JP4174247B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4174247B2 JP4174247B2 JP2002183072A JP2002183072A JP4174247B2 JP 4174247 B2 JP4174247 B2 JP 4174247B2 JP 2002183072 A JP2002183072 A JP 2002183072A JP 2002183072 A JP2002183072 A JP 2002183072A JP 4174247 B2 JP4174247 B2 JP 4174247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- imaging device
- spacer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置の製造方法にかかり、特にチップ上にマイクロレンズを一体化したチップサイズパッケージ(CSP)タイプの固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CCD(Charge Coupled Device)を含む固体撮像素子は、携帯電話やデジタルカメラなどへの適用の必要性から小型化への要求が高まっている。
そのひとつとして、半導体チップの受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置が提案されている。このような中で、例えば、受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置を、固体撮像装置の受光エリアとマイクロレンズとの間に気密封止部をもつように一体的に実装することにより、小型化をはかるようにした固体撮像装置が提案されている(特開平7−202152号公報)。
【0003】
かかる構成によれば、実装面積の低減をはかることができ、また、気密封止部の表面に、フィルタ、レンズ、プリズムなどの光学部品を接着することが可能となり、マイクロレンズの集光能力の低下を招くことなく、実装サイズの小型化を図ることが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような固体撮像装置の実装に際しては、信号の外部への取り出しに際して、固体撮像装置を実装する支持基板上に搭載し、ボンディングなどの方法により電気的接続を図るとともに封止を行う必要がある。このように、工数が多いことから、実装に多大な時間を要するという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明では、半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
集光機能を有する光学部材に、スペーサを接合する工程と、
前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、前記半導体基板表面に、前記スペーサの接合された集光機能を有する光学部材を接合する工程と、
前記接合する工程で得られた接合体を、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含み、
前記光学部材に、スペーサを接合する工程は、
前記光学部材にスペーサ用のシリコン基板を接合する工程と、
フォトリソグラフィにより前記シリコン基板をパターニングしてスペーサを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0013】
かかる構成によれば、固体撮像素子基板と集光機能を有する光学部材とを、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が極めて容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【0018】
また、前記接合する工程は、前記受光領域を囲むように配設されたスペーサを介して、前記半導体基板と前記光学部材との間に空隙が形成されるようにしたことを特徴とする。
【0019】
かかる構成によれば、スペーサをはさむだけで容易に信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
【0023】
(第1の実施の形態)
この固体撮像装置は、図1(a)に断面図、図1(b)に要部拡大断面図を示すように、封止用カバーガラス自体に集光および結像機能をもたせ、光学部材を構成することにより、より小型化をはかるようにしたものである。
この封止用カバーガラス220は、モールドやエッチングあるいは透光性のポリカーボネート樹脂の表面にイオン移入により屈折率の異なるレンズ領域を形成する等の方法により形成される。固体撮像素子102の形成された半導体基板としてのシリコン基板101からなる固体撮像素子基板100表面に、このシリコン基板101の受光領域に相当して空隙Cをもつようにスペーサ203Sを介して光学部材としてのレンズ付きガラス基板220が接合されるとともに、このシリコン基板101の周縁がダイシングによって個別に分離され、シリコン基板101表面に形成されたボンディングパッドBPを介して、外部回路(図示せず)との電気的接続が達成されるように構成されている。
【0024】
この例では、図示しない一部の領域でボンディングパッドBPがスペーサから露呈するように形成され、信号取り出し端子および電流供給端子を構成している。ここでスペーサ203Sは、10〜500μm、好ましくは80〜120μmの高さとする。
【0025】
ここでこの固体撮像素子基板は、図1(b)に要部拡大断面図を示すように、表面に、固体撮像素子が配列されるとともに、RGBカラーフィルタ46およびマイクロレンズ50が形成されたシリコン基板101で構成されている。
【0026】
この固体撮像素子は、n型のシリコン基板101a表面に形成されたpウェル101b内に、チャンネルストッパ28を形成し、このチャネルストッパを挟んでフォトダイオード14と電荷転送素子33とを形成してなるものである。ここでは、p+チャンネル領域14a内にn型不純物領域14bを形成し、フォトダイオード14を形成している。また、p+チャンネル領域14a内に、深さ0.3μm程度のn型不純物領域からなる垂直電荷転送チャネル20を形成するとともに、この上層に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜30を介して形成された多結晶シリコン層からなる垂直電荷転送電極32を形成し、電荷転送素子33を構成している。またこの垂直電荷転送チャネル20に信号電荷を読み出す側のフォトダイオード14との間には、p型不純物領域で形成された読み出しゲート用チャネル26が形成されている。
【0027】
そしてシリコン基板101表面にはこの読み出しゲート用チャネル26に沿ってn型不純物領域14bが露出しており、フォトダイオード14で発生した信号電荷は、n型不純物領域14bに一時的に蓄積された後、読み出しゲート用チャネル26を介して読み出されるようになっている。
【0028】
一方、垂直電荷転送チャネル20と他のフォトダイオード14との間には、p+型不純物領域からなるチャンネルストッパ28が存在し、これによりフォトダイオード14と垂直電荷転送チャネル20とが電気的に分離されると共に、垂直電荷転送チャネル20同士も相互に接触しないように分離される。
【0029】
そしてさらに、垂直電荷転送電極32は読み出しゲート用チャネル26を覆うとともに、n型不純物領域14bが露出し、チャンネルストッパ28の一部が露出するように形成されている。なお、垂直電荷転送電極32のうち、読み出し信号が印加される電極の下方にある読み出しゲート用チャネル26から信号電荷が転送される。
【0030】
そして垂直電荷転送電極32は垂直電荷転送チャネル20とともに、フォトダイオード14のpn接合で発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送装置(VCCD)33を構成している。垂直電荷転送電極32の形成された基板表面は表面保護膜36で被覆されこの上層にタングステンからなる遮光膜が形成されており、フォトダイオードの受光領域40のみを開口し、他の領域は遮光するように構成されている。
【0031】
そして更にこの垂直電荷転送電極32の上層は表面平坦化のための平坦化絶縁膜43およびこの上層に形成される透光性樹脂膜44で被覆され、更にこの上層にフィルタ層46が形成されている。フィルタ層46は各フォトダイオード14に対応して、所定のパターンをなすように赤色フィルタ層46R、緑色フィルタ層46G,青色フィルタ層46Bが順次配列されている。
【0032】
さらにこの上層は、平坦化絶縁膜48を介して屈折率1.3〜2.0の感光性樹脂を含む透光性樹脂をフォトリソグラフィによってパターニングした後に溶融させ、表面張力によって丸めた後冷却することによって形成されたマイクロレンズ50からなるマイクロレンズアレイで被覆されている。
【0033】
次に、この固体撮像装置の製造工程を、図2(a1)乃至(d)および図3(a)乃至(c)に示す。
【0034】
図2(a1)に示すように、イオン移入法によりレンズアレイを形成し、レンズアレイ付き封止用カバーガラス220を形成する。なおここでレンズアレイ付き封止用カバーガラス220はモールド、エッチングなどでも形成可能である。図2(a2)に示すように、スペーサ用のシリコン基板203に接着剤層202を形成し、図2(c)に示すように一体化する。
そしてフォトリソグラフィを用いたエッチング法により形成したレジストパターンをマスクとして、エッチングを行い、図2(d)に示すように、スペーサ203を形成した。
この後、図3(d)に示す工程で形成されたレンズアレイ付き封止用カバーガラス220のスペーサ203S表面に接着剤層207を形成する(図3(a)に示す)。
【0035】
一方、図3(b)に示すように補強板701を形成してなる固体撮像素子基板、100を用意する。素子基板の形成に際しては、図3(b)に示すように、あらかじめ、シリコン基板101(ここでは4〜8インチウェハを用いる)を用意する。(図面では、一単位しか示していないが、1枚のウェハ上に複数の固体撮像素子が連続形成されている。)ここでこのシリコン基板101表面に、各固体撮像素子に分断するための分断線に相当する領域にエッチングなどの方法により切断溝を形成しておく等の方法により実装後の分断を容易にするようにしてもよい。
そして、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0036】
この後、図3(c)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして素子領域の形成された固体撮像素子基板100上に、スペーサ203Sが接着されたレンズアレイ付き封止用カバーガラス220を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。この工程は真空中または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中で実行するのが望ましい。
【0037】
またこのスペーサおよびレンズアレイ付き封止用カバーガラス220の製造工程の変形例を以下の実施の形態で説明する。
【0038】
(第2の実施の形態)
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。
本実施の形態では図4(a)および(b)に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス220を用意し、この裏面側にエッチングにより凹部225を形成しスペーサ223Sを一体形成したことを特徴とするものである。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【0039】
かかる構成によれば容易に作業性よく形成することができ、また一体形成であるため歪の発生もなく信頼性の高いレンズアレイ付き封止用カバーガラス220を得ることができる。
【0040】
(第3の実施の形態)
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。
まず本実施の形態では、図5(a)に示すように、レンズアレイ付きガラス基板220を用意する。
そして、図5(b)に示すように、このレンズアレイ付きガラス基板220の表面に、光造形法で光硬化性樹脂を形成し、スペーサ223Sを形成する。
このようにして容易に、スペーサを有するとともにスルーホールを形成した封止用カバーガラスを得ることができる。
あとは前記実施の形態で説明したのと同様に図3(a)乃至図3(c)に示した実装工程を実行し、固体撮像素子基板と貼り合わせを行い、ダイシングを行うことにより、図3(c)に示した固体撮像装置を得ることが可能となる。
【0041】
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。
前記第1の実施の形態では、レンズアレイ付き封止用カバーガラス220にシリコン基板を貼着し、これをパターニングするようにしたが、この例では、図6(a1)乃至(d)に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス220にエッチング法で形成されたスペーサ203Sを貼着してもよい。ここでも実装工程は前記第3の実施の形態と同様に固体撮像素子基板と貼りあわせを行い、ダイシングを行うことにより、固体撮像装置を得ることができる。
【0042】
(第5の実施の形態)
次に、本発明の第5の実施の形態について説明する。
また図7に示すように、レンズアレイ付き封止用カバーガラス220、スペーサ203S、補強板701付き固体撮像素子基板100を同時に固着するようにしてもよい。
【0043】
(第6の実施の形態)
次に、本発明の第6の実施の形態について説明する。
また図8(a)乃至(d)に示すように、周辺回路基板901を、異方性導電膜115を介して積層した固体撮像装置においてもレンズアレイ付き封止用カバーガラス220を適用することも可能である。他部については前記の実施の形態と同様に形成されている。
また、この周辺回路基板901の接続に際しても、これ以外に、超音波を用いた拡散接合、半田接合、熱圧着による共晶接合も有効である。さらには樹脂でアンダーフィルするようにしてもよい。
板状体からなる封止用カバーガラス200に代えてレンズアレイ付き封止用カバーガラス220を用いてもよい。
【0044】
(第7の実施の形態)
次に、本発明の第7の実施の形態について説明する。
また図9に示すように、固体撮像素子基板100、周辺回路基板901および補強板701の順に積層してもよい。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【0045】
(第8の実施の形態)
次に、本発明の第8の実施の形態について説明する。
また図10に示すように、スペーサの側壁に配線221を形成したものも有効である。
製造に際しては、スペーサにスルーホールを形成しスルーホール内に導体層を形成し、固体撮像素子基板およびレンズ付き封止用カバーガラス220を貼り合わせた後、スルーホールを含むダイシングラインで分割することにより容易に側壁配線が可能となる。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【0046】
