JP4244771B2 - フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 - Google Patents
フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4244771B2 JP4244771B2 JP2003346831A JP2003346831A JP4244771B2 JP 4244771 B2 JP4244771 B2 JP 4244771B2 JP 2003346831 A JP2003346831 A JP 2003346831A JP 2003346831 A JP2003346831 A JP 2003346831A JP 4244771 B2 JP4244771 B2 JP 4244771B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- focus
- space
- line
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 36
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
そして、フォーカスがずれたときのラインパターンのパターン傾斜量ΔLをベストフォーカス値Fo(パターン露光時における最適なフォーカス値)で露光を行ったときのラインパターンのパターン傾斜量ΔLoを基準にしたものを規格化したパターン傾斜量Δ(NormalizedΔ)として縦軸に示している(式(2))。
ラインパターンでは、図2(a)に示すように、フォーカス値がプラス側にシフトしているとき、このラインパターンの規格化したパターン傾斜量ΔLnが大きく変動していることがわかる。これに対して、スペースパターンでは、図2(b)に示すように、フォーカス値がマイナス側にシフトしたときにスペースパターンの規格化したパターン傾斜量ΔSnが大きく変動することがわかる。
本発明の原理は、過去に露光処理されたロットの孤立したラインパターンと孤立したスペースパターンを測定し、パターン傾斜量を求めシフトインデックス(SI)を求める。このSI式より、そのロットの露光処理時におけるフォーカス値のプラス側もしくはマイナス側へのずれ量を算出でき、次ロットの処理時に補正をすることができる。
最初に図4に示す通り、孤立したラインパターンのCD−Focus特性を取得しベストフォーカスを求める。ここで、本実施の形態で用いたラインパターンは、デバイスパターン(デザインルール)の最小寸法と同じ幅の0.18μmの孤立ラインパターンである。このラインパターンにより求めたパターン幅のフォーカス特性を図5に示す。図5において、縦軸は0.18μmの孤立ラインパターンのレジストパターン幅、横軸は、露光時のフォーカス値を示す。ベストフォーカスは、図5に示した0.18μmの孤立ラインパターンのCD−Focus特性図中の曲線51が最大値をとるときのフォーカス値Foをベストフォーカスとした。
次に、図6のようなラインパターンのトップ寸法とボトム寸法のCD−Focus特性図を作成する。図6は、横軸にフォーカス値を、縦軸にトップ及びボトムの寸法を示したものである。この図6のCD−Focus特性図のグラフ61はラインパターンのトップ寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示し、グラフ62はラインパターンのボトム寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示すものである。
次に、図7において、横軸にはフォーカス値を、縦軸にはラインパターン傾斜量ΔL(=ラインパターントップ寸法−ラインパターンボトム寸法)を示す。この図7は図6を基に作成できる。例えば、図6においてフォーカス値Fでのラインパターンのトップ寸法Aとラインパターンのボトム寸法Bとの差を求め、これをフォーカス値Fにおけるラインパターンのパターン傾斜量ΔLとする。そして、これを図5で求めたベストフォーカス値Foを図7における横軸の原点とする。そして、フォーカスが変動したときのラインパターンのパターン傾斜量ΔLを求め、プロットしたものが図7に示すグラフ71である。このとき、この図7において、フォーカス値がマイナスでは、ラインパターンのパターン傾斜量ΔLはほぼ一定である。これは、図6において、ベストフォーカスFoよりマイナス側では、グラフ61とグラフ62とが同じように変動する傾向があり、ΔLがほぼ一定となっているためである。また、これに対して、ベストフォーカス値Foよりプラス側では、グラフ61の減少傾向がグラフ62の減少傾向と比較して大きいので、フォーカス値Fがプラス側にずれる程ΔLが大きくなる。
次に、スペースパターンについて、パターン傾斜量−Focus特性図の作成を行う。ここで、現状のレジストでは同じ寸法でのラインパターンとスペースパターンとでは、ベストフォーカス値が異なるという課題がある。このため、本実施の形態ではラインパターンのベストフォーカス値にスペースパターンのベストフォーカス値を近づけるために、0.18μmの孤立ラインパターンに対して、0.20μm、0.25μm、0.30μm幅の孤立スペースパターンについて、測定を行った。そして、図8に示すように0.18μmの孤立ラインパターンのフォーカス値Foと比較するためにFoを原点とした。スペースパターンのパターン傾斜量−Focus特性図の作成にあたっては、ラインパターンのパターン傾斜量−Focus特性図の作成(図6)と同様である。横軸にフォーカス値をとり、縦軸にトップ及びボトムの寸法をとる。この図8のCD−Focus特性図のグラフ81は0.20μm孤立スペースパターンのトップ寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示し、グラフ82はスペースパターンのボトム寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示すものである。また、グラフ83は0.25μm孤立スペースパターンのトップ寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示し、グラフ84はスペースパターンのボトム寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示すものである。また、グラフ85は0.30μm孤立スペースパターンのトップ寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示し、グラフ86はスペースパターンのボトム寸法のフォーカスずれによる寸法変化を示すものである。また、各線幅のスペースパターンのベストフォーカス値F1、F2、F3を図中に示した。
