもよい。本実施例に
おいて活性層は真性又は実質的に真性（人為的に導電型
を付与しないという意味）な非晶質珪素膜を成膜する。

【００３０】その後、非晶質珪素膜を結晶化させる。こ
の結晶化は、熱やレーザー光等が利用できる。本実施例
においては、レーザー光を利用して結晶化を行い多結晶
珪素膜とする。

【００３１】次に、多結晶珪素膜にパターニングを施し
て、パターンを形成する。このパターンはＮ型ＩＧＦＥ
Ｔの活性層となる。

【００３２】次に、図２（Ａ）に示すように、レジスト
マスク０１３を形成する。そしてＰ（リン）のドーピン
グを行う。このドーピングは、Ｎ型ＩＧＦＥＴのソース
／ドレイン領域と電極とがオーミックコンタクトを形成
する条件で行う。

【００３３】つまり、コンタクト領域の表面の不純物濃
度が１０²⁰ｃｍ^-3以上となり、シート抵抗が１ｋΩ／□
以下となるように形成する。

【００３４】不純物のドーピング方法としては、プラズ
マドーピング法と呼ばれる方法とイオン注入法と呼ばれ
る方法とがある。プラズマドーピング法は、ＰＨ₃ やＢ
₂ Ｈ₆ 等のドーピングせんとする不純物元素を含んだガ
スを高周波電力等でプラズマ化し、そこから電界によ
り、不純物イオンを引出し、更に電界により加速注入す
る方法である。

【００３５】他方、イオン注入法は、上記ＰＨ₃ やＢ₂
Ｈ₆ 等のガスをプラズマ化し、そこから引き出されたイ
オンを磁場を用いた質量分離により選別し、その選別さ
れた不純物イオンを加速注入する方法である。

【００３６】本実施例では、大面積への対応が可能なプ
ラズマドーピング法を用いる。

【００３７】本実施例のこの工程では、次の条件でドー
ピングを行う。 ドーズ量 ２×１０¹⁴ｃｍ^-2 加速電圧 ５０ｋＶ ＲＦ電力 ５Ｗ

【００３８】図２（Ａ）に示すように本実施例では、こ
の工程において、リンが高濃度に添加されたソース／ド
レイン領域と電極とのコンタクト領域００７が形成され
る。また、この工程で形成された領域００７を便宜上Ｎ
⁺⁺領域と表記する。本実施例では、このＮ⁺⁺領域の表面
のリン濃度は約１０²⁰ｃｍ^-3で、シート抵抗は１ｋΩ／
□以下となる。

【００３９】また、レジストマスク０１３の下に存在す
る半導体層は、リンがドーピングされないため、Ｉ型
（真性または実質的に真性）領域０１５として残存す
る。

【００４０】このドーピングは非自己整合プロセスで行
われる。非自己整合プロセスにおいては、マスク合わせ
精度が重要となる。

【００４１】このようにして、図２（Ａ）に示す工程を
行った後に、レジストマスク０１５を除去する。

【００４２】レジストマスクの除去は、硬化したレジス
トマスクを酸素プラズマによるアッシングを行い、その
後レジストマスク用の剥離液を用いて除去する。

【００４３】本実施例では、不純物の添加領域の表面に
直接不純物を添加するベアドープで行うため、ドーピン
グが短時間で済む。そのため、レジストマスクの硬化す
る部分が薄くなる。従って、酸素プラズマによるアッシ
ングが従来に比べ短時間、即ち、プロセスマージンを十
分に取ることができる。

【００４４】次に、図２（Ｂ）に示すように、ゲイト絶
縁膜００９を５００〜４０００Å、本実施例ではプラズ
マＣＶＤ法により１２００Åの厚さに形成する。

【００４５】次にゲイト電極を構成するためのアルミニ
ウム膜を４０００Åの厚さにスパッタ法によって成膜す
る。

【００４６】アルミニウム膜を成膜したら、酒石酸を用
いて陽極酸化法によりアルミニウム膜の上に陽極酸化膜
を形成する。ここでは、陽極酸化膜の膜厚は１００Åと
する。この陽極酸化膜は、後の工程においてヒロックや
ウィスカの発生を抑制するために機能する。また、この
陽極酸化膜は、ゲイト電極から延在したゲイト線がその
上に配置される配線との間で上下間ショートを起こして
しまうことを防ぐ機能もある。

【００４７】なお、ヒロックやウィスカというのは、ア
ルミニウムの異常成長により発生する針状あるいは刺状
の突起物のことである。このヒロックやウィスカは、加
熱処理やレーザー光の照射、さらに不純物元素のドーピ
ングにおいて発生する。

【００４８】次に、レジストマスク０１７を配置する。
このレジストマスクは、ゲイト電極を形成するためのも
ので、図２（Ａ）、（Ｂ）からも判るように、コンタク
ト領域を形成する際に用いたレジストマスク０１３より
も幅の短いことを特徴としている。

【００４９】次に、レジストマスク０１７を利用してパ
ターニングを行う。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得
る。

