CN113257704B - 套刻精度的检测方法及其检测结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种套刻精度的检测方法及其检测结构。在其检测方法中，通过测量第二膜层的厚度及其倾斜侧壁的倾斜角度，以获得第二膜层的层内偏移量，从而在得到相对的两组测试组的初始间距的基础上即可屏除由所述第二膜层的层内偏移所带来的误差，进而可得到更为精确的套刻精度。

Description

套刻精度的检测方法及其检测结构

技术领域

本发明涉及半导体技术制造领域，特别涉及一种套刻精度的检测方法及其检测结构。

背景技术

在半导体制造过程中，光刻工艺作为每一个技术代的核心技术而逐步发展。其中，通常需要用到数十次的光刻步骤，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，还有对准的精确度。通过确保每一道光刻工艺的对准精度，即可提高当层和前层在一定范围内的对准，即套刻精度（overlay，OVL）。由于半导体集成电路的制造是通过多层膜层叠加而成，若当层和前层出现较大的对准偏差时，即会导致制备出的器件无法正常工作。因此，光刻工艺中的套刻精度至关重要，需满足设计需求。

具体参考图1所示，目前针对套刻精度的检测方法通常包括：对检测结构其相对两侧的第二膜层120（例如为当层）和第一膜层110（例如为前层）之间的距离进行测量，并根据得到的两组距离值的差值以进一步获取第一膜层110和第二膜层120之间的偏移量，进而得到所述套刻精度。

在如上所述的检测方法中，其主要是利用测量设备对第一膜层110和第二膜层120进行边界识别后而测量出距离值。然而，在部分制程中所形成的膜层厚度较大，而厚度较大的膜层其侧壁通常呈现为倾斜侧壁，例如第二膜层120的厚度较大而具备倾斜侧壁。此时，在利用测量设备抓取第二膜层120的倾斜侧壁所对应的边界时，一方面会出现边界抓取不确定而影响测量结果的问题；另一方面是，厚度较大的膜层还会出现偏边现象（例如，图1中的第二膜层120的顶部即朝向右边偏移），如此将导致第二膜层120的两侧所测量出的距离值的差值还包括了由第二膜层120其自身的偏移而带来的误差，进一步降低了所得到的套刻精度的准确性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种套刻精度的检测方法，以解决现有的检测方法其测量结果不稳定、检测精确较低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种套刻精度的检测方法，包括：提供检测结构，所述检测结构包括排布在衬底上并基于不同光刻工艺形成的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度，并且所述第二膜层的侧壁为倾斜侧壁，以及所述检测结构在相对的两侧均具有由所述第一膜层和所述第二膜层相互面对的侧壁所构成的测试组；测量所述测试组的初始间距，所述初始间距是由所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部至所述第一膜层的侧壁的距离；测量所述第二膜层的厚度和所述第二膜层相对两侧的倾斜侧壁的倾斜角度，以用于根据所述第二膜层的厚度和所述第二膜层两侧的倾斜角度，获取所述第二膜层的顶部相对于底部的层内偏移量；以及，结合所得到的相对的两组初始间距和所述第二膜层的层内偏移量，获得摒除了所述层内偏移量之后的所述第二膜层和所述第一膜层之间的实际偏移量。

可选的，所述检测结构在第一方向的两侧均设置有第一测试组，所述检测结构在第二方向的两侧均设置有第二测试组。以及，测量所述第二膜层在第一方向上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度，以得到所述第二膜层在第一方向上的层内偏移量，结合两组第一测试组所对应的两组初始间距和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层和所述第一膜层在第一方向上的实际偏移量。以及，测量所述第二膜层在第二方向上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度，以得到所述第二膜层在第二方向上的层内偏移量，结合两组第二测试组所对应的两组初始间距和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层和所述第一膜层在第二方向上的实际偏移量。

可选的，所述第二膜层包括第一条形结构，所述第一条形结构的一侧壁面对所述第一膜层的侧壁而构成所述测试组，以及所述第二膜层还包括与所述第一条形结构平行的第二条形结构。以及，对所述第一条形结构和所述第二条形结构的两侧的倾斜侧壁的倾斜角度均进行测量而获取多组倾斜角度，并针对朝向同一侧的多个倾斜角度取平均值，以利用多个倾斜角度的平均值计算出所述第二膜层的层内偏移量。

可选的，所述第一膜层连续或间断环绕在所述第二膜层的***。例如，所述第一膜层为多边形环状结构，所述第二膜层包括多条条形结构，其中至少部分条形结构对应于所述第一膜层的各个内壁而平行设置。

可选的，所述第二膜层的厚度大于等于10000埃。进一步的，所述第一膜层为利用前道光刻工艺形成的膜层，所述第二膜层为利用当前光刻工艺形成的光刻胶层。

可选的，测量初始间距的方法包括：利用测量设备抓取所述第一膜层的侧壁所对应的第一边界，以抓取所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部所对应的第二边界，以得到所述第一边界至所述第二边界的间距。

本发明的又一目的在于提供一种用于套刻精度检测的检测结构，包括：排布在衬底上并基于不同光刻工艺形成的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度，并且所述第二膜层的侧壁为倾斜侧壁。

其中，所述检测结构在相对的两侧均具有由所述第一膜层和所述第二膜层相互面对的侧壁所构成的测试组，通过所述测试组以用于获取初始间距，所述初始间距是由所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部至所述第一膜层的侧壁的间距。

以及，所述第二膜层包括第一条形结构，所述第一条形结构的一侧壁面对所述第一膜层的侧壁而构成所述测试组。所述第二膜层还包括与所述第一条形结构平行的第二条形结构，用于获取所述第一条形结构和所述第二条形结构的两侧的倾斜侧壁的倾斜角度，并根据所获取的多组倾斜角度的平均值计算出所述第二膜层的层内偏移量，并在相对的两组初始间距的基础上排除所述层内偏移量，以得到所述第二膜层和所述第一膜层之间的实际偏移量。

可选的，所述第一膜层连续或间断环绕在所述第二膜层的***。

可选的，所述第二膜层的厚度大于等于10000埃。进一步的，所述第一膜层为利用前道光刻工艺形成的膜层，所述第二膜层为利用当前光刻工艺形成的光刻胶层。

在本发明提供的套刻精度的检测方法中，对相对的两组测试组进行初始间距的测量，而该初始间距是固定测量由第二膜层的倾斜侧壁的顶部至第一膜层的侧壁的间距，因此在测量过程中即可避免由于厚度较大的第二膜层其倾斜侧壁的倾斜度较大而难以稳定且准确抓取边界的问题，而在能够准确抓取第二膜层的倾斜侧壁的顶部边界的基础上，相应的可以得到准确的初始间距，由此，即可基于相对的两组初始间距而得到第一膜层和第二膜层在对应方向上的初始偏移量。以及，基于第二膜层的厚度和两倾斜侧壁所对应的倾斜角度，还能够得到第二膜层的顶部相对于底部在对应方向上的层内偏移量。如此，即可在相对的两组测试组的初始间距的基础上，屏除第二膜层的层内偏移量而得到第二膜层和第一膜层之间的实际偏移量，而该实际偏移量即排布了由所述第二膜层的层内偏移所带来的误差，因此可以更为准确的反应出第一膜层和第二膜层之间的套刻偏差。

即，本发明提供的套刻精度的检测方法，在针对厚度较大而容易出现偏边现象的厚膜层而言，其能够准确测量出偏边的厚膜层其自身的层内偏移量，从而在检测第一膜层和第二膜层之间的偏移量时，即可以排除由厚膜层其自身的偏移而带来的误差，有效提高了所检测出的套刻精度。

附图说明

图1是一种套刻精度的检测结构。

图2是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构的分布示意图。

图3是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构的结构示意图。

图4是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构在X方向上的剖面示意图。

图5为基于现有检测方法获得的套刻精度的检测结果而进行光刻工艺补偿后的套刻图形。

图6为基于本发明提供的检测方法获得的套刻精度的检测结果而进行光刻工艺补偿后的套刻图形。

具体实施方式

以下结合图2-图4和具体实施例对本发明提出的套刻精度的检测方法作进一步详细说明，其中图2是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构的分布示意图，图3是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构的结构示意图，图4是本发明一实施例中的套刻精度的检测结构在X方向上的剖面示意图。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。

如图2-图4所示，本实施例提供的套刻精度的检测方法包括：提供检测结构100，并对所述检测结构100进行测量以获取测量结果。其中，所述检测结构100可设置在每一曝光单元（shot）的边缘。本实施例中，可以在一个曝光单元的四角处分别设置有所述检测结构100。

重点参考图3和图4所示，所述检测结构100包括排布在衬底上并基于不同光刻工艺形成的第一膜层110和第二膜层120。通过将所述第一膜层110和所述第二膜层120并排设置在衬底上，从而可测量所述第一膜层110和所述第二膜层120之间的水平偏移，以进一步得到所对应的前道光刻工艺和后道光刻工艺的套刻精度（OVL）。

本实施例中，以所述第一膜层110为前层、所述第二膜层120为当层进行示例性说明。所述前层（本实施例中的第一膜层110）即为先于所述当层而优先形成在所述衬底上的膜层（例如是利用前道光刻工艺和刻蚀工艺而形成的膜层）。所述当层（本实施例中的第二膜层120）即为当前工艺形成的膜层，具体可以是利用当前光刻工艺而形成的光刻胶层等。

重点参考图4所示，所述第二膜层120的厚度大于所述第一膜层110的厚度。由于所述第二膜层120的厚度较大，使得所述第二膜层120的侧壁为倾斜侧壁，以及针对厚度较大的第二膜层120而言还会出现偏边现象，从而使得第二膜层120其不同侧的侧壁具有不同程度的倾斜而导致不对称。本实施例中，所述第二膜层120的厚度例如为大于等于10000埃，甚至还可达到30000埃；以及，所述第二膜层120可以是基于当前光刻工艺所形成的光刻胶层。

继续参考图3和图4所示，所述检测结构100在相对两侧均具有由所述第一膜层110和所述第二膜层120相互面对的侧壁所构成的测试组。至少对相对的两组测试组进行测量，以获得在对应方向上第一膜层110和第二膜层120之间的膜层偏移量。例如，图3中所示的，在X方向的左右两侧均设置有测试组，以用于测量X方向的套刻精度；以及，在Y方向的上下两侧也均设置有测试组，以用于测量Y方向的套刻精度。

进一步的，所述套刻精度的检测方法包括测量所述测试组的初始间距W，所述初始间距W是由所述第二膜层120的倾斜侧壁的顶部至所述第一膜层110的侧壁的间距。通过获取相对两侧的两组初始间距W，以用于根据相对两侧的两组初始间距W得到所述第二膜层120和所述第一膜层110在对应方向上的初始偏移量△W/2。

具体的，可利用测量设备抓取第一膜层110的侧壁所对应的第一边界，以及抓取第二膜层120的倾斜侧壁的顶部所对应的第二边界，进而获取第一边界至第二边界之间的初始间距W。需要说明的是，在利用测量设备抓取第一膜层110的边界而进行测量时，由于第一膜层110的侧壁呈现为垂直或接近垂直的侧壁，因此在测量设备的较大焦距范围内均可相对准确的抓取到其边界。

然而，针对厚度较大的第二膜层120而言，测量设备在其倾斜侧壁的顶部的焦距和在其倾斜侧壁的底部的焦距差异较大，因此在常规的测量中常常会出现对该倾斜侧壁的边界抓取不准确的现象，进而导致针对同一结构测量出的结果差异较大的问题。然而本实施例中，则是固定以第二膜层120的倾斜侧壁的顶部为基准进行测量，使得测量设备的焦距可准确聚焦于顶部，从而可准确抓取设定的边界，避免了在测量过程中出现焦距不确定而导致边界抓取不准确的问题。

此外，本实施例中，测量的是第二膜层120的顶部至所述第一膜层110之间的初始间距W，其一个原因是基于测量设备更容易准确的抓取到第二膜层120的顶部边界，以确保测量结果的准确性。以及，本实施例中，可以在所述初始偏移量△W/2的基础上结合第二膜层120其自身的层内偏移量，从而可获得准确的套刻精度。

具体的，针对第二膜层120其自身的层内偏移量的获取方法包括：测量所述第二膜层120的厚度H和所述第二膜层120相对两侧的倾斜侧壁的倾斜角度θ1/θ2。其中，所述倾斜角度θ1/θ2具体为所述倾斜侧壁和高度方向的夹角。

在获取如上所述第二膜层120的厚度H和所述第二膜层两侧的倾斜侧壁的倾斜角度θ1/θ2之后，即可根据所述第二膜层120的厚度H和倾斜角度θ1/θ2获取所述第二膜层120的顶部相对于底部在对应方向上的层内偏移量。例如图3所示的，基于第二膜层120的厚度H和所述第二膜层120在X方向上的左右两侧的倾斜侧壁的倾斜角度θ1/θ2，即可以获得第二膜层120在X方向上的层内偏移量。以及，基于第二膜层120的厚度H和所述第二膜层120在Y方向上的上下两侧的倾斜侧壁的倾斜角度θ1/θ2，即可以获得第二膜层120在Y方向上的层内偏移量。

其中，所述第二膜层120的顶部相对于底部的层内偏移量△D的获取方式例如可参考如下公式：△D=（tanθ1-tanθ2）*H/2。

可以理解的是，本实施例中，通过获取所述第二膜层120的顶部相对于底部的层内偏移量△D，即相当于可利用所述层内偏移量△D，对第二膜层120的偏边现象进行修正。

具体而言，在获取所述第二膜层120和所述第一膜层110在对应方向上的初始偏移量△W/2的基础上，通过摒除由所述第二膜层120的层内偏移量△D所产生的误差，即可得到所述第二膜层120和所述第一膜层110之间的实际偏移量OVL，该实际偏移量将反映出更为精确的套刻精度。即，OVL=（W1-W2）/2-（tanθ1-tanθ2）*H/2。

应当认识到，在获取某一方向（例如，X方向）上的套刻精度时，则所针对的测试组即为在该方向上排布在两侧的两组测量组（例如，X方向上排布在两侧的两组测试组），以及屏除第二膜层120在该方向上的层内偏移量（例如，第二膜层120在X方向上的层内偏移量），此时上述公式中所采用的倾斜角度θ1/θ2即对应于该方向上相对两侧的倾斜侧壁的倾斜角度。

此外，还需要说明的是，在如上所述的“初始间距”的测量过程和“第二膜层的厚度、倾斜角度”的测量过程，其各个测量过程的前后顺序并不做限定，可根据实际情况而对应调整。

为了更清楚的描述本实施例中的套刻精度的检测方法，下面对一具体示例进行解释说明。

具体参考图3所示，所述检测结构在第一方向（X方向）的两侧均设置有第一测试组，所述检测结构在第二方向（Y方向）的两侧均设置有第二测试组。其中，所述第一测试组中，所述第一膜层110和所述第二膜层120相互面对的侧壁是沿着第一方向（X方向）相互面对，以用于测量第一方向（X方向）的套刻精度。以及，所述第二测试组中，所述第一膜层110和所述第二膜层120相互面对的侧壁是沿着第二方向（Y方向）相互面对，以用于测量第二方向（Y方向）的套刻精度。

本实施例中，以所述检测结构100在相互垂直的第一方向（X方向）和第二方向（Y方向）的两侧均设置有测试组为例。然而应当认识到，在其他实施例中，所述检测结构100还可以在其他方向的两侧也设置有测试组，例如，所述检测结构100在X朝向Y的倾斜方向上设置有测试组等。

结合图4所示，在测量第一方向（X方向）的套刻精度时包括：测量所述第二膜层120在第一方向（X方向）上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度θ1/θ2，以得到所述第二膜层120在第一方向上的层内偏移量，结合两组第一测试组所对应的两组初始间距W_X1/ W_X2和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层120和所述第一膜层110在第一方向上的实际偏移量。即，OVL_X=（W_X1- W_X2）/2-（tanθ1-tanθ2）*H/2。

同样的，在测量第二方向（Y方向）的套刻精度时包括：测量所述第二膜层120在第二方向（Y方向）上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度θ3/θ4，以得到所述第二膜层120在第二方向（Y方向）上的层内偏移量，结合两组第一测试组所对应的两组初始间距W_Y1/ W_Y2和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层120和所述第一膜层110在第二方向上的实际偏移量。即，OVL_Y=（W_Y1- W_Y2）/2-（tanθ3-tanθ4）*H/2。

进一步的方案中，考虑到第二膜层120中的各个图形均是基于同一制程形成，从而具备相同的结构特性，即，第二膜层120中的各个图形均会朝向同一方向发生层内偏移。因此，可对第二膜层120在同一方向上相对的两倾斜侧壁均进行倾斜角度测量，此时即可基于所得到的多个同侧倾斜角度取平均以用于进行后续的计算。

具体可参考图3和图4所示，所述第二膜层120具体可包括第一条形结构，所述第一条形结构的一侧壁面对所述第一膜层110的侧壁而构成所述测试组，并且所述第二膜层120还包括与所述第一条形结构平行的第二条形结构。例如，图3中排布在检测结构100的左右两外侧的沿着Y方向延伸的条形结构构成第一条形结构，以及图3中排布在内侧沿着Y方向延伸的条形结构构成第二条形结构；以及，图3中排布在检测结构100的上下两外侧的沿着X方向延伸的条形结构构成第一条形结构，以及图3中排布在内侧沿着X方向延伸的条形结构构成第二条形结构。

如上所述，所述第二膜层120中的图形是在同一制程中形成，具备相同的结构特性。因此，所述第一条形结构和所述第二条形结构的厚度大致相同，偏边现象大致相同，朝向同一侧的倾斜侧壁的倾斜角度大致相同，因此可根据第一条形结构和第二条形结构在同一侧的倾斜角度而得到平均倾斜角度，有利于提高测量精度。

具体的，在获得所述第二膜层120的层内偏移量的方法包括：对所述第一条形结构和所述第二条形结构的两侧的倾斜侧壁的倾斜角度均进行测量而获取多组倾斜角度，并针对朝向同一侧的多个倾斜角度取平均值，以利用多个倾斜角度的平均值计算出所述第二膜层120的层内偏移量。如此，即有利于进一步提高检测结果的检测精度。

继续参考图3所示，本实施例中，所述第一膜层110环绕在所述第二膜层120的***，此时所述第一膜层110的内壁即面对所述第二膜层120，其中所述第一膜层110可连续或间断的环绕在所述第一膜层120的***。具体的，所述第一膜层110可以是规则的多边形环状结构，以使所述第一膜层110各个内壁均具有与其相对的内壁，例如矩形环状结构、六边形环状结构或八边形环状结构等。

以及，所述第二膜层120在面对所述第一膜层110的各个内壁均设置有相互平行的侧壁，本实施例具体是在面对所述第一膜层110的各个内壁均设置有相互平行的条形结构。即，所述第二膜层120中的多条条形结构中，至少部分条形结构对应于所述第一膜层110的各个内壁而平行设置，以构成多个测试组。可以认为，所述第二膜层120中的第一条形结构面对第一膜层110的各个内壁设置，所述第二膜层120中的第二条形结构则平行于第一条形结构设置。

本实施例中，以所述第一膜层110为矩形环状结构为例进行说明，则所述第二膜层120在面对第一膜层110的四个内壁均设置有与其平行的条形结构。更具体的，所述第一膜层110的其中两个内壁沿着第一方向（X方向）延伸，所述第一膜层110的另外两个内壁沿着第二方向（Y方向）延伸，此时所述第二膜层120即包括至少两条沿着第一方向（X方向）延伸的条形结构和至少两条沿着第二方向（Y方向）延伸的条形结构。

基于如上所述的套刻精度的检测方法，针对膜层厚度较厚并且存在偏边现象的情况下（即，膜层自身出现偏移），可以排除由于膜层的层内偏移而产生的误差，更为精准的获取当层和前层之间的套刻精度。

如此，即可针对检测出的套刻精度对当前的光刻工艺进行参数补偿，以降低对准偏移。例如可参考图5和图6所示，图5为基于现有检测方法获得的套刻精度的检测结果而进行光刻工艺补偿后的套刻图形，图6为基于本发明提供的检测方法获得的套刻精度的检测结果而进行光刻工艺补偿后的套刻图形。首先参考图5所示，由于现有的检测方法难以得到准确的检测结果，因此在不准确的检测结果的基础上进行工艺补偿后，其得到的套刻图形的套刻精度仍然较低。接着参考图6所示，基于本实施例提供的检测方法可以得到准确的检测结果，而基于该准确的检测结果的基础上进行工艺补偿后，其得到的套刻图形的套刻精度存在明显的提高。

需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第 二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或 多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。

Claims (12)

1.一种套刻精度的检测方法，其特征在于，包括：

提供检测结构，所述检测结构包括并排设置在衬底上并基于不同光刻工艺形成的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度，并且所述第一膜层的侧壁为垂直或接近垂直的侧壁，所述第二膜层的侧壁为倾斜侧壁，以及所述检测结构在相对的两侧均具有由所述第一膜层和所述第二膜层相互面对的侧壁所构成的测试组；

测量位于相对两侧的所述测试组的初始间距，以得到位于相对两侧的测试组所对应的两组初始间距，所述初始间距是由所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部至所述第一膜层的侧壁的距离；

测量所述第二膜层的厚度和所述第二膜层相对两侧的倾斜侧壁的倾斜角度，以用于根据所述第二膜层的厚度和所述第二膜层两侧的倾斜角度，获取所述第二膜层的顶部相对于底部的层内偏移量；以及，

在得到所述两组初始间距的差值的基础上，摒除所述第二膜层的层内偏移量，以获得所述第二膜层和所述第一膜层之间的实际偏移量。

2.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述检测结构在第一方向的两侧均设置有第一测试组，所述检测结构在第二方向的两侧均设置有第二测试组；

以及，测量所述第二膜层在第一方向上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度，以得到所述第二膜层在第一方向上的层内偏移量，结合两组第一测试组所对应的两组初始间距和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层和所述第一膜层在第一方向上的实际偏移量；

以及，测量所述第二膜层在第二方向上相对的两个倾斜侧壁的倾斜角度，以得到所述第二膜层在第二方向上的层内偏移量，结合两组第二测试组所对应的两组初始间距和所述第二膜层的层内偏移量，获得所述第二膜层和所述第一膜层在第二方向上的实际偏移量。

3.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述第二膜层包括第一条形结构，所述第一条形结构的一侧壁面对所述第一膜层的侧壁而构成所述测试组，以及所述第二膜层还包括与所述第一条形结构平行的第二条形结构；

以及，对所述第一条形结构和所述第二条形结构的两侧的倾斜侧壁的倾斜角度均进行测量而获取多组倾斜角度，并针对朝向同一侧的多个倾斜角度取平均值，以利用多个倾斜角度的平均值计算出所述第二膜层的层内偏移量。

4.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述第一膜层连续或间断环绕在所述第二膜层的***。

5.如权利要求4所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述第一膜层为多边形环状结构，所述第二膜层包括多条条形结构，其中至少部分条形结构对应于所述第一膜层的各个内壁而平行设置。

6.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度大于等于10000埃。

7.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，所述第一膜层为利用前道光刻工艺形成的膜层，所述第二膜层为利用当前光刻工艺形成的光刻胶层。

8.如权利要求1所述的套刻精度的检测方法，其特征在于，测量初始间距的方法包括：利用测量设备抓取所述第一膜层的侧壁所对应的第一边界，以及抓取所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部所对应的第二边界，以得到所述第一边界至所述第二边界的间距。

9.一种用于套刻精度检测的检测结构，其特征在于，所述检测结构包括：并排设置在衬底上并基于不同光刻工艺形成的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度，并且所述第一膜层的侧壁为垂直或接近垂直的侧壁，所述第二膜层的侧壁为倾斜侧壁；

其中，所述检测结构在相对的两侧均具有由所述第一膜层和所述第二膜层相互面对的侧壁所构成的测试组，通过位于相对两侧的所述测试组获取位于相对两侧的测试组所对应的初始间距，所述初始间距是由所述第二膜层的倾斜侧壁的顶部至所述第一膜层的侧壁的间距；

以及，所述第二膜层包括第一条形结构，所述第一条形结构的一侧壁面对所述第一膜层的侧壁而构成所述测试组；

所述第二膜层还包括与所述第一条形结构平行的第二条形结构，用于获取所述第一条形结构和所述第二条形结构的两侧的倾斜侧壁的倾斜角度，并根据所获取的多组倾斜角度的平均值计算出所述第二膜层的层内偏移量，并在得到两组初始间距的差值的基础上排除所述层内偏移量，以得到所述第二膜层和所述第一膜层之间的实际偏移量。

10.如权利要求9所述的用于套刻精度检测的检测结构，其特征在于，所述第一膜层连续或间断环绕在所述第二膜层的***。

11.如权利要求9所述的用于套刻精度检测的检测结构，其特征在于，所述第二膜层的厚度大于等于10000埃。

12.如权利要求9所述的用于套刻精度检测的检测结构，其特征在于，所述第一膜层为利用前道光刻工艺形成的膜层，所述第二膜层为利用当前光刻工艺形成的光刻胶层。

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