JP4217213B2 - 情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents
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Description
2≦a≦50
2≦b≦4
であることを特徴としている。
2≦a≦50
2≦b≦4
0<c≦20
を満たす材料にて形成されていてもよい。これによれば、Ge−M2−Te3元系組成に添加した元素M4が記録層の融点及び結晶化温度を上昇させ、記録層の熱的安定性が向上する。
50≦d≦95
0<e≦20
を満たす材料にて形成されている。これによれば、記録層の融点が低く比較的小さなエネルギーでも良好な記録特性が得られる。
A1が、10≦A1≦50、
B1が、10≦B1≦50、
C1が、10≦C1≦50、
A1+B1+C1が、50≦A1+B1+C1≦90
を満たすことが好ましい。
A2が、10≦A2≦50、
B2が、10≦B2≦50、
A2+B2が、20≦A2+B2≦80
を満たすことが好ましい。
本発明の情報記録媒体の一実施形態について説明する。本実施の形態の情報記録媒体は、波長390〜420nmのいわゆる青紫色レーザを用いて情報の記録再生を行う場合に好適に用いられる媒体である。図1は、本実施の形態の情報記録媒体1の部分断面図である。情報記録媒体1は、レーザビーム10の照射によって情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体である。
本発明の情報記録媒体の別の実施の形態を説明する。本実施の形態の情報記録媒体は、波長390〜420nmのいわゆる青紫色レーザを用いて情報の記録再生を行う場合に好適に用いられる媒体である。図4に、本実施の形態の情報記録媒体2の一部断面構成を示す。情報記録媒体2は、複数の情報層を含んでおり、片面からのレーザビーム10の照射によって各情報層に対する情報の記録再生が可能な、多層構造の光学的情報記録媒体である。
本発明の情報記録媒体のさらに別の実施の形態を説明する。本実施の形態の情報記録媒体は、波長390〜420nmのいわゆる青紫色レーザを用いて情報の記録再生を行う場合に好適に用いられる媒体である。図7に、本実施の形態の情報記録媒体3の一部断面構成を示す。情報記録媒体3は、2つの情報層を含んでおり、片面からのレーザビーム10の照射によって各情報層に対する情報の記録再生が可能な2層構造の光学的情報記録媒体である。
本発明の情報記録媒体のさらに別の実施の形態を説明する。本実施の形態の情報記録媒体は、波長390〜420nmのいわゆる青紫色レーザを用いて情報の記録再生を行う場合に好適に用いられる媒体である。図10に、本実施の形態の情報記録媒体4の断面図を示す。情報記録媒体4は、複数の情報層を含んでおり、片面からのレーザビーム10の照射によって各情報層に対する記録再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体である。
実施の形態1〜4で説明した情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う方法について説明する。
本発明の情報記録媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図14に、本実施の形態の情報記録媒体5の断面図を示す。本実施の形態の情報記録媒体5は、波長600〜700nmのいわゆる赤色レーザを用いて情報の記録再生を行う場合に好適に用いられる媒体である。
を含む化合物であるBi2Te(M1)、BiTe2(M1)またはBiTe(M1)2を含む材料からなるスパッタリングターゲットを用いることによっても、記録層504に比べて融点が高温である結晶核生成層503を成膜することができる。
本発明の情報記録媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図18は、本実施の形態の情報記録媒体6の一部断面と、電気的情報記録再生装置の概略構成とを示す説明図である。本実施の形態の情報記録媒体6は、電流の印加によって情報の記録再生が可能な電気的情報記録媒体である。
及び書き換え保存性を測定した。
Claims (26)
- 基板と、前記基板上に配置された情報層とを含んでおり、
前記情報層が、
スパッタリングの際に形成され、光学的手段及び電気的手段の少なくとも一方によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす記録層と、
前記記録層に接して設けられた少なくとも一つの結晶核生成層と、を含み、
前記結晶核生成層は、BiTe(M1) 2 、Bi 2 Te(M1)及びBiTe 2 (M1)から選ばれる少なくとも一つを含み、前記M1は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb及びLuから選ばれる少なくとも一つの元素であり、
前記記録層が、Sb及びBiから選ばれる少なくとも一つの元素(M2)と、Geと、Teとを含み、前記M2、Ge及びTeを組成式Gea(M2)bTe3+aと表記した場合に、
2≦a≦50
2≦b≦4
であることを特徴とする情報記録媒体。 - 前記結晶核生成層が、N及びOから選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記Ge a (M2) b Te 3+a において、前記Geの少なくとも一部が、Sn及びPbから選ばれる少なくとも一つの元素(M3)にて置換されている請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層において、前記M2がSbであり、前記Sbの少なくとも一部がBiにて置換されている請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層において、Sn原子の含有割合は、0原子%を超え20原子%未満である請求項3に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層において、Bi原子の含有割合は、0原子%を超え10原子%未満である請求項4に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層が、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Os、Ir、Pt及びAuから選ばれる少なくとも一つの元素(M4)をさらに含み、前記M2、M4、Ge及びTeを組成式(Ge a (M2) b Te 3+a ) 100-c (M4) c と表記した場合に、
