JP2004022764A - 基板の処理装置および基板の処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトレジストの現像処理などにおいて、基板面内でのパターン寸法の均一性と現像ローディング効果による影響の低減を両立させ、マスク上でのOPC処理を容易にする。
【解決手段】本発明の基板の処理装置は、基板を水平に保持し回転させる基板回転機構と、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとを備え、前記現像液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルが、前記基板と平行な水平面上で所定の角度をなすように接続されて一体型ノズルが形成され、かつこの一体型ノズルを前記基板の上方に近接して配置する機構を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の基板の処理装置は、基板を水平に保持し回転させる基板回転機構と、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとを備え、前記現像液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルが、前記基板と平行な水平面上で所定の角度をなすように接続されて一体型ノズルが形成され、かつこの一体型ノズルを前記基板の上方に近接して配置する機構を有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の処理装置および基板の処理方法に係わり、特に半導体ウェハ等の被処理基板の表面に現像液のような処理液を塗布する基板の処理装置および処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィ技術を利用することで、半導体ウェハやガラス基板等の被処理基板の表面に、微細なパターンを精度良くかつ高密度に形成することが行われている。
【0003】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウェハの表面にフォトレジスト液を塗布した後、これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理およびエッチング処理を順に行うことにより、所定の回路パターンを形成する。
【0004】
近年、フォトリソグラフィ技術によって形成すべき半導体回路が微細化し、線幅が露光波長よりも短い(小さい)パターンを形成する傾向がある。それに伴い、被処理基板の面内での現像処理の均一性が厳しく要求されている。
【0005】
すなわち、半導体回路パターンの微細化に伴う光学的な近接効果の増大により、所望の寸法にパターンを形成することが困難になっており、この問題に対して、光学シミュレーション等を用いてパターン補正を行ういわゆるOPC処理が、マスクの設計段階で行われている。
【0006】
しかし、光学シミュレーションにより求められる結果と、実際に半導体ウェハ(以下、単にウェハと示す。)上にパターンを露光・現像して得られる結果とが異なることがある。
【0007】
図4は、図3に示す設計値0.2μmの抜きパターンPにおいて、隣接する残しパターンの幅Xを変化させたときの抜き幅Yの寸法値を示すグラフである。実際にウェハ上にパターンを形成した場合と、光学シミュレーションによる計算結果とを併せて表記している。
【0008】
図4に示すような実験結果と光学シミュレーションによる結果との乖離は、使用されるフォトレジストの特性やパターンの密部と粗部とでの現像速度の違い、いわゆるローディング効果の影響により生じると考えられる。そして、このような現像のローディング効果の及ぶ領域が、光学的近接効果の及ぶ領域よりも際立って広いため、OPC処理により現像ローディング効果による補正を行うことは、極めて困難であった。したがって、精度の高いOPC処理を行うためには、現像ローディング効果の影響の少ないレジスト材料の使用、あるいは現像ローディング効果の生じにくい現像方法の開発が望ましい。
【0009】
一般に現像ローディング効果は、露光量に対するフォトレジストの溶解コントラストが小さいほど発生しやすいため、現像ローディング効果の小さいレジスト材料の選択は、パターンレイアウトによってはプロセス裕度の著しい低下を引き起こすことが考えられる。したがって、前記した問題を解決するには、ローディング効果による影響の出現しにくい現像方法を採ることが望ましい。
【0010】
現像液の塗布方式には、大別してスプレー現像方式とパドル現像方式とがある。スプレー現像方式では、図5に示すように、ウェハ21の中心部の上方に静止状態で配置された現像液供給ノズル22から、回転チャック23上に保持されて高速で回転するウェハ21の中央付近に、現像液24を扇状に一定時間吐出・散布し、ウェハ21で露光処理されたフォトレジストパターンの現像を行う。
【0011】
また、図6に示すように、ウェハ21の半径程度の散布領域を有する現像液供給ノズル22を使用し、このノズルをウェハ21の直径方向に移動させながら、回転するウェハ1上に現像液24を一定時間散布し、現像を行うこともできる。
【0012】
