JP4241160B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法にかかり、特にチップ上にマイクロレンズを一体化したチップサイズパッケージ（CSP）タイプの固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
CCD（Charge Coupled Device）を含む固体撮像素子は、携帯電話やデジタルカメラなどへの適用の必要性から小型化への要求が高まっている。
そのひとつとして、半導体チップの受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置が提案されている。このような中で、例えば、受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置を、固体撮像装置の受光エリアとマイクロレンズとの間に気密封止部をもつように一体的に実装することにより、小型化をはかるようにした固体撮像装置が提案されている（特開平７−２０２１５２号公報）。
【０００３】
かかる構成によれば、実装面積の低減をはかることができ、また、気密封止部の表面に、フィルタ、レンズ、プリズムなどの光学部品を接着することが可能となり、マイクロレンズの集光能力の低下を招くことなく、実装サイズの小型化を図ることが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような固体撮像装置の実装に際しては、信号の外部への取り出しに際して、固体撮像装置を実装する支持基板上に搭載し、ボンディングなどの方法により電気的接続を図るとともに封止を行なう必要がある。このように、工数が多いことから、実装に多大な時間を要するという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
また本体への接続の容易な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の方法は、半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように前記半導体基板表面にスペーサを介して透光性部材を接合する工程と、前記固体撮像素子に対応して前記半導体基板表面に外部接続端子を形成する工程と、前記接合工程により前記半導体基板と前記透光性部材とが接合された接合体を、外部接続端子を有する固体撮像素子ごとに分離する工程とを含み、前記スペーサが半導体材料からなり、前記半導体基板表面に対して８０℃を越えない接着温度下で接合する熱硬化型接着剤、または常温硬化型接着剤を用いて接合することを特徴とする。
【０００６】
かかる構成によれば、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
また、前記接合する工程は、８０℃を越えない温度下で実行されることにより、各部材の線膨張率が異なっていても、接着後にそりが発生するのを低減することができる。
また、前記接合する工程は、常温硬化型接着剤を用いた工程であることにより、接合温度を上げることなく接合可能であり、そりの発生を防止することが出来る。
【０００９】
望ましくは、前記接合する工程に先立ち、前記受光領域を囲むように前記半導体基板表面を選択的に除去することにより突出部を形成する工程を含み、前記突出部によって前記受光領域と前記透光性部材との間に空隙が形成されるようにしたことを特徴とする。
【００１０】
かかる構成によれば、あらかじめ半導体基板表面に形成しておいた突出部（スペーサ）をはさんで実装するのみで容易に作業性よく信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００１１】
また、前記接合する工程は、前記受光領域を囲むように配設されたスペーサを介して、前記半導体基板と前記透光性部材との間に空隙が形成されるようにしたことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成によれば、スペーサをはさむだけで容易に信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【００１３】
また、前記分離する工程は、前記半導体基板の周縁部表面が前記透光性部材から露呈せしめられるように、前記透光性部材の周縁部が前記固体撮像素子の各周縁部よりも内方に位置するように前記透光性部材を分離する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
かかる構成によれば、露呈した半導体基板表面で、容易に電極の取り出しを行なうことが可能となる。
【００２２】
望ましくは、前記分割する工程に先立ち、外部接続端子を露呈せしめるように前記透光性部材と前記半導体基板表面との接合部の周辺を樹脂封止する工程を含む。
【００２３】
かかる構成によれば、水分の浸入を抑え、信頼性の高い固体撮像素子を形成することが可能となる。
また、前記樹脂封止する工程は、８０℃を越えない温度下で実行されることを特徴とする。
【００２４】
かかる構成によっても、接合温度を上げることなく接合可能であり、そりの発生を低減することが出来る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
【００２６】
（第1の実施の形態）
この固体撮像装置は、図１（ａ）に断面図、図１（ｂ）に要部拡大断面図を示すように、固体撮像素子基板１００表面に、受光領域に相当した空隙Ｃをもつように、スペーサ２０３Ｓを介して、封止用カバーガラス２００が形成されてなるものである。すなわち、固体撮像素子１０２の形成された半導体基板としてのシリコン基板１０１からなる固体撮像素子基板１００表面に、このシリコン基板１０１の受光領域に相当して空隙Cをもつように、スペーサ２０３Ｓを介して、封止用カバーガラス２００を構成する透光性部材としてのガラス基板２０１が接合されている。これらは、複数の素子を一括実装するように、ウェハレベルで接合されたのち、シリコン基板１０１の周縁がダイシングによって個別に分離され、このガラス基板２０１から露呈する周縁部のシリコン基板１０１表面に形成されたボンディングパッドBPを介して、外部回路（図示せず）との電気的接続が達成されるように構成されている。ここでスペーサ２０３Ｓは、１０〜５００μｍ、好ましくは８０〜１２０μｍの高さとする。
【００２７】
ここでこの固体撮像素子基板は、図１（ｂ）に要部拡大断面図を示すように、表面に、固体撮像素子が配列されるとともに、ＲＧＢカラーフィルタ４６およびマイクロレンズ５０が形成されたシリコン基板１０１で構成されている。
【００２８】
この固体撮像素子は、ｎ型のシリコン基板１０１ａ表面に形成されたｐウェル１０１ｂ内に、チャンネルストッパ２８を形成し、このチャネルストッパを挟んでフォトダイオード１４と電荷転送素子３３とを形成してなるものである。ここでは、ｐ＋チャンネル領域１４ａ内にｎ型不純物領域１４ｂを形成し、フォトダイオード１４を形成している。また、ｐ＋チャンネル領域１４ａ内に、深さ０．３μｍ程度のｎ型不純物領域からなる垂直電荷転送チャネル２０を形成するとともに、この上層に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜３０を介して形成された多結晶シリコン層からなる垂直電荷転送電極３２を形成し、電荷転送素子３３を構成している。またこの垂直電荷転送チャネル２０に信号電荷を読み出す側のフォトダイオード１４との間には、ｐ型不純物領域で形成された読み出しゲート用チャネル２６が形成されている。
【００２９】
そしてシリコン基板１０１表面にはこの読み出しゲート用チャネル２６に沿ってｎ型不純物領域１４ｂが露出しており、フォトダイオード１４で発生した信号電荷は、ｎ型不純物領域１４ｂに一時的に蓄積された後、読み出しゲート用チャネル２６を介して読み出されるようになっている。
【００３０】
一方、垂直電荷転送チャネル２０と他のフォトダイオード１４との間には、ｐ＋型不純物領域からなるチャンネルストッパ２８が存在し、これによりフォトダイオード１４と垂直電荷転送チャネル２０とが電気的に分離されると共に、垂直電荷転送チャネル２０同士も相互に接触しないように分離される。
【００３１】
そしてさらに、垂直電荷転送電極３２は読み出しゲート用チャネル２６を覆うとともに、ｎ型不純物領域１４ｂが露出し、チャンネルストッパ２８の一部が露出するように形成されている。なお、垂直電荷転送電極３２のうち、読み出し信号が印加される電極の下方にある読み出しゲート用チャネル２６から信号電荷が転送される。
【００３２】
そして垂直電荷転送電極３２は垂直電荷転送チャネル２０とともに、フォトダイオード１４のｐｎ接合で発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送装置（ＶＣＣＤ）３３を構成している。垂直電荷転送電極３２の形成された基板表面は表面保護膜３６で被覆されこの上層にタングステンからなる遮光膜３８が形成されており、フォトダイオードの受光領域４０のみを開口し、他の領域は遮光するように構成されている。
【００３３】
そして更にこの垂直電荷転送電極３２の上層は表面平坦化のための平坦化絶縁膜４３およびこの上層に形成される透光性樹脂膜４４で被覆され、更にこの上層にフィルタ層４６が形成されている。フィルタ層４６は各フォトダイオード１４に対応して、所定のパターンをなすように赤色フィルタ層４６Ｒ、緑色フィルタ層４６Ｇ，青色フィルタ層４６Ｂが順次配列されている。
【００３４】
さらにこの上層は、平坦化絶縁膜４８を介して屈折率１．３〜２．０の感光性樹脂を含む透光性樹脂をフォトリソグラフィを用いたエッチング法によってパターニングした後に溶融させ、表面張力によって丸めた後冷却することによって形成されたマイクロレンズ５０からなるマイクロレンズアレイで被覆されている。
【００３５】
次に、この固体撮像装置の製造工程について説明する。この方法は、図２（ａ）乃至（ｃ）および図３（ａ）乃至（ｃ）にその製造工程図を示すように、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離する、いわゆるウェハレベルＣＳＰ法に基づくものである。この方法ではあらかじめスペーサ２０３Sを形成したスペーサ付き封止用カバーガラス２００を用いたことを特徴とする。なお、この図は一単位であるが、複数の固体撮像素子が形成されている。
【００３６】
まず、スペーサ付きガラス基板の形成について説明する。
図２（ａ）に示すように、ガラス基板２０１表面に、紫外線硬化型接着剤（カチオン重合性エネルギー線硬化接着剤）からなる接着剤層２０２を介してスペーサとなるシリコン基板２０３を貼着する。
【００３７】
そして、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スペーサとなる部分にレジストパターンを残すようにした状態でシリコン基板２０３をエッチングし、スペーサ２０３Ｓを形成する。
【００３８】
この後、図２（ｃ）に示すように、スペーサ２０３Ｓ形成のためのレジストパターンを残したまま、さらに素子間領域を除く、スペーサ間領域に、レジストを充填し、ガラス基板を所定の深さまでエッチングすることにより、図２（ｄ）に示すように、素子間溝部２０４を形成する。そしてさらにこのスペーサの表面に接着剤層２０７を形成する。ここではスペーサをシリコン基板で形成しているため、ガラス基板の主成分である酸化シリコンのエッチング速度が、シリコンのエッチング速度に比べて十分に大きくなるようなエッチング条件でエッチングするようにすれば、素子間領域にスペーサの側壁が露呈したままの状態でエッチングしてもよい。素子間溝部２０４の形成に際しては、ダイシングブレード（砥石）を用いてもよい。
【００３９】
また、再度フォトリソグラフィを行い、スペーサの側壁全体を含むようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介してエッチングを行なうことにより溝部２０４を形成するようにしてもよい。このようにして溝部２０４およびスペーサ２０３Ｓを形成した封止用カバーガラス２００を得る。
【００４０】
次に、固体撮像素子基板を形成する。素子基板の形成に際しては、図３（ａ）に示すように、あらかじめ、シリコン基板１０１（ここでは６インチウェハを用いる）を用意し、このシリコン基板１０１表面に、各固体撮像素子に分離するための分離線に相当する領域にエッチングなどの方法により切断溝１０４を形成しておく。そして、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【００４１】
この後、図３（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして素子領域の形成された固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。この工程は真空中または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中で実行するのが望ましい。なお、一体化に際しては、熱硬化性接着剤のみならず熱硬化併用紫外線硬化性接着剤を用いても良い。また、固体撮像素子基板表面がＳｉや金属の場合、接着剤を用いることなく、表面活性化常温接合で接合することもできる。
【００４２】
この後ガラス基板の裏面側からＣＭＰ（化学機械的研磨）を行い、ガラス基板２０１の裏面側を、前記溝部２０４に到達するまで除去する。
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
【００４３】
そして、さらに図３（ｃ）に示すように、シリコン基板１０１の裏面側から同様にＣＭＰを行い、切断溝１０４の部分まで研磨することにより、個々の固体撮像装置に分離する。
【００４４】
このようにして、個々に位置合わせを行ったり、ワイヤボンディングなどの電気的接続を行ったりすることなく、一括実装した後、個々に分離しているため、製造が容易でかつ取り扱いも簡単である。
【００４５】
また、ガラス基板２０１にあらかじめ溝部２０４を形成しておくようにし、実装後、表面からＣＭＰなどの方法により、溝部２０４に到達する深さまで除去するようにしているため、きわめて容易に分離が可能である。
【００４６】
また、固体撮像素子を形成したシリコン基板１０１の端縁よりもガラス基板２０１の端縁が内側にくるようにし、シリコン基板１０１表面を露呈せしめる構造が、あらかじめガラス基板の内側に凹部を形成しておき、接合後、この深さまでエッチバックあるいはＣＭＰなどの方法で除去するという極めて簡単なプロセスで精度よく形成可能である。また、容易に作業性よく形成することができる。また接合により素子形成面を間隙Ｃ内に封止込めた状態で、分離あるいは研磨するのみで個々の固体撮像素子を形成することができるため、素子へのダメージも少なく、塵埃の混入のおそれもなく信頼性の高い固体撮像素子を提供することが可能となる。
【００４７】
また、ＣＭＰによってシリコン基板を約２分の１の深さまで薄くするようにしているため、小型化かつ薄型化をはかることができる。さらにまた、ガラス基板との接合後に薄型化されるため、機械的強度の低下を防ぐことが可能となる。
【００４８】
また、外部との接続についても固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板上のボンディングパッドＢＰがスペーサ２０３Ｓとガラス基板２０１とで形成された封止部から露呈しているため、容易に形成可能である。
【００４９】
このように、本発明の構成によれば、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【００５０】
なお、前記第１の実施の形態では、ボンディングパッドを含む配線層は金層で構成したが、金層に限定されることなく、アルミニウムなど他の金属、あるいはシリサイドなど他の導体層でも良いことはいうまでもない。
また、マイクロレンズアレイについても、基板表面に透明樹脂膜を形成しておき、この表面からイオン移入によって所定の深さに屈折率勾配を有するレンズ層を形成することによって形成することもできる。
【００５１】
また、スペーサとしては、シリコン基板のほか、４２アロイ、金属、ガラス、感光性ポリイミド、ポリカーボネート樹脂など適宜選択可能である。
さらにまた、固体撮像素子基板、スペーサ、ガラス基板の線膨張率が異なっている場合、接着後にそりが発生することがある。このそりを防ぎかつそりが生じたとしても許容範囲内であるように、接着するときの接着温度を室温または摂氏２０℃から８０℃の範囲とする。ここで使用する接着剤としては、エポキシ系、オキセタン系、シリコン系、アクリル系などの接着剤やＵＶ硬化型接着剤、可視光硬化型接着剤であって、所望の接着力を得ることが出来、かつ水分の浸入を防ぎかつ高信頼性を得ることができるように接着層が薄くてよいものが望ましい。前記第１の実施の形態において、接着温度を変えたときのそりの発生状況を測定した。実験は接着温度を２０℃、２５℃、５０℃、８０℃、１００℃と変化させ、それぞれの場合について、常温硬化型接着剤および熱硬化型接着剤を用いて接着したときのそりの発生状況を観察した。実験はガラス基板とスペーサ、スペーサと固体撮像素子基板との接着について行った。
この実験結果から、そりの発生状況は、常温硬化型接着剤および熱硬化型接着剤のいずれを用いた場合にも同様であり、接着温度が、２０℃、２５℃の場合はほとんどそりは発生しなかった。また接着温度が５０℃の場合は許容範囲内ではあるが、そりが生じることがあり、８０℃となると、許容範囲内のそりが存在することが多い。一方１００℃となるとそりが大きくなり許容範囲を越えてしまうことがあった。
この実験結果からも、接着温度は８０℃を越えないようにするのが望ましいことがわかる。
また、光硬化型接着剤を用いる場合には、接着温度は50℃を越えないため、そりの発生もなく良好な接着状態を得ることが可能となる。
【００５２】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
前記第１の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成しておき、固体撮像素子基板と同じシリコンからなるスペーサを用いて固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとを接合後、裏面側からこの切断溝１０４に到達するまでＣＭＰを行なうことにより、シリコン基板１０１を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板１０１に切断溝を形成することなく、分離し、そのままの厚さを残すようにしたことを特徴とする。他部については前記第１の実施の形態と同様に形成されている。
【００５３】
すなわち、この接合および分離工程を図４（ａ）乃至（ｄ）に示す。図４（ａ）に示すように、シリコン基板１０１を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【００５４】
この後、図４（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。このとき、シリコン基板１０１に切断溝が形成されていないため、機械的強度は高い。
【００５５】
この後図４（ｃ）に示すように、前記第１の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からＣＭＰ（化学機械的研磨）を行い、ガラス基板２０１の裏面側を、前記溝部２０４に到達するまで除去する。
【００５６】
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
そして、さらに図４（ｄ）に示すように、ガラス基板２０１側からダイヤモンドブレード（砥石）により、切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
【００５７】
この方法によれば、前記第１の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて厚型ではあるが、信頼性の高い装置を形成することが可能となる。
【００５８】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施の形態について説明する。
前記第１の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝１０４に到達するまでＣＭＰを行なうことにより、シリコン基板１０１を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板１０１の裏面側に接着剤層３０２を介して、板厚５０〜７００μｍのシリコン基板からなるダミー板３０１を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板３０１に到達する深さの切断溝３０４を形成しておくようにしたものである。
【００５９】
従って分離工程においては、接着剤層３０２を軟化させ、粘着性をなくしてこのダミー板３０１を除去するようにしてもよい。
他部については前記第１の実施の形態と同様に形成されている。
すなわち、この接合および分離工程を図５（ａ）乃至（ｅ）に示す。シリコン基板１０１を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。そしてこの後、図５（ａ）に示すように、このシリコン基板１０１の裏面側に接着剤層３０２を介してシリコン基板からなるダミー板３０１を貼着する。
【００６０】
この後、図５（ｂ）に示すように、このシリコン基板１０１の素子形成面側からダイヤモンドブレード（砥石）を用いて切断溝３０４を形成する。
そして、図５（ｃ）に示すように、固体撮像素子基板１００、封止用カバーガラス２００の周縁部に形成したアライメントマーク（図示せず）によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。ここでガラス基板は、図２（ａ）乃至（ｃ）の工程で形成したスペーサ２０３Ｓおよび接着剤層２０７を備えたものを用いている。このとき、シリコン基板１０１を貫通するように切断溝３０４が形成されているが、ダミー板３０１で固定されているため、機械的強度は高い。
【００６１】
この後図５（ｄ）に示すように、前記第１の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からＣＭＰ（化学機械的研磨）を行い、ガラス基板２０１の裏面側を、前記溝部２０４に到達するまで除去する。
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
【００６２】
そして、さらに図５（ｅ）に示すように、シリコン基板１０１裏面の接着剤層３０２を軟化させ、ダミー板３０１を除去することにより、個々の固体撮像装置に分離する。ここで接着剤層３０２にはスペーサをガラス基板２０１に接着するための接着剤層２０２よりも軟化点が低くなるような材料を選択するのが望ましい。
【００６３】
この方法によれば、固体撮像素子基板１００を接合に先立ち、ダミー板３０１上でダイシングしておくようにしているため、第１の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００６４】
なお、前記実施の形態において、ガラス基板とスペーサの接合は、接着剤層を用いて接合してもよいが、陽極接合あるいは表面活性化常温接合も適用可能である。陽極接合によれば、容易に強固な接合を得ることが可能となる。
【００６５】
また、第１乃至第３の実施の形態ではガラス基板の薄型化にＣＭＰを用いたが、研削法、ポリッシング法、エッチング法なども適用可能である。
【００６６】
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施の形態について説明する。
前記第１の実施の形態では、封止用カバーガラス２００を構成するガラス基板２０１の素子間領域に相当する領域にあらかじめ溝部２０４を形成しておくようにし、固体撮像素子基板とガラス基板との接合後、ガラス基板２０１の裏面側からＣＭＰを行なうことにより、個々の素子に分離するようにしたが、本実施の形態では、凹部を形成しないガラス基板を接合し、分離時にダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板２０１の端縁が固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１の端縁よりも内側にくるように調整したことを特徴とするものである。他部については前記第１の実施の形態と同様に形成されている。
【００６７】
すなわち、この方法ではガラス基板の加工は図２（ｂ）に示したようにスペーサを形成した時点で終了し、平板状のガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓが接着されたガラス基板を出発材料として使用する。
【００６８】
そして、図６（ａ）に示すように、あらかじめ、シリコン基板１０１（ここでは６インチウェハを用いる）を用意し、このシリコン基板１０１表面に、各固体撮像素子に分離するための分離線に相当する領域にエッチングなどの方法により切断溝１０４を形成しておく。そして、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【００６９】
この後、図６（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。
【００７０】
この後図６（ｃ）に示すように、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板２０１の端縁が固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【００７１】
そして、さらに図６（ｄ）に示すように、シリコン基板１０１の裏面側から同様にＣＭＰを行い、切断溝１０４の部分まで研磨することにより、個々の固体撮像装置に分離する。また、この工程はＣＭＰに限定されることなく研削、ポリッシング、エッチングなどを用いても良い。
【００７２】
このようにして、一括実装した後個々に分離しているため、製造が容易でかつ取り扱いも簡単である。
【００７３】
また、ガラス基板２０１には、あらかじめ溝部２０４を形成せず、ダイシングまたはレーザで蒸発させることにより、端縁を除去するようにしているため、きわめて容易に分離が可能である。
【００７４】
このように、ＣＣＤを搭載したシリコン基板１０１の端縁よりもガラス基板２０１の端縁が内側にくるようにし、シリコン基板１０１表面を露呈せしめる構造が、ダイシングまたはレーザで蒸発させるという簡単なプロセスで精度よく形成可能である。
【００７５】
また、ガラス基板は分離工程まで同じ肉厚を維持しているため、そりや歪を低減することが可能となる。
【００７６】
（第５の実施の形態）
次に本発明の第５の実施の形態について説明する。
前記第４の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝１０４に到達するまでＣＭＰを行なうことにより、シリコン基板１０１を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板１０１に切断溝を形成することなく、分離し、そのままの厚さを残すようにしたことを特徴とする。また前記第４の実施形態と同様、ガラス基板２０１にも溝部２０４を形成することなく接合し、分離時に端縁部を蒸発させるようにした。他部については前記第１の実施の形態と同様に形成されている。
【００７７】
すなわち、この接合および分離工程を図７（ａ）乃至（ｄ）に示す。図７（ａ）に示すように、シリコン基板１０１を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
この後、図７（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。このとき、シリコン基板１０１およびガラス基板２０１の両方に切断溝も凹部も形成されていないため、機械的強度は高い。
【００７８】
この後図７（ｃ）に示すように、前記第４の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板２０１の端縁が固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【００７９】
そして最後に、図７（ｄ）に示すように、ガラス基板２０１側からダイヤモンドブレード（砥石）により、切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
この方法によれば、前記第１の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて厚型ではあるが、信頼性の高い装置を形成することが可能となる。
【００８０】
（第６の実施の形態）
次に本発明の第６の実施の形態について説明する。
前記第４の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成しておき、裏面側からＣＭＰを行なうことにより、分離するようにしている。また前記第５の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成することなく形成しておき、接合後、ダイヤモンドブレード（砥石）で切断することにより、シリコン基板１０１を分離するようにしている。本実施の形態では、封止用カバーガラス２００と固体撮像素子基板１００を貼り合わせた後にシリコン基板１０１を分離しなくてもすむように、シリコン基板１０１の裏面側に接着剤層３０２を介して、板厚５０〜７００μｍのシリコン基板からなるダミー板３０１を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板３０１に到達する深さの切断溝３０４を形成しておくようにしたものである。
【００８１】
従って分離工程においては、接着剤層３０２を軟化させ、このダミー板３０１を除去することができる。
他部については前記第４および第５の実施の形態と同様に形成される。
【００８２】
すなわち、この接合および分離工程を図８（ａ）乃至（ｅ）に示す。シリコン基板１０１を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。そしてこの後、図８（ａ）に示すように、このシリコン基板１０１の裏面側に接着剤層３０２を介して板厚５０〜７００μｍのシリコン板からなるダミー板３０１を貼着する。
【００８３】
この後、図８（ｂ）に示すように、このシリコン基板１０１の素子形成面側からダイヤモンドブレード（砥石）を用いて切断溝３０４を形成する。
そして、図８（ｃ）に示すように、固体撮像素子基板１００、封止用カバーガラス２００の周縁部に形成したアライメントマーク（図示せず）によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。ここで封止用カバーガラス２００としてのガラス基板２０１は、図２（ａ）乃至（ｃ）の工程と同様にしてガラス基板２０１上に形成したシリコン基板をパターニングしてスペーサ２０３Ｓを形成したものを用いている。接着剤層２０７はスペーサ２０３Ｓの端面に形成される。このとき、シリコン基板１０１を貫通するように切断溝３０４が形成されているが、ダミー板３０１で固定されているため、機械的強度は高い。
【００８４】
この後、図８（ｄ）に示すように、前記第４の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板２０１の端縁が固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【００８５】
そして、さらに図８（ｅ）に示すように、シリコン基板１０１裏面の接着剤層３０２を軟化させ、ダミー板３０１を除去することにより、個々の固体撮像装置に分離する。ここで接着剤層３０２にはスペーサをガラス基板２０１に接着するための接着剤層２０２よりも軟化点が低くなるような材料を選択するのが望ましい。
【００８６】
この方法によれば、固体撮像素子基板１００を接合に先立ち、ダミー板３０１上でダイシングしておくようにしているため、第１の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
なお、前記第４乃至第６の実施の形態においてガラス基板の切断はスクライブあるいはエッチングでもよい。
【００８７】
（第７の実施の形態）
次に本発明の第７の実施の形態について説明する。
前記第６の実施の形態では、シリコン基板１０１の裏面側に接着剤層３０２を介して、板厚５０〜７００μｍのシリコン基板からなるダミー板３０１を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板３０１に到達する深さの切断溝３０４を形成しておくようにし、ガラス基板２０１との接合後、個々の固体撮素子に分離する工程においては、接着剤層３０２を軟化させ、このダミー板３０１を除去することにより、分離するようにしたが、本実施の形態では、ガラス基板２０１に対しても裏面側に、接着剤層４０２を介して、板厚５０〜７００μｍのガラス基板からなるダミー板４０１を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板４０１に到達する深さの凹部４０４を形成する。そして、ガラス基板２０１との接合後、個々の固体撮素子に分離する工程においては、接着剤層４０２を軟化させ、このダミー板４０１を除去することにより、分離するようにしている。他部については前記第６の実施の形態と同様に形成されている。
【００８８】
固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１については第２の実施の形態および第４の実施の形態と同様、あらかじめ切断溝もダミー板も形成しないシリコン基板を使用し、最後にダイヤモンドブレード（砥石）で切断分離するようにしている。
【００８９】
すなわち、この接合および分離工程を図９（ａ）乃至（ｅ）に示す。
まず、図９（ａ）に示すように、ガラス基板２０１の裏面側に、接着剤層４０２を介して、板厚５０〜７００μｍのガラス基板からなるダミー板４０１を貼着しておくようにし、貼着後、さらに、接着剤層２０２を介してシリコン基板２０３を貼着し、図２（ａ）乃至（ｃ）で説明した第１の実施の形態と同様に、シリコン基板２０３をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スペーサ２０３Ｓを形成する。
【００９０】
この後、図９（ｂ）に示すように、前記第１の実施の形態と同様に、固体撮像素子間に相当する領域を再度選択的にエッチングし、このダミー板４０１に到達する深さの凹部４０４を形成する。また、ハーフダイシングにより形成しても良い。
さらに、シリコン基板１０１を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成するとともに、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成したものを用意する。そして、図９（ｃ）に示すように、このようにして形成した固体撮像素子基板１００と、封止用カバーガラス２００の周縁部に形成したアライメントマーク（図示せず）によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、ダミー板４０１付き封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。
【００９１】
この後図９（ｄ）に示すように、加熱し接着剤層４０２を軟化させてダミー板４０１を除去することにより、ガラス基板２０１を分離する。
【００９２】
そして、さらに図９（ｅ）に示すように、ダイヤモンドブレード（砥石）を用いてシリコン基板１０１で形成された固体撮像素子基板を切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
【００９３】
この方法によれば、封止用カバーガラス２００を構成するガラス基板２０１を、接合に先立ち、ダミー板４０１上でダイシングまたはあらかじめエッチングで分離しておくようにしているため、第１の実施の形態で得られるガラス基板に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００９４】
（第８の実施の形態）
次に本発明の第８の実施の形態について説明する。
前記第７の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成することなくそのまま接合し、最後にダイヤモンドブレード（砥石）で切断するようにしたが、本実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝１０４に到達するまでＣＭＰを行なうことにより、シリコン基板１０１を薄型化しながら、分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第７の実施の形態と同様に形成されている。
【００９５】
すなわち、この接合および分離工程を図１０（ａ）乃至（ｄ）に示す。図１０（ａ）に示すように、シリコン基板１０１に切断溝１０４を形成したものを出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【００９６】
この後、図１０（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、固体撮像素子基板１００上に、前記第７の実施の形態のようにして形成したダミー基板４０１付き封止用カバーガラス２００を載置し、常温直接接合により両者を一体化させる。ここでは直接接合により接着剤層を用いることなく形成したが、接着剤層２０７によって接合してもよい。
【００９７】
この後図１０（ｃ）に示すように、固体撮像素子基板１００の裏面側からＣＭＰ（化学機械的研磨）を行い、シリコン基板１０１の裏面側を、前記切断溝１０４に到達するまで除去する。
【００９８】
この工程により、固体撮像素子基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。ここでもＣＭＰに代えて、研削、ポリッシング、エッチングなどを用いても良い。
【００９９】
この後、図１０（ｄ）に示すように、加熱し、接着剤層４０２を軟化して、ダミー基板４０１を除去する。この工程により、容易に分離され、固体撮像装置が形成される。
【０１００】
（第９の実施の形態）
次に本発明の第９の実施の形態について説明する。
前記第７の実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１にあらかじめ切断溝１０４を形成することなくそのまま接合し、最後にダイヤモンドブレード（砥石）で切断するようにしたが、本実施の形態では、固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１も封止用カバーガラス２００を構成するガラス基板２０１にもあらかじめダミー板を形成し、接合に先立ちあらかじめ切断溝１０４および溝部２０４を形成しておき、接合後、接着剤層４０２および３０２を軟化させダミー板３０１および４０１を除去することにより分離するようにしたものである。他部については前記第７の実施の形態と同様に形成されている。
【０１０１】
すなわち、この接合および分離工程を図１１（ａ）乃至（ｄ）に示す。図１１（ａ）に示すように、シリコン基板１０１にダミー板３０１を貼着したものを出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【０１０２】
この後、図１１（ｂ）に示すように、ダミー板３０１にまで到達するように、切断溝３０４を形成する。
そして、また封止用カバーガラス２００の方も前記第７および第８の実施の形態と同様にダミー板４０１を貼着するとともにエッチングまたはダイシングにより凹部４０４を形成しておく。
そして図１１（ｃ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、ダミー基板３０１付き固体撮像素子基板１００上に、前記第７の実施の形態のようにして形成したダミー基板４０１付き封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。
【０１０３】
この後図１１（ｄ）に示すように、接着剤層４０２および２０３を軟化させてダミー板３０１，４０１を除去し、個々の固体撮像素子に分離することが可能となる。
なお、これらの接着剤層３０２，４０２は軟化温度がほぼ同程度のものを使用し、同時に軟化させるようにしてもよい。
また一方を軟化させて除去したのち、テーピングにより固定し、他の一方を軟化させて除去するようにしてもよい。
かかる構成によれば、接合後、余分な応力がかかることがないため、固体撮像素子へのダメージを低減することが可能となる。
【０１０４】
（第１０の実施の形態）
次に本発明の第１０の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第９の実施の形態では、図２（ａ）および（ｂ）に示したように、スペーサ２０３Ｓを形成した封止用カバーガラス２００の形成に際しては、ガラス基板２０１に接着剤を介して、スペーサとなるシリコン基板２０３を貼着し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりこのシリコン基板２０３をパターニングするとともに切断溝２０４を形成したが、本実施の形態では、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、ダミー板５０１を用いてダミー板上で、スペーサ２０３Ｓのエッチングを行い、この後、ガラス基板２０１に接着剤層２０２を介して接着するようにしている。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０１０５】
すなわち、図１２（ａ）に示すように、シリコン基板からなるダミー板５０１に軟化温度５０〜１５０℃程度の接着剤層５０２を介してスペーサとなるシリコン基板２０３を貼着する。そして、このシリコン基板２０３をフォトリソグラフィを用いたエッチング法によりパターニングし、スペーサ２０３Sを形成する。この後、図１２（ｂ）に示すように、軟化温度１００〜２００℃程度の接着剤層２０２を介してスペーサ２０３Ｓ側にガラス基板２０１を貼着する。
【０１０６】
このようにしてガラス基板２０１を貼着した後、接着剤層２０２が軟化することなく接着剤層５０２が軟化するような温度（５０〜１５０℃程度に）加熱し接着剤層５０２を軟化させてダミー板５０１を除去し、スペーサ付きの封止用カバーガラス２００が形成される。
【０１０７】
かかる方法によれば、ガラス基板上でスペーサを加工する必要がないため、ガラス基板２０１にキズを生じてくもりの原因となるのを防止することができる。ダミー板を貼着する接着剤層５０２はフォトリソグラフィ工程におけるベーキング温度に耐えうる程度のものであればよい。また、ダミー板５０１を除去する必要から、スペーサ２０３Ｓをガラス基板２０１に貼着するための接着剤層２０２は前記接着剤層５０２よりも軟化温度が十分に高いものである必要がある。
【０１０８】
また、ガラス板に凹部を形成する必要がある場合には、貼着に先立ち、ダイシングまたはエッチングなどにより図１３に示すように溝部２０４を形成しておくようにすればよい。また、ダミー板５０１を除去した後にダイシングまたはエッチングなどにより、凹凸部を形成するようにすればよい。
【０１０９】
なお、接合工程および切断工程は、前記第１乃至第３の実施の形態で説明した図３乃至図５の工程と同様である。
【０１１０】
（第１１の実施の形態）
次に本発明の第１１の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第１０の実施の形態では、スペーサ２０３Ｓは別に形成し接着剤層を介して貼着するようにしたが、本実施の形態ではフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、ガラス基板２０１に、凹部２０５を形成することによりスペーサ２０６を形成したものである。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０１１１】
すなわち、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
そして、図１４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、凹部２０５を形成することにより、スペーサ２０６を具備したガラス基板が形成される。
【０１１２】
かかる構成によれば、スペーサ２０６が一体形成されているため、製造が容易でかつ位置ずれもなく、また接合部で歪を生じるおそれもない。
【０１１３】
（第１２の実施の形態）
次に本発明の第１２の実施の形態について説明する。
前記第１１の実施の形態では、スペーサ２０６を一体形成した封止用カバーガラス２００を形成する方法について説明したが、図１５（ａ）乃至（ｃ）に示すように、さらに、溝部２０４もエッチングで形成しておくことも可能である。
【０１１４】
本実施の形態ではガラス基板２０１に、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、凹部２０５を形成することにより、スペーサ２０６を一体形成している。そして溝部２０４を形成することにより、固体撮像素子基板１００のエッジよりも封止用カバーガラス２００のエッジが内側にくるようにするためのガラス基板の溝部２０４をエッチング形成している。従って歪の発生が低減され、分離工程が容易となる。
すなわち、図１５（ａ）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
そして、図１５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりガラス基板２０１に、凹部２０５を形成する。
【０１１５】
この後、図１５（ｃ）に示すように、さらにフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、より深くエッチングを行って溝部２０４を形成し、スペーサ２０６を一体形成する。
なおこれらの加工工程は、エッチング深さが異なるため２回のエッチングが必要であるが、マスクとなるレジストパターンを２層構造で形成し、スペーサ形成のための溝部２０４のエッチング後、上層のレジストパターンのみを選択的に除去し、下層側のレジストパターンのみをマスクとしてエッチングするようにしてもよい。
【０１１６】
また、接合および分離工程については前記第１乃至第３の実施の形態で説明した図３乃至５の工程と同様である。
【０１１７】
（第１３の実施の形態）
次に本発明の第１３の実施の形態について説明する。
前記第１１および１２の実施の形態では、スペーサ２０６を一体形成した封止用カバーガラス２００を形成する方法について説明したが、図１６（ａ）乃至（ｄ）に示すように、溝部２０４を形成したガラス基板２０１に、スペーサ用のシリコン基板２０３を貼着し、これをフォトリソグラフィを用いたエッチング法により選択的に除去し、スペーサ２０３Ｓを形成してもよい。他部については前記１１および１２の実施の形態と同様に形成されている。
【０１１８】
本実施の形態ではガラス基板２０１に、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、溝部２０４を形成し、スペーサ２０６を一体形成するとともに、固体撮像素子基板１００のエッジよりも封止用カバーガラス２００のエッジが内側にくるようにするためのガラス基板の溝部２０４をエッチング形成している。従って歪の発生が低減されまた、分離工程が容易となる。
【０１１９】
すなわち、図１６（ａ）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
そして、図１６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング法によりガラス基板２０１に、溝部２０４を形成する。
この後、図１６（ｃ）に示すように、接着剤層２０２を介してスペーサ用基板としてのシリコン基板２０３を貼着する。
そしてさらに図１６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スペーサ２０３Ｓを一体形成する。
【０１２０】
この方法によっても、高精度で信頼性の高いスペーサ付きの封止用カバーガラス２００を形成することができる。
尚、接合および分離工程については前記第１乃至第３の実施の形態で説明した図３乃至５の工程と同様である。
【０１２１】
（第１４の実施の形態）
次に本発明の第１４の実施の形態について説明する。
前記第１３の実施の形態では、図１６（ａ）乃至（ｄ）に示したようにガラス基板２０１に接着剤を介して、スペーサとなるシリコン基板２０３を貼着し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりこのシリコン基板２０３をパターニングして、封止用カバーガラス２００を形成したが、本実施の形態では、図１７（ａ）および（ｂ）に示すように、ダミー板５０１を用いてダミー板上で、スペーサ２０３Ｓのパターニングを行い、この後、溝部２０４を形成したガラス基板２０１に接着剤層２０２を介して接着するようにしている。他部については前記第１３の実施の形態と同様に形成されている。
【０１２２】
すなわち、シリコン基板からなるダミー板５０１に軟化温度５０〜１５０℃程度の接着剤層５０２を介してスペーサとなるシリコン基板２０３を貼着する。そして、図１７（ａ）に示すように、このシリコン基板２０３をフォトリソグラフィによるエッチング法によりパターニングし、スペーサ２０３を形成する。
【０１２３】
この後、図１７（ｂ）に示すように、軟化温度１００〜２００℃程度の接着剤層２０２を介してスペーサ２０３Ｓ側に、溝部２０４を有するガラス基板２０１を貼着する。
このようにしてガラス基板２０１を貼着した後、接着剤層２０２が軟化しない範囲で５０〜１５０℃程度に加熱し接着剤層５０２を軟化させてダミー板５０１を除去し、図１７（ｃ）に示すように、スペーサ付きの封止用カバーガラス２００が形成される。
【０１２４】
かかる方法によれば、ガラス基板上でスペーサを加工する必要がないため、ガラス基板２０１にキズを生じてくもりの原因となるのを防止することができる。
【０１２５】
なお、接合および分離工程については前記第１乃至第３の実施の形態で説明した図３乃至５の工程と同様である。
【０１２６】
（第１５の実施の形態）
次に本発明の第１５の実施の形態について説明する。
前記第１２乃至第１４の実施の形態では、分離工程を容易にするための溝部２０４を備えたスペーサ付きの封止用カバーガラス２００の製造工程について説明したが、第１５乃至１７の実施の形態では、ダミー板４０１に貼着し、溝部２０４を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ちあらかじめ分離されており、接合後、接着剤層４０２を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第１４の実施の形態と同様に形成されている。
【０１２７】
この実施の形態では、図１５（ａ）乃至（ｃ）で示した実施の形態では、スペーサ一体型封止用カバーガラスのガラス基板に溝部２０４を形成し、ガラス基板を分離しやすくなるようにしたが、図１８に示すように、接着剤層４０２を介してガラス基板からなるダミー板４０１を用い、ダミー板をはずすことにより容易に分離できるようにしたものである。
【０１２８】
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、溝部２０４の形成およびスペーサ２０６の形成をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、行っている。
【０１２９】
かかる構成によれば、分割時に加熱によって接着剤層４０２を軟化させるのみでよくきわめて容易に分割可能である。
【０１３０】
なお、接合および分離工程については前記第７乃至第９の実施の形態で説明した工程と同様である。
【０１３１】
（第１６の実施の形態）
次に本発明の第１６の実施の形態について説明する。
本実施の形態では、第１３の実施の形態で説明した凹部付きガラス板にスペーサ２０３Ｓを貼着するタイプのガラス基板２０１を、ダミー板４０１に貼着すると共に溝部２０４を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ち分離されており、接合後、接着剤層４０２を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第１３の実施の形態と同様に形成されている。
【０１３２】
この実施の形態では図１６（ａ）乃至（ｂ）で示した実施の形態のスペーサ一体型ガラス基板に図１９（ａ）乃至（ｂ）に示すように、接着剤層４０２を介してダミー板４０１を貼着し、溝部２０４を形成してなるものである。
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、ダミー板に到達する深さの溝部２０４の形成およびスペーサ２０３Ｓの形成を前記第１３の実施の形態と同様に行っている。
【０１３３】
すなわち、図１９（ａ）に示すように、ガラス基板２０１に接着剤層４０２を介してダミー基板４０１を貼着する。
【０１３４】
この後、図１９（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィを用いてガラス基板２０１をエッチングし、ガラス基板２０１表面からダミー基板４０１に到達する溝部を形成する。
【０１３５】
そして、図１９（ｃ）に示すように、接着剤層２０２を介してスペーサ用のシリコン基板２０３を貼着する。
【０１３６】
そして、図１９（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりシリコン基板２０３を選択的に除去し、スペーサ２０３Sを形成する。
【０１３７】
かかる構成によれば、固体撮像素子基板１００と接合した後、ダイシングに際し、加熱によって接着剤層４０２を軟化させるのみでよくきわめて容易に分割可能である。
【０１３８】
なお、接合および分離工程については前記第７乃至第９の実施の形態で説明した工程と同様である。
【０１３９】
（第１７の実施の形態）
次に本発明の第１７の実施の形態について説明する。
本実施の形態では、ダミー板５０１上でパターニングしたスペーサ２０３Ｓを、第１４の実施の形態（図１７）で説明した凹部付きガラス板にスペーサ２０３Ｓを貼着するタイプのガラス基板２０１を、ダミー板４０１に貼着し、溝部２０４を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ちあらかじめ分離されており、接合後、接着剤層４０２を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第１４の実施の形態と同様に形成されている。
【０１４０】
この実施の形態では、図１７（ａ）乃至（ｂ）で示した実施の形態のスペーサ貼着型ガラス基板に図２０（ａ）乃至（ｃ）に示すように、接着剤層４０２を介してダミー板４０１を貼着してなるものである。
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、ダミー板に到達する深さの溝部２０４の形成およびスペーサ２０３Ｓの形成を前記第１５の実施の形態と同様に行っている。
すなわち、シリコン基板からなるダミー板５０１に接着剤層５０２を介してスペーサとなるシリコン基板２０３を貼着したのち、図２０（ａ）に示すように、このシリコン基板２０３に対し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によるパターニングを施し、スペーサ２０３Ｓを形成する。
【０１４１】
この後、図２０（ｂ）に示すように、接着剤層２０２を介してスペーサ２０３Ｓ側に、ダミー板４０１まで到達するように形成された溝部２０４を有するガラス基板２０１を貼着する。
このようにしてガラス基板２０１を貼着した後、接着剤層５０２を軟化させてダミー板５０１を除去し、図２０（ｃ）に示すように、スペーサ付きの封止用カバーガラス２００が形成される。
かかる構成によれば、分割時に加熱によって接着剤層４０２を軟化させるのみでダミー板４０１が容易に除去され、きわめて容易に分割可能である。
【０１４２】
なお、接合および分離工程については前記第７乃至第９の実施の形態で説明した工程と同様である。
【０１４３】
（第１８の実施の形態）
次に本発明の第１８の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第１７の実施の形態では、透光性基板にスペーサを形成した例について説明したが、以下の第１８乃至第２２の実施の形態では、固体撮像素子基板側にスペーサを形成した例について説明する。
本実施の形態では、固体撮像素子基板を構成するシリコン基板１０１にスペーサ１０６Ｓを一体成形してなるものである。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０１４４】
まず、図２１（ａ）に示すように、シリコン基板１０１表面にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、これをマスクとして選択エッチングにより、図２１（ｂ）に示すように、凹部１０５を形成し、スペーサ１０６Ｓを形成する。
【０１４５】
この後、図２１（ｃ）に示すように、スペーサ１０６Ｓで囲まれた素子形成領域に、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域１０２を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【０１４６】
この後、図２１（ｄ）に示すように、溝部２０４を形成したガラス基板２０１を用意し、図２１（ｅ）に示すように、前記固体撮像素子基板１００の素子形成面に相対向するように位置あわせしこのガラス基板２０１を一体化させる。一体化に際しては、スペーサ表面に塗布された接着剤層１０７を加熱することによって強固に一体化を行なう。
【０１４７】
そして最後に、図２１（ｆ）に示すように、ガラス基板側および固体撮像素子基板側は共にＣＭＰにより、肉薄化することによりこの固体撮像素子に分離することができる。ここでも肉薄化工程はＣＭＰに限定されることなく、研削、ポリッシング、エッチングなどによっても実行可能である。
【０１４８】
また、ガラス基板に溝部２０４を形成しない場合は、ダイシングまたはレーザでの切断を行なうことにより作業性よく分離することが可能となる。さらにまた、シリコン基板に切断溝１０４を形成しない場合は、ダイヤモンドブレードを用いた切断を行なうことにより作業性よく分離することが可能である。
【０１４９】
この方法によれば、スペーサが固体撮像素子基板と一体形成されているため、接合部に歪が発生したりすることもなく、信頼性の高い固体撮像装置を形成することができる。
【０１５０】
（第１９の実施の形態）
次に本発明の第１９の実施の形態について説明する。
前記第１８の実施の形態では、固体撮像素子基板にスペーサが一体形成された例について説明したが、本実施の形態では、固体撮像素子基板上に接着剤層１０７を介して、シリコン基板１０８を貼着し、これを固体撮像素子基板上でパターン形成するようにしてもよい。他部については前記第１８の実施の形態と同様に形成されている。
【０１５１】
すなわち、図２２（ａ）乃至（ｃ）に示すように、本実施の形態では、まず、シリコン基板１０１上に、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成するとともに、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【０１５２】
そして、図２２（ａ）に示すように、固体撮像素子基板上に接着剤層１０７を介して、シリコン基板１０３を貼着する。
この後、図２２（ｂ）に示すように、このシリコン基板１０３を、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により固体撮像素子基板上で選択的に除去し、スペーサ１０３Ｓを形成する。
そして、図２２（ｃ）に示すように、このスペーサ１０３Ｓ上に接着剤層１０９を塗布すると共に、切断溝１０４を形成する。
【０１５３】
この方法によれば、スペーサはシリコン基板上への素子領域形成後に形成されるため、素子領域形成に際してスペーサが邪魔になることもなく、製造が容易となる。一体成形ではないため、若干の歪は避け得ないという問題もある。
【０１５４】
なお、接合および分離工程については前記実施の形態で説明した工程と同様である。
【０１５５】
（第２０の実施の形態）
次に本発明の第２０の実施の形態について説明する。
前記第１９の実施の形態では、固体撮像素子基板上に接着剤層１０７を介して、シリコン基板１０８を貼着し、これを固体撮像素子基板上でエッチングすることによってスペーサ１０３Ｓを形成する例について説明したが、本実施の形態では、ダミー基板６０１を用いてこのダミー基板上でスペーサ１０３Ｓを形成し、これを、固体撮像素子を形成してなるシリコン基板１０１すなわち固体撮像素子形成用基板に貼着するようにしてもよい。他部については前記第１９の実施の形態と同様に形成されている。
【０１５６】
すなわち、図２３（ａ）に示すように、シリコン基板からなるダミー板６０１に軟化温度５０〜１５０℃程度の接着剤層６０２を介してスペーサとなるシリコン基板１０３を貼着する。そして、このシリコン基板１０３をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、選択的に除去しスペーサ１０３Ｓを形成する。この後、図２３（ｂ）に示すように、軟化温度１００〜２００℃程度の接着剤層２０２を介してスペーサ１０３Ｓ側に固体撮像素子を形成したシリコン基板１０１を貼着する。
このようにして固体撮像素子を形成したシリコン基板１０１を貼着した後、図２３（ｃ）に示すように、５０〜１５０℃程度に加熱し接着剤層６０２を軟化させてダミー板６０１を除去し、図２３（ｄ）に示すように、切断溝１０４を形成し、図２２（ｂ）に示したのと同様にスペーサ付きの固体撮像素子基板１００が形成される。
【０１５７】
なお、ここでガラス基板と固体撮像素子基板との接合および分離工程については前記第１８の実施の形態で説明した工程と同様である。
【０１５８】
かかる方法によれば、固体撮像素子基板上でスペーサを加工する必要がないため、固体撮像素子基板にキズを生じて歩留まり低下を生じるのを防止することができる。
【０１５９】
なお、本実施の形態では、スペーサの形成後に切断溝１０４を形成したが、スペーサの形成前に切断溝１０４を形成しても良いことはいうまでもない。
【０１６０】
なお、前記実施の形態において、ガラス気Ｂントスペーサとの接合、および固体撮像素子を構成するシリコン基板とスペーサの接合は、接着剤層を用いて接合したが、表面活性化を行い、常温直接接合によって接合することにより、強固な接合を得ることが可能となる。
【０１６１】
また、前記第１乃至第２０の実施の形態（第１１，１２，１５を除く）では、スペーサとしてはシリコン基板を用いたが、これに限定されることなく、熱膨張係数が固体撮像素子基板に近い４２アロイなども適用可能である。また熱膨張係数が透光性基板に近い材料を用いても良い。更にまたポリイミド樹脂などを用いても良い。この場合はフレキシブルであり、温度変化による歪の発生に対しても歪吸収効果がある。
さらにまた、接着テープを用いてスペーサを形成してもよく、この場合は全面に貼着後、レーザ加工などを用いて切断することにより、高精度の加工が可能となる。
【０１６２】
さらに、前記第１乃至第２０の実施の形態では、ダミー板を用いる場合にはシリコン基板またはガラス基板を用いたが、これに限定されることなく、金属板なども使用可能である。さらには、フレキシブルフィルムであってもよい。
【０１６３】
また接着剤層としては、半硬化性樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ＵＶ／熱硬化併用型樹脂、熱硬化性樹脂も適用可能である。
加えて、接着剤層の形成方法としては転写法、スクリーン印刷、ディスペンス法など適宜選択可能である。
なお、これら第１８乃至２０の実施の形態では、スペーサの形成に先立ち切断溝を形成したが、スペーサの形成後に切断溝を形成しても良いことはいうまでもない。
【０１６４】
（第２１の実施の形態）
次に、本発明の第２１の実施の形態として補強板を具えた固体撮像装置について説明する。
この固体撮像装置は、図２４に示すように、前記第1の実施の形態の固体撮像装置の固体撮像素子基板１００を構成するシリコン基板１０１の裏面側に酸化シリコン膜（図示せず）を介して接合されたシリコン基板からなる補強板７０１を貼着したことを特徴とする。なおここでは表面に酸化シリコン膜の形成されたシリコン基板からなる補強板７０１を、表面活性化常温接合を用いた直接接合により固体撮像素子基板上に接合している。
【０１６５】
素子構成としては、前記第1の実施の形態で説明した固体撮像装置と同様であり、シリコン基板を裏面からＣＭＰ法などにより約半分の肉厚まで肉薄化し、薄くすることによって強度的に弱くなっているのを補償するため、裏面に補強板７０１を接合したことを特徴とする。
【０１６６】
かかる構成によれば、固体撮像素子基板１００を肉薄化し、駆動速度を高めるとともに、肉薄化による強度低下を補強板で補償することができる。また防湿性も向上する。
【０１６７】
次にこの固体撮像装置の製造工程について説明する。
固体撮像素子基板にガラス基板を貼着する工程までは、基本的には前記第１の実施の形態と同様である。すなわち図２５（ａ）に示すように、あらかじめ、切断溝１０４を形成したシリコン基板１０１に、通常のシリコンプロセスを用いて固体撮像素子を構成する素子領域を形成するとともに、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドＢＰを形成する。
【０１６８】
この後、図２５（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして素子領域の形成された固体撮像素子基板１００上に、封止用カバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０２によって両者を一体化させる。この工程は表面活性化常温接合であってもよい。
【０１６９】
この後図２５（ｃ）に示すように、ガラス基板はそのままにして、シリコン基板１０１の裏面側から同様にＣＭＰなどの方法を行い、切断溝１０４の部分まで研磨することにより、個々の固体撮像装置に分離する。
【０１７０】
そして、さらに図２５（ｄ）に示すように、肉薄化されたシリコン基板１０１の裏面側に、表面に酸化シリコン膜（図示せず）の形成されたシリコン基板からなる補強板７０１を、表面活性化常温接合を用いた直接接合により接合する。
【０１７１】
そして最後に、ガラス基板２０１の裏面側を、前記溝部２０４に到達するまで除去し、ガラス基板の薄型化を行なうと共に同時に個々に分離する。そして最後にダイヤモンドブレード（砥石）などを用いて補強板をダイシングし図２５（ｅ）に示すように補強板付きの固体撮像装置を形成する。
【０１７２】
このようにして極めて容易に固体撮像装置が形成される。
このように本発明の方法によれば、個々に位置合わせを行ったり、ワイヤボンディングなどの電気的接続を行ったりすることなく、一括実装した後個々に分離しているため、製造が容易でかつ取り扱いも簡単である。また、まずシリコン基板を肉薄化して分離し補強板を貼着した後、補強板をダイシングしているため、信頼性の高いものとなる。
【０１７３】
なお、本実施の形態ではスペーサはガラス基板上に形成されているものを用いたが、固体撮像素子基板上に設けられているものも、別に設けた物についても適用可能である。
【０１７４】
また、前記実施の形態では補強板は固体撮像素子基板と絶縁分離されたシリコン基板で構成し、断熱性を持たせるようにしたが、熱伝導性の良好な基板を用いて放熱板として利用することも可能である。また、本実施の形態によれば、防湿性も向上する。また切断溝１０４がない場合にも本実施の形態は適用可能である。
【０１７５】
（第２２の実施の形態）
また、本発明の第２２の実施の形態として、補強板に代えて、図２６に示すように、タングステンやクロムなどの金属基板を貼着することにより、シールド板８０１とすることも可能である。他部についてはまったく同様に構成する。
かかる構成によれば、電磁波をシールドすることができ、不要輻射ノイズの低減を図ることが可能となる。
【０１７６】
（第２３の実施の形態）
次に本発明の第２３の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第２２の実施の形態では、固体撮像素子基板表面に形成されたボンディングパッドが露呈するように形成し、固体撮像素子基板表面で電気的接続が可能となるように、透光性基板（ガラス基板）２０１のエッジが固体撮像素子基板のエッジよりも内側にくるように形成したが、本実施の形態では、固体撮像素子基板もガラス基板もエッジが等しく構成され、図２７（ｃ）に示すように、固体撮像素子基板１００およびこの裏面に貼着された補強板７０１を貫通するスルーホールＨを介して裏面側の取り出しを行なうようにしたことを特徴とする。１０８は導体層、１０９は絶縁層としての酸化シリコン層である。すなわち、固体撮像素子１０２の形成された半導体基板としてのシリコン基板１０１からなる固体撮像素子基板１００表面に、このシリコン基板１０１の受光領域に相当して空隙Cをもつようにスペーサ２０３Ｓを介して透光性部材としてのガラス基板２０１が接合されるとともに、このシリコン基板１０１に形成されたスルーホールＨによって固体撮像素子基板１００の裏面側に取り出し、固体撮像素子基板１００裏面に形成された外部取り出し端子としての、パッド１１３およびバンプ１１４を形成してなるもので、周縁がダイシングによって個別に分離され、このバンプ１１４を介して、外部接続がなされるようになっている。ここでは、図２８（ｄ）に示すように異方性導電膜１１５を介して周辺回路基板９０１に接続されている。また、これ以外に、超音波を用いた拡散接合、半田接合、熱圧着による共晶接合も有効である。さらには隙間を樹脂でアンダーフィルするようにしてもよい。ここでスペーサ２０３Ｓは、３０〜１５０μｍ、好ましくは８０〜１２０μｍの高さとする。他部については前記第１の実施の形態と同様に形成されている。
【０１７７】
この固体撮像装置の製造工程を、図２７（ａ）乃至（ｃ）および図２８（ａ）乃至（ｄ）に示す。
【０１７８】
すなわち、この方法では、前記第４の実施の形態において、図６（ａ）乃至（ｂ）に示した工程と同様に、通常のシリコンプロセスを用いて、固体撮像素子形成のための素子領域および外部接続のためのボンディングパッドＢＰを形成した固体撮像素子基板１００の裏面に、酸化シリコン膜（図示せず）を形成したシリコン基板からなる補強板７０１を表面活性常温接合により接合する。（図２７（ａ））
【０１７９】
この後、図２７（ｂ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、平板状のガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓが接着されたカバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。
【０１８０】
そして補強板７０１の裏面側からフォトリソグラフィを用いたエッチング法によりスルーホールを形成する。そしてＣＶＤ法によりスルーホール内に酸化シリコン膜１０９を形成し、この後，ＲＩＥやＩＣＰドライエッチングなどの異方性エッチングを行い、スルーホール側壁にのみ酸化シリコン膜１０９を残留させ、図２７（ｃ）に示すように、ボンディングパッドＢＰを露呈させる。
【０１８１】
そして図２８（ａ）に示すように、ＷＦ₆を用いたＣＶＤ法によりこのスルーホール内にボンディングパッドとコンタクトする導体層１０８としてタングステン膜を形成する。
【０１８２】
そして図２８（ｂ）に示すように、前記補強板７０１表面にボンディングパッド１１３を形成すると共に、バンプ１１４を形成する。
このようにして補強板７０１側に信号取り出し電極端子および通電用電極端子を形成することが可能となる。
【０１８３】
そして図２８（ｃ）に示すように、この補強板７０１の表面に異方性導電膜１１５（ＡＣＰ）を塗布する。
最後に図２８（ｄ）に示すように、この異方性導電膜１１５を介して駆動回路を形成した回路基板９０１を接続する。なおこの回路基板９０１には基板を貫通するように形成されたスルーホールに充填された導体層からなるコンタクト層１１７とボンディングパッド１１８とが形成されている。
従ってこのボンディングパッド１１８を介して、プリント基板などの回路基板との接続が容易に達成可能である。またこのコンタクト層１１７は固体撮像素子基板に形成された導体層１０８と、位置合わせがなされて形成される。
【０１８４】
この後、ダイシングラインＤＣに沿って、装置全体をダイシングし、個々の固体撮像装置に分割する。（図面では、一単位しか示していないが、１枚のウェハ上に複数の固体撮像素子が連続形成されている。）
このようにして極めて容易に作業性よく固体撮像装置が形成される。
【０１８５】
なお、この補強板７０１は酸化シリコン膜を形成したシリコン基板で構成されているため、固体撮像素子基板１００との断熱あるいは電気的絶縁が可能である。
【０１８６】
また、前記実施の形態では、ＣＶＤ法によりスルーホール内に導体層を形成したが、めっき法、真空スクリーン印刷法あるいは真空吸引法などを用いても容易に作業性よくアスペクト比の高いコンタクトホールへの導体層の充填が可能となる。
【０１８７】
更にまた、前記実施の形態では、スルーホールを用いて固体撮像素子基板および周辺回路を搭載した回路基板の表裏の電気的接続をおこなったが、これに限定されることなく、表面および裏面からの不純物拡散により表裏が電気的に接続されるようにコンタクトを形成するなどの方法も可能である。
このようにして補強板７０１側に信号取り出し電極端子および通電用電極端子を形成することが可能となる。
【０１８８】
（第２４実施の形態）
次に本発明の第２４実施の形態について説明する。
前記第２３の実施の形態では、補強板７０１を貫通するようにスルーホールを形成し導体層１１１を形成したが、本実施の形態では、あらかじめホール（垂直孔）を形成したシリコン基板を用いて固体撮像素子基板を形成する。これにより、垂直孔の形成深さが浅くてすむため生産性が向上するとともに、製造歩留まりの向上をはかることが可能となる。他部については前記第２３の実施の形態と同様に形成されている。
【０１８９】
すなわち図２９（ａ）に示すように、固体撮像素子を形成するに先立ち、まずシリコン基板の裏面に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、垂直孔１１８を形成する。なお、この工程では表面にアルミニウムなどからなるパッド１１０を形成しておきこのパッドに到達するように垂直孔１１８を形成する。
【０１９０】
そしてこの垂直孔の内壁に、図２９（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜１１９を形成する。
そして、図２９（ｃ）に示すように、前記各実施の形態と同様に通常のシリコンプロセスを用いて、固体撮像素子形成のための素子領域を形成した。
そして、図２９（ｄ）に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、平板状のガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓが接着されたカバーガラス２００を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。ここでも接合工程は表面活性化常温接合を用いても良い。
【０１９１】
そして図２９（ｅ）に示すように、この固体撮像素子基板１００の裏面側に補強板７０１を表面活性化常温接合で接合し、裏面側からフォトリソグラフィを用いたエッチング法により前記垂直孔１１８に到達するようにスルーホール１０８を形成する。ここでもスルーホール内壁は絶縁化しておくのが望ましい。また、あらかじめスルーホールを形成した補強板を用いるようにしてもよい。
【０１９２】
このあとは前記第２３の実施の形態で説明した図２８（ａ）乃至（ｄ）に示す工程を実行することにより、周辺回路を形成した回路基板まで積層した構造の固体撮像装置が容易に形成される。
前述したように本実施形態では、垂直孔の形成深さが浅くてすむため生産性が向上するとともに、製造歩留まりの向上をはかることが可能となる。
【０１９３】
（第２５の実施の形態）
次に本発明の第２５の実施の形態について説明する。
前記第２４の実施の形態では、補強板７０１、固体撮像素子基板および回路基板を貫通するようにコンタクトを形成し、回路基板側に電極取り出しを行なうようにしたが、本実施の形態では図３０（ａ）および（ｂ）に示すように、側壁に配線層としての導体層１２０を形成し固体撮像装置の側壁から電極取り出しを行なうようにしたことを特徴とするものである。他部については前記第２４の実施の形態と同様に形成されている。
【０１９４】
製造工程についても、前記第２４の実施の形態とほぼ同様に形成されるが、スルーホールの位置をそれぞれの固体撮像装置の端部に相当するように形成し、このスルーホールを含む切断線ＤＣでダイシングすることにより、容易に側壁に配線層の形成された固体撮像装置を形成することができる。
【０１９５】
また、このスルーホールに充填する導体層１２０をタングステンなどの遮光性材料で構成することにより、完全ではないにしても固体撮像装置への遮光がなされるため誤動作の低減を図ることが可能となる。
またこの補強板は、必要に応じて、ポリイミド樹脂、セラミック、結晶化ガラス、表面および裏面を酸化されたシリコン基板などで構成すれば、断熱基板の役割を持たせることができる。また防湿性のある封止材料あるいは遮光材料で形成するようにしてもよい。
【０１９６】
（第２６の実施の形態）
次に本発明の第２６の実施の形態について説明する。
前記第２３および２４の実施の形態では、図２８に示すように、固体撮像素子基板１００の裏面側は補強板を介して周辺回路基板に積層されているが、本実施の形態では、図３１に示すように、固体撮像素子基板１００は周辺回路基板９０１上に積層され、周辺回路基板の裏面側上に、補強板７０１が順次積層されている。他部については前記第２４あるいは２５の実施の形態と同様に形成されている。
【０１９７】
この補強板は放熱板を兼ねる。
製造工程についても、前記第２３および２４の実施の形態とほぼ同様に形成されるが、固体撮像素子基板１００と周辺回路基板９０１とが近い位置に配置される分、接続抵抗が低減され、高速駆動が可能となる。
【０１９８】
（第２７の実施の形態）
次に本発明の第２７の実施の形態について説明する。
この例は前記第２６の実施の形態において、スルーホールは基板内部に形成され、周辺回路基板の裏面側で電極取り出しを行なうようにしているが、本実施の形態では、図３２に示すように、側壁に絶縁膜１２１を介して配線層としての導体層１２０を形成したことを特徴とするものである。他部については前記第２６の実施の形態と同様に形成されている。
【０１９９】
製造に際しては、前記第２５の実施の形態とほぼ同様に形成されるが、ダイシングラインがスルー-ホールなどに形成されたコンタクトを含む位置になるようにするのみで容易に側壁配線のなされた固体撮像装置を形成することが可能となる。
【０２００】
この固体撮像装置では、配線が側壁に形成されているため、信号取り出し端子や電流供給端子なども側壁に形成可能である。ただ、周辺回路基板９０１の裏面側パッドおよびバンプを形成して接続を行なうようにしても良いことはいうまでもない。７０１は補強板である。
前記第２１乃至第２７の実施の形態において、封止用カバーガラス２００は、第１乃至第２０の実施の形態での製造方法と同様に形成可能である。
【０２０１】
（第２８の実施の形態）
次に本発明の第２８の実施の形態について説明する。
前記第２３の実施の形態において、スルーホールは基板内部に形成され、周辺回路基板の裏面側で電極取り出しを行なうようにしているが、本実施の形態では、図３３に示すように、ガラス基板２０１およびスペーサ２０３Ｓに形成されたスルーホール２０８に導体層２０９を形成するとともにガラス基板の上面にパッド２１０を形成して、上方に、信号取り出し端子および電流供給端子を形成したことを特徴とするものである。他の部分については、図２７および図２８に示した前記第２３の実施の形態と同様に形成される。
【０２０２】
次に、この固体撮像装置の製造工程を、図３４（ａ１）乃至（ｆ）および図３５（ａ）乃至（ｅ）に示す。
【０２０３】
すなわち、前記第２３の実施の形態において、図２７（ｃ）に示した工程で、固体撮像素子基板１００にスルーホールを形成し、固体撮像素子基板の裏面側に信号取り出し端子および電流供給端子を形成したのに対し、この方法では、封止用カバーガラス２００を構成するガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓを貼着し、その状態で、スペーサおよびガラス基板を貫通するようにスルーホール２０８を形成し、これに導体層を形成し、封止用カバーガラス表面側に、信号取り出し端子および電流供給端子を形成するようにしたことを特徴とする。
【０２０４】
まず、図３４（ａ１）に示すように、スペーサを形成するための板厚３０から１２０μｍのシリコン基板２０３を用意する。
ついで、図３４（ａ２）に示すように、封止用カバーガラス２００を構成するためのガラス基板２０１を用意する。
そして、図３４（ｂ）に示すように、この基板２０３の表面に接着剤層２０２を塗布する。
【０２０５】
この後、図３４（ｃ）に示すように、このガラス基板２０１の表面に、接着剤層２０２の塗布されたシリコン基板２０３を貼着する。
【０２０６】
続いて、図３４（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成しこのレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行い、フォトダイオードに対応する領域すなわち受光領域（図１（ｂ）における４０）に対応する領域を含む凹部２０５を除くようにあらかじめ接着剤を塗布しておくか、またはＲＩＥ後、酸素プラズマなどで除去処理を行なう。
【０２０７】
続いて、図３４（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成しこのレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行い、スペーサ２０３Ｓおよびガラス基板２０１を貫通するようにスルーホール２０８を形成する。
【０２０８】
そして、必要に応じてＣＶＤにより少なくとも、シリコンからなるスペーサの内壁に酸化シリコン膜（図示せず）を形成する。
なお、スペーサがガラスあるいは樹脂などの絶縁体で形成されている場合には、この工程は不要である。またスペーサの内壁または外壁に遮光膜を形成してもよい。
【０２０９】
この後、図３５（ａ）に示すように、内壁を絶縁化されたスルーホール内壁に銀ペーストまたは銅ペーストなどの導電性ペーストを用いた真空スクリーン印刷あるいは金属めっきなどにより導体層２０９を形成し、スペーサ２０３Ｓおよびガラス基板２０１を貫通する貫通コンタクト領域を形成する。
【０２１０】
そして、図３５（ｂ）に示すように、このスペーサ付きガラス基板の表面および裏面に貫通コンタクト領域に接続するように金のボンディングパッド２１０、２１１またはバンプ２１２を形成する。ここで成膜に際しては、表面および裏面に金薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりパターニングする、あるいはスクリーン印刷、選択めっきなどが適用可能である。
【０２１１】
さらに、図３５（ｃ）に示すように、異方性導電樹脂膜２１３を塗布する。
【０２１２】
一方、図３５（ｄ）に示すように、前記第２３の実施の形態で用いた（図２７（ａ）参照）のと同様に、補強板７０１を形成してなる固体撮像素子基板１００を用意する。
【０２１３】
そして、図３５（ｅ）に示すように各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、平板状のガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓが接着されたカバーガラス２００を載置し、加熱することにより異方性導電膜２１３によって両者を一体化させる。
【０２１４】
この後、ダイシングラインＤＣに沿って、装置全体をダイシングし、個々の固体撮像装置に分割する。
このようにして極めて容易に作業性よく、封止用カバーガラス上にボンディングパッドなどのコンタクト領域を形成した固体撮像装置が形成される。
【０２１５】
（第２９の実施の形態）
次に本発明の第２９の実施の形態について説明する。
前記第２８の実施の形態では、ガラス基板およびスペーサを貫通するスルーホールを形成し、封止用カバーガラス上にボンディングパッドなどのコンタクト領域を形成した固体撮像装置について説明したが、以下の第３０乃至３３の実施の形態では、この変形例について説明する。
まず本実施の形態では、スペーサへのスルーホールの形成に特徴を有するもので、図３６（ａ）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
そして、図３６（ｂ）に示すように、このガラス基板２０１の表面に、光造形法により光硬化性樹脂を形成し、スペーサ２１３を形成する。
この後、図３６（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スルーホール２０８を形成する。
このようにして容易に、スペーサを有するとともにスルーホールを形成した封止用カバーガラスを得ることができる。
あとは前記第２８の実施の形態で説明したのと同様に図３５（ａ）乃至図３５（ｅ）に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行なうことにより、図３５（ｅ）に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
かかる方法によれば、スペーサが容易に形成される。なお本実施の形態では光硬化性樹脂を用いたが接着剤自身を用いても良い。ガラス基板とスペーサが一体形成されており、そりや歪を低減することが可能となり、また製造も容易である。
【０２１６】
（第３０の実施の形態）
次に、本発明の第３０の実施の形態について説明する。
前記第２８の実施の形態では、ガラス基板にスペーサ形成用のシリコン基板を貼着し、これをパターニングするようにしたが、本実施の形態では、１回のエッチング工程でガラス基板をエッチング加工して、凹部およびスルーホールを同時形成するようにしてもよい。他部については前記第２８の実施の形態と同様に形成されている。
【０２１７】
まず本実施の形態では、図３７（ａ）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
そして、図３７（ｂ）に示すように、このガラス基板２０１の表面および裏面にレジストパターンＲを形成し、スルーホールを形成すべき領域には表裏両面に開口を有し、凹部２０５と、（必要に応じて切断溝２０４）を形成すべき領域には裏面側のみに開口を有するようにする。
この後、図３７（ｃ）に示すように、この表裏のレジストパターンをマスクとして両面からガラス基板をエッチングして、凹部２０５と切断溝（図示せず）とスルーホール２０８とを同時に形成する。
このようにして容易に、スペーサを一体的に形成するとともにスルーホールを形成した封止用カバーガラスを得ることができる。
あとは前記第２８の実施の形態で説明したのと同様に図３５（ａ）乃至図３５（ｅ）に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行なうことにより、図３５（ｅ）に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
ガラス基板とスペーサが一体形成されており、そりや歪を低減することが可能となり、また製造も容易である。
【０２１８】
（第３１の実施の形態）
次に、本発明の第３１の実施の形態について説明する。
前記第２８の実施の形態では、ガラス基板にスペーサ形成用のシリコン基板を貼着し、これをパターニングするようにしたが、本実施の形態では、ガラス基板２０１に、すでにパターン形成のなされたスペーサ２０３Ｓを貼着し、最後にエッチング工程でスルーホールを形成するものである。他部については前記第２８の実施の形態と同様に形成されている。
【０２１９】
まず本実施の形態では、図３８（ａ１）に示すように、ガラス基板２０１を用意する。
一方、図３８（ａ２）に示すように、スペーサ形成用のシリコン基板２０３を用意する。
そして、図３８（ｂ）に示すように、このシリコン基板２０３をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により加工し、スペーサ２０３Ｓを得る。
【０２２０】
この後、図３８（ｃ）に示すように、このパターニングのなされたスペーサ表面に接着剤２０２を塗布する。
そして、図３８（ｄ）に示すように、ガラス基板２０１に位置合わせをしながらスペーサ２０３Ｓを貼着する。
この後、図３８（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりスルーホール２０８を形成する。
【０２２１】
このようにして容易に、スペーサを貼着するとともにスルーホールを形成した封止用カバーガラスを得ることができる。
【０２２２】
そして、必要に応じてＣＶＤにより少なくとも、シリコンからなるスペーサの内壁に酸化シリコン膜（図示せず）を形成する。
なお、スペーサがガラスあるいは樹脂などの絶縁体で形成されている場合には、この工程は不要である。またスペーサの内壁または外壁に遮光膜を形成してもよい。
【０２２３】
あとは前記第２８の実施の形態で説明したのと同様に図３５（ａ）乃至図３５（ｅ）に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行なうことにより、図３５（ｅ）に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
【０２２４】
なおガラス基板とスペーサの貼り合わせに際しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂あるいはこれらの併用、あるいは半硬化の接着剤塗布によって実行するようにしてもよい。またこの接着剤の形成に際してはディスペンサでの供給、スクリーン印刷、スタンプ転写など適宜選択可能である。
【０２２５】
また、図３８（ｃ）に示したように、スペーサの凹部の内側壁にタングステン膜をスパッタリングするなどの方法により、遮光膜２１５を形成しておくようにしてもよい。
これにより、別に遮光膜を設けることなく、良好な撮像特性を得ることが可能となる。
【０２２６】
（第３２の実施の形態）
次に、本発明の第３２の実施の形態について説明する。
前記第２８の実施の形態では、ガラス基板にスペーサ形成用のシリコン基板を貼着し、これをパターニングし、最後にエッチングによってガラス基板とスペーサとを貫通するスルーホールを形成する例について説明したが、本実施の形態では、図３９（ａ１）〜（ｆ）に示すように、シリコン基板をエッチングすることにより形状加工し、図３９（ｅ１）に示すスルーホール２０８ａまで形成したスペーサ２０３Ｓと図３９（ｂ２）に示すスルーホール２０８ｂを形成したガラス基板２０１とをウェハレベルでアライメントマークを用いて位置合わせし、接着剤層２０２を用いて貼り合わせを行ったものである。他部については前記第２８の実施の形態と同様に形成されている。
【０２２７】
この場合もスペーサの凹部を望む内側壁に遮光膜（２１５）を形成することも可能である。
かかる方法によれば、個別にスルーホールを形成して貼り合わせているため、位置合わせは必要であるが、アスペクト比が約半分でよいためスルーホールの形成は容易となる。
【０２２８】
あとは前記第２８の実施の形態で説明したのと同様に図３５（ａ）乃至図３５（ｅ）に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行なうことにより、図３５（ｅ）に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
【０２２９】
（第３３の実施の形態）
次に、本発明の第３３の実施の形態について説明する。
前記第２８の実施の形態では、ガラス基板にスペーサ形成用のシリコン基板を貼着し、エッチング工程ガラス基板とスペーサとを貫通するスルーホールに導体層２０９を形成した後、固体撮像素子基板１００を貼着したが、本実施の形態では、図４０（ａ）〜（ｄ）に示すように、裏面に補強板７０１を貼着してなる固体撮像素子基板１００に、前記第2８乃至３２の実施の形態で形成したスルーホール２０８の形成されたスペーサ付きガラス基板２００を、ウェハレベルで位置あわせして貼り合わせを行い、この後スルーホール２０８内に導体層２０９を形成するようにしたことを特徴とするものである。またこの導体層２０９に接続するようにボンディングパッド２１０が形成されている。他部については前記第２８の実施の形態と同様に形成されている。
ここでも導体層２０９の埋め込みに際しては、銅ペーストなどの導電性ペーストを用いた真空スクリーン印刷、あるいは金属めっきなどによって容易に形成可能である。
【０２３０】
（第３４の実施の形態）
次に本発明の第３４の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第３３の実施の形態において、透光性部材としては板状体からなる封止用カバーガラスを用いたが、この封止用カバーガラス自体に結像機能をもたせ、光学部材を構成することにより、より小型化をはかることができる。
【０２３１】
この固体撮像装置は、図４１に示すように、前記第２８乃至３３の実施の形態における封止用カバーガラス２００に代えて、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を用いたことを特徴とするものである。
この封止用カバーガラス２２０は、モールド法またはエッチング法などにより形成される。
【０２３２】
また、他の部分について前記第２８の実施の形態とほぼ同様に形成されている。
前記第２８の実施の形態では、図３３に示すように、ガラス基板２０１およびスペーサ２０３Ｓに形成されたスルーホール２０８に導体層２０９を形成するとともにガラス基板の上面にパッド２１０を形成して、上方に、信号取り出し端子および電流供給端子を形成しているが、本実施の形態では、図示しない一部の領域でボンディングパッドＢＰが外部接続端子に接続されており、信号取り出し端子および電流供給端子を構成したことを特徴とするものである。他の部分については、図３３および図３４に示した前記第２８の実施の形態と同様に形成される。
【０２３３】
次に、この固体撮像装置の製造工程を、図４２（ａ１）乃至（ｄ）および図４３（ａ）乃至（ｃ）に示す。
【０２３４】
すなわち、製造工程についても前記第２８〜３３の実施の形態における封止用カバーガラス２００に代えて、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を用いた点で大きく異なるのみである。
【０２３５】
また、前記第３３の実施の形態では、封止用カバーガラス２００を構成するガラス基板２０１にスペーサ２０３Ｓを貼着し、その状態で、スペーサおよびガラス基板を貫通するようにスルーホール２０８を形成し、これに導体層を形成し、封止用カバーガラス表面側に、信号取り出し端子および電流供給端子を形成したが、この例でも同様に形成しても良い。
【０２３６】
図４２（ａ１）乃至（ｄ）に示す工程で形成されたレンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０のスペーサ２０３Ｓ表面に接着剤層２０７を形成する（図４３（ａ）に示す）。
【０２３７】
一方、図４３（ｂ）に示すように前記第２８の実施の形態で用いたのと同様に、補強板７０１を形成してなる固体撮像素子基板１００を用意する。
【０２３８】
そして、図４３（ｃ）に示すように各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板１００上に、スペーサ２２３Ｓが接着されたレンズアレイ付きカバーガラス２２０を載置し、加熱することにより接着剤層２０７によって両者を一体化させる。
【０２３９】
またこのレンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０の製造工程の変形例を第３５乃至第３８の実施の形態で説明する。
【０２４０】
（第３５の実施の形態）
次に本発明の第３５の実施の形態について説明する。
本実施の形態では図４４（ａ）および（ｂ）に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を用意し、この裏面側にエッチングにより凹部２２５を形成しスペーサ２２３Ｓを一体形成したことを特徴とするものである。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０２４１】
かかる構成によれば容易に作業性よく形成することができ、また一体形成であるため歪の発生もなく信頼性の高いレンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を得ることができる。
【０２４２】
（第３６の実施の形態）
次に本発明の第３６の実施の形態について説明する。
まず本実施の形態では、図４５（ａ）に示すように、レンズアレイ付きガラス基板２２０を用意する。
そして、図４５（ｂ）に示すように、このレンズアレイ付きガラス基板２２０の表面に、光造形法で光硬化性樹脂を形成し、スペーサ２２３Ｓを形成する。
このようにして容易に、スペーサを有するとともにスルーホールを形成した封止用カバーガラスを得ることができる。
あとは前記第３４の実施の形態で説明したのと同様に図４３（ａ）乃至図４３（ｃ）に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行なうことにより、図４３（ｃ）に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
【０２４３】
（第３７の実施の形態）
次に、本発明の第３７の実施の形態について説明する。
前記第３４の実施の形態では、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０にシリコン基板を貼着し、これをパターニングするようにしたが、図４６（ａ１）乃至（ｄ）に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０にエッチング法で形成されたスペーサ２０３Ｓを貼着してもよい。ここでも実装工程は前記第３６の実施の形態と同様に固体撮像素子基板と貼りあわせを行い、ダイシングを行なうことにより、固体撮像装置を得ることができる。
【０２４４】
（第３８の実施の形態）
次に、本発明の第３８の実施の形態について説明する。
また図４７に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０、スペーサ２０３Ｓ、補強板７０１付き固体撮像素子基板１００を同時に固着するようにしてもよい。
【０２４５】
（第３９の実施の形態）
次に、本発明の第３９の実施の形態について説明する。
また図４８（ａ）乃至（ｄ）に示すように、前記第２３の実施の形態において図２８（ａ）乃至（ｄ）に示した、周辺回路基板９０１を、異方性導電膜１１５を介して積層した固体撮像装置においてもレンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を適用することも可能である。他部については前記の実施の形態と同様に形成されている。
また、この周辺回路基板９０１の接続に際しても、これ以外に、超音波を用いた拡散接合、半田接合、熱圧着による共晶接合も有効である。さらには樹脂でアンダーフィルするようにしてもよい。
板状体からなる封止用カバーガラス２００に代えてレンズアレイ付き封止用カバーガラス２２０を用いてもよい。
【０２４６】
（第４０の実施の形態）
次に、本発明の第４０の実施の形態について説明する。
また図４９に示すように、第２６の実施の形態において図３１に示したのと同様に、固体撮像素子基板１００、周辺回路基板９０１および補強板７０１の順に積層してもよい。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０２４７】
（第４１の実施の形態）
次に、本発明の第４１の実施の形態について説明する。
また図５０に示すように、スペーサの側壁に配線２２１を形成したものも有効である。
製造に際しては、第２７の実施の形態と同様であり、スペーサにスルーホールを形成しスルーホール内に導体層を形成し、固体撮像素子基板およびレンズ付き封止用カバーガラス２２０を貼り合わせた後、スルーホールを含むダイシングラインで分割することにより容易に側壁配線が可能となる。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【０２４８】
なお、前記実施の形態では、封止用カバーグラスを構成するガラス基板とスペーサとの接合および固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行なう方法について説明したが、全ての実施の形態において、スペーサと固体撮像素子基板表面がＳｉや金属や無機化合物の場合、接着剤を用いることなく、適宜、表面活性化常温接合で接合することもできる。カバーガラスがパイレックスで、スペーサがＳｉの場合、陽極接合も可能である。接着剤層を用いる場合、接着剤層としても、ＵＶ接着剤のみならず熱硬化性接着剤、熱硬化併用ＵＶ硬化性接着剤、も良い。
半硬化型接着剤を用いる場合には、液体状態で塗布し、半硬化させて位置合わせを行なうことにより、位置合わせ時に修正を行なうことが可能となり、高精度に位置決めのなされた固体撮像装置を形成することが可能となる。
【０２４９】
また、前記第１の実施形態でも述べたが、全実施の形態においてスペーサとしては、シリコン基板のほか、４２アロイ、金属、ガラス、感光性ポリイミド、ポリカーボネート樹脂など適宜選択可能である。
【０２５０】
また、固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行なうに際し、液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。また、スペーサと固体撮像素子基板あるいは封止用カバーガラスとの接合部についても同様で、図５１（ａ）乃至（ｆ）にスペーサの接合端部の形状の一例を示すように接合部に凹部または凸部を形成し液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。
【０２５１】
さらにまた、固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を強固にし、固体撮像素子の劣化を防ぐために、図５2に示すように、封止樹脂で封止用カバーガラス２０１を含むガラス基板２００とスペーサ２０３Ｓ、スペーサと固体撮像素子基板１００の接合部を封止樹脂Ｍで封止するようにしてもよい。これにより水分などの浸入を防ぎ高信頼性を得ることができる。
封止樹脂としては、エポキシ系、オキセタン系、シリコン系、アクリル系などが適しており、所望の封止領域を形成することが出来、水分などの浸入を防ぎ、高信頼性を得ることのできる樹脂であればよい。
【０２５２】
形成に際しては、冶具を用いて、ボンディングパッドＢＰ（電極パッド）を除く領域に、ディスペンサで封止樹脂を供給し、硬化させた後、冶具を除去することにより、ボンディングパッドを覆うことなく樹脂封止を行なうことが出来る。ここで封止樹脂としても前述した接着剤と同様、８０℃以下で硬化可能なものが望ましい。樹脂としては光硬化性樹脂あるいは常温硬化性樹脂を用いるのが望ましい。光硬化性樹脂を用いる場合には冶具は透光性部材で構成するのが望ましい。
【０２５３】
なお、前記実施の形態では、切断溝を形成したものに対する個々の素子へ分離は、切断溝の位置までＣＭＰを行なうようにしたが、研削、ポリッシングあるいは全面エッチングなどを用いることも可能である。
【０２５４】
また前記実施の形態において、補強板（７０１）を用いる場合、材料としては、必要に応じて、ポリイミド樹脂、セラミック、結晶化ガラス、表面および裏面を酸化されたシリコン基板などで構成すれば、断熱基板の役割を持たせることができる。また遮光材料で形成するようにしてもよい。
【０２５５】
また前記実施の形態において、ガラス基板とスペーサの貼り合わせを必要とする場合は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂あるいはこれらの併用、あるいは半硬化の接着剤塗布によって実行するようにしてもよい。 またこの接着剤の形成に際してはディスペンサでの供給、スクリーン印刷、スタンプ転写など適宜選択可能である。
【０２５６】
加えて、各実施の形態で述べた例については、全形態にわたって適用可能な範囲で相互に変形可能である。
【０２５７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、ウェハレベルで位置決めし、外部取り出し用電極端子の形成を含めて、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の方法で形成した固体撮像装置を示す断面図および要部拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３】図３（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４】図４（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第２の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第３の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図６】図６（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図７】図７（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第５の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図８】図８（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第６の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第７の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第８の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第９の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の第１０の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１３】本発明の第１０の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の第１１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の第１２の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の第１３の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１７】本発明の第１４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１８】本発明の第１５の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図１９】本発明の第１６の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２０】本発明の第１７の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２１】本発明の第１８の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２２】本発明の第１９の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２３】本発明の第２０の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２４】本発明の第２１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２５】本発明の第２１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２６】本発明の第２２の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２７】本発明の第２３の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２８】本発明の第２３の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図２９】本発明の第２４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３０】本発明の第２５の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３１】本発明の第２６の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３２】本発明の第２７の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３３】本発明の第２８の実施の形態の固体撮像装置を示す図である。
【図３４】本発明の第２８の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３５】本発明の第２８の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３６】本発明の第２９の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３７】本発明の第３０の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３８】本発明の第３１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図３９】本発明の第３２の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４０】本発明の第３３の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４１】本発明の第３４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４２】本発明の第３４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４３】本発明の第３４の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４４】本発明の第３５の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４５】本発明の第３６の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４６】本発明の第３７の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４７】本発明の第３８の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４８】本発明の第３９の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図４９】本発明の第４０の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図５０】本発明の第４１の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図５１】本発明の実施の形態における液溜めの形状を示す図である。
【図５２】本発明の実施の形態の固体撮像素子の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１００ 固体撮像素子基板
１０１ シリコン基板
１０２ 固体撮像素子
２００ 封止用カバーガラス
２０１ ガラス基板
２０３Ｓ スペーサ

Claims (6)

1. 半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
   前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように前記半導体基板表面にスペーサを介して透光性部材を接合する工程と、
   前記固体撮像素子に対応して前記半導体基板表面に外部接続端子を形成する工程と、
   前記接合工程により前記半導体基板と前記透光性部材とが接合された接合体を、外部接続端子を有する固体撮像素子ごとに分離する工程とを含み、
   前記スペーサが半導体材料からなり、前記半導体基板表面に対して８０℃を越えない接着温度下で接合する熱硬化型接着剤、または常温硬化型接着剤を用いて接合することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
2. 前記接合する工程に先立ち、前記受光領域を囲むように前記半導体基板表面を選択的に除去することにより突出部を形成する工程を含み、前記突出部によって前記受光領域と前記透光性部材との間に空隙が形成されるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
3. 前記接合する工程は、前記スペーサを、前記受光領域を囲むように配設することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
4. 前記分離する工程は、前記固体撮像素子の周縁部表面が前記透光性部材から露呈せしめられるように、前記透光性部材の周縁部が前記各固体撮像素子の各周縁部よりも内方に位置するように前記透光性部材を分離する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３に記載の固体撮像装置の製造方法。
5. 前記外部接続端子を露呈せしめるように前記透光性部材と前記半導体基板表面との接合部の周辺を樹脂封止する工程を含む請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
6. 前記樹脂封止する工程は、８０℃を越えない温度下で実行されることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。

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