【００５０】図２（Ｂ）に示す状態において、０１０が
Ｎ型ＩＧＦＥＴのゲイト電極である。０１６が該ゲイト
電極の上部に残存した陽極酸化膜である。

【００５１】次に、レジストマスク０１７を除去する。

【００５２】次に、再度の陽極酸化を行う。この工程
は、電解溶液としてシュウ酸を用いた陽極酸化法で、図
２（Ｃ）の０１１で示される多孔性の膜質を有する陽極
酸化膜が形成される。

【００５３】次に、図２（Ｃ）の０１２で示される陽極
酸化膜を形成する。この陽極酸化膜０１２は、電解溶液
として酒石酸を用いた陽極酸化を行うことにより、緻密
な膜質の陽極酸化膜となる。

【００５４】そして、再びリンイオンの注入を行う。こ
こでは、ゲイト絶縁膜が存在するため図２（Ａ）に示す
工程において添加されたドーズ量よりも高ドーズ量でも
ってリンを添加する。

【００５５】本実施例のこの工程では、次の条件でドー
ピングを行う。 ドーズ量 ５×１０¹⁴ｃｍ^-2 加速電圧 ８０ｋＶ ＲＦ電力 ２０Ｗ

【００５６】この工程は、ゲイト絶縁膜を通して不純物
を添加するスルードープのため、実質的に半導体層に添
加される不純物の量は、ゲイト絶縁膜の厚さにより減少
する。従って、この工程によって形成されるＮ⁺ 領域０
０６は、Ｎ⁺⁺領域よりも低濃度である。一般的には、こ
の工程によってＮ⁺ 領域００６のシート抵抗が数１００
Ω／□〜１０ｋΩ／□以下となるようにする。

【００５７】また、この工程は、スルードープで行って
いるため、ゲイト絶縁膜の膜厚によってそのドーズ量は
変化する。

【００５８】この工程において形成されたＮ⁺ 領域００
６は、Ｎ型ＩＧＦＥＴのソース／ドレインとして機能す
る領域となる。また、このＮ⁺ 領域００６の幅は、図２
（Ａ）の工程で用いたレジストマスク０１３と、図２
（Ｂ）の工程で用いたレジストマスク０１７との大きさ
の違いと、位置関係とによって決まる。

【００５９】次に、図２（Ｃ）で形成したゲイト電極の
陽極酸化膜において、外側に形成された多孔性の陽極酸
化膜０１１をエッチングする。

【００６０】このエッチングは、酢酸、硝酸、リン酸、
水を混合したエッチャントによって行う。このエッチャ
ントは、多孔性の陽極酸化膜０１１は浸食するが、緻密
な陽極酸化膜０１２は侵されず、残存する。

【００６１】次に、再びリンをドーピングする。この工
程では、前工程でエッチングされた陽極酸化膜の下の活
性層に低不純物領域を形成する条件で添加する。

【００６２】即ち、低不純物領域のシート抵抗が１０⁵
〜１０⁷ Ω／□となるようにドーピングを行う。

【００６３】本実施例では次の条件でドーピングを行
う。 ドーズ量 １．５×１０¹³ｃｍ^-2 加速電圧 ８０ｋＶ ＲＦ電力 ５Ｗ

【００６４】こうして図２（Ｄ）の００５で示される低
不純物領域が形成される。また、ゲイト電極によってリ
ンが添加されなかった半導体層が、チャネル領域００３
となる。

【００６５】この低不純物領域００５の幅は、多孔性の
陽極酸化膜０１１の膜厚によって決まる。低不純物領域
００５の幅は０．５〜２．０μｍ、本実施例では０．７
μｍとする。

【００６６】本実施例では、図示されていないが、図２
（Ｄ）に示される００３には、チャネル領域だけではな
くオフセット領域も形成されている。このオフセット領
域は陽極酸化膜０１２の膜厚を利用して、自己整合的に
形成される。

【００６７】このオフセット領域はチャネル領域とソー
ス領域との間、及びチャネル領域とドレイン領域とのあ
いだに配置された高抵抗領域として機能する。このオフ
セット領域はチャネル領域と同じ、Ｉ型の導電型を有し
ている。

【００６８】また、このオフセット領域はチャネル領域
への不純物の回り込みを防ぐマージンとしての効果も有
する。

【００６９】こうして図２（Ｄ）に示す状態を得たら、
不純物が添加された領域００５、００６、００７は、ド
ーピングにより非晶質となるので、活性化及び結晶化す
るためにレーザー光を照射する。このレーザー光の照射
は、 ・注入されたリンの活性化 ・リンのドーピングによって損傷（イオンの衝撃により
生じる）した部分のアニール といった作用を有している。

【００７０】このようにして形成されたＮ型ＩＧＦＥＴ
に、層間絶縁膜００８を形成する。本実施例では、層間
絶縁膜として窒化珪素を用いる。ここでは、層間絶縁膜
はプラズマＣＶＤを用いて３０００Åの厚さに形成す
る。