なお、前記実施の形態では、封止用カバーグラスを構成するガラス基板とスペーサとの接合および固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行う方法について説明したが、全ての実施の形態において、スペーサと固体撮像素子基板表面がSiや金属や無機化合物の場合、接着剤を用いることなく、適宜、表面活性化常温接合で接合することもできる。カバーガラスがパイレックスで、スペーサがシリコンの場合,陽極接合も使用可能である。接着剤層を用いる場合、接着剤層としても、UV接着剤のみならず熱硬化性接着剤、半硬化性接着剤、熱硬化併用UV硬化性接着剤を用いても良い。
【0047】
また、全実施の形態においてスペーサとしては、シリコン基板のほか、42アロイ、金属、ガラス、感光性ポリイミド、ポリカーボネート樹脂など適宜選択可能である。
【0048】
また、固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行うに際し、液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。また、スペーサと固体撮像素子基板あるいは封止用カバーガラスとの接合部についても同様で、接合部に凹部または凸部を形成し液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。
【0049】
なお、前記実施の形態では、切断溝を形成したものに対する個々の素子へ分離は、切断溝の位置までCMPを行うようにしたが、研削、ポリッシングあるいは全面エッチングなどを用いることも可能である。
【0050】
また、前記実施の形態において、補強板(701)を用いる場合、材料としては、必要に応じて、ポリイミド樹脂、セラミック、結晶化ガラス、表面および裏面を酸化されたシリコン基板などで構成すれば、断熱基板の役割を持たせることができる。また防湿性を有する封止材料あるいは遮光材料で形成するようにしてもよい。
【0051】
また、前記実施の形態において、ガラス基板とスペーサの貼り合わせを必要とする場合は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂あるいはこれらの併用、あるいは半硬化の接着剤塗布によって実行するようにしてもよいが、この接着剤の形成に際してはディスペンサでの供給、スクリーン印刷、スタンプ転写など適宜選択可能である。
【0052】
加えて、各実施の形態で述べた例については、全形態にわたって適用可能な範囲で相互に変形可能である。
【0053】
なお、前記第1の実施の形態では、ボンディングパッドを含む配線層は金層で構成したが、金層に限定されることなく、アルミニウムなど他の金属、あるいはシリサイドなど他の導体層でも良いことはいうまでもない。
また、マイクロレンズアレイについても、基板表面に透明樹脂膜を形成しておき、この表面からイオン移入によって所定の深さに屈折率勾配を有するレンズ層を形成することによって形成することもできる。
【0054】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、レンズなどの光学部材付き透光性基板に対し、固体撮像素子基板をウェハレベルで位置決めし、外部取り出し用電極端子の形成を含めて、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)および(b)は本発明の第1の実施の固体撮像装置を示す断面図および要部拡大断面図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図7】本発明の第5の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図8】本発明の第6の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図9】本発明の第7の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図10】本発明の第8の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
100 固体撮像素子基板
101 シリコン基板
102 固体撮像素子
220 封止用カバーガラス
221 ガラス基板
203S スペーサ
Claims (1)
- 半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
集光機能を有する光学部材に、スペーサを接合する工程と、
前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、前記半導体基板表面に、前記スペーサの接合された集光機能を有する光学部材を接合する工程と、
前記接合する工程で得られた接合体を、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含み、
前記光学部材に、スペーサを接合する工程は、
前記光学部材にスペーサ用のシリコン基板を接合する工程と、
フォトリソグラフィにより前記シリコン基板をパターニングしてスペーサを形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002183072A JP4174247B2 (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 固体撮像素子の製造方法 |
US10/617,707 US7074638B2 (en) | 2002-04-22 | 2003-07-14 | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US11/404,898 US7411230B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-17 | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US11/404,901 US7638823B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-17 | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US11/404,897 US7659136B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-17 | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US11/404,902 US7582505B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-17 | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002183072A JP4174247B2 (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 固体撮像素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008156631A Division JP4961393B2 (ja) | 2008-06-16 | 2008-06-16 | 固体撮像装置および固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031499A JP2004031499A (ja) | 2004-01-29 |
JP4174247B2 true JP4174247B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=31179393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002183072A Expired - Fee Related JP4174247B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-06-24 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4174247B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7074638B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
