JP4159631B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はフリップチップ実装し突起電極を有するICサイズの半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体パッケージの小型化、高密度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板上に実装するフリップチップボンディングが開発されている。カメラ一体型VTRや携帯電話機等の登場により、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、所謂CSP(チップサイズ/スケール・パッケージ)を載せた携帯機器が相次いで登場してきている。最近CSPの開発は急速に進み、その市場要求が本格化している。
【0003】
図4は、従来の単個のフリップチップ実装BGAの製造工程を示す断面図である。図4(a)において、回路基板1は略四角形でガラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面に銅箔張りの樹脂基板で、該樹脂基板には複数のスルーホール2が切削ドリル等の手段により加工される。前記スルーホール2の壁面を含む基板面を洗浄した後、前記樹脂基板の全表面に無電解メッキ及び電解メッキによりCuメッキ層を形成し、前記スルーホール2内まで施される。
【0004】
更に、メッキレジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを形成した後、エッチング液を用いてパターンエッチングを行うことにより、上面側にはIC接続用のボンディングパッド3を、下面側にはマトリックス状にパッド電極である外部端子として突起電極4を形成する。次にソルダーレジスト処理を行い、所定の部分にレジスト膜を形成することにより、前記樹脂基板の下面側には突起電4を露呈するように、マトリックス状に多数の同一形状の半田付け可能な表面であるレジスト膜開口部を形成することにより回路基板1が完成される。
【0005】
図4(b)、(c)において、前記回路基板1の下面側の突起電極4に、例えば、6/4半田の半田ボール9をフラックス12を塗布して仮固定する。
【0006】
図4(d)において、ICチップ5側に予め、前記半田ボール電極を構成する半田ボール9と半田の組成が同質の6/4半田の外部端子である半田バンプ7を形成する。半田バンプ7にフラックス12を塗布した後、図4(e)で前記回路基板1の上面側に形成したIC接続用のボンディングパッド3に仮固定する。
【0007】
図4(f)において、上記した半田バンプ7及び半田ボール9の半田組成が同質の6/4半田のため、加熱炉中で210〜230°C程度に加熱することにより、フラックス12が半田と溶融して、一回のリフロー工程で、前記回路基板1のボンディングパッド3にICチップ5を接続すると同時に、突起電極4にマザーボード基板接続用の半田ボール電極10を形成する。
【0008】
図4(g)において、フリップチップ実装されたICチップ5を保護するためにその側面を覆うように、熱硬化性の封止樹脂8でサイドモールドする。前記ICチップ5の非電極形成面の少なくとも一部は露出されているので、熱放散性は良好である。以上によりフリップチップ・キャビティアップBGA13が完成される。
【0009】
上述したように、単個の半導体パッケージの製造方法は、生産性が低いことは勿論のこと、LSIのベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージであるCSPにおいては、ICチップ5と回路基板1の外形の差が極めて少ないので、樹脂封止の際に封止樹脂8をICチップ5の下へ注入するのに、注入スペースが無くなる。また、前記回路基板5の外縁から最外周に位置するボール電極の中心までの距離が無くなると、半田ボール付け時の治具スペースが取れなくなる。
【0010】
そこで、上記問題を解決するために多数個取りし、高密度実装化した従来技術が特開平8−153819号公報に開示されている。以下図面に基づいてその概要を説明する。
【0011】
図5において、短冊状の回路基板1にスルーホール2を形成後、銅メッキ層を施す工程と、全ての回路パターンと接続する共通電極14を含む複数個、例えば2個のBGAを構成する回路パターンを形成する回路パターン形成工程と、前記回路基板1の上下両面に感光性樹脂皮膜を施した後、エッチングにより、共通電極14及びICチップ、ボンディングワイヤ、半田バンプの各接続部を除くようにドライフイルムを形成するドライフイルムラミネート工程と、前記共通電極14を利用して前記回路基板1の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、Ni−Auメッキ層を形成する。
【0012】
次に、共通電極14と回路パターンとを分離するパターン分離工程は、製品分離ライン15の四辺に沿って、その四隅に回路基板1と連結する連結部15aを残すように、ルータ加工により長穴16を穴明けする。その後、ワイヤーボンディング及びトランスファーモールドにより樹脂封止し、回路基板1の下面に半田バンプを形成する。
【0013】