このようなスプレー現像方式では、回転するウェハ21上に常に新鮮な現像液24が供給されるため、現像のローディング効果による影響は極めて小さくなる。その反面、ウェハ21中心部に現像液24が過剰に供給されるため、ウェハ21の中心部と周辺部とで現像処理能力が異なる。そして、ウェハ21面内での均一な現像処理が困難となり、ウェハの中心部と周辺部とでパターン寸法のばらつきが大きくなるという問題があった。
【0013】
パドル現像方式では、図7に示すように、現像液供給ノズル22からウェハ21の中央付近に現像液24を滴下し、ウェハ21を低速で回転させることにより遠心力で拡散させ、1〜2mmの厚さの現像液膜25をウェハ21上に形成する。そして、ウェハ21を静止状態で一定時間保持して現像を行う。その後、リンス液(例えば、純水)を滴下し、ウェハ21上の反応済みの現像液を洗浄し除去する。また、図8に示すように、複数本の吐出用細管26をウェハ21の直径方向に1列に配置することにより、現像液供給ノズル22を構成し、このような現像液供給ノズル22を用いてウェハ21上に現像液24を滴下することもできる。なお、図中符号27は、細管26の集束体を支持し固定する支持体を示す。
【0014】
このようなパドル現像方式では、ウェハ21上に均一に現像液が塗布・供給されるため、ウェハ21面内でのパターン寸法のばらつきは小さいが、現像処理過程でレジストとの反応生成物を含む現像液がウェハ21上に滞留することになるため、現像ローディング効果による影響が大きくなるという問題があった。その対策として、現像液膜の形成を複数回行うことにより、ウェハ21上の反応済みの現像液を置換する方法が考えられるが、この方法では、スプレー現像方式と同様に、現像液がウェハ21中央部に過剰に供給され、ウェハ21面内でのパターン寸法のばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【0015】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、基板面内でのパターン寸法の均一性と現像ローディング効果による影響の低減を両立させ、マスク上でのOPC処理を容易にする基板の処理装置および基板の処理方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板の処理装置は、基板を水平に保持し回転させる基板回転機構と、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとを備え、前記現像液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルが、前記基板と平行な水平面上で所定の角度をなすように接続されて一体型ノズルが形成され、かつこの一体型ノズルを前記基板の上方に近接して配置する機構を有することを特徴とする。
【0017】
本発明の基板の処理装置において、基板上に露光処理されたフォトレジスト層を有し、かつ処理液を現像液とすることができる。また、処理液供給ノズルとリンス液供給ノズルとのなす角度を可変に構成することができる。さらに、一体型ノズルを基板の中心と外縁を結ぶ方向に沿って往復運動させる機構を有することができる。
【0018】
本発明の基板の処理方法は、水平保持された基板を回転させながら、ほぼ一直線上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルとほぼ一直線上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとが、同一水平面上で所定の角度をなすように接続された一体型ノズルを、前記処理液供給ノズルおよび前記リンス液供給ノズルがそれぞれ前記基板の半径上に位置するように配置し、前記処理液吐出口および前記リンス液吐出口からそれぞれ処理液およびリンス液を前記基板上に吐出し供給することを特徴とする。
【0019】
本発明の基板の処理方法において、処理液およびリンス液の吐出・供給時に、基板の上面からの処理液吐出口およびリンス液吐出口の高さを、吐出された処理液とリンス液とが前記基板に接触する前に混合することがない高さとすることができる。また、一体型ノズルを、基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って往復運動させながら、処理液およびリンス液を前記基板上に吐出・供給し、該基板の中心部に前記処理液と前記リンス液とを交互に供給することができる。このとき、一体型ノズルの往復運動の周期を、基板の回転の周期と同一とすることができる。
【0020】
本発明においては、処理過程を通して常に基板全面に均一に高い処理能力を有する新しい処理液が供給されるので、基板全面で処理むらがなく、効率の高い処理が行われる。したがって、基板面内のパターン寸法の均一性と現像ローディング効果の低減を両立させることができ、例えばマスク上でのOPC処理を容易にすることが可能である。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
【0022】
図1(a)は、露光処理されたフォトレジスト層を有する半導体ウェハ(以下、ウェハと示す。)の表面に、現像液(例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイドの2.48wt%水溶液)を供給する現像装置に本発明を適用した第1の実施形態を概略的に示す図である。また、図1(b)は、この現像装置において、後述する一体型ノズルの配置部を上方から見た上面図である。
【0023】
