JP4187217B2 - コネクタ - Google Patents

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本発明は、接続対象基板へ半田付けされる導電性のコンタクトを含むコネクタに関する。
従来のコネクタとしては、導電性のコンタクトと、コンタクトを保持しているインシュレータとを備えている。コンタクトは、相手コネクタの相手コンタクトに接触させる接触部と、接触部の一側からインシュレータの外へ延びている端子部とを有している。端子部は、インシュレータをプリント回路基板のような接続対象基板に実装したときに、接続対象基板の表面に配設されている導電部に半田によって接続される。
このようなコネクタでは、コンタクトの表面及び裏面にニッケル(Ni)メッキ層を形成した後、ニッケルメッキ層上に金メッキ層を設けている。ニッケル(Ni)メッキ層は、半田に対して金メッキ層よりも低い濡れ性を有する。端子部を接続対象基板の導電部に半田によって接続する前段階では、端子部の表面及び裏面の2面の一部にレーザーを照射して表面の金メッキ層を蒸発させ、ニッケルメッキ層を露出させることが行われている。
端子部には、レーザーを照射することによってニッケルメッキ層が露出されると接触部側への半田上りを防止するための低濡れ性領域(レーザーNiバリア)が形成される(例えば、特許文献1、特許文献2を参照)。
特開2003−45530号公報 特開平9−245860号公報
解決しようとする問題点は、端子部間のピッチが狭くなると、端子部も小さくなるので、低濡れ性領域も狭くなり、半田付けの際の半田上りが多くなってしまうという点である。
即ち、従来のコネクタでは、低濡れ性領域を形成するためにレーザーを照射する範囲が2面に限定されることがある。即ち、コンタクトにおいては、断面が角柱形状である複数の端子部のレーザー照射面に対して垂直な2面にレーザーを照射しようとすると、レーザーの照射方向の位置を変えなくてはならない。
したがって、端子部がキャリアに複数の端子部のそれぞれが狭ピッチで接続された状態においては、端子部間のピッチが狭くなり端子部も小さくなるので、垂直な2面にレーザーを照射して低濡れ性領域を形成することが大変困難となる。
また、コンタクトの小型化によりコンタクトの断面形状が正方形に近い形状になった場合には、低濡れ性領域が形成されていない面の間隔が近くなると、その間隔に半田付け時における半田が流れ込んでしまい、半田上りを抑える効果を期待できないという問題がある。
さらに、低濡れ性領域が形成されていない面を減少させるためには、コンタクトに面打ち加工を施す方法があるが、正方形に近い断面をもつコンタクトの場合、面打ち加工によって端子部の整列性が悪くなるので半田付け不良の原因となるという問題がある。
それ故に、本発明の課題は、コンタクトを狭ピッチで配列でき、しかも半田付けの際の半田上りを防止できるコネクタを提供することにある。
本発明は、接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向へ突出し、突出方向に向けて先細りになる一対の突出部とを有し、前記突出部のそれぞれには、前記突出方向と直交する前記コンタクトの厚さ方向の両面にテーパ面が形成されており、前記本体部の一対の前記突出部間及び前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されており、前記低濡れ性領域の前記コンタクトの長手方向における幅は、前記突出部の前記本体部との接続部分の前記コンタクトの前記長手方向における幅より狭いコネクタであることを最も主要な特徴とする。
本発明のコネクタによれば、本体部の一対の突出部間及び一対の突出部のテーパ面に接続対象基板へ半田付けされる端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域を形成していることにより、低濡れ性領域の適用面を広くすることができることから端子部の半田接続時における接触部側への半田上りを確実に防止できるという利点がある。また、コンタクトは、低濡れ性領域が形成されていない突出部のテーパ面が先細り形状に小さくなる形状となっているので、接触部側への半田上りの通路を狭くすることができることから、さらに接触部側への半田上がりを防止することができる。また、低濡れ性領域は、半田に対して低濡れ性の下地メッキ層上を被覆している導電性の被覆メッキ層にレーザーを照射することによって下地メッキ層を露出させているので、コンタクトの下地メッキ層による低濡れ性領域を大きく取れることから、端子部の半田接続時における接触部側への半田上りを確実に防止できるという利点がある。
また、キャリアにコンタクトの一端が接続された状態において、コンタクトの突出部を隣接するコンタクトの突出部と長手方向で交互になるように位置すると、コンタクト間のピッチに対してコンタクト同士の間隔を狭ピッチに配列することが可能となるので、コンタクトの材料採りの効率が向上する。
本発明に係るコネクタは、接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向へ突出し、突出方向に向けて先細りになる一対の突出部とを有し、前記突出部のそれぞれには、前記突出方向と直交する前記コンタクトの厚さ方向の両面にテーパ面が形成されており、前記本体部の一対の前記突出部間及び前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されており、前記低濡れ性領域の前記コンタクトの長手方向における幅は、前記突出部の前記本体部との接続部分の前記コンタクトの前記長手方向における幅より狭いことにより実現した。
図1は、本発明に係るコネクタの実施例1を示している。図2は、図1に示したコネクタを嵌合部側から見た状態を示している。
図1及び図2を参照して、コネクタ11は、インシュレータ13と、複数本が並列に所定ピッチの間隔をもってインシュレータ13に配列されている導電性のコンタクト21とを有している。