製品分離工程は、前記四隅に残した連結部は狭隘なため、プレス抜き等の切り離し手段で余分な負荷をかけることなく極めて容易に分離することにより、単個のBGAを製造することができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した短冊状の複数個取りする半導体パッケージの製造方法には次のような問題点がある。即ち、先に述べた単個の半導体パッケージの製造方法に比較して生産性は若干向上するが、小型パッケージであるCSPにおいては、回路基板製造時の基板取り個数が少なく、生産コストが高くなる。また、前記CSPのように、前記回路基板の外縁から最外周に位置するボール電極の中心までの距離が差が無くなると、製品分離工程でプレス抜き等の切り離し手段で分離する時の金型押さえ代が無くなる等の問題があった。
【0015】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、小型携帯機器等に搭載する小型パッケージとして、ICチップより小さい回路基板をフリップチップ接続した信頼性及び生産性に優れた半導体パッケージの製造方法を提供するものである。
【0024】
【課題を解決する為の手段】
上記目的を達成するために、本発明における半導体パッケージの製造方法は、複数の外部端子を持つICチップと、一方の面に複数のボンディングパッドを持ち他方の面に外部接続用電極を持つ回路基板を備えた半導体パッケージの製造方法において、ウエファー上の複数の前記ICチップに半田バンプよりなる前記外部端子を形成する半田バンプ形成工程と、前記ICチップに該ICチップより小さい前記回路基板をフリップチップ接続するボンディング工程と、前記ICチップと前記回路基板の間を封止樹脂により封止する樹脂封止工程と、前記ウエファーの平坦面を基準にしてダイシング法により単個に分離するダイシング工程とからなることを特徴とするものである。
【0025】
また、前記樹脂封止工程は隣接する回路基板の間を埋めるように封止することを特徴とするものである。
【0026】
また、前記ダイシング工程は前記回路基板の外周側面の前記封止樹脂の切断面が露出していることを特徴とするものであり、また、前記回路基板のボンディングパッドと前記外部接続用電極がスルーホールにより電気的に接続されていると共に、該スルーホールは樹脂により穴埋めされていることを特徴とするものである。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における半導体パッケージ及びその製造方法について説明する。図1は本発明の実施の形態で、フリップチップ接続し外部端子を有する半導体パッケージの断面図、図2はその製造方法を示す説明図、図3は回路基板のスルーホール部の部分拡大断面図である。従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【0028】
図1及び図2において、先ず、図2(a)の半田バンプ形成工程は、ICウエハー5aをバンプ形成工程に流して前記ICウエハー5aのパッド電極面の所定の位置に外部端子である半田バンプ7を形成する。前記半田バンプ7の形成方法には、一般に、スタッドバンプ方式、ボールバンプ方式、及びメッキバンプ方式等があるが、その中で、パッド電極位置にレジストにて窓を形成し半田浴槽中に浸漬してメッキにて半田バンプを形成するメッキバンプ方式は、パッド電極間の狭い配列でバンプを形成することが可能で、ICチップの小型化には極めて有効な半田バンプの形成手段である。
【0029】
次に、単体の回路基板を加工する。両面銅張りされた集合回路基板に、図3に示すように、従来と同様に、NC穴明け加工によりスルーホール2を形成した後、無電解銅メッキ及び電解銅メッキによりスルーホール2の内壁にCuメッキ層2aを形成する。
【0030】
前記スルーホール2内壁にCuメッキ層2aを形成後、導電性又は非導電性の樹脂2bのいづれかでスルーホール2を穴埋めする。ここで、樹脂2bでスルーホール2を穴埋めするのは、小型化により狭い回路基板1の表面に配線パターン形成に有効な面積を確保する。また、スルーホール2内に半田が流れ込むのを防ぎ、半田バンプの高さ精度を維持するためである。回路基板1の上下面に形成されたボンディングパッド3と突起電極4とをスルーホール2の内壁に形成したCuメッキ層2aを介して電気的に接続させる。
【0031】
前記穴埋めされる樹脂2bが、導電性の極めて優れた樹脂を使用することにより、スルーホール2の内壁に形成する前記Cuッキ層2aは不要にすることが可能である。
【0032】
前記穴埋めした樹脂2bの上下端部を無電解銅メッキ及び電解銅メッキによりCuメッキ層2cを形成する。
【0033】
更に、従来と同様に、メッキレジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを形成した後、エッチング液を用いてパターンエッチングを行うことにより、前記集合回路基板の上面側には複数個分配列したボンディングパッド3、下面側にパッド電極である突起電極4をパターニングする。次にソルダーレジスト処理を行い、所定の部分にレジスト膜2dを形成することにより、前記集合回路基板の下面側には突起電極4を露呈するように、マトリックス状に多数の同一形状の半田付け可能な表面であるレジスト膜2dの開口部が形成される。
【0034】
前記レジスト膜2dの開口部に無電解ニッケル及び金メッキにより、Ni+Auメッキ層2eを形成することにより、多数個取りする集合回路基板が完成される。
【0035】
前記集合回路基板をダイシングソー等の装置で所定のカッティングラインに沿って回路基板1の単個に分割する。
【0036】