【００７１】そして、ソース／ドレイン領域のコンタク
ト領域００７にコンタクトホールを形成する。そして、
引出し電極０１４を形成する。コンタクト領域００７
は、高濃度にリンが添加されているので、電極０１４と
オーミックコンタクトを形成することができる。

【００７２】本実施例では、この電極として、チタン膜
とアルミニウム膜とチタン膜との３層膜をスパッタ法に
より成膜する。そしてこの金属膜（積層膜）をパターニ
ングすることにより０１４で示される電極を形成する。

【００７３】最後に３５０℃の水素雰囲気中において、
１時間の加熱処理を行い、半導体中の欠陥の終端を行
う。

【００７４】こうして図２（Ｅ）に示す状態を得る。こ
のＮ型ＩＧＦＥＴは、コンタクトを形成するために多量
にリンがドーピングされた領域００７が、チャネル領域
００３から離れて形成されているため、００７を形成す
る際に不純物が低不純物領域００５、或いはチャネル領
域００３まで回り込むことを防ぐことができる。

【００７５】同時に本実施例では、図２（Ａ）に示す工
程で、リンを添加する際に絶縁層や中間層を挟まないで
行うベアドープのため、中間層を通して添加を行うスル
ードープよりも短時間且つ低ドーズ量で形成することが
できる。

【００７６】従来レジストマスクを除去するために、硬
化した部分を酸素を用いてアッシングを行い、その後柔
らかい部分のレジストマスクを剥離液で除去していた
が、硬化したレジストマスクが厚いときは、保護してい
る下地膜にまで酸素プラズマによって損傷を与えること
があった。

【００７７】この硬化した部分は、ドーピングを行う際
にイオンの衝突により、レジストマスクが２００℃以上
の高温状態になり、さらに、不純物が高濃度添加される
ためにレジストマスクが硬化する。

【００７８】本実施例では、短時間で添加が終了するた
め、レジストマスクが２００℃以上の高温となる時間が
短く、さらに低濃度でドーピングが終了するため、レジ
ストマスクの硬化を緩和することができる。

【００７９】そのため本実施例では、レジストマスクの
硬化した部分が薄くなり、柔らかい部分が厚くなるため
アッシングする際のプロセスマージンを多く取ることが
でき、下地膜への影響を抑制できる。

【００８０】本実施例では、Ｎ型ＩＧＦＥＴの場合を示
したが、本発明の構成を採ることはＰ型ＩＧＦＥＴにお
いても有効である。

【００８１】本実施例では、プレーナ型のＩＧＦＥＴで
示したが、本発明の構成は逆プレーナ型、スタガ型、逆
スタガ型に用いても有効である。

【００８２】本実施例では、活性層に多結晶半導体を用
いたが、アモルファス、微結晶を有するアモルファス等
に用いることも適宜成しえる。

【００８３】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示す
工程を一部変更したものである。詳しくは、実施例１の
図２（Ａ）の工程を図３に変更したものである。

【００８４】まず、実施例１と同様の条件で、ガラス基
板００１の上に下地保護膜と非晶質珪素膜を形成する。
次に、非晶質珪素膜の上にマスク酸化珪素膜０１８を形
成する。

【００８５】このマスク酸化珪素膜０１８は、 ・イオン注入の衝突によって、半導体層表面が荒れるの
を保護する。 ・活性層にレジストマスクの不純物が拡散することを防
止する。 ・レジストマスクを剥離する際の酸素プラズマから活性
層を保護する。 ・レジストマスクを剥離する際、剥離液に活性層を曝さ
ない。 という効果がある。

【００８６】マスク酸化珪素膜を成膜する方法としては
プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、活性層の熱酸化による
成膜等から適宜選択できる。

【００８７】また、マスク酸化珪素膜をＣＶＤ法で成膜
する際に用いる原料ガスは、シランと酸化物気体、ＴＥ
ＯＳ、またはＴＥＯＳと酸化物気体との混合ガス等から
適宜選択できる。

【００８８】ここでいう酸化物気体とは、酸素、オゾ
ン、亜酸化窒素のように、活性化した酸素を供給するこ
とができる気体、又はそれらの混合気体をいう。本実施
例では、ＴＥＯＳと酸素を原料に用いたプラズマＣＶＤ
法によって１００〜１０００Å、本実施例では約５００
Åの厚さにマスク酸化珪素膜０１８を形成する。

【００８９】次に、実施例１と同様の条件で非晶質珪素
膜を結晶化し、パターニングを行い、レジストマスク０
１３を成膜する。

【００９０】そして、リンをドーピングする。このドー
ピングはソース／ドレイン領域のコンタクト領域を形成
するための条件で行われる。

【００９１】本実施例では、次の条件でドーピングを行
う。 ドーズ量 ５×１０¹⁴ｃｍ^-2 加速電圧 ８０ｋＶ ＲＦ電力 ２０Ｗ

【００９２】本実施例では、このリンを添加する工程
は、マスク酸化珪素膜０１８を通したスルードープで行
うため、実施例１に比べて高ドーズ量で行う。また、マ
スク酸化珪素膜０１８の膜厚により、上記条件は適宜変
化する。

【００９３】こうして、図３に示すように、リンが添加
されたソース／ドレイン領域のコンタクト領域００７
と、レジストマスク０１３によって不純物の添加されな
かった領域０１５が形成される。このソース／ドレイン
領域のコンタクト領域００７のシート抵抗は１ｋΩ／□
以下とする。

【００９４】次に、レジストマスク０１３を酸素を用い
たアッシング処理と、剥離液でのウェットエッチングで
除去した後に、マスク酸化珪素を除去する。

【００９５】残りの工程は、実施例１と同様の条件で行
う。

【００９６】本実施例では、半導体層０１５、特にチャ
ネル領域となる活性層に、レジストから不純物等の拡散
による汚染をマスク酸化珪素膜０１８によって抑制する
ことができる。

【００９７】また、不純物の添加の際、イオンの衝撃等
によって半導体層の表面が荒れるのを防止することがで
きる。従って、信頼性の高いＩＧＦＥＴを作製すること
ができる。

【００９８】〔実施例３〕本実施例は、実施例１をダブ
ルゲイト型のＮ型ＩＧＦＥＴに応用したものである。図
４にその工程を示す。

【００９９】まず、実施例１と同様の方法で、ガラス基
板００１の上に図示しない下地保護膜と島状の珪素半導
体層を形成する。次に、珪素半導体層の上にレジストマ
スク０１３をパターニングする。そして、実施例１の図
２（Ａ）の工程と同じ条件でリンの添加を行い、ソース
／ドレイン領域のコンタクト領域となる領域００７を形
成する。

【０１００】こうして、図４（Ａ）に示す状態を得た
ら、レジストマスク０１３を除去して、ゲイト絶縁膜０
０９を実施例１と同じ条件で形成する。

【０１０１】その後、実施例１と同様にアルミニウム膜
を全面に塗布し、その表面を陽極酸化する。そして、パ
ターニングを施して、ゲイト電極０１０、０１０’を形
成する。そして、実施例１と同様に、ゲイト電極１０、
０１０’を陽極酸化して多孔性の陽極酸化膜０１１と、
緻密な陽極酸化膜０１２を形成する。

【０１０２】そして、実施例１の図２（Ｃ）の工程と同
様の条件でリンをドーピングする。そして、図４（Ｂ）
に示すように、ソース／ドレインとして機能する領域０
０６、００６’、００６”を形成する。

【０１０３】次に、多孔性の陽極酸化膜０１１をエッチ
ングして、再び、実施例１の図２（Ｄ）の工程と同じ条
件でリンをドーピングする。

【０１０４】こうして、図４（Ｃ）に示すように、電極
０１０の下に形成されたチャネル領域００３と、チャネ
ル領域００３に隣接して形成された低不純物領域００５
とが形成される。同時に、電極０１０’の下に形成され
たチャネル領域００３’と、チャネル領域００３’に隣
接して形成された低不純物領域００５’とが形成され
る。

【０１０５】残りの工程も実施例１と同様の条件で行
う。こうして、層間絶縁膜００８と引出し電極０１４と
が形成され、図４（Ｄ）に示すように、ダブルゲイト型
のＮ型ＩＧＦＥＴが作製される。

【０１０６】このダブルゲイト型のＮ型ＩＧＦＥＴの半
導体層の構成は、各ゲイト電極０１０、０１０’の下に
形成されたチャネル領域００３、００３’と、各チャネ
ル領域に接して設けられた低不純物領域００５、００
５’と、ソース／ドレインとして機能する領域００６、
００６’、００６”と、ソース／ドレイン領域と電極と
のコンタクト領域００７とからなっている。

【０１０７】そして、二つのチャネル領域００３、００
３’に挟まれたソース／ドレインとして機能する領域０
０６’におけるリンの不純物濃度は、当然ながら、他の
ソース／ドレインとして機能する領域００６、００６”
の不純物濃度と概略等しく、ソース／ドレインと電極と
のコンタクト領域００７の不純物濃度よりも低い。

【０１０８】本実施例では、ダブルゲイト型を示した
が、ゲイト電極の数が二つ以上の電界効果トランジスタ
にも応用できる。

【０１０９】また、本実施例では、マスク酸化珪素膜を
用いずに作製したが、実施例２の如く、コンタクト領域
を形成するためのドーピングの前にマスク酸化珪素膜を
形成してもよい。

【０１１０】〔実施例４〕本実施例は、ＬＣＤモジュー
ルの周辺回路の薄膜トランジスタに応用したものであ
る。図５〜図９にその工程を示す。

【０１１１】本実施例では、ガラス基板上に画素マトリ
クス部と、該画素マトリクス部を駆動するための駆動回
路（バッファー回路）を構成するＰ及びＮチャネル型の
薄膜トランジスタを同時に作製する工程を示す。

【０１１２】本実施例では、薄膜トランジスタの形式と
してゲイト電極は活性層の上方に存在するトップゲイト
型のものを示す。

【０１１３】まず、実施例１と同様に、ガラス基板００
１上に図示しない下地膜と非晶質珪素膜を成膜する。そ
して、非晶質珪素膜の結晶化を行う。

【０１１４】次に、多結晶珪素膜にパターニングを施す
ことにより、図５（Ａ）の００２、００２’、００２”
で示すパターンを形成する。このパターンは、それぞれ
薄膜トランジスタの活性層となる。

【０１１５】即ち、００２が画素マトリクス部に配置さ
れる薄膜トランジスタの活性層であり、００２’がＮチ
ャネルドライバー部に配置される薄膜トランジスタの活
性層であり、００２”がＰチャネルドライバー部に配置
される薄膜トランジスタの活性層である。

【０１１６】次に図５（Ｂ）に示すようにレジストマス
ク０１３、０１３’、０１３”を配置する。そして、実
施例１の図２（Ａ）の工程と同様の条件でリンのドーピ
ングを行う。この工程で、Ｎチャネルドライバー部にソ
ース／ドレインと電極とのコンタクトを形成するための
Ｎ⁺⁺領域００７’が形成される。同時に、画素マトリク
ス部の活性層にソース／ドレイン領域００４を形成す
る。

【０１１７】そして、図５（Ｂ）に示すように、半導体
層上に形成されたレジストマスク０１３、０１３’、０
１３”により保護された真性な領域０１５、０１５’、
００２”が残存する。

【０１１８】このドーピング工程は、非自己整合プロセ
スで行われる。非自己整合プロセスにおいては、マスク
合わせ精度が重要となる。

【０１１９】このようにして、図５（Ｂ）に示す工程を
行ったら、レジストマスク０１３、０１３’０１３”を
除去する。

【０１２０】次に、新たなレジストマスク０１７、０１
７’、０１７”を、図５（Ｃ）に示すように配置する。

【０１２１】そして、Ｐチャネルドライバー部の活性層
にＰ⁺⁺領域を形成するためボロンを添加する。この工程
で、図５（Ｃ）の００７”で示すＰ⁺⁺型のソース／ドレ
イン領域と電極とのコンタクト領域が形成される。

【０１２２】また、レジストマスク０１７、０１７’に
よって保護されていた画素マトリクス部とＮチャネルド
ライバー部には、ボロンは添加されない。そして、レジ
ストマスク０１７、０１７’、０１７”を除去する。

【０１２３】次に、図６（Ａ）に示すように、ゲイト絶
縁膜００９を実施例１と同様に形成する。

【０１２４】次に、図６（Ｂ）に示すように、ゲイト電
極を構成するために、アルミニウム膜０１９を成膜す
る。そして、実施例１と同様にアルミニウム膜０１９
に、陽極酸化法により陽極酸化膜０１６を形成する。

【０１２５】次に、レジストマスク０２０、０２０’、
０２０”を配置する。このレジストマスクは、ゲイト電
極を形成するためのものである。このようにして、図６
（Ｂ）に示す状態を得る。

【０１２６】次に、レジストマスクを利用してパターニ
ングを行う。そして、レジストマスク０２０、０２
０’、０２０”を除去することにより、図６（Ｃ）に示
す状態を得る。

【０１２７】図６（Ｃ）に示す状態において、０１０が
画素マトリクス部の薄膜トランジスタのゲイト電極であ
る。０１６が該ゲイト電極の上部に残存した陽極酸化膜
である。

【０１２８】また、画素マトリクス部は、図５（Ｂ）の
工程で用いたレジストマスク０１３と、図６（Ｂ）で用
いたレジストマスク０２０との大きさの違いと位置関係
とによって決定されるオフセット領域０２２が形成され
る。

【０１２９】図示されていないが、ゲイト電極からはソ
ース線とともに格子状に配置されるゲイト線が延在す
る。

【０１３０】同様に、０１０’がＮチャネルドライバー
部の薄膜トランジスタのゲイト電極である。０１６’が
該ゲイト電極の上部に残存した陽極酸化膜である。

【０１３１】同様に、０１０”がＰチャネルドライバー
部の薄膜トランジスタのゲイト電極である。０１６”が
該ゲイト電極の上部に残存した陽極酸化膜である。

【０１３２】次に、図７（Ａ）に示すように、、再度レ
ジストマスク０２１を形成する。そして、実施例１と同
様に、再度の陽極酸化をゲイト電極０１０’、０１０”
に行う。この陽極酸化によって、図７（Ａ）の０１
１’、０１１”、０１２’、０１２”で示される陽極酸
化膜を形成する。ここで、内側に形成された陽極酸化膜
０１２’、０１２”は、緻密な膜質を有している。ま
た、外側に形成された陽極酸化膜０１１’、０１１”は
多孔性の膜質を有している。

【０１３３】本実施例では，レジストマスク０２１によ
って、画素マトリクス部には陽極酸化膜が形成されな
い。このレジストマスク０２１は、画素マトリクス部に
とって不必要な工程から保護するために形成されてい
る。

【０１３４】次に、Ｐチャネルドライバー部を覆ってレ
ジストマスク０２１”を形成する。そして、再びリンの
ドーピングを行う。ここでは、Ｎチャネルドライバー部
のソース／ドレインとして機能するＮ⁺ 領域を形成する
条件でリンを添加する。

【０１３５】この添加により図７（Ｂ）に示すように、
ソース／ドレインとして機能するＮ⁺ 領域００６’を形
成する。

【０１３６】次に、Ｎチャネルドライバー部のゲイト電
極０１０’の外側に形成された多孔性の陽極酸化膜０１
１’を実施例１と同様に除去する。そして、もう一度リ
ンを添加して、Ｎ^- 型の低不純物領域００５’を形成す
る。同時に、この工程でゲイト電極によって不純物が添
加されなかったチャネル領域００３’も同時に形成され
る。

【０１３７】このようにして、図７（Ｃ）に示すよう
に、Ｎチャネルドライバー部の半導体層にチャネル領域
から順に、Ｎ^- 型の低不純物領域００５’と、ソース／
ドレインとして機能するＮ⁺ 領域００６’と、電極との
コンタクトを形成するためのＮ⁺⁺領域００７とが形成さ
れる。

【０１３８】この工程で、画素マトリクス部とＰチャネ
ルドライバー部には、レジストマスク０２１、０２１”
が形成されているためリンは添加されない。

【０１３９】次に、Ｐチャネルドライバー部のレジスト
マスク０２１”を除去した後、Ｎチャネルドライバー部
に、新たにその全面を覆うレジストマスク０２１’を配
置する。そしてこの状態において、ボロンのドーピング
を行う。ここでは、Ｐチャネルドライバー部のソース／
ドレインとして機能するＰ⁺ 領域を形成するために不純
物を添加する。

【０１４０】こうして図８（Ａ）に示すように、Ｐチャ
ネルドライバー部にソース／ドレインとして機能するＰ
⁺ 領域００６”が形成される。

【０１４１】そして、ゲイト電極０１０”の側面に形成
されている、多孔質の陽極酸化膜０１１”を実施例１と
同様に除去する。そして、再びボロンのドーピングを行
う。この工程によって、図８（Ｂ）に示すようにＰ^- 型
の低不純物領域００５”と、ゲイト電極の下に形成され
たチャネル領域００３”とが形成される。

【０１４２】次に、レジストマスク０２１、０２１’を
除去し、再度のレーザー光の照射を行い注入された不純
物の活性化とドーピング時に生じた結晶構造の損傷のア
ニールとを行う。

【０１４３】本実施例に示す構成においては、Ｎチャネ
ルドライバー部とＰチャネルドライバー部のゲイト電極
の周囲に陽極酸化膜が形成されているので、その陽極酸
化膜の厚みに相当する活性層は、オフセット領域とな
る。

【０１４４】このオフセット領域は、チャネル領域とソ
ース領域との間、及びチャネル領域とドレイン領域との
間に配置された高抵抗領域として機能する。このオフセ
ット領域は、チャネル領域と同じ、真性または実質的に
真性な導電型を有している。そして、薄膜トランジスタ
の動作時においては、チャネルとしても機能せず、また
ソース／ドレイン領域としても機能しない高抵抗領域と
して機能する。

【０１４５】そして、実施例１と同様の条件で、層間絶
縁膜００８を成膜する。そして、コンタクトホールの形
成を行い、引出し電極を形成する。

【０１４６】こうして、図９に示す状態を得る。ここ
で、０１４は画素マトリクス部の薄膜トランジスタ（こ
こではＮチャネル型の薄膜トランジスタ）のソース／ド
レイン領域にコンタクトした電極である。

【０１４７】ここで、０１４’は、Ｎチャネルドライバ
ー部の薄膜トランジスタのソース／ドレインとして機能
する領域の延長にある、不純物が高濃度に添加されたＮ
⁺⁺領域とコンタクトした電極である。

【０１４８】ここで、０１４”は、Ｐチャネルドライバ
ー部の薄膜トランジスタのソース／ドレインとして機能
する領域の延長にある、不純物が高濃度に添加されたＰ
⁺⁺領域とコンタクトした電極である。

【０１４９】図示していないが、この後に第２の層間絶
縁膜を形成する。第２の層間絶縁膜は、ここでは再びＣ
ＶＤ法で形成した窒化珪素を用いた。そして、第３の層
間絶縁膜をポリイミドでもって形成する。ここでは、ス
ピンコート法でもって第３層間絶縁膜を形成する。