この現像処理装置は、基板保持機構として、上面にウェハ1を吸着・保持し、ウェハ1を回転駆動するとともに昇降駆動する回転チャック2を有する。回転チャック2の周囲には、ウェハ1の回転中に飛散する余分な液などを受ける液受けカップ3が設けられている。
【0024】
また、回転チャック2の上方には一体型ノズル4が配置されている。一体型ノズル4は、ウェハ1の半径と同程度の長さを有する線状の現像液供給ノズル5と、同様にウェハの半径と同程度の長さを有する線状のリンス液供給ノズル6とが、1直線をなすように端部で連結された構造を有し、現像処理の際に、回転チャック2に保持されたウェハ1の直径に沿って配置される。
【0025】
現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6は、それぞれ複数個の現像液吐出細管(例えば内径0.4mm)5aおよびリンス液吐出細管(例えば内径0.4mm)6aが長さ方向に沿って2mmの間隔で一列に配置され、支持体により支持・固定された構造を有している。また、現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6は、それぞれ制御バルブ(図示を省略。)を介して現像液供給ライン7およびリンス液供給ライン8に接続されており、各液の供給ノズルは独立して液を吐出・供給することができるように構成されている。
【0026】
さらに、一体型ノズル4の両端部は、それぞれノズル待機部(図示を省略。)と液受けカップ3内のウェハ1上の所定位置との間を移動するノズル移動アーム9に、取り付けられている。また、このノズル移動アーム9は、Z軸駆動機構(図示を省略。)およびY軸駆動機構(図示を省略。)を備えている。Z軸駆動機構は、ノズル移動アーム9をZ軸方向(垂直方向)に駆動し、回転チャック2上に水平に保持されているウェハ1に対して、現像液供給ノズル5の現像液吐出口である現像液吐出細管5aの下端部、およびリンス液供給ノズル6のリンス液吐出口であるリンス液吐出細管6aの下端部を、それぞれ近接させ対向させる。
【0027】
また、Y軸駆動機構は、ノズル移動アーム9を一体型ノズル4の長手方向であるY軸方向に駆動し、一体型ノズル4をその長手方向に沿って往復運動させる。そして、現像液供給ノズル5の現像液吐出口から吐出される現像液10と、リンス液供給ノズル6のリンス液吐出口から吐出されるリンス液11とが、ウェハ1中心部に任意の時間周期で交互に供給されるようにする。
【0028】
なお、現像処理を行う際のウェハ1表面から一体型ノズル4の各吐出口までの高さ(Z軸方向の距離)は、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6の連結部付近で、各々の液がウェハ1に達する前に混合することが無いような高さに設定することが望ましい。
【0029】
この現像処理装置においては、以下に示すようにして現像処理がなされる。まず、露光処理が施されたフォトレジスト層を有するウェハ1が、回転チャック2の受け台上に載置され、真空減圧機構等により吸着固定される。次いで、ノズル移動アーム9により、一体型ノズル4がウェハ1の中心を通る直径上に移動され、さらにウェハ1表面から現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6の各吐出口までの距離が3mmになるように、Z軸駆動機構により一体型ノズル4がウェハ1に近接される。このとき、ウェハ1中心部の上に現像液供給ノズル5が位置するように、一体型ノズル4のY軸方向の位置を事前に調整しておくことが望ましい。
【0030】
次に、ウェハ1を矢印に示す時計回りの方向に0.5秒間程度高速で回転させながら、現像液供給ノズル5の現像液吐出口から現像液を0.5秒間程度吐出し、ウェハ1上に現像液10を滴下・供給する。このとき、一体型ノズル4は固定されたままであり、かつリンス液供給ノズル6からのリンス液11の吐出は行わない。ウェハ1の回転数を1000rpm以上にすることで、ウェハ1上に現像液10を均一に供給することができる。
【0031】
次に、ウェハ1を低速で回転させながら、現像液10とリンス液(例えば純水)11を各々の吐出口から同時に吐出するとともに、Y軸駆動機構を作動させることにより、一体型ノズル4をY軸方向に往復運動させる。このとき、ウェハ1中心部の上に、現像液供給ノズル5の現像液吐出口とリンス液供給ノズル6のリンス液吐出口が交互に位置するように、Y軸方向の往復運動の振幅を設定し、所望の時間両方の液を吐出させ現像処理を行う。
【0032】
こうして、ウェハ1上の任意の部位において、新しい現像液10の滴下による現像とリンス液11による反応生成物の除去が交互に繰り返し行われるので、現像ローディング効果の影響を低減することができる。したがって、ウェハ1の全面で現像むらが生じることがなく、現像能力が非常に高い。
【0033】
また、一体型ノズル4がY軸方向に往復運動され、ウェハ1中心部に現像液10とリンス液11とが交互に滴下・供給されるので、ウェハ1中心付近に現像液10が過剰に供給されることがなく、ウェハ1面内でのパターン寸法のばらつきも低減することができる。さらに、一体型ノズル4のY軸方向の往復運動の振幅を、ウェハ1の回転の周期に合わせて設定することで、ウェハ1中心部と外縁部で現像時間をそろえることができ、さらにウェハ1面内の寸法ばらつきを低減することができる。例えば、現像処理中のウェハ1の回転数を30rpm(回転周期は2秒)とした場合、一体型ノズル4の往復運動の周期も2秒とすればよい。