次に、図2(b)のボンディング工程で、前記ICチップ5より小さく、単個に分割された回路基板1のボンディングパッド3にフラックスを塗布して、複数個分配列したウエファー5a上の半田バンプ7に、前記単個に分割した回路基板1を1個づつ搭載した後、半田リフロー工程を経ることにより、フリップチップ実装を行う。
【0037】
図2(c)に示す封止工程は、熱硬化性の封止樹脂8で前記隣接する複数個の回路基板1間を埋めるように、回路基板1とICチップ5の間にサイドポッティングにより一体的に樹脂封止することにより、複数個の回路基板1がウエファー5a上の個々のICチップ5上に固定される。
【0038】
図2(d)に示すダイシング工程は、前記フリップチップ実装されたウエファー5aの平坦面を基準にして、接着剤又は両面粘着テープ等の固定手段で治具に固定した後、ダイシングソー等の切削手段で、X、Y方向のダイシングライン17(ストリートライン)に沿って単個に切削、分割し、溶解液等により前記治具から剥離することにより、図2(e)に示すように単個の半導体パッケージ20が得られる。
【0039】
前記樹脂封止工程において、回路基板1はICチップ5より小さいので、封止樹脂8が隣接する回路基板1の間に注入するのに注入スペースが採り易く、回路基板1とICチップ5の間に容易に流れ込む。また、ダイシング工程で、封止樹脂8はウエファー5aと同時に切削され回路基板1の外周側面には封止樹脂8の切断面が露出される。
【0040】
前記回路基板1の外部接続用電極である突起電極4に図示しない半田バンプを形成する場合は、上述のダイシング工程の前に、個々の回路基板1上に半田ボールを配置してリフローすることにより半田バンプが形成される。
【0041】
前記回路基板1の基材を、ガラスクロスを含んだ樹脂基板にすることにより、配線パターンの線幅を細くして高密度化ができ、作業性が良く集合回路基板にして多数個取りすることにより、安価に製造することができる。
【0042】
前記回路基板1の基材に、セラミック基板を使用してもよい。セラミック基板を使用することにより、配線密度の細密化、線膨張係数等の点で有利である。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、ウエファー上に形成した複数個のICチップの半田バンプに、予め単個で用意した前記ICチップより小さい回路基板のボンディングパッドをフリップチップ接続し、封止樹脂した後、ダイシングして単個の半導体パッケージを製造することにより、ICサイズのパッケージを安価に生産することができる。
【0044】
回路基板に形成されたスルーホールが樹脂により穴埋めされることにより、配線密度の細密化及び半田バンプの高さ精度等に役立つ。
【0045】
ダイシング工程は、パッケージ集合体の状態で、ウエファーの平坦面基準で治具に固定、切削、剥離を行うので、半導体パッケージの生産性は良好である。
【0046】
回路基板がガラスクロスを含んでいるので、配線パターンの高密度化及び作業性が良い。
【0047】
回路基板がICチップより小さいので、樹脂封止の際に注入スペースが採り易い。封止樹脂をダイシング工程で同時に切断できる。封止樹脂が隣接する回路基板間を埋め、回路基板の外周側面に樹脂の切断面が露出した状態で、ICチップに回路基板が固定される。
【0048】
以上述べたように、ICサイズのパッケージを安価に生産することが可能である。小型携帯機器等に搭載するCSPの信頼性及び生産性の優れた半導体パッケージ及びその製造方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる半導体パッケージの断面図である。
【図2】図1の製造工程を示す説明図である。
【図3】図1の回路基板のスルーホール部の部分拡大断面図である。
【図4】従来の半導体パッケージの製造工程を示す説明図である。
【図5】従来の短冊状のBGAの平面図である。
【符号の説明】
1 回路基板
2 スルーホール
2b 樹脂
3 ボンディングパッド
4 突起電極
5 ICチップ
5a ウエファー
7 半田バンプ
8 封止樹脂
20 半導体パッケージ
Claims (4)
- 複数の外部端子を持つICチップと、一方の面に複数のボンディングパッドを持ち他方の面に外部接続用電極を持つ回路基板を備えた半導体パッケージの製造方法において、ウエファー上の複数の前記ICチップに半田バンプよりなる前記外部端子を形成する半田バンプ形成工程と、前記ICチップに該ICチップより小さい前記回路基板をフリップチップ接続するボンディング工程と、前記ICチップと前記回路基板の間を封止樹脂により封止する樹脂封止工程と、前記ウエファーの平坦面を基準にしてダイシング法により単個に分離するダイシング工程とからなることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
- 前記樹脂封止工程は隣接する前記回路基板の間を埋めるように封止することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記ダイシング工程は前記回路基板の外周側面の前記封止樹脂の切断面が露出していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記回路基板のボンディングパッドと前記外部接続用電極がスルーホールにより電気的に接続されていると共に、該スルーホールは樹脂により穴埋めされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
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