【０１５０】そして、ＩＴＯ膜を１０００Åの厚さにス
パッタ法で成膜し、これをパターニングすることにより
画素電極を形成する。

【０１５１】最後に３５０℃の水素雰囲気中において、
１時間の加熱処理を行い、半導体層中の欠陥の終端を行
う。

【０１５２】こうして、液晶パネルを構成するＴＦＴ基
板を形成させた。この後、液晶を配向させるためのラビ
ング膜や封止材を形成し、別に作製した対向基板と貼り
合わせる。そして、ＴＦＴ基板と配向基板との間に液晶
を充填させることにより、液晶パネルを完成させる。

【０１５３】本実施例に示す構成では、トップゲイト型
の構成を採っているが、本発明をボトムゲイト型の構成
に応用することも有効である。

【０１５４】また、本実施例では、マスク酸化珪素膜を
用いずに作製したが、実施例２の如く、コンタクト領域
を形成するためのドーピングの前にマスク酸化珪素膜を
形成してもよい。

【０１５５】〔実施例５〕本実施例は、１度のドーピン
グ工程で、ソース／ドレインとして機能する領域と、不
純物が高濃度に添加されたコンタクト領域とを同時に作
製する例の一つである。本実施例の作製工程を図１０に
示す。

【０１５６】実施例１と同様にして、ガラス基板００１
の上に島状の多結晶半導体層００２を形成する。その上
にゲイト絶縁膜００９を形成する。そして、ゲイト電極
を構成するためのアルミニウム膜０１９を形成して、そ
の表面を陽極酸化することによって陽極酸化膜０１６を
形成する。そして、陽極酸化膜の上に第１のレジストマ
スク０１３を配置する。

【０１５７】こうして、図１０（Ａ）に示す状態を得
る。この状態で１度目のパターニングを行う。このパタ
ーニング工程では、陽極酸化膜０１６とアルミニウム膜
０１９とゲイト絶縁膜００９をエッチングする。

【０１５８】そして、第２のレジストマスク０１７を配
置する。この第２のレジストマスク０１７は、第１のレ
ジストマスク０１３よりも狭い幅であることを特徴とし
ている。また、第２のレジストマスク０１７を配置する
のに、第１のレジストマスクをアッシングすることによ
り後退させて得ることは、非自己整合プロセスよりもマ
スク精度が良くなり有効である。

【０１５９】こうして、図１０（Ｂ）に示す状態を得た
ら、２度目のパターニングを行う。このパターニング工
程は、ゲイト絶縁膜はエッチングせずに残存させ、陽極
酸化膜とアルミニウム膜をエッチングする。

【０１６０】こうして、ゲイト電極が形成される。この
ゲイト電極に実施例１と同様の陽極酸化を行うことによ
って、図１０（Ｃ）に示されるゲイト電極０１０と、多
孔性の陽極酸化膜０１１と、緻密な膜質の陽極酸化膜０
１２を形成する。

【０１６１】この状態で、不純物のドーピングを行う。
このドーピングでは、半導体層中のゲイト絶縁膜に覆わ
れていない領域００７には、ベアードープで添加され
る。また、ゲイト絶縁膜に覆われている領域００６は、
ゲイト絶縁膜００９を介して注入されるスルードープで
あるため、添加される量は００７に比べて減少する。

【０１６２】即ち、不純物の添加量が減少した領域００
６は、ソース／ドレインとして機能する領域となり、高
濃度に添加された領域００７は、ソース／ドレイン領域
と電極とのコンタクト領域となる。

【０１６３】このドーピングのドーズ量は、ゲイト絶縁
膜を通したスルードープで、ソース／ドレインとして機
能する領域が形成される条件且つ、ベアドープによって
ソース／ドレイン領域と電極とのコンタクト領域が形成
される条件で行う。この条件はゲイト絶縁膜の厚さによ
っても変化する。本実施例では、ゲイト絶縁膜の厚さが
１０００Å、ドーズ量が５×１０¹⁴ｃｍ^-2の条件で行
う。

【０１６４】また、ソース／ドレインとして機能する領
域００６の幅は、第１のレジストマスク０１３と、第２
のレジストマスク１７との大きさの違いと位置関係とに
よって決まる。

【０１６５】こうして、図１０（Ｃ）に示す状態を得
る。その後、実施例１と同様に、ゲイト電極の側部に形
成されている多孔性の陽極酸化膜０１１を除去する。そ
して、再び不純物の添加を行い図１０（Ｄ）に示すよう
に、低不純物領域００５と、チャネル領域００３とを形
成する。

【０１６６】そして、層間絶縁膜００８を実施例１と同
じ条件で形成する。そして、コンタクトホールを形成
し、引出し電極０１４を形成して、図１０（Ｅ）に示す
ように、低不純物領域を持つ絶縁ゲイト型電界効果トラ
ンジスタを形成する。

【０１６７】本実施例では、ソース／ドレインとして機
能する領域００６と、ソース／ドレインと電極とのコン
タクト領域００７が一つの工程で作製できるため、歩留
りを上げることができる。

【０１６８】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
で、活性層中で、チャネル領域に近い範囲に形成された
ソース／ドレインとして機能する領域に添加する不純物
を少なくできるため、不純物の回り込みによるチャネル
領域の汚染を防ぐことができ、同一基板で作られたトラ
ンジスタの特性のばらつきを抑えることができる。

【０１６９】さらに、同一基板の面内均一性が必要な液
晶パネルに本発明の構成を用いることにより、信頼性の
高いパネルを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の構成と本発明の構成の絶縁ゲイト型ト
ランジスタの断面図。

【図２】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図３】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図４】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図５】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図６】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図７】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図８】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図９】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタの
作製方法を示す図。

【図１０】 発明を利用した絶縁ゲイト型トランジスタ
の作製方法を示す図。

【符号の説明】

００１ 基板 ００２、００２’、００２” 活性層 ００３、００３’、００３” チャネル領域 ００４ ソース／ドレイン領域 ００５、００５’、００５” 低不純物領域 ００６、００６’、００６” ソース／ドレインとし
て機能する領域 ００７、００７’、００７” コンタクト領域 ００８ 層間絶縁膜 ００９ ゲイト絶縁膜 ０１０、０１０’、０１０” ゲイト電極 ０１１、０１１’、０１１” 多孔性の陽極酸化膜 ０１２、０１２’、０１２” 緻密な陽極酸化膜 ０１３、０１３’、０１３” レジストマスク ０１４、０１４’、０１４” 引出し電極 ０１５、０１５’、０１５” Ｉ型層 ０１６、０１６’、０１６” 上部陽極酸化膜 ０１７、０１７’、０１７” レジストマスク ０１８ マスク酸化珪素膜 ０１９ アルミニウム膜 ０２０、０２０’、０２０” レジストマスク ０２１、０２１’、０２１” レジストマスク ０２２ オフセット領域

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにお
   いて、半導体層がチャネル領域と、低不純物領域と、ソ
   ース／ドレインとして機能する領域と、ソース／ドレイ
   ンと電極とのコンタクト領域とからなり、前記コンタク
   ト領域は、ソース／ドレインとして機能する領域よりも
   不純物濃度が高いことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効
   果トランジスタ。
2. 【請求項２】 半導体層の上に形成されたゲイト絶縁膜
   が、チャネル領域と低不純物領域とソース／ドレインと
   して機能する領域との上を覆っていて、ソース／ドレイ
   ンと電極とのコンタクト領域は覆われていないことを特
   徴とする絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ。
3. 【請求項３】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにお
   いて、半導体層がチャネル領域と、低不純物領域と、ソ
   ース／ドレインとして機能する領域と、ソース／ドレイ
   ンと電極とのコンタクト領域とからなり、前記コンタク
   ト領域のシート抵抗が１ｋΩ／□以下であることを特徴
   とする絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ。
4. 【請求項４】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにお
   いて、半導体層がチャネル領域と、低不純物領域と、ソ
   ース／ドレインとして機能する領域と、ソース／ドレイ
   ンと電極とのコンタクト領域とからなり、前記ソース／
   ドレインとして機能する領域のシート抵抗が１０ｋΩ／
   □以下であることを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果ト
   ランジスタ。
5. 【請求項５】 基板上に半導体層と、 該半導体層上にゲイト絶縁膜を介して形成された二つ以
   上のゲイト電極とを有する絶縁ゲイト型電界効果トラン
   ジスタにおいて、 前記半導体層が、各ゲイト電極の下に形成された複数個
   のチャネル領域と、チャネル領域に近接して設けられた
   ソース／ドレインとして機能する領域と、ソース／ドレ
   インと電極とのコンタクト領域とからなり、 隣接する二つのチャネル領域に挟まれた領域中の不純物
   濃度が、前記コンタクト領域よりも低いことを特徴とす
   る絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ
6. 【請求項６】 基板上に半導体層を形成する工程と、 該半導体層に高濃度に不純物を添加してソース／ドレイ
   ンと電極とのコンタクト領域を形成する工程と、 前記半導体層の上にゲイト絶縁膜を形成する工程と 該ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する工程と、 該ゲイト電極をマスクとして不純物を添加してソース／
   ドレインとして機能する領域を形成する工程と、 低不純物領域を形成する工程とからなることを特徴とす
   る絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法。
7. 【請求項７】 基板上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層にマスク酸化珪素膜を通して高濃度に不純
   物を添加してソース／ドレインと電極とのコンタクト領
   域を形成する工程と、 前記半導体層の上にゲイト絶縁膜を形成する工程と 該ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する工程と、 該ゲイト電極をマスクとして不純物を添加してソース／
   ドレインとして機する領域を形成する工程と、 低不純物領域を形成する工程とからなることを特徴とす
   る絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法。
8. 【請求項８】 基板上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層の上にゲイト絶縁膜を形成する工程と 該ゲイト絶縁膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、 該アルミニウム膜とゲイト絶縁膜をパターニングする工
   程と、 パターニングされたアルミニウム膜をゲイト電極にパタ
   ーニングする工程と、 不純物を添加する工程と、 低不純物領域を形成する工程とからなることを特徴とす
   る絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法。