【0034】
このように第1の実施形態の現像処理装置によれば、現像処理工程でウェハ1上に現像液10が滴下された直後にリンス液11が供給される。このリンス液11は、使用済みの汚れた現像液10を直ちに除去し、ウェハ1上には常に新しい現像液が供給されることになる。したがって、ウェハ1の全面において、均一でむらがなく、非常に高い能力の現像が行われる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
【0035】
図2は、本発明の第2の実施形態の現像処理装置を示す上面図である。
【0036】
この現像処理装置は、一定の間隔で一列に配置された複数個の現像液吐出口を有する現像液供給ノズル5と、同様に一定の間隔で一列に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズル6とが、180度以外の適当な角度をなすように連結された一体型ノズル4を有している。図2に示す実施形態では、現像液供給ノズル5に対してリンス液供給ノズル6が、ウェハ1の回転方向(矢印で示す。)と反対の反時計回りに90度の角度をなすように連結されている。なお、その他の部分は第1の実施形態の現像処理装置と同様に構成されているので、説明を省略する。
【0037】
第2の実施形態の現像処理装置によれば、ウェハ1上の任意の部位において、現像液が滴下・供給されてからリンス液が滴下されるまでの現像の時間と、リンス液が滴下・供給されてから再び現像液が滴下されるまでのリンスの時間との比を、3:1とすることができる。そして、第1の実施形態と同様に、ウェハ1面内におけるパターン寸法のばらつきを低減することができるうえに、ウェハ1全面で現像ローディング効果の影響を低減することができる。
【0038】
上述したように、本発明では、一体型ノズル4において、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6とのなす角度を、レジストの現像特性や使用するマスクによって変え、現像時間とリンス時間との比を調整することができる。このとき、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6との連結部においては、角度を自由に変えかつ任意の角度で固定することができるように構成することが望ましい。
【0039】
例えば、現像液供給ノズル5に対してリンス液供給ノズル6が、ウェハ1の回転方向(矢印で示す。)と同じ時計回りに90度の角度をなすように連結された一体型ノズルを使用する場合には、現像時間とリンス時間との比を1:3とする現像処理を行うことができる。
【0040】
なお、上記した実施形態は、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。例えば、第1および第2の実施形態では、半導体ウェハに現像液を塗布・供給する現像処理装置を例にとって説明したが、被処理基板は半導体ウェハに限定されない。また、上記実施形態では、処理液として現像液を例に挙げているが、レジスト材の剥離液などであっても良く、変形可能である。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理過程を通して常に基板全面に均一に高い処理能力を有する新しい処理液が供給されるので、基板全面で処理むらがなく、効率の高い処理が行われる。したがって、基板面内のパターン寸法の均一性と現像ローディング効果の低減を両立させることができ、例えばマスク上でのOPC処理を容易にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態である現像処理装置を示し、(a)は概略側面図、(b)は一体型ノズルの配置部の上面図。
【図2】本発明の第2の実施形態において、一体型ノズルの配置部を示す上面図。
【図3】光学シミュレーションに用いた半導体ウェハのパターンの配置を示す図。
【図4】図3のパターンでおける抜き幅Yと残しパターンの幅Xとの関係を、実験結果とシミュレーション結果とで比較して示すグラフ。
【図5】従来から現像処理方法として用いられているスプレー現像方式の一例を示す図。
【図6】従来から用いられているスプレー現像方式の別の例を示す図。
【図7】従来から用いられているパドル現像方式の一例を示す図。
【図8】従来から用いられているパドル現像方式の別の例を示す図。
【符号の説明】
1………ウェハ、2………回転チャック、3………液受けカップ、4………一体型ノズル、5………現像液供給ノズル、6………リンス液供給ノズル、5a………現像液吐出細管、6a………リンス液吐出細管、7………現像液供給ライン、8………リンス液供給ライン、9………ノズル移動アーム
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の処理装置および基板の処理方法に係わり、特に半導体ウェハ等の被処理基板の表面に現像液のような処理液を塗布する基板の処理装置および処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィ技術を利用することで、半導体ウェハやガラス基板等の被処理基板の表面に、微細なパターンを精度良くかつ高密度に形成することが行われている。
【0003】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウェハの表面にフォトレジスト液を塗布した後、これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理およびエッチング処理を順に行うことにより、所定の回路パターンを形成する。
【0004】
近年、フォトリソグラフィ技術によって形成すべき半導体回路が微細化し、線幅が露光波長よりも短い(小さい)パターンを形成する傾向がある。それに伴い、被処理基板の面内での現像処理の均一性が厳しく要求されている。
【0005】
すなわち、半導体回路パターンの微細化に伴う光学的な近接効果の増大により、所望の寸法にパターンを形成することが困難になっており、この問題に対して、光学シミュレーション等を用いてパターン補正を行ういわゆるOPC処理が、マスクの設計段階で行われている。
【0006】
しかし、光学シミュレーションにより求められる結果と、実際に半導体ウェハ(以下、単にウェハと示す。)上にパターンを露光・現像して得られる結果とが異なることがある。
【0007】
図4は、図3に示す設計値0.2μmの抜きパターンPにおいて、隣接する残しパターンの幅Xを変化させたときの抜き幅Yの寸法値を示すグラフである。実際にウェハ上にパターンを形成した場合と、光学シミュレーションによる計算結果とを併せて表記している。
【0008】
図4に示すような実験結果と光学シミュレーションによる結果との乖離は、使用されるフォトレジストの特性やパターンの密部と粗部とでの現像速度の違い、いわゆるローディング効果の影響により生じると考えられる。そして、このような現像のローディング効果の及ぶ領域が、光学的近接効果の及ぶ領域よりも際立って広いため、OPC処理により現像ローディング効果による補正を行うことは、極めて困難であった。したがって、精度の高いOPC処理を行うためには、現像ローディング効果の影響の少ないレジスト材料の使用、あるいは現像ローディング効果の生じにくい現像方法の開発が望ましい。
【0009】
一般に現像ローディング効果は、露光量に対するフォトレジストの溶解コントラストが小さいほど発生しやすいため、現像ローディング効果の小さいレジスト材料の選択は、パターンレイアウトによってはプロセス裕度の著しい低下を引き起こすことが考えられる。したがって、前記した問題を解決するには、ローディング効果による影響の出現しにくい現像方法を採ることが望ましい。
【0010】
現像液の塗布方式には、大別してスプレー現像方式とパドル現像方式とがある。スプレー現像方式では、図5に示すように、ウェハ21の中心部の上方に静止状態で配置された現像液供給ノズル22から、回転チャック23上に保持されて高速で回転するウェハ21の中央付近に、現像液24を扇状に一定時間吐出・散布し、ウェハ21で露光処理されたフォトレジストパターンの現像を行う。
【0011】
また、図6に示すように、ウェハ21の半径程度の散布領域を有する現像液供給ノズル22を使用し、このノズルをウェハ21の直径方向に移動させながら、回転するウェハ1上に現像液24を一定時間散布し、現像を行うこともできる。
【0012】
このようなスプレー現像方式では、回転するウェハ21上に常に新鮮な現像液24が供給されるため、現像のローディング効果による影響は極めて小さくなる。その反面、ウェハ21中心部に現像液24が過剰に供給されるため、ウェハ21の中心部と周辺部とで現像処理能力が異なる。そして、ウェハ21面内での均一な現像処理が困難となり、ウェハの中心部と周辺部とでパターン寸法のばらつきが大きくなるという問題があった。
【0013】
パドル現像方式では、図7に示すように、現像液供給ノズル22からウェハ21の中央付近に現像液24を滴下し、ウェハ21を低速で回転させることにより遠心力で拡散させ、1〜2mmの厚さの現像液膜25をウェハ21上に形成する。そして、ウェハ21を静止状態で一定時間保持して現像を行う。その後、リンス液(例えば、純水)を滴下し、ウェハ21上の反応済みの現像液を洗浄し除去する。また、図8に示すように、複数本の吐出用細管26をウェハ21の直径方向に1列に配置することにより、現像液供給ノズル22を構成し、このような現像液供給ノズル22を用いてウェハ21上に現像液24を滴下することもできる。なお、図中符号27は、細管26の集束体を支持し固定する支持体を示す。
【0014】
このようなパドル現像方式では、ウェハ21上に均一に現像液が塗布・供給されるため、ウェハ21面内でのパターン寸法のばらつきは小さいが、現像処理過程でレジストとの反応生成物を含む現像液がウェハ21上に滞留することになるため、現像ローディング効果による影響が大きくなるという問題があった。その対策として、現像液膜の形成を複数回行うことにより、ウェハ21上の反応済みの現像液を置換する方法が考えられるが、この方法では、スプレー現像方式と同様に、現像液がウェハ21中央部に過剰に供給され、ウェハ21面内でのパターン寸法のばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【0015】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、基板面内でのパターン寸法の均一性と現像ローディング効果による影響の低減を両立させ、マスク上でのOPC処理を容易にする基板の処理装置および基板の処理方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板の処理装置は、基板を水平に保持し回転させる基板回転機構と、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとを備え、前記現像液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルが、前記基板と平行な水平面上で所定の角度をなすように接続されて一体型ノズルが形成され、かつこの一体型ノズルを前記基板の上方に近接して配置する機構を有することを特徴とする。
【0017】
本発明の基板の処理装置において、基板上に露光処理されたフォトレジスト層を有し、かつ処理液を現像液とすることができる。また、処理液供給ノズルとリンス液供給ノズルとのなす角度を可変に構成することができる。さらに、一体型ノズルを基板の中心と外縁を結ぶ方向に沿って往復運動させる機構を有することができる。
【0018】
本発明の基板の処理方法は、水平保持された基板を回転させながら、ほぼ一直線上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルとほぼ一直線上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとが、同一水平面上で所定の角度をなすように接続された一体型ノズルを、前記処理液供給ノズルおよび前記リンス液供給ノズルがそれぞれ前記基板の半径上に位置するように配置し、前記処理液吐出口および前記リンス液吐出口からそれぞれ処理液およびリンス液を前記基板上に吐出し供給することを特徴とする。
【0019】
本発明の基板の処理方法において、処理液およびリンス液の吐出・供給時に、基板の上面からの処理液吐出口およびリンス液吐出口の高さを、吐出された処理液とリンス液とが前記基板に接触する前に混合することがない高さとすることができる。また、一体型ノズルを、基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って往復運動させながら、処理液およびリンス液を前記基板上に吐出・供給し、該基板の中心部に前記処理液と前記リンス液とを交互に供給することができる。このとき、一体型ノズルの往復運動の周期を、基板の回転の周期と同一とすることができる。
【0020】
本発明においては、処理過程を通して常に基板全面に均一に高い処理能力を有する新しい処理液が供給されるので、基板全面で処理むらがなく、効率の高い処理が行われる。したがって、基板面内のパターン寸法の均一性と現像ローディング効果の低減を両立させることができ、例えばマスク上でのOPC処理を容易にすることが可能である。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
【0022】
図1(a)は、露光処理されたフォトレジスト層を有する半導体ウェハ(以下、ウェハと示す。)の表面に、現像液(例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイドの2.48wt%水溶液)を供給する現像装置に本発明を適用した第1の実施形態を概略的に示す図である。また、図1(b)は、この現像装置において、後述する一体型ノズルの配置部を上方から見た上面図である。
【0023】
この現像処理装置は、基板保持機構として、上面にウェハ1を吸着・保持し、ウェハ1を回転駆動するとともに昇降駆動する回転チャック2を有する。回転チャック2の周囲には、ウェハ1の回転中に飛散する余分な液などを受ける液受けカップ3が設けられている。
【0024】
また、回転チャック2の上方には一体型ノズル4が配置されている。一体型ノズル4は、ウェハ1の半径と同程度の長さを有する線状の現像液供給ノズル5と、同様にウェハの半径と同程度の長さを有する線状のリンス液供給ノズル6とが、1直線をなすように端部で連結された構造を有し、現像処理の際に、回転チャック2に保持されたウェハ1の直径に沿って配置される。
【0025】
現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6は、それぞれ複数個の現像液吐出細管(例えば内径0.4mm)5aおよびリンス液吐出細管(例えば内径0.4mm)6aが長さ方向に沿って2mmの間隔で一列に配置され、支持体により支持・固定された構造を有している。また、現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6は、それぞれ制御バルブ(図示を省略。)を介して現像液供給ライン7およびリンス液供給ライン8に接続されており、各液の供給ノズルは独立して液を吐出・供給することができるように構成されている。
【0026】
さらに、一体型ノズル4の両端部は、それぞれノズル待機部(図示を省略。)と液受けカップ3内のウェハ1上の所定位置との間を移動するノズル移動アーム9に、取り付けられている。また、このノズル移動アーム9は、Z軸駆動機構(図示を省略。)およびY軸駆動機構(図示を省略。)を備えている。Z軸駆動機構は、ノズル移動アーム9をZ軸方向(垂直方向)に駆動し、回転チャック2上に水平に保持されているウェハ1に対して、現像液供給ノズル5の現像液吐出口である現像液吐出細管5aの下端部、およびリンス液供給ノズル6のリンス液吐出口であるリンス液吐出細管6aの下端部を、それぞれ近接させ対向させる。
【0027】
また、Y軸駆動機構は、ノズル移動アーム9を一体型ノズル4の長手方向であるY軸方向に駆動し、一体型ノズル4をその長手方向に沿って往復運動させる。そして、現像液供給ノズル5の現像液吐出口から吐出される現像液10と、リンス液供給ノズル6のリンス液吐出口から吐出されるリンス液11とが、ウェハ1中心部に任意の時間周期で交互に供給されるようにする。
【0028】
なお、現像処理を行う際のウェハ1表面から一体型ノズル4の各吐出口までの高さ(Z軸方向の距離)は、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6の連結部付近で、各々の液がウェハ1に達する前に混合することが無いような高さに設定することが望ましい。
【0029】
この現像処理装置においては、以下に示すようにして現像処理がなされる。まず、露光処理が施されたフォトレジスト層を有するウェハ1が、回転チャック2の受け台上に載置され、真空減圧機構等により吸着固定される。次いで、ノズル移動アーム9により、一体型ノズル4がウェハ1の中心を通る直径上に移動され、さらにウェハ1表面から現像液供給ノズル5およびリンス液供給ノズル6の各吐出口までの距離が3mmになるように、Z軸駆動機構により一体型ノズル4がウェハ1に近接される。このとき、ウェハ1中心部の上に現像液供給ノズル5が位置するように、一体型ノズル4のY軸方向の位置を事前に調整しておくことが望ましい。
【0030】
次に、ウェハ1を矢印に示す時計回りの方向に0.5秒間程度高速で回転させながら、現像液供給ノズル5の現像液吐出口から現像液を0.5秒間程度吐出し、ウェハ1上に現像液10を滴下・供給する。このとき、一体型ノズル4は固定されたままであり、かつリンス液供給ノズル6からのリンス液11の吐出は行わない。ウェハ1の回転数を1000rpm以上にすることで、ウェハ1上に現像液10を均一に供給することができる。
【0031】
次に、ウェハ1を低速で回転させながら、現像液10とリンス液(例えば純水)11を各々の吐出口から同時に吐出するとともに、Y軸駆動機構を作動させることにより、一体型ノズル4をY軸方向に往復運動させる。このとき、ウェハ1中心部の上に、現像液供給ノズル5の現像液吐出口とリンス液供給ノズル6のリンス液吐出口が交互に位置するように、Y軸方向の往復運動の振幅を設定し、所望の時間両方の液を吐出させ現像処理を行う。
【0032】
こうして、ウェハ1上の任意の部位において、新しい現像液10の滴下による現像とリンス液11による反応生成物の除去が交互に繰り返し行われるので、現像ローディング効果の影響を低減することができる。したがって、ウェハ1の全面で現像むらが生じることがなく、現像能力が非常に高い。
【0033】
また、一体型ノズル4がY軸方向に往復運動され、ウェハ1中心部に現像液10とリンス液11とが交互に滴下・供給されるので、ウェハ1中心付近に現像液10が過剰に供給されることがなく、ウェハ1面内でのパターン寸法のばらつきも低減することができる。さらに、一体型ノズル4のY軸方向の往復運動の振幅を、ウェハ1の回転の周期に合わせて設定することで、ウェハ1中心部と外縁部で現像時間をそろえることができ、さらにウェハ1面内の寸法ばらつきを低減することができる。例えば、現像処理中のウェハ1の回転数を30rpm(回転周期は2秒)とした場合、一体型ノズル4の往復運動の周期も2秒とすればよい。
【0034】
このように第1の実施形態の現像処理装置によれば、現像処理工程でウェハ1上に現像液10が滴下された直後にリンス液11が供給される。このリンス液11は、使用済みの汚れた現像液10を直ちに除去し、ウェハ1上には常に新しい現像液が供給されることになる。したがって、ウェハ1の全面において、均一でむらがなく、非常に高い能力の現像が行われる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
【0035】
図2は、本発明の第2の実施形態の現像処理装置を示す上面図である。
【0036】
この現像処理装置は、一定の間隔で一列に配置された複数個の現像液吐出口を有する現像液供給ノズル5と、同様に一定の間隔で一列に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズル6とが、180度以外の適当な角度をなすように連結された一体型ノズル4を有している。図2に示す実施形態では、現像液供給ノズル5に対してリンス液供給ノズル6が、ウェハ1の回転方向(矢印で示す。)と反対の反時計回りに90度の角度をなすように連結されている。なお、その他の部分は第1の実施形態の現像処理装置と同様に構成されているので、説明を省略する。
【0037】
第2の実施形態の現像処理装置によれば、ウェハ1上の任意の部位において、現像液が滴下・供給されてからリンス液が滴下されるまでの現像の時間と、リンス液が滴下・供給されてから再び現像液が滴下されるまでのリンスの時間との比を、3:1とすることができる。そして、第1の実施形態と同様に、ウェハ1面内におけるパターン寸法のばらつきを低減することができるうえに、ウェハ1全面で現像ローディング効果の影響を低減することができる。
【0038】
上述したように、本発明では、一体型ノズル4において、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6とのなす角度を、レジストの現像特性や使用するマスクによって変え、現像時間とリンス時間との比を調整することができる。このとき、現像液供給ノズル5とリンス液供給ノズル6との連結部においては、角度を自由に変えかつ任意の角度で固定することができるように構成することが望ましい。
【0039】
例えば、現像液供給ノズル5に対してリンス液供給ノズル6が、ウェハ1の回転方向(矢印で示す。)と同じ時計回りに90度の角度をなすように連結された一体型ノズルを使用する場合には、現像時間とリンス時間との比を1:3とする現像処理を行うことができる。
【0040】
なお、上記した実施形態は、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。例えば、第1および第2の実施形態では、半導体ウェハに現像液を塗布・供給する現像処理装置を例にとって説明したが、被処理基板は半導体ウェハに限定されない。また、上記実施形態では、処理液として現像液を例に挙げているが、レジスト材の剥離液などであっても良く、変形可能である。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理過程を通して常に基板全面に均一に高い処理能力を有する新しい処理液が供給されるので、基板全面で処理むらがなく、効率の高い処理が行われる。したがって、基板面内のパターン寸法の均一性と現像ローディング効果の低減を両立させることができ、例えばマスク上でのOPC処理を容易にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態である現像処理装置を示し、(a)は概略側面図、(b)は一体型ノズルの配置部の上面図。
【図2】本発明の第2の実施形態において、一体型ノズルの配置部を示す上面図。
【図3】光学シミュレーションに用いた半導体ウェハのパターンの配置を示す図。
【図4】図3のパターンでおける抜き幅Yと残しパターンの幅Xとの関係を、実験結果とシミュレーション結果とで比較して示すグラフ。
【図5】従来から現像処理方法として用いられているスプレー現像方式の一例を示す図。
【図6】従来から用いられているスプレー現像方式の別の例を示す図。
【図7】従来から用いられているパドル現像方式の一例を示す図。
【図8】従来から用いられているパドル現像方式の別の例を示す図。
【符号の説明】
1………ウェハ、2………回転チャック、3………液受けカップ、4………一体型ノズル、5………現像液供給ノズル、6………リンス液供給ノズル、5a………現像液吐出細管、6a………リンス液吐出細管、7………現像液供給ライン、8………リンス液供給ライン、9………ノズル移動アーム
Claims (8)
- 基板を水平に保持し回転させる基板回転機構と、
前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルと、
前記基板の半径とほぼ同じ長さの線分上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとを備え、
前記現像液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルが、前記基板と平行な水平面上で所定の角度をなすように接続されて一体型ノズルが形成され、かつこの一体型ノズルを前記基板の上方に近接して配置する機構を有することを特徴とする基板の処理装置。 - 前記基板上に露光処理されたフォトレジスト層が形成されており、前記処理液が現像液であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 前記処理液供給ノズルと前記リンス液供給ノズルとのなす角度が可変に構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の基板の処理装置。
- 前記一体型ノズルを前記基板の中心と外縁を結ぶ方向に沿って往復運動させる機構を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の基板の処理装置。
- 水平保持された基板を回転させながら、ほぼ一直線上に配置された複数個の処理液吐出口を有する処理液供給ノズルとほぼ一直線上に配置された複数個のリンス液吐出口を有するリンス液供給ノズルとが、同一水平面上で所定の角度をなすように接続された一体型ノズルを、前記処理液供給ノズルおよび前記リンス液供給ノズルがそれぞれ前記基板の半径上に位置するように配置し、前記処理液吐出口および前記リンス液吐出口からそれぞれ処理液およびリンス液を前記基板上に吐出し供給することを特徴とする基板の処理方法。
- 前記処理液および前記リンス液の吐出・供給時において、前記基板の上面からの前記処理液吐出口および前記リンス液吐出口の高さが、吐出された処理液とリンス液とが前記基板に接触する前に混合することがない高さであることを特徴とする請求項5記載の基板の処理方法。
- 前記一体型ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って往復運動させながら、前記処理液および前記リンス液を前記基板上に吐出・供給し、該基板の中心部に前記処理液と前記リンス液とを交互に供給することを特徴とする請求項5または6記載の基板の処理方法。
- 前記一体型ノズルの往復運動の周期が、前記基板の回転の周期と同一であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載の基板の処理方法。
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