インシュレータ13は、長板形状の底壁部15aと、底壁部15a周囲端から一側へ延びている複数の側壁部15b,15c,15dとを有している。底壁部15a及び側壁部15b,15c,15dによって囲まれた部分は、図示しない相手コネクタの相手嵌合部が嵌合する大きな溝形状の嵌合部17となっている。インシュレータ13は、後述するプリント回路基板のような接続対象基板に実装される。
コンタクト21は、図3及び図4にも示すように、インシュレータ13の嵌合部17に位置している接触部23と、嵌合部15の底壁部15aを貫通して底壁部15aの外へ延びている端子部25と、インシュレータ13の外で接触部23及び端子部25を連設している中間部27とを有している。
コンタクト21は、略4角柱形状を呈している。コンタクト21の中間部27は、本体部27aと、本体部27aからコンタクト21の幅方向に突出する一対の突出部27bとを有している。一対の突出部27bのそれぞれは、4面のそれぞれが突出方向に向けて先細りになるテーパ面28a,28b,28c,28dが形成されている。コンタクト21の表面及び裏面には、下地メッキ層であるニッケル(Ni)メッキ層を設けた後、ニッケルメッキ層上に被覆メッキ層としての金メッキ層が設けられている。
コンタクト21には、一対の突出部27b間に位置している本体部27aの両面と、一対の突出部27bの突出方向と直交するコンタクト21の厚さ方向の両面のテーパ面28b,28cに、図5に示す低濡れ性領域29が形成されている。低濡れ性領域29のコンタクト21の長手方向における幅は、突出部27bの本体部27aとの接続部分のコンタクト21の長手方向における幅より狭くなっている。低濡れ性領域29は、図3に図示した接続対象基板31へ半田付けされる端子部25からの半田上りを防止するように、半田に対して低濡れ性の下地メッキ層上を被覆している導電性の被覆メッキ層にレーザーを照射することによって帯状に下地メッキ層を露出させた部分である。なお、レーザーを照射することによって形成された低濡れ性領域29は、レーザーによって形成されたニッケル層によるバリアである。
コンタクト21をインシュレータ13に組み込む前の工程では、コンタクト21が、図6に示すように、キャリア51に複数のコンタクト21の一端が接続された状態でプレスによって打ち抜き形成されている。コンタクト21の突出部27bは、キャリア51に接続されている状態でコンタクト21の長手方向直交する方向で互いに対向するように位置している。
この状態でコンタクト21は、メッキ処理が施される。そして、コンタクト21の表面及び裏面の2面には、レーザーを照射することによって表面の金メッキを蒸発させ、レーザーを照射することによって下地層であるニッケル(Ni)メッキ層が露出されると低濡れ性領域29が形成される。
なお、コンタクト21には、本体部27aのみならず、テーパ面28b,28cに低濡れ性領域29が形成されるので、低濡れ性領域29の幅方向の範囲が広く採れる。なお、コンタクト21は、低濡れ性領域29を形成した後、インシュレータ13に圧入されて図6の点線で示した切断部分Aでキャリア51から切り離されてコネクタとする。
端子部25と接続対象基板31とを接続するときには、端子部25を接続対象基板31の導電部32に半田によって接続する。この際、コンタクト21は、低濡れ性領域29が形成されていない突出部27bのテーパ面28a,28dが先細り形状に小さくなる形状となっているので、接触部23側への半田上りの通路を狭くすることができることから、さらに接触部23側への半田上がりを防止することができる。
図7は、キャリア51にコンタクト21の一端が接続された状態で、コンタクト21の突出部27bが隣接するコンタクト21間において突出部27bとコンタクト21の長手方向で交互になるように位置をずらせて配置している。コンタクト21は、低濡れ性領域29を形成した後、インシュレータ13に圧入されて図6の点線で示した部分Aでキャリア51から切り離されてコネクタとする。
コンタクト21に交互に突出部27bを配置した場合には、図6に示したコンタクト間のピッチP1よりもコンタクト21間の間隔を狭い間隔のピッチP2に配列が可能であり材料採りがよくなる。
本発明にかかるコネクタの実施例1を示す平面図である。 図1に示したコネクタの正面図である。 図1に示したコネクタの右側面図である。 図1に示したコンタクトの一部を示す平面図である。 図1に示したコンタクトの端子部及び中間部を示す斜視図である。 図1に示したコンタクトをキャリアに接続した状態の一例を示す平面図である。 図1に示したコンタクトをキャリアに接続した状態の他の例を示す平面図である。
符号の説明
11 コネクタ
13 インシュレータ
21 コンタクト
17 嵌合部
23 接触部
25 端子部
27 中間部
27a 本体部
27b 突出部
28a,28b,28c,28d テーパ面
29 低濡れ性領域
31 接続対象基板
51 キャリア
P1,P2 ピッチ

Claims (2)

  1. 接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、
    前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、
    前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向へ突出し、突出方向に向けて先細りになる一対の突出部とを有し、
    前記突出部のそれぞれには、前記突出方向と直交する前記コンタクトの厚さ方向の両面にテーパ面が形成されており、
    前記本体部の一対の前記突出部間及び前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されており、
    前記低濡れ性領域の前記コンタクトの長手方向における幅は、前記突出部の前記本体部との接続部分の前記コンタクトの前記長手方向における幅より狭いことを特徴とするコネクタ。
  2. 請求項1記載のコネクタにおいて、前記低濡れ性領域は、前記半田に対して低濡れ性の下地メッキ層上を被覆している導電性の被覆メッキ層レーザーを照射することによって前記下地メッキ層を露出させた部分であることを特徴とするコネクタ。
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