ここでも、ラインパターンのパターン傾斜量−Focus特性図の作成を図7と同様に行う。図9において、横軸にはフォーカス値をとり、縦軸にはスペースパターンのパターン傾斜量ΔS(=スペースパターンのトップ寸法−スペースパターンのボトム寸法)を示した。ここで、この図9において、フォーカス値がプラス側では、スペースパターンのパターン傾斜量ΔSはほぼ一定である。これは、図8において、ベストフォーカスF2よりプラス側では、グラフ83とグラフ84とが同じように変動する傾向があり、ΔSがほぼ一定となっているためである。また、これに対して、ベストフォーカス値F2よりマイナス側では、グラフ83の減少傾向がグラフ84の減少傾向と比較して大きいので、フォーカス値Fがマイナス側にずれる程ΔSが大きくなる。
ここでは、パターン傾斜量からフォーカスずれ量を求めるためのシフトインデックスを作成する。
ここでは、品種毎によるマスク製造誤差を算出する。そのために、まず、品種毎にシフトインデックス(SI)を図4に示したフローチャートの(1)〜(6)に従い求めた。ここでは、A〜Dの4品種について求めた。そして、これらの4品種のそれぞれのシフトインデックス(SI)を同一図面上で比較したものを図14に示す。例えば、図14に示すように、品種毎のマスク製造誤差により、SIのグラフがX軸方向にシフトすることがわかる。ここで、図13に示すように、マスクの設計寸法をラインパターンLt、スペースパターンStとする。また、マスク製造時にマスク上での仕上がり寸法の測定値をラインパターンLm、スペースパターンSmとする。
スペースパターンのマスク製造誤差ΔMS=Sm−St・・・式(5)
そして、マスク製造誤差ΔMeをラインパターンのマスク製造誤差ΔMLとスペースパターンのマスク製造誤差ΔMSの和で表す(式(6))。
(8)マスク製造誤差−フォーカス補正値の特性グラフの作成
ここでは、マスク製造誤差の値からフォーカスの補正値の特性図を作成する。
ここでは、マスク製造誤差を考慮した品種毎のシフトインデックスを作成する。
このようにして求めたSI値を図12に示したSI図の縦軸と比較して、このSI値に対応する横軸のフォーカス値を得る。この得られた横軸のフォーカス値が、フォーカスずれ量Δfocusとなる。
そして、図12に示すように、SI値とSI図とから所望のフォーカス値に対して実際の露光時のフォーカス値のずれ量Δfocusを算出する。
2 ボトム寸法
3 トップ寸法
4 ボトム寸法
20 マスク
22 露光
24 孤立スペースパターン
26 孤立ラインパターン
28 半導体基板
30 レジスト膜
32 測定パターン
34 孤立スペースパターン
36 孤立ラインパターン
51 曲線
61 グラフ
62 グラフ
71 グラフ
71a グラフ
71b グラフ
81 グラフ
82 グラフ
83 グラフ
84 グラフ
85 グラフ
86 グラフ
91 グラフ
91a グラフ
91b グラフ
102 グラフ
104 グラフ
112 グラフ
114 直線
116 グラフ
117 マスク製造誤差
118 ラインパターン
118a ラインパターン
120 スペースパターン
120a スペースパターン
122 露光
128 半導体基板
130 レジスト膜
132 測定パターン
134 孤立スペースパターン
136 孤立ラインパターン
150 グラフ
222 露光
228 半導体基板
230 レジスト膜
232 測定パターン
234 孤立スペースパターン
236 孤立ラインパターン
Claims (10)
- 第1の基板上にレジストからなり、ラインパターン及びスペースパターンを有する第1の測定パターンを形成する工程と、
前記第1の測定パターンにおける前記ラインパターン及びスペースパターンのパターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量のフォーカス依存性を求める工程と、
第2の基板上にレジストからなり、ラインパターン及びスペースパターンを有する第2の測定パターンを形成する工程と、
前記第2の測定パターンにおける前記ラインパターン及びスペースパターンのパターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量のフォーカス依存性に基づいて、前記第2の測定パターンにおける前記パターン傾斜量から前記第2の基板上に形成した前記第2の測定パターンのフォーカスずれ量を算出する工程とを備え、
前記第1の測定パターン及び前記第2の測定パターンそれぞれにおける前記ラインパターン及び前記スペースパターンの設計寸法は、前記ラインパターンと前記スペースパターンのベストフォーカス値が実質的に同じになるように設定されていることを特徴とするフォーカスずれ量の測定方法。 - 前記パターン傾斜量は前記ラインパターンと前記スペースパターンのそれぞれのトップ寸法とボトム寸法との差であることを特徴とする請求項1に記載のフォーカスずれ量の測定方法。
- 第1の基板上にレジストからなる孤立したラインパターン及び孤立したスペースパターンを形成する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンのトップ寸法及びボトム寸法を測定しフォーカス依存性を求める工程と、
前記ボトム寸法に対する前記トップ寸法の差をパターン傾斜量として前記ラインパターン及び前記スペースパターンそれぞれの前記パターン傾斜量のフォーカス依存性を求める工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記パターン傾斜量のフォーカス依存性からシフトインデックスを求める工程と、
第2の基板上に所望のフォーカス値でレジストからなる前記ラインパターン及び前記スペースパターンを形成する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記トップ寸法及び前記ボトム寸法を測定する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記ボトム寸法に対する前記トップ寸法の差から前記パターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量と前記シフトインデックスからベストフォーカス値からのフォーカスずれ量を算出する工程とを備え、
前記第1の測定パターン及び前記第2の測定パターンそれぞれにおける前記ラインパターン及び前記スペースパターンの設計寸法は、前記ラインパターンと前記スペースパターンのベストフォーカス値が実質的に同じになるように設定されていることを特徴とするフォーカスずれ量の測定方法。 - 前記シフトインデックスは、前記ラインパターン及び前記スペースパターンを形成するためのマスクのマスク製造誤差により生じるフォーカスずれ量を補正していることを特徴とする請求項3に記載のフォーカスずれ量の測定方法。
- 前記ラインパターンに代えてドットパターンを、前記スペースパターンに代えてホールパターンを用いることを特徴とする請求項1または3に記載のフォーカスずれ量の測定方法。
- 第1の基板上にレジストからなり、ラインパターン及びスペースパターンを有する第1の測定パターンを形成する工程と、
前記第1の測定パターンにおける前記ラインパターン及びスペースパターンのパターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量のフォーカス依存性を求める工程と、
第2の基板上にレジストからなり、ラインパターン及びスペースパターンを有する第2の測定パターンを形成する工程と、
前記第2の測定パターンにおける前記ラインパターン及びスペースパターンのパターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量のフォーカス依存性に基づいて、前記第2の測定パターンにおける前記パターン傾斜量から前記第2の基板上に形成した前記第2の測定パターンのフォーカスずれ量を算出する工程と、
前記フォーカスずれ量を補正値とし、第3の基板の露光時に補正を行う工程とを備え、
前記第1の測定パターン及び前記第2の測定パターンそれぞれにおける前記ラインパターン及び前記スペースパターンの設計寸法は、前記ラインパターンと前記スペースパターンのベストフォーカス値が実質的に同じになるように設定されていることを特徴とする露光方法。 - 前記パターン傾斜量は前記ラインパターンと前記スペースパターンのそれぞれのトップ寸法とボトム寸法との差であることを特徴とする請求項6に記載の露光方法。
- 第1の基板上にレジストからなる孤立したラインパターン及び孤立したスペースパターンを形成する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンのトップ寸法及びボトム寸法を測定しフォーカス依存性を求める工程と、
前記ボトム寸法に対する前記トップ寸法の差をパターン傾斜量として前記ラインパターン及び前記スペースパターンそれぞれの前記パターン傾斜量のフォーカス依存性を求める工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記パターン傾斜量のフォーカス依存性からシフトインデックスを求める工程と、
第2の基板上に所望のフォーカス値でレジストからなる前記ラインパターン及び前記スペースパターンを形成する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記トップ寸法及び前記ボトム寸法を測定する工程と、
前記ラインパターン及び前記スペースパターンの前記ボトム寸法に対する前記トップ寸法の差から前記パターン傾斜量を求める工程と、
前記パターン傾斜量と前記シフトインデックスからベストフォーカス値からのフォーカスずれ量を算出する工程と、
前記フォーカスずれ量を補正値とし第3の基板を露光時に補正を行う工程とを備え、
前記第1の測定パターン及び前記第2の測定パターンそれぞれにおける前記ラインパターン及び前記スペースパターンの設計寸法は、前記ラインパターンと前記スペースパターンのベストフォーカス値が実質的に同じになるように設定されていることを特徴とする露光方法。 - 前記シフトインデックスは、前記ラインパターン及び前記スペースパターンを形成するためのマスクのマスク製造誤差により生じるフォーカスずれ量を補正していることを特徴とする請求項8に記載の露光方法。
- 前記ラインパターンに代えてドットパターンを、前記スペースパターンに代えてホールパターンを用いることを特徴とする請求項6または8に記載の露光方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346831A JP4244771B2 (ja) | 2003-05-29 | 2003-10-06 | フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 |
US10/558,163 US7474382B2 (en) | 2003-05-29 | 2004-05-28 | Method for determining focus deviation amount in pattern exposure and pattern exposure method |
TW093115202A TW200501230A (en) | 2003-05-29 | 2004-05-28 | Method of measuring focus deviation amount of pattern exposure, and pattern exposure method |
CNB2004800148643A CN100426461C (zh) | 2003-05-29 | 2004-05-28 | 图案曝光中焦距偏移量的测量方法及图案曝光方法 |
KR1020057022766A KR20060014430A (ko) | 2003-05-29 | 2004-05-28 | 패턴 노광에서의 포커스 편차량의 측정 방법 및 패턴 노광방법 |
PCT/JP2004/007732 WO2005001912A1 (ja) | 2003-05-29 | 2004-05-28 | パターン露光におけるフォーカスずれ量の測定方法およびパターン露光方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003153019 | 2003-05-29 | ||
JP2003346831A JP4244771B2 (ja) | 2003-05-29 | 2003-10-06 | フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005012158A JP2005012158A (ja) | 2005-01-13 |
JP4244771B2 true JP4244771B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=33554374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003346831A Expired - Fee Related JP4244771B2 (ja) | 2003-05-29 | 2003-10-06 | フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7474382B2 (ja) |
JP (1) | JP4244771B2 (ja) |
KR (1) | KR20060014430A (ja) |
CN (1) | CN100426461C (ja) |
TW (1) | TW200501230A (ja) |
WO (1) | WO2005001912A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4588368B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光計測方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 |
US7968258B2 (en) * | 2005-05-16 | 2011-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for photolithography in semiconductor manufacturing |
JP2008053413A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 焦点ずれ測定方法及び焦点位置合せ方法 |
CN101446767B (zh) * | 2007-11-27 | 2010-12-15 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 测量曝光机台焦距偏移量的方法 |
JP2009187967A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | フォーカス測定方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010128279A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | パターン作成方法及びパターン検証プログラム |
CN102495533B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-08-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 检测曝光设备焦点位置的方法及*** |
CN105527072B (zh) * | 2014-09-30 | 2018-12-25 | 南京理工大学 | 一种基于遥感图像获取遥感器在轨焦距的方法 |
US20180024448A1 (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Applied Materials, Inc. | Focus centering method for digital lithography |
CN109598773A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-04-09 | 麒麟合盛网络技术股份有限公司 | 一种处理静态图层的方法和装置 |
JP7238672B2 (ja) * | 2019-07-25 | 2023-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
CN113257704B (zh) * | 2021-06-17 | 2021-10-19 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 套刻精度的检测方法及其检测结构 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62122125A (ja) | 1985-10-30 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | 線幅制御方法 |
JPH07107901B2 (ja) | 1987-04-20 | 1995-11-15 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光法によるテ−パ−形成方法 |
JP2712330B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1998-02-10 | 株式会社ニコン | 露光条件測定方法 |
US4908656A (en) * | 1988-01-21 | 1990-03-13 | Nikon Corporation | Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision |
JP3287017B2 (ja) | 1992-07-10 | 2002-05-27 | 株式会社ニコン | 結像特性の測定方法 |
KR0157279B1 (ko) * | 1994-03-15 | 1999-05-01 | 모리시타 요이찌 | 노광방법 |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH10154647A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Matsushita Electron Corp | パターン形成異常検出方法 |
JP4018309B2 (ja) | 2000-02-14 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 |
JP3997066B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | 電子線を用いたプロセス変動監視システムおよび方法 |
JP3839306B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2006-11-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法および製造システム |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003346831A patent/JP4244771B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-28 KR KR1020057022766A patent/KR20060014430A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-05-28 TW TW093115202A patent/TW200501230A/zh unknown
- 2004-05-28 WO PCT/JP2004/007732 patent/WO2005001912A1/ja active Application Filing
- 2004-05-28 US US10/558,163 patent/US7474382B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-28 CN CNB2004800148643A patent/CN100426461C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1799122A (zh) | 2006-07-05 |
US7474382B2 (en) | 2009-01-06 |
US20060285098A1 (en) | 2006-12-21 |
WO2005001912A1 (ja) | 2005-01-06 |
CN100426461C (zh) | 2008-10-15 |
JP2005012158A (ja) | 2005-01-13 |
TW200501230A (en) | 2005-01-01 |
KR20060014430A (ko) | 2006-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4244771B2 (ja) | フォーカスずれ量の測定方法および露光方法 | |
KR100246837B1 (ko) | 얼라인먼트 보정방법 및 반도체 장치 | |
JP2009187967A (ja) | フォーカス測定方法および半導体装置の製造方法 | |
US20090117344A1 (en) | Method of correcting mask pattern, photo mask, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
US7507508B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
US7901853B2 (en) | Pattern prediction method, pattern correction method, semiconductor device, and recording medium | |
JP5917337B2 (ja) | パターンデータ作成方法 | |
KR20040002443A (ko) | 포토마스크의 제조 방법 및 그 포토마스크를 이용한반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI421908B (zh) | 光學鄰近校正模型的建立方法 | |
US6949319B2 (en) | Method for determining depth of focus | |
US8234602B2 (en) | Semiconductor-device manufacturing method | |
TW201727379A (zh) | 經由匹配程序決定施加至積體電路製造過程之劑量校正的方法 | |
JP4208686B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20070032479A (ko) | 반도체 소자의 패턴 크기 보정 방법 | |
JP5673947B2 (ja) | マスクパターンの補正方法、プログラム及び該補正方法を用いたフォトマスク | |
US20060206853A1 (en) | Method of producing mask inspection data, method of manufacturing a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device | |
US7912275B2 (en) | Method of evaluating a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device | |
US7307715B2 (en) | Method for the formation of a structure size measured value | |
US10599045B2 (en) | Exposure method, exposure system, and manufacturing method for semiconductor device | |
US7205543B2 (en) | Auto focusing apparatus and method | |
JP2008270849A (ja) | 焦点計測方法及び装置 | |
US7569403B2 (en) | Pattern evaluation method, manufacturing method of semiconductor device, correction method of mask pattern and manufacturing method of exposure mask | |
CN112904661B (zh) | 一种芯片的制作方法 | |
US20090258446A1 (en) | Pattern verification method, method of manufacturing semiconductor device, and recording media | |
KR100545204B1 (ko) | 오버레이 키이 및 이 키이를 이용한 오버레이 측정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060623 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081229 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |