JP4581368B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、及びこの有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器に関するものである。

近年、表示装置の分野では、薄型・軽量で視認性のよい有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）の研究開発が行なわれている。この有機ＥＬ装置は、発光層を陽極及び陰極によって挟持した発光素子を画像表示領域内に複数配置してなるものであり、このような発光素子の形成方法としては、従来、インクジェット技術を用いた方法が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。

この方法では、配線、スイッチング素子、画素電極等を形成した基板上に、各画素を仕切るためのバンク部を形成する。そして、このバンク部に囲まれた領域に機能材料を含むインク（液体材料）を吐出し、これを乾燥することで、画素電極上に正孔注入層や発光層等の機能層を形成する。そして、このように形成されたバンク部及び機能層の上に対向電極（陰極）を形成し、更に、酸素や水分の影響を遮断するために、乾燥剤等のゲッター材を入れて封止基板で封をする。
なお、このような有機ＥＬ装置では、通常、発光層から出た光は基板側から出射されるが、画素の開口率を向上させたり、駆動回路の自由度を確保したりするために、陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の開発が進められている。このトップエミッション構造の場合は乾燥剤を入れられないため、透明陰極形成後に透明封止薄膜を堆積させて、水分や酸素を遮断する。

しかし、上述の方法では、基板上にインク滴を吐出する際にインク滴の飛行曲がりによって着弾位置がずれ、インクの一部がバンクに掛かることがあった。このため、従来の有機ＥＬ装置では、上記バンクを有機材料で構成し、これをフッ素ガスプラズマ処理することで撥液化している。このような有機バンク層は、感光性樹脂を基板上に１μｍ〜２μｍ程度塗布し、これを露光・現像することによって形成される。
ＷＯ９９／４８３３９号公報 特開２００２−３７２９２１号公報

しかしながら、上述のように有機材料によってバンクを構成した場合には以下のような問題が生じる。
（１）有機バンク層の寸法や膜厚を厳密に制御できないため、バンクの厚さ、バンク開口部側面のテーパ角、開口部寸法のちょっとした違いによって、画素内に形成される正孔注入層や発光層の層厚が変動してしまい、画素間又はパネル間で均一な表示特性が得られない。
（２）感光性樹脂を露光・現像すると、樹脂表面に凹凸が形成され、この上に形成される陰極や透明封止薄膜にピンホール等の欠陥を生じやすくなる。このため、発光層内への水分や酸素の侵入を十分に遮断することができなくなり、パネルの短寿命化の原因となる。
（３）厚膜の有機バンク層からの脱ガスによって発光層や陰極が影響を受け、特性が劣化する。さらに、陰極と有機バンク層の密着力が低いために剥離してしまい、透明封止薄膜に欠陥が生じ、外部から侵入する水分や酸素の影響によって特性が劣化する。
（４）トップエミッション型パネルの場合、陰極側にＩＴＯ等の透明導電膜を使う必要があるが、このような透明導電膜はＡｌや銀等の金属に比べて比抵抗が大きい。このため、パネルを大型化した場合、パネル中央部での電圧降下が顕著になり、均一な映像を表示できない。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、信頼性が高く、均一な表示特性が得られる有機ＥＬ装置とその製造方法、及びこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ装置は、画像表示領域に複数の画素が配列して設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、各画素の画素電極を取り囲む位置に、前記画素電極間に配置された無機絶縁膜と、該無機絶縁膜上に設けられチオール化合物が自発的に化学吸着する金属薄膜と、該金属薄膜の表面のみに形成されたチオール官能基を有するフッ素含有硫黄化合物を含む撥液膜と、を積層してなるバンク部が設けられ、このバンク部によって囲まれた画素電極上の位置に発光層を含む機能層が配置されるとともに、上記バンク部及び機能層を覆うように対向電極が設けられたことを特徴とする。
ここで、硫黄化合物とは、硫黄（Ｓ）を含む有機物の中で、チオール官能基を１以上含む化合物又はジサルファイド結合（Ｓ−Ｓ結合）を行なう化合物の総称をいう。このような硫黄化合物は、溶液中又は揮発条件下で、金属（特に金，銀，銅，インジウムのいずれかを含む金属）の表面に自発的に化学吸着して、単分子膜又は累積膜からなる超薄膜を形成する。特に、チオール官能基を有する硫黄化合物は上述の金，銀，銅，インジウム等の金属に対して高い吸着性を有する。

本発明は、このような硫黄化合物の吸着反応を利用して画素境界部のみに撥液膜を選択的に配置するようにしたものである。本構成では、撥液膜の下地が無機薄膜（本例では無機絶縁膜と金属薄膜の積層膜）で構成されるため、フォトリソグラフィーによるパターン形成が可能になり、撥液膜を含めたバンク全体の寸法や膜厚を厳密に制御することができる。また、この無機膜上に配置される撥液膜が超薄膜からなるため、バンクの平坦性も十分に確保することができる。
したがって、本構成によれば、バンクの寸法バラツキに起因する機能層の膜厚変動を防止し、表示特性を均一化することができる。また、バンク表面が高い平坦性を有するため、この上に配置される対向電極（例えば陰極）および透明封止薄膜に欠陥が生じにくくなり、装置の耐水性や耐酸素性も高まる。

また、本構成では、バンク部に厚膜の有機材料を用いないので、脱ガスによるパネルの特性劣化は殆ど生じない。つまり、本構成では、有機材料である撥液膜が超薄膜からなるため、厚膜の有機バンク層を用いた従来のものに比べて、その脱ガスの影響は無視することができる。
さらに、本構成では金属薄膜と対向電極との間に配置される撥液膜が超薄膜からなるため、これらの間に一定の電気伝導が生じる。このため、本構成では上記金属薄膜を対向電極の補助電極として用いることができ、対向電極のシート抵抗を下げることができる。

なお、上記構成では、上記撥液膜は単分子膜からなることが好ましい。これにより、対向電極と金属薄膜との電気伝導性が一層高まり、金属薄膜の補助電極としての機能を十分に担保することができる。或いは、撥液膜に、金属薄膜と対向電極とを導通させるための開口部を設けてもよい。これによっても、同様の効果が期待できる。
また、上記バンク部は、各画素電極の形成位置に開口部を有する形で基板上に格子状に設けられることが望ましい。このように構成することで、例えばトップエミッション型パネルのように対向電極の比抵抗が大きくなった場合でも、パネル中央部での電圧降下を十分に抑えて均一な表示を実現することができる。また、電気抵抗が下がった分、消費電力も削減できる。

ところで、上記構成では、上記金属薄膜の端縁は上記無機絶縁膜の端縁よりも画素外周側に配置されることが望ましい。
対向電極―画素電極間に流れる電流の経路は、（１）機能層のみを経由するものと、（２）金属薄膜、撥液膜及び機能層を経由するものの２通りが存在し、電流は、これらの経路の内、より電気抵抗の小さい経路を流れる。このため、例えば無機絶縁膜と金属薄膜の端縁を面一に構成すると、電流はより電気抵抗の小さい（２）の経路に集中し、画素の外周部分だけが発光する異常発光やクロストーク等の表示不良が生じる恐れがある。これに対して、本構成のように金属薄膜の端縁を無機絶縁膜の端縁よりも画素外周側に配置すると、画素電極−金属薄膜間の電流経路が長く、即ち経路（２）の電気抵抗が大きくなるため、上述のような発光の偏りが解消される。このため、本構成によれば、画素全域を均一に発光させることができ、これにより、表示品質の向上及びパネルの長寿命化を図ることができる。なお、金属薄膜の端縁と無機絶縁膜の端縁との間隔は０．５μｍ程度離れていれば、上記効果を十分に得ることができる。

上述した本発明の有機ＥＬ装置は以下の方法により製造することができる。
すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、画像表示領域に複数の画素が配列して設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、各画素の画素電極を取り囲む位置に、無機絶縁膜と金属膜との積層膜を形成する工程と、化学吸着により上記金属薄膜の表面にフッ素含有硫黄化合物を含む撥液膜を選択的に形成する工程と、上記無機絶縁膜及び金属薄膜によって囲まれた画素電極上の位置に発光材料等を含む液体材料を配置することにより、該画素電極上に発光層を含む機能層を形成する工程と、上記機能層，無機絶縁膜，金属薄膜，撥液膜を覆うように基板全面に対向電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする。

本方法は、硫黄化合物が金属（特に金，銀，銅，インジウムのいずれかを含む金属の表面）に対して自発的に化学吸着する性質を利用して、撥液膜を所望の位置に選択的に形成するようにしたものである。このため、本方法によれば、前述した本発明の有機ＥＬ装置と同様の効果を得ることができる。すなわち、本方法によれば、撥液膜の下地が無機薄膜で構成されるため、有機バンク層を用いた従来の方法に比べて、バンク部の寸法や膜厚を厳密に制御することができる。このため、バンク内に形成される機能層の層厚変動を防止し、発光特性を均一化することができる。また、バンク表面が平坦化されることで、この上に形成される対向電極および透明封止薄膜に欠陥が生じにくくなり、装置の耐湿性，耐酸素性が高まる。
また、本方法では撥液膜が超薄膜として形成されるため、厚膜の有機バンク層を形成する従来の方法に比べて、脱ガスの影響を無視することができる。さらに、撥液膜が超薄膜として構成されることから、金属薄膜を対向電極の補助電極として用いることができ、これにより対向電極のシート抵抗を小さくすることができる。

上記方法では、上記フッ素含有硫黄化合物はチオール官能基を有することが望ましい。チオール官能基は金属に対して特に高い吸着性を有するため、金属薄膜の形成された領域に対して撥液膜を確実に形成することが可能となる。
また、上記撥液膜の形成工程前に、基板表面に酸素プラズマ処理等を施すことで、上記画素電極の表面を親液化することが望ましい。これにより、液体材料を画素電極上に配置する際の濡れ性が高まり、画素電極上に機能層を均一に形成することが可能となる。

また、本発明の電子機器は、上述の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。これにより、表示品質が高く信頼性の高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。

以下、図１〜図１２を参照しながら、本発明の有機ＥＬ装置とその製造方法、並びに電子機器に係る実施の形態を説明する。なお、図１〜図１２において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表している。
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す図であり、図２（ａ）は同平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

この有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１、…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２、…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３、…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。

この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。

この有機ＥＬ装置１は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、透明な基板２と、この基板２上に形成されマトリックス状に配置された発光素子を備えた発光素子部１１とを具備している。この発光素子は、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により構成されている。
基板２は、例えば、可視光に対して透明なガラス等により構成され、この基板２の表面は、中央に位置する略矩形状の画像表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、この表示領域２ａの外側に形成される非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー領域２ｄが形成されている。

また、図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板２の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が陰極用配線１２ａに接続しており、この陰極用配線１２ａの一端部が基板２の一端部に設けられたフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）６に接続されている。

また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また図２（ａ）中、表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に図２（ａ）中、表示領域２ａの上側には検査回路１０６が配置されている。

また、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、図２（ｂ）に示すように、基板２の周囲に環状に形成された封止樹脂６０３と、この封止樹脂６０３上に設けられた封止缶６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂等から構成されたもので、特に、熱硬化型あるいは紫外線硬化型のエポキシ樹脂が好適に用いられる。
封止樹脂６０３は、例えば、液状もしくは粘性のある熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂をマイクロディスペンサ等により塗布し、その後、ホットプレート等を用いて加熱あるいは紫外線ランプ等による紫外線照射により硬化させたものである。

封止缶６０４は、ガラス，プラスチック，金属等からなり、封止樹脂６０３を介して基板２に接合されている。この封止缶６０４の内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが形成されている。この凹部６０４ａには、水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、封止缶６０４の内部に侵入した水、あるいは酸素等のガスを吸収できるようになっている。
これら封止樹脂６０３及び封止缶６０４により、基板２と封止缶６０４の間から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防ぎ、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化や劣化を防止している。

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の表示領域について更に詳しく説明する。
図３は、この有機ＥＬ装置１の表示領域を示す拡大断面図であり、この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。
この有機ＥＬ表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０とを有する発光素子を備えた発光素子部１１が順次積層されて構成されている。

この有機ＥＬ装置１においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光は陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２に透明な材料を用いることにより、発光する光を陰極１２側から出射させることができる。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等を用いる事ができる。

発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成され、この機能層１１０上には陰極１２が配置され、これら画素電極１１１、機能層１１０、バンク部１１２及び陰極１２によって発光素子部１１が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えば機能層に対して正孔を注入するための陽極として機能するものである。この画素電極１１１にはＩＴＯ等の透明導電膜を使用するのが一般的である。

バンク部１１２は、図３に示すように、表層絶縁膜（無機絶縁膜）１１２ａ，金属薄膜１１２ｂ，撥液膜１１２ｔが下層側から順に積層された構造を有する。すなわち、画素電極１１１の上には無機材料からなる表層絶縁膜１１２ａが堆積され、画素となる開口部１１２ｃが形成されている。そして、この表層絶縁膜１１２ａの上には、その開口部１１２ｃよりも開口面積の広い開口部１１２ｄを有する金属薄膜１１２ｂが積層され、この金属薄膜の表面を覆う形で撥液膜１１２ｔが設けられている。

表層絶縁膜１１２ａは、その周縁部１１２ｃが画素電極１１１の周縁部の上に乗り上げるように形成されている。平面的には、表層絶縁膜１１２ａの開口部１１２ｃは画素電極１１１の端縁よりも画素中央側に配置されており、画素電極１１１の周囲と表層絶縁膜１１２ａの周囲とが一部平面的に重なるように配置された構造となっている。金属薄膜１１２ｂの開口部１１２ｄは表層絶縁膜１１２ａの開口部１１２ｃよりも広くなっており、金属薄膜１１２ｂの周縁部は表層絶縁膜１１２ａの周縁部よりも画素外周側（即ち、画素中央部から離れた位置）に配置されている。この表層絶縁膜の周縁部と金属薄膜の周縁部とは０．５μｍ以上離れている。

表層絶縁膜１１２ａには、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等、後述の正孔注入／輸送層形成材料や発光層形成材料を溶解した液体材料（第１組成物滴、第２組成物滴）に対して親液性の高い材料が好適に用いられる。この表層絶縁膜１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。その理由は、膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層の厚みより薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるからであり、また、膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるからである。

金属薄膜１１２ｂには、金，銀、銅，インジウム等の撥液膜１１２ｔとの親和性の高い金属材料が好適に用いられる。なお、金属薄膜１１２ｂと表層絶縁膜１１２ａとの密着性が低い場合には、密着性を改善するために、金属薄膜１１２ｂをクロム／金、チタン／金、チタン／銅等のように積層構造としてもよい。

撥液膜１１２ｔは、フッ素含有硫黄化合物を含む有機薄膜からなる。ここで、フッ素含有硫黄化合物とは、硫黄原子とフッ素原子を含有している有機物の中で、チオール官能基を１以上含む化合物又はジサルファイド結合（ｄｉｓｕｌｆｉｄｅ結合；Ｓ−Ｓ結合）を行なう化合物の総称をいう。このような硫黄化合物は、溶液中又は揮発条件下で、金属（特に金，銀，銅，インジウムのいずれかを含む金属）の表面に自発的に化学吸着して、単分子膜又は累積膜からなる超薄膜を形成する。

このような硫黄化合物としては、特に金属との間で良好な密着性が得られることから、チオール化合物が好ましい。ここで、チオール化合物とは、メルカプト基（−ＳＨ）を持つ有機化合物（Ｒ−ＳＨ；Ｒはアルキル基等の炭化水素基）の総称をいう。チオール化合物の中でも、Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１Ｃ_ｍＨ_２ｍＳＨ（ｎ，ｍは自然数）という組成式で表わされる化合物が特に好ましい。例えば、ｎ：１１、ｍ：１０の場合が挙げられる。このチオール化合物の分子は、直鎖構造をなしており、金等の金属と分子中の硫黄原子Ｓが化学的に結合することで、チオール膜表面にはフッ素原子Ｆが高い密度で現れる。これにより、チオール膜の表面が撥液性（撥水性）を発現する。

機能層１１０は、画素電極側から順に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとから構成されている。なお、機能層を形成する層はこの２種類に限らず、他の機能層を更に形成しても良い。例えば、電子注入層や電子輸送層を形成しても良いし、正孔注入層と正孔輸送層を別の層とする事も可能である。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を該正孔注入／輸送層１１０ａ内において輸送し、かつ、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有する。この正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に共役系高分子である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を好適に用いることができる。
なお、この正孔注入／輸送層１１０ａはその厚みが５０ｎｍ程度とされている。

発光層１１０ｂを構成する発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等が好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料、あるいは、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。

この発光層１１０ｂは、その厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。また、発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3の３種類を有している。

陰極１２は、図２に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
この陰極１２は、Ａｌ等の高導電性の不透明な材料を用いることができる。或いは、Ｃａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、さらにその上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極としてもよい。また、この構造では、陰極１２によって、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させることで光の取り出し効率を高めることができるため、これを構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光の反射率が高い高反射率材料を好適に用いることができる。
陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度の厚みが好適である。

この発光素子上には、ゲッター材６０５を形成した封止缶６０４が配置されている。封止缶６０４は封止樹脂６０３により接着されて有機ＥＬ装置１を形成している。

一方、トップエミッション型パネルの場合は、次のように構造が変更される。
まず画素電極１１１の下層側に、平坦化絶縁膜が形成される。添付図面では画素電極１１１直下の基板表面が平坦に表されているが、実際には配線や素子による凹凸がある。この凹凸をならして、画素電極表面を平坦にするために平坦化絶縁膜を形成する。平坦化絶縁膜としては、感光性を有するアクリル樹脂やポリイミド樹脂が一般的に用いられる。
また画素電極１１１は隣接する画素電極と短絡せず、後述する正孔注入／輸送層形成工程、発光層形成工程で画素ごとに塗り分け可能な範囲で、できるだけ面積を大きく取れるように配置される。画素電極１１１は必ずしも透明である必要はないため、クロム，金，白金，タングステン等の金属を用いたり、アルミニウム／ＩＴＯ，チタン／ＩＴＯ等の金属と透明導電膜との２層構造としてもよい。

また陰極１２は、光透過性を有しなければならないため、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を用い、さらに導電性を付与するためにＩＴＯを積層するといった構造が好適に採用される。

またトップエミッション型パネルの場合は陰極側に光を取り出すため、図２（ｂ）のようにゲッター材６０５を設けられず、水分および酸素の影響を無視できない。そこで陰極１２上に透明封止薄膜が形成される。透明封止薄膜としては、酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素のような無機材料や、アクリル、ポリイミドのような有機材料を、単独あるいは複数組み合わせて使用される。
また封止缶６０４は光透過性を要求されるため、透明なガラスまたはプラスチック、フィルムが使用される。ボトムエミッションのようにゲッター材を使用する必要がないので、掘り込みは不要である。封止樹脂６０３は表示領域にまで塗布され、封止缶６０４を全面で基板２と接着するいわゆるベタ封止で貼り合わされる。

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)正孔注入／輸送層形成工程、(3)発光層形成工程、(4)陰極形成工程、(5)封止工程の計５工程により構成されている。
なお、これらの工程は、既知の方法で基板表面に回路素子部１４を形成した後に行なわれる。すなわち、これらの工程の前段階として、基板２に下地保護層，シリコン層，ゲート酸化膜，ゲート電極，信号線，層間絶縁膜，走査線，電源線、画素電極等を形成し、発光素子部１１を駆動するためのＴＦＴアレイ基板を作製する。トップエミッション型パネルの場合は、画素電極形成前に平坦化絶縁膜も形成する。
この際、同時に、ドライバ回路や検査回路等も作りこむ。そして、このように回路素子部１４が形成された基板２に対して、上述の工程(1)〜(5)を行なう。なお、この製造方法は、本実施形態に限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。

(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程は、基板２の所定の位置に、下層側から表層絶縁膜１１２ａ，金属薄膜１１２ｂ，撥液膜１１２ｔが積層されたバンク部１１２を形成する工程である。以下に形成方法について説明する。

(1)-1表層絶縁膜及び金属薄膜の形成
ここでは、まず、図４に示すように、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料を、ＣＶＤ法やスパッタ法等の蒸着法により、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上の全面に成膜する。ここで、無機絶縁材料の膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。これにより、基板２上に表層絶縁膜１１２ａとなる無機絶縁膜１１２ａが形成される。
続いて、この無機絶縁膜１１２ａの上に、ＣＶＤ法やスパッタ法等の蒸着法により、金属材料を成膜する。この金属材料としては、金，銀，銅，インジウム等を好適に用いることができる。本実施形態では、例えばチタン／金を３０ｎｍ／１００ｎｍの厚さで形成する。これにより、無機絶縁膜上に金属薄膜１１２ｂとなる薄膜が形成される。

次に、フォトリソグラフィ法によって金属薄膜を開口する。この際、金属薄膜の開口部１１２ｄは各画素電極１１１の形成領域内に形成し、この金属薄膜の周縁部が画素電極１１１の周縁の一部と重なるようにする。
続いて、この金属薄膜の開口部１１２ｄ内に位置する無機絶縁膜を開口し、画素電極１１１の電極面１１１ａを露出させる。この際、無機絶縁膜の開口部１１２ｃの開口面積を、上記金属薄膜の開口部１１２ｄのものより小さくする。具体的には、無機絶縁膜の周縁部と金属薄膜の周縁部の間隔が０．５μｍ以上となるようにする。
以上により、画素電極１１１上に表層絶縁膜１１２ａ及び金属薄膜１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される（図５参照）。

(1)-2親液化工程
次に、基板表面に酸素プラズマ処理又はＵＶ／オゾン処理を施す。この工程は、画素電極１１１，表層絶縁膜１１２ａ，金属薄膜１１２ｂの表面を親液化するとともに、画素電極１１１を構成する材料であるＩＴＯの表面洗浄、更に仕事関数の調整を目的として行われる。
この酸素プラズマ処理又はＵＶ／オゾン処理によって、画素電極１１１の電極面１１１ａ、表層絶縁膜１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び金属薄膜１１２ｂの上部開口部１１２ｄの側面ならびに上面１１２ｆに水酸基が導入され、これらの各面が親液化される。

(1)-3撥液膜形成工程
次に、金属薄膜１１２ｂの表面にフッ素含有硫黄化合物からなる撥液膜を形成する。
このフッ素含有硫黄化合物としては、チオール（メルカプト基（−ＳＨ）を持つ有機化合物（Ｒ〜ＳＨ；Ｒはアルキル基等の炭化水素基）の総称）が適しており、このチオール化合物の中でも、Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１Ｃ_ｍＨ_２ｍＳＨ（ｎ，ｍは自然数）という組成式で表わされる化合物が特に好ましい。例えばｎ＝１１，ｍ＝１０の場合が挙げられる。このチオール化合物の分子は直鎖構造をなしており、金と分子中の硫黄原子Ｓが化学的に結合するため、チオール膜表面にはフッ素原子Ｆが高い密度で現れる。そして、このフッ素の物性によりチオール膜の表面が撥液性を発現する。

本工程では、このようなフッ素含有硫黄化合物をエタノールやイソプロピルアルコール等に１〜１０ｍＭの濃度で溶解させ、酸素プラズマ処理したパネル基板を浸漬する。浸漬条件は、室温で３０分〜６０分である。その後、イソプロピルアルコールでリンスして乾燥させる。この工程によって、金属薄膜１１２ｂの表面および側面には、上記硫黄化合物の単分子膜が選択的に形成され、この金属薄膜表面は撥液性を示す。図６は撥液膜１１２ｔを形成した後の状態を示す図である。なお、金属薄膜１１２ｂ形成領域以外の領域、即ち、画素電極表面、表層絶縁膜表面等にはフッ素含有硫黄化合物が結合しないため、これらの領域では親液性が維持される。

(2)正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程として、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴を吐出する方法として例えばインクジェット法により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。

この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、開口部１１２ｃ内にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。

ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）等の混合物を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ｎ−ブチルアルコール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコール類等を挙げることができる。上記の材料をインクジェットプロセスに適した組成で混合し、使用可能である。

なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。

図７に示すように、インクジェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２から吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。同時に、開口部１１２ｇ内に充填された第１組成物の液滴１１０ｃは、隣接する開口部（画素）に濡れ広がろうとする傾向があるが、撥液膜１１２ｔによって開口部１１２ｇ内に閉じ込められる。また、吐出された第１組成物の液滴１１０ｃの飛行方向がずれてしまい、液滴の一部が金属薄膜１１２ｂ上にかかったとしても、撥液膜１１２ｔによって弾かれ、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。

次いで、図８に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥工程は、真空乾燥、加熱乾燥、その他の既知の乾燥方法を単独または併用することによって行なわれる。

(4)発光層形成工程
この発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程および乾燥工程により構成される。
まず、発光層形成材料吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に、乾燥処理して正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図９に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図９に示すように、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。

吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。

発光層形成材料としては、（ポリ）フルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。

非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

図９に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。開口部１１２ｇ内に充填された第２組成物の液滴１１０ｅは、隣接する開口部（画素）に濡れ広がろうとする傾向があるが、撥液膜１１２ｔによって開口部１１２ｇ内に閉じ込められる。また、吐出された第２組成物の液滴１１０ｅの飛行方向がずれてしまい、液滴の一部が金属薄膜１１２ｂ上にかかったとしても、撥液膜１１２ｔによって弾かれ、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。

各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。

次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図１０に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が形成される。乾燥処理は、真空乾燥、加熱乾燥、その他の既知の乾燥方法を単独または併用することによって行なわれる。

続けて、図１１に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
また乾燥処理は上述のように、インクジェットプロセスを行なった直後に行なっても良いが、ＲＧＢに対応した第２組成物滴を全て配置した後にまとめて行なっても良い。

(5)陰極形成工程
陰極形成工程は、図１２に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク部１１２の全面に陰極１２を形成する。
陰極１２は、Ａｌ等の単層膜としてもよいが、ＥＬ素子を効率よく発光させるために、電子注入層と導電層のような積層構造を採用してもよい。この場合、発光層に近い側にＣａ、Ｂａ等の仕事関数が小さい材料からなる電子注入層を形成した構成とすることが好ましい。また、発光材料によっては、ＣａやＢａの発光層側にＬｉＦ等からなる薄層を形成してもよい。
またトップエミッションタイプの場合は、発光層１１０ｂからの光を陰極１２側から取り出すので、陰極１２は透明でなければならない。電子注入層としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜を用いることができる。導電層としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いるのが一般的である。

電子注入層および導電層の成膜方法は、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法など、既知の成膜方法から適切な方法を選択すればよい。この陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。この陰極１２の形成では、前記正孔注入／輸送層１１０ａや発光層１１０ｂの形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うため、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、基板のほぼ全面に形成材料が設けられることになる。

なお、トップエミッションタイプの場合は、発光層１１０ｂからの光を陰極１２側から取り出すので、ゲッター材６０５を設置できない。そのため、陰極１２上に酸素や水分の影響を遮断するために、ＳｉＯ₂やＳｉ₃Ｎ₄等の無機材料と、アクリル、エポキシ、ポリイミド、ビスベンゾシクロブテン等の有機材料からなる単層膜またはこれらを組み合わせた積層膜を保護層として設けても良い。この場合、保護層は陰極１２よりも広い面積に形成され、陰極１２を完全に覆う必要がある。

(6)封止工程
封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止缶６０４とを封止樹脂６０３により封止する工程である。封止缶６０４の中には、ゲッター材６０５を設けておく。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化される恐れがあるので好ましくない。
なお、トップエミッションタイプの場合は、（堀込などがなく）平坦で透明なガラス基板やプラスチック基板の全面に透明な接着剤を塗布して基板２に貼り合わせる、いわゆるベタ封止によって封止を行なう。
その後、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１が得られる。

以上説明したように、本実施形態は、硫黄化合物の金属に対する吸着反応を利用して非画素領域のみに撥液膜を選択的に配置するようにしたものである。本実施形態では、撥液膜の下地が無機膜（本例では表層絶縁膜１１２ａと金属薄膜１１２ｂの積層膜）で構成されるため、この無機膜を蒸着やスパッタ等の方法により成膜し、フォトリソグラフィーによってパターンを形成することで、撥液膜１１２ｔを含めたバンク全体の寸法や膜厚を厳密に制御することができる。また、この無機膜上に配置される撥液膜１１２ｔが超薄膜からなるため、バンクの平坦性も十分に確保することができる。

したがって、本実施形態によれば、バンクの寸法バラツキに起因する機能層の膜厚変動を防止し、画素間及びパネル間において表示特性を均一化することができる。また、バンク表面が高い平坦性を有するため、この上に配置される陰極１２に欠陥が生じにくくなり、装置の耐水性や耐酸素性も高まる。同じくトップエミッションタイプの場合も、バンク表面が高い平坦性を有するため、この上に配置される陰極１２および保護層に欠陥が生じにくくなり、装置の耐水性や耐酸素性も高まる。
また、本実施形態では、バンク部１１２に厚膜の有機材料を用いないので、脱ガスによるパネルの特性劣化は殆ど生じない。つまり、本実施形態では、有機材料である撥液膜１１２ｔが超薄膜（例えば単分子膜）からなるため、厚膜の有機バンク層を用いた従来のものに比べて、その脱ガスの影響は極めて小さくなる。同時に、陰極１２とバンク部１１２の密着性も改善され、陰極１２および保護層に欠陥が生じにくくなり、装置の耐水性や耐酸素性も高まる。

さらに、本実施形態では金属薄膜１１２ｂと陰極１２との間に配置される撥液膜１１２ｔが超薄膜からなるため、これらの間に一定の電気伝導が生じる。特に、本例では撥液膜１１２ｔを単分子膜としたため、この金属薄膜１１２ｂ−陰極１２間の電気抵抗は最も小さくなる。このため、本実施形態では上記金属薄膜１１２ｂを陰極１２の補助電極として用いることができ、これにより、陰極１２のシート抵抗を下げることができる。このような効果は大型のトップエミッションパネルにおいて顕著に現れる。つまり、トップエミッション型のパネルでは、陰極１２側に導電性の低いＩＴＯ膜を用いるため、パネルを大型化した場合にはパネル中央部での電圧降下が大きくなるが、本実施形態のように補助電極としての金属薄膜１１２ｂを陰極１２に格子状に設けたのと同じ構造の場合には、このような電圧降下を十分に抑制することができる。

また、本実施形態では、金属薄膜１１２ｂの端縁が表層絶縁膜１１２ａの端縁よりも画素外周側に配置されているため、バンク部１１２近傍（即ち、金属薄膜１１２ｂ近傍）にのみ発光が集中することを防止し、画素全域を均一に発光させることができる。
つまり、陰極１２―画素電極１１１間に流れる電流の経路は、（１）機能層１１０のみを経由するものと、（２）金属薄膜１１２ｂ、撥液膜１１２ｔ及び機能層１１０を経由するものの２通りが存在し、電流は、これらの経路の内、より電気抵抗の小さい経路を流れる。このため、例えば表層絶縁膜１１２ａと金属薄膜１１２ｂの端縁を面一に構成すると、電流は、より電気抵抗の小さい（２）の経路に集中し、画素Ａの外周部分だけが発光する異常発光やクロストーク等の表示不良が生じる恐れがある。これに対して、本実施形態のように金属薄膜１１２ｂの端縁を表層絶縁膜１１２ａの端縁よりも画素外周側に配置すると、画素電極１１１−金属薄膜１１２ｂ間の電流経路が長く、即ち、経路（２）の電気抵抗が大きくなるため、上述のような発光の偏りが解消される。このため、本実施形態によれば、画素全域を均一に発光させることができ、これにより、表示品質の向上及びパネルの長寿命化を図ることができる。なお、金属薄膜１１２ｂの端縁と表層絶縁膜１１２ａの端縁との間隔は０．５μｍ程度離れていれば、上記効果を十分に得ることができる。

［電子機器］
以下、上述の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１３は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０２は前記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部、符号７０３は情報処理装置本体を示している。

図１３に示す電子機器は、前記実施形態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、高輝度で信頼性の高い電子機器となる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、金属薄膜１１２ｂ−陰極１２間の電気抵抗を小さくするために、これらの間に配置される撥液膜１１２ｔを単分子膜としたが、撥液膜１１２ｔに、金属薄膜１１２ｂと陰極１２とを導通させるための開口部を形成して、陰極１２−金属薄膜１１２ｂ間を直接導通させてもよい。この場合、撥液膜１１２ｔは必ずしも単分子膜やる累積膜である必要はなく、例えば撥液膜１１２ｔを高分子膜とすることも可能である。
また、上記実施形態では、本発明の有機ＥＬ装置を表示装置とした例を示したが、本発明はそれ以外の用途、例えば、液晶表示装置の光源用の有機ＥＬ装置や、光書き込み型のレーザープリンタ及び光通信に用いる光源等にも適用可能である。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。 同、有機ＥＬ装置を示す図であって、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 同、有機ＥＬ装置の要部を示す断面図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。

符号の説明

１・・・有機エレクトロルミネッセンス装置、２・・・基板、２ａ・・・画像表示領域、１２・・・陰極（対向電極）、１１０・・・機能層、１１０ｂ・・・発光層、１１０ｃ，１１０ｅ・・・組成物滴（液体材料）、１１１・・・画素電極、１１２・・・バンク部、１１２ａ・・・表層絶縁膜（無機絶縁膜）、１１２ｂ・・・金属薄膜、１１２ｔ・・・撥液膜、７００・・・電子機器、Ａ・・・画素

Claims (12)

1. 画像表示領域に複数の画素が配列して設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
   基板と、
   前記画素毎に設けられる画素電極と、
   前記画素電極に接続されるトランジスタと、
   前記画素電極を取り囲む位置に、前記画素電極間に配置され、その周縁部が前記画素電極の周縁部の上に乗り上げるように形成された無機絶縁膜と、該無機絶縁膜上に設けられるとともに前記無機絶縁膜の周縁部よりも画素外周側に配置されチオール化合物が自発的に化学吸着する金属薄膜と、該金属薄膜の表面のみに形成されたチオール官能基を有するフッ素含有硫黄化合物を含む有機材料の単分子膜からなる撥液膜と、を積層してなるバンク部と、
   前記無機絶縁膜によって囲まれた前記画素電極の表面に形成された正孔注入／輸送層と、当該正孔注入／輸送層と前記無機絶縁膜の周縁部上に形成された発光層と、を含んで配置される機能層と、
   上記バンク部及び機能層を覆うように前記基板の全面に設けられる対向電極と、を有し、
   前記機能層のうち前記発光層のみが前記撥液膜に接触しており、
   前記トランジスタ上に前記バンク部が形成されていることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。
2. 上記バンク部が、各画素の形成位置に開口部を有する形で基板上に格子状に設けられ、
   無機絶縁膜の開口部の開口面積が上記金属薄膜の開口部のものよりも小さいことを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
3. 前記金属薄膜の開口部は前記画素電極の形成領域内に形成され、前記金属薄膜の周縁部が前記画素電極の周縁の一部と重なることを特徴とする、請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
4. 上記金属薄膜が、金，銀，銅，インジウムのいずれかを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
5. 上記撥液膜に、上記金属薄膜と対向電極とを導通させるための開口部が設けられたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
6. 画像表示領域に複数の画素が配列して設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   基板上にトランジスタを含む回路素子部を形成する工程と、
   各画素の画素電極を取り囲む位置に、前記画素電極間に配置され、その周縁部が前記画素電極の周縁部の上に乗り上げるように形成された無機絶縁膜と、該無機絶縁膜上に設けられるとともに前記無機絶縁膜の周縁部よりも画素外周側に配置されチオール化合物が自発的に化学吸着する金属薄膜との積層膜からなるバンク部を形成する工程と、
   化学吸着により、上記金属薄膜の表面のみにチオール官能基を有するフッ素含有硫黄化合物を含む有機材料の単分子膜からなる撥液膜を選択的に形成する工程と、
   上記無機絶縁膜及び金属薄膜によって囲まれた画素電極の表面に正孔注入／輸送材料を含む液体材料と発光材料を含む液体材料とを順に配置することにより、該画素電極上に形成される正孔注入／輸送層と、当該正孔注入／輸送層と前記無機絶縁膜の周縁部上に形成される発光層と、を含む機能層を形成する工程と、
   上記機能層，無機絶縁膜，金属薄膜，撥液膜を覆うように基板全面に対向電極を形成する工程と、を備え、
   前記機能層のうち前記発光層のみを前記撥液膜に接触させ、
   前記トランジスタ上に前記バンク部を形成することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 上記バンク部を、各画素の形成位置に開口部を有する形で基板上に格子状に形成し、
   無機絶縁膜の開口部の開口面積を上記金属薄膜の開口部のものよりも小さく形成することを特徴とする、請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記金属薄膜の開口部は各画素電極の形成領域内に形成し、前記金属薄膜の周縁部が画素電極の周縁の一部と重なるようにすることを特徴とする、請求項６又は７記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 上記フッ素含有硫黄化合物がチオール官能基を有することを特徴とする、請求項６〜８のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
10. 上記金属薄膜が、金，銀，銅，インジウムのいずれかを含むことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
11. 上記撥液膜の形成工程前に、上記画素電極の表面を親液化する工程を含むことを特徴とする、請求項６〜１０のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
12. 請求項１〜５のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。

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