2≦a≦50
2≦b≦4
0<c≦20
である請求項1に記載の情報記録媒体。 - 前記結晶核生成層の厚みが、0.2nm以上3nm以下である請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層の厚みが、3nm以上14nm以下である請求項1に記載の情報記録媒体。
- 第1の情報層〜第Nの情報層(Nは2以上の自然数)が積層された多層構造の情報記録媒体であって、前記第1の情報層〜第Nの情報層の少なくとも一つが前記情報層である請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層は、レーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こし、
前記情報層が、前記記録層及び前記結晶核生成層からなる積層体の両面に設けられた誘電体層と、前記積層体に対しレーザビーム入射側と反対側に配置された反射層と、をさらに含む請求項1に記載の情報記録媒体。 - 前記情報層が、前記積層体と前記反射層との間に配置された光吸収補正層をさらに含む請求項11に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層は、レーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こし、
前記情報層は、前記レーザビーム入射側から、少なくとも第1誘電体層、第2誘電体層、前記記録層、第3誘電体層及び反射層をこの順に含み、
前記第2誘電体層と前記記録層との間および前記第3誘電体層と前記記録層との間の少なくとも一方に、前記結晶核生成層が形成されている請求項1に記載の情報記録媒体。 - 前記情報層は、前記第3誘電体層と前記反射層との間に設けられた第4誘電体層をさらに含む請求項13に記載の情報記録媒体。
- 前記情報層は、前記第3誘電体層と前記反射層との間に設けられた、前記反射層より熱伝導率が低い界面層をさらに含む請求項13に記載の情報記録媒体。
- 前記情報層は、前記レーザビーム入射側から、前記反射層、透過率調整層の順に、さらに透過率調整層を含む請求項13に記載の情報記録媒体。
- レーザビームの照射によって情報が記録される第1の情報層〜第Nの情報層(Nは2以上の自然数)がレーザビーム入射側からこの順に積層された多層構造の情報記録媒体であって、
少なくとも前記第1の情報層が前記情報層である請求項13に記載の情報記録媒体。 - 前記透過率調整層が、TiO 2 、ZrO 2 、ZnO、Nb 2 O 5 、Ta 2 O 5 、SiO 2 、Al 2 O 3 、Bi 2 O 3 、Cr 2 O 3 、Sr−O、Ti−N、Zr−N、Nb−N、Ta−N、Si−N、Ge−N、Cr−N、Al−N、Ge−Si−N、Ge−Cr−N及びZnSから選ばれる少なくとも一つを含む請求項16に記載の情報記録媒体。
- 前記第4誘電体層が、(ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 を含む請求項14に記載の情報記録媒体。
- 前記第3誘電体層が、HfO 2 及びZrO 2 から選ばれる少なくとも一つと、SiO 2 と、Cr 2 O 3 と、フッ化物と、を含む酸化物−フッ化物系材料にて形成されている請求項13に記載の情報記録媒体。
- 前記フッ化物は、CeF 3 、ErF 3 、GdF 3 、LaF 3 、TbF 3 、DyF 3 、NdF 3 、YF 3 及びYbF 3 から選ばれる少なくとも一つを含む請求項20に記載の情報記録媒体。
- 前記酸化物−フッ化物系材料が、
(HfO 2 ) A1 (SiO 2 ) B1 (Cr 2 O 3 ) C1 (フッ化物) 100-A1-B1-C1 または(ZrO 2 ) A1 (SiO 2 ) B1 (Cr 2 O 3 ) C1 (フッ化物) 100-A1-B1-C1 と表記される場合、
A1が、10≦A1≦50、
B1が、10≦B1≦50、
C1が、10≦C1≦50、
A1+B1+C1が、50≦A1+B1+C1≦90
である請求項20に記載の情報記録媒体。 - 前記第2誘電体層及び前記第3誘電体層の少なくとも一つが、HfO 2 及びZrO 2 から選ばれる少なくとも一つと、SiO 2 と、Cr 2 O 3 と、を含む酸化物系材料にて形成されている請求項13に記載の情報記録媒体。
- 前記酸化物系材料が、
(HfO 2 ) A2 (SiO 2 ) B2 (Cr 2 O 3 ) 100-A2-B2 または(ZrO 2 ) A2 (SiO 2 ) B2 (Cr 2 O 3 ) 100-A2-B2 と表記され、
A2が、10≦A2≦50、
B2が、10≦B2≦50、
A2+B2が、20≦A2+B2≦80
である請求項23に記載の情報記録媒体。 - 基板上に少なくとも一つの情報層が設けられた情報記録媒体を製造する方法であって、
前記情報層を形成する工程が、
光学的手段及び電気的手段の少なくとも何れか一方によって結晶相と非晶質相との間で 可逆的な相変化を起こし、且つ、Sb及びBiから選ばれる少なくとも一つの元素(M2)と、Geと、Teとを含み、前記M2、Ge及びTeを組成式Ge a (M2) b Te 3+a と表記した場合に、2≦a≦50、且つ、2≦b≦4である記録層を形成する記録層形成工程と、
BiTe(M1) 2 、Bi 2 Te(M1)及びBiTe 2 (M1)から選ばれる少なくとも一つを含み、前記M1は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb及びLuから選ばれる少なくとも一つの元素であるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより結晶核生成層を形成する結晶核生成層形成工程と、を含み、
前記記録層形成工程と前記結晶核生成工程とが連続して行われることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 - 前記結晶核生成層形成工程において、スパッタリングの際に、Arガスと、Krガスと、Arガス及び反応ガスの混合ガスと、Krガス及び反応ガスの混合ガスとから選ばれる少なくとも一つを用いる請求項25に記載の情報記録媒体の製造方法。
但し、反応ガスとは、N 2 ガス及びO 2 ガスから選ばれる少なくとも一つのガスのことである。
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