JP2004063772A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
EP2178112A3 (en) * | 2002-07-29 | 2011-08-24 | FUJIFILM Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
KR20070089889A (ko) * | 2002-09-17 | 2007-09-03 | 앤터온 비.브이. | 카메라 디바이스, 카메라 디바이스 제조 방법, 웨이퍼스케일 패키지 및 광학 어셈블리 |
US7607560B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-10-27 | Intevac, Inc. | Semiconductor die attachment for high vacuum tubes |
KR100785488B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2007-12-13 | 한국과학기술원 | 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법 |
JP2007101649A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学レンズ,および,光学レンズの製造方法 |
JP5076674B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2012-11-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2009110339A1 (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-11 | 日本電気株式会社 | デバイスパッケージ、電子モジュール、及び電子機器 |
JP2010166004A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5477066B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-04-23 | 旭硝子株式会社 | 光学用カバーガラスの製造方法及び光学用カバーガラス |
JP5391947B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-01-15 | 株式会社リコー | 撮像装置 |
JP5668446B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-02-12 | コニカミノルタ株式会社 | 撮像用レンズ、スペーサー付ウエハレンズ及びウエハレンズ積層体 |
JP2013219319A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体ウエハ、及び、電子機器 |
-
2002
- 2002-06-24 JP JP2002183072A patent/JP4174247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004031499A (ja) | 2004-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4443865B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP4037197B2 (ja) | 半導体撮像装置実装構造体の製造方法 | |
JP3839271B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4241160B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US7688382B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP2004063751A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
US7692720B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP4174247B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2004063786A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2004063782A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP4271909B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2003347529A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2009176949A (ja) | 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4271904B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP4961393B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像素子の製造方法 | |
US20060170800A1 (en) | Solid state image pickup device | |
JP2004063765A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP5047077B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2004063772A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
CN111009542B (zh) | 一种封装方法及封装结构 | |
JP2009111130A (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
JP2004063756A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007043056A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060324 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070418 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071108 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080530 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080730 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080818 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |