JP4144725B2 - ガラス基板のチャンファリング方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を加工するチャンファリング方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスクは、コンピュータの記憶装置の1つであり、薄いドーナツ状の円板表面に磁性体を塗布し、この磁性体にデータを記憶させるものである。この円板(ハードディスク基板と呼ぶ)の材料は、従来は主にアルミニウムであるが、剛性、耐久性、記憶容量等の性能を向上させるため、近年、化学強化ガラスや結晶性ガラスからなるハードディスク基板(ガラス基板)が用いられている。
【0003】
図5は、ガラス基板の模式図であり、(A)は全体形状、(B)は外周部と内周部の断面図である。例えば呼称2.5インチのガラス基板は、外径/内径が2.5インチ/1インチ(約63mm/約25mm)、厚さが約1.6mmである。また、外周部と内周部(エッジ部)は、外周面又は内周面である端面(幅0.6mm)とこれを挟む1対の斜面(角度約45°)とからなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したガラス基板は、ハードディスクのアクセスタイムを短くするため、数万RPMの高速回転で使用される。そのため、全体を高精度に加工し高い動バランスを実現する必要がある。また、ガラス基板の両面は、磁性体を高密度に塗布し記憶容量を極限まで高めるために、Rz1μm以下の鏡面に仕上げられている。
【0005】
更に、エッジ部(端面及び斜面)も、ガラス基板の両面と同程度の精度と高品質の鏡面に仕上げる必要がある。エッジ部を鏡面に仕上げる理由は、以下の通りである。
(1)面粗さが大きい「梨地」の表面には、微細なマイクロクラックが存在する。そのため、ガラスの強化処理が不均一となったり、使用時の高速回転によりクラックが進展して破損するおそれがある。
(2)マイクロクラックの微細な凹みにゴミが残留して洗浄が不完全となり、後工程でのコンタミネーションの要因となる。
【0006】
上述したガラス基板のエッジ部は、従来、総型の電着砥石を用いてエッジ部の形状を高精度に加工し、次いで、バフ研磨によりエッジ部を鏡面に仕上げていた。
【0007】
しかし、アルミニウムに比べてガラス基板の加工性は悪いため、電着砥石による加工能率が低い問題点があった。すなわち、実用的な加工性を確保するため、#500(粒径約30μm)〜#600(粒径約25μm)の比較的粗い砥粒を用いるが、その場合でも、砥粒の剥離が激しく、電着砥石を頻繁に交換する必要があり、加工装置の連続使用時間が短く稼働率が低くなる。また、得られる加工面は、面粗さの大きい「梨地」状態であるので、後工程として長時間(約1時間程度)のバフ研磨を行う必要があり、結果として生産性が低い問題点があった。
【0008】
本発明は、かかる問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に高能率で加工でき、これにより後工程の必要性を大幅に低減し或いはなくすことができるチャンファリング方法及び装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、中央に円形穴(1a)を有するドーナツ状のガラス基板(1)の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする方法であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石(12)と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石(14)と、を備え、外面砥石と内面砥石により、ガラス基板の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工し、かつ研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングして目立てし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングして目立し、
ガラス基板(1)を吸着させる真空吸着ヘッド(33a)と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド(33b)とを備え、
前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持される放電ツルーイング用電極(16)を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石(12)と内面砥石(14)を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持された放電ツルーイング用電極(16)で成形する、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング方法が提供される。
【0010】
また、本発明によれば、中央に円形穴(1a)を有するドーナツ状のガラス基板(1)の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする装置であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石(12)と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石(14)と、外面砥石を研削加工中に電解ドレッシングするための外面電極(18)と、内面砥石を非研削加工中に電解ドレッシングするための内面電極(20)と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に導電性研削液を供給する研削液供給装置(22)と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に電解ドレッシングの電圧を印加する電圧印加手段(24)とを備え、外面砥石によりガラス基板の外周部の端面と斜面を研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングし、
ガラス基板(1)を吸着させる真空吸着ヘッド(33a)と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド(33b)とを備え、
前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持される放電ツルーイング用電極(16)を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石(12)と内面砥石(14)を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持された放電ツルーイング用電極(16)で成形できるようになっている、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング装置が提供される。
【0011】
上記本発明の方法および装置によれば、外面砥石(12)と内面砥石(14)により、ガラス基板(1)の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工することができる。また、この研削加工中に外面砥石を外面電極(18)との間に導電性研削液を供給して電圧印加手段(24)で電解ドレッシング(インプロセスドレッシング)し、微細な砥粒を用いた場合でも外面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を内面電極(20)との間に導電性研削液を供給して同一の電圧印加手段で電解ドレッシング(インターバルドレッシング)し、同様に微細な砥粒を用いた場合でも内面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、外面砥石を研削加工中にインプロセスドレッシングし、内面砥石を非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段(24)の負荷を平滑化でき、同時に両方を電解ドレッシングする場合に比較して電源設備を小型化できる。また、ガラス基板(1)の代わりに放電ツルーイング用電極(16)をセットするだけで、外面砥石(12)又は内面砥石(14)が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し/再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。
【0012】
なお、本発明の好ましい実施形態によれば、前記ガラス基板(1)の代わりに放電ツルーイング用電極(16)を取付け、前記外面砥石(12)と内面砥石(14)を研削加工位置に位置決めし、前記電極(16)をプラスに砥石(12,14)をマイナスに印加して、両砥石を放電ツルーイングして成形できる。この方法により、外面砥石(12)又は内面砥石(14)が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し/再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。また、単に極性の変更だけで、放電ツルーイングに電解ドレッシング用の電源(電圧印加手段)を用いることができ、電源設備の大型化を回避することができる。
【0013】
また、前記メタルボンド外面砥石(12)とメタルボンド内面砥石(14)は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝(12a,14a)を有する。
この構成により、台形溝(12a,14a)を総型砥石としてガラス基板(1)のエッジ部(外周部と内周部)に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できる。
【0014】
前記メタルボンド外面砥石(12)及び/又はメタルボンド内面砥石(14)は、同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝(12a,14a)を有する。この構成により、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。
【0015】
また、前記メタルボンド外面砥石(12)及び/又はメタルボンド内面砥石(14)は、同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝(12a,14a)を有する。
この構成により、粗加工用の台形溝(12a,14a)で粗加工後に、軸方向にシフトして同一の砥石の仕上加工用の台形溝(12a,14a)で仕上加工ができ、別の砥石に交換する場合に比較して、無駄時間を大幅に低減でき、かつ回転中心のズレ(芯ズレ)による加工精度の悪化を回避することができる。
【0016】
更に、本発明の好ましい実施形態によれば、ガラス基板(1)をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置(32)と、メタルボンド外面砥石(12)をその軸心を中心に回転駆動する外面砥石駆動装置(34)と、メタルボンド内面砥石(14)をその軸心を中心に回転駆動する内面砥石駆動装置(36)とを備え、基板駆動装置、外面砥石駆動装置及び/又は内面砥石駆動装置は、ガラス基板を加工する加工位置と、ガラス基板から外面砥石及び内面砥石を離脱させてガラス基板の交換を可能にする非加工位置との間を移動可能に構成されている。
この構成により、メタルボンド外面砥石(12)とメタルボンド内面砥石(14)を加工位置に位置決めした状態で、外面砥石を電解ドレッシング(インプロセスドレッシング)しながら研削加工でき、かつ両砥石を非加工位置に位置決めした状態で、ガラス基板を交換すると共に、内面砥石を電解ドレッシング(インターバルドレッシング)することができる。
【0017】
前記基板駆動装置(32)は、前記真空吸着ヘッド(33a)と、前記挟持ヘッド(33b)とを備える。この構成により、破損しやすいガラス基板(1)を真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)で挟持して保護しながら、精度よく回転駆動することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【0020】
従来の研削技術では不可能とされる高能率・超精密な鏡面研削を実現する研削手段として、本願出願人等により電解インプロセスドレッシング研削法(以下、ELID研削法)が開発され、発表されている。このELID研削法は、メタルボンド砥石の導電性結合部を電解ドレッシングにより溶解させて目立てを行いながら研削するものである。本研削法により、微細な砥粒を有するメタルボンド砥石により、超硬材料に対して効率的な鏡面加工が可能であり、高能率化・超精密化が図れる特徴がある。
【0021】
一方、本願発明の発明者等は、先に「電解インターバルドレッシング研削方法」を創案し、出願している(特開平4−115867号)。この方法は、図6に模式的に示すように、被研削材1(ワーク)と間隔をおいて電極5を設け、ワーク1と電極5間で電圧が印加された導電性砥石4を反復駆動させ、また導電性砥石4と電極5間に導電性研削液を介在させ、電解ドレッシングと研削加工とを交互に行うものである。
【0022】
本発明は、上述したインプロセスドレッシング(ELID研削)とインターバルドレッシングを組合せ、更にガラス基板のチャンファリング用に種々の創意を加えたものである。
【0023】
図1は本発明のチャンファリング装置の全体構成を示す平面図である。また、図2は図1のA部拡大図、図3は図1のB部拡大図である。本発明のチャンファリング装置は、図5に示した中央に円形穴1aを有するドーナツ状のガラス基板1の外周部と内周部の端面とこれを挟む斜面の端面加工及び面取加工を行う装置である。
図1に示すように、このチャンファリング装置10は、メタルボンド外面砥石12、メタルボンド内面砥石14、外面電極18、内面電極20、研削液供給装置22及び電圧印加手段24を備えている。
【0024】
メタルボンド外面砥石12とメタルボンド内面砥石14は、砥粒(例えば、ダイヤモンド又はCBN)とこれを固定する導電性結合部(メタルボンド部)とからなる。メタルボンド部は、鋳鉄、青銅、その他の金属を溶融固化したものである。
また、図1〜図3に示すように、メタルボンド外面砥石12とメタルボンド内面砥石14は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝12a,14aを有している。この台形溝12a,14aは、総型砥石としてガラス基板1のエッジ部(外周部と内周部)に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できるように成形されている。
【0025】
更に、図2、図3に示すように、台形溝12a,14aは、メタルボンド外面砥石12及びメタルボンド内面砥石14の同軸上に一定の間隔を隔てて複数(この例では、それぞれ10個)設けられている。また、この例では、10個のうち、半分の台形溝12a,14aが粗加工用に残りの半分が仕上加工用に成形されている。
この構成により、メタルボンド外面砥石12により、ガラス基板1の外周部の端面と斜面を同時に加工でき、かつメタルボンド内面砥石14により、ガラス基板1の内周部の端面と斜面を同時に加工することができる。
【0026】
図1に示すように、本発明のチャンファリング装置10は、更に、基板駆動装置32、外面砥石駆動装置34及び内面砥石駆動装置36を備える。
【0027】
基板駆動装置32は、ガラス基板1を吸着させる真空吸着ヘッド33aと、ガラス基板1を真空吸着ヘッド33aとの間に挟持する挟持ヘッド33bとを有する。真空吸着ヘッド33aはガラス基板1の軸心を中心に回転駆動されるドライブ軸37に連結ロッド37aのネジ部の螺合により着脱可能になっている。また、真空吸着ヘッド33aに設けられた排気通路を介してガラス基板1との接触面を減圧してガラス基板1を真空吸着ヘッド33aの端面(この図で左側)に垂直に吸着・保持するようになっている。挟持ヘッド33bは、ガラス基板1の反対側(この図で左側)に接触する挟持部38aとこれを軸受38bを介して支持する支持部38cとからなる。
【0028】
基板駆動装置32は、ガラス基板1を加工する加工位置Wと、ガラス基板1から外面砥石12及び内面砥石14を離脱させてガラス基板1の交換を可能にする非加工位置R(図1の状態)との間を図で左右方向(X方向)に移動可能に構成されている。
また、前述の支持部38cは、ガラス基板1の加工位置Wにおいて、図示しない付勢装置により、所定の圧力で図で右方向に付勢され、ガラス基板1を真空吸着ヘッド33aとの間で十分な圧力で挟持する。
この構成により、基板駆動装置32により、ガラス基板1の外周部と内周部の研削加工時の加工負荷に抗して、ガラス基板1をその軸心を中心に回転駆動することができる。
【0029】
外面砥石駆動装置34は、メタルボンド外面砥石12を図で右端に固定するドライブ軸34aを有する。このドライブ軸34aは、ガラス基板1の軸心と平行な軸であり、図示しない駆動装置により回転駆動される。また、この外面砥石駆動装置34は、図で左右方向(X方向)とこれに垂直な前後方向(Y方向)にNC制御により自由に移動できるようになっている。この構成により、図1に示す非加工位置Rから、外面砥石12をX方向へ移動させてガラス基板1を加工する特定の台形溝12aを加工位置Wにあるガラス基板1に合わせて位置決めし、更に外面砥石12をY方向に移動させてガラス基板1の外周部に接触させてエッジ部を加工することができる。
【0030】
内面砥石駆動装置36も、外面砥石駆動装置34と同様に、メタルボンド内面砥石14を図で右端に固定するドライブ軸36aを有する。このドライブ軸36aは、ガラス基板1の軸心と平行な軸であり、図示しない駆動装置により回転駆動される。また、この内面砥石駆動装置36も、図で左右方向(X方向)とこれに垂直な前後方向(Y方向)にNC制御により自由に移動できるようになっている。この構成により、図1に示す非加工位置Rから、内面砥石14をX方向へ移動させてガラス基板1を加工する特定の台形溝12aをガラス基板1に合わせて位置決めし、更に内面砥石12をY方向に移動させてガラス基板1の内周部に接触させてエッジ部を加工することができる。
【0031】
外面電極18は、外面砥石駆動装置34の本体34bに絶縁部材(図示せず)を介して取付けられ、外面砥石駆動装置34と共に移動するようになっている。また、この外面電極18は、メタルボンド外面砥石12の複数の台形溝12aから一定の間隔を隔てた対向面18aを有している。
【0032】
内面電極20は、図1に示す非加工位置Rから、メタルボンド内面砥石14に近接する位置まで、図で前後方向(Y方向)に移動できるようになっている。また、この内面電極20は、メタルボンド内面砥石14の複数の台形溝14aから一定の間隔を隔てた対向面20aを有している。
【0033】
研削液供給装置22は、外面砥石12と外面電極18の間および内面砥石14と内面電極20の間に導電性研削液を供給するようになっている。すなわち、研削液供給装置22は、外面砥石駆動装置34の本体34bに固定されたノズル22aを有し、外面砥石駆動装置34がどの位置にあっても常に外面砥石12と外面電極18の間に導電性研削液を供給できるようになっている。
また、研削液供給装置22は、内面電極20と共に移動する別のノズル22aを有し、内面電極20が内面砥石14に近接する位置で、内面砥石14と内面電極20との間に導電性研削液を供給できるようになっている。
【0034】
電圧印加手段24は、電源24a、砥石12,14の回転軸と接触するブラシ24b、ブラシ24b及び電極18,20と電源24aを電気的に接続する電源ライン24cとからなり、砥石12,14を+に電極18,20を−に印加するようになっている。電源24aは、直流電圧をパルス状に供給できる定電流型ELID電源が好ましい。
【0035】
上述した装置を用い、本発明の方法によれば、外面砥石12と内面砥石14により、ガラス基板1の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工する。また、この研削加工中に外面砥石12を電解ドレッシングして目立てする。更に、1枚のガラス基板1の加工が完了しガラス基板1を交換する非加工中に、内面砥石14を電解ドレッシングして目立する。
【0036】
上述した本発明の方法および装置によれば、外面砥石12と内面砥石14により、ガラス基板1の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工することができる。また、この研削加工中に外面砥石12を外面電極18との間に導電性研削液を供給して電圧印加手段24でインプロセスドレッシング(ELID研削)し、微細な砥粒、例えば、#1200(粒径約15μm)〜#2000(粒径約8μm)を用いた場合でも外面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。更に、ガラス基板1を交換する非加工中に内面砥石を内面電極20との間に導電性研削液を供給して同一の電圧印加手段で電解ドレッシング(インターバルドレッシング)し、同様に微細な砥粒を用いた場合でも内面砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。
更に、外面砥石12を研削加工中にインプロセスドレッシングし、内面砥石14を非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段24の負荷を平滑化でき、同時に両方を電解ドレッシングする場合に比較して電源設備を小型化できる。
【0037】
また、外面砥石12と内面砥石14の外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝12a,14aを有する構成により、台形溝12a,14aを総型砥石としてガラス基板1のエッジ部(外周部と内周部)に当接させるだけで、ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に加工できる。
【0038】
更に、外面砥石12と内面砥石14の同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝12a,14aを有する構成により、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。
【0039】
また、外面砥石12と内面砥石14の同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝12a,14aを有する構成により、粗加工用の台形溝12a,14aで粗加工後に、軸方向にシフトして同一の砥石の仕上加工用の台形溝12a,14aで仕上加工ができ、別の砥石に交換する場合に比較して、無駄時間を大幅に低減でき、かつ回転中心のズレ(芯ズレ)による加工精度の悪化を回避することができる。
【0040】
図4は、放電ツルーイング時のヘッド部の拡大図である。図4に示すように、本発明のチャンファリング装置10は、真空吸着ヘッド33aと挟持ヘッド33bの間に挟持される着脱自在な放電ツルーイング用電極16を備えている。この電極16は、ガラス基板1の外周部と内周部と形状が同一の外周部と内周部を有している。
また、上述した電圧印加手段24は、結線を切り換えることにより、放電ツルーイング用電極16をプラスに砥石12,14をマイナスに印加できるようになっている。
【0041】
上述した装置を用い、本発明の方法によれば、ガラス基板1の代わりに放電ツルーイング用電極16を真空吸着ヘッド33aと挟持ヘッド33bの間に取付け、外面砥石12と内面砥石14を研削加工位置に位置決めし、両砥石を放電ツルーイングして成形する。また、この放電ツルーイング時に、導電性ミストを利用することによって、効率的かつ高精度な放電成形が可能となる。
【0042】
この方法により、外面砥石12又は内面砥石14が長時間の使用により形状精度が悪化した場合でも、砥石の取外し/再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。また、単に極性の変更だけで、放電ツルーイングに電解ドレッシング用の電源(電圧印加手段)を用いることができ、電源設備の大型化を回避することができる。
【0043】
なお、本発明は上述した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【0044】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、インプロセスドレッシング(ELID研削)とインターバルドレッシングを併用しているので、例えば、#1200(粒径約15μm)〜#2000(粒径約8μm)の微細な砥粒を用いた場合でも砥石を目立てして高能率を維持しながら高精度かつ高品質に加工できる。また、研削加工中にインプロセスドレッシングし、非加工中にインターバルドレッシングするので、電圧印加手段24の負荷を平滑化でき、電源設備を小型化できる。更に、砥石12,14の同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝12a,14aを有するので、加工による摩耗により形状精度が規定値を外れた段階で軸方向にシフトして順に使用することにより、工程を止めずに進行でき、連続使用時間を大幅に延ばすことができる。また、同軸上に粗加工用と仕上加工用の台形溝を有することにより、粗加工後に、軸方向にシフトして仕上加工ができ、無駄時間を大幅に低減でき、かつ芯ズレによる加工精度の悪化を回避することができる。更に、ガラス基板1の代わりに放電ツルーイング用電極16を取付けて両砥石を放電ツルーイングすることができ、砥石の取外し/再取付けによる取付誤差を回避し、機上で放電ツルーイングして高精度に成形することができる。
【0045】
従って、本発明のガラス基板のチャンファリング方法及び装置は、ハードディスク用ガラス基板のエッジ部を高精度かつ高品質に高能率で加工でき、これにより後工程の必要性を大幅に低減し或いはなくすことができる、等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のチャンファリング装置の全体構成図である。
【図2】図1のA部拡大図である。
【図3】図1のB部拡大図である。
【図4】放電ツルーイング時のヘッド部の拡大図である。
【図5】ガラス基板の模式図である。
【図6】従来の電解インターバルドレッシング研削方法の模式図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板(被研削材,ワーク)
1a 中央円形穴
4 導電性砥石
5 電極
10 チャンファリング装置
12 メタルボンド外面砥石
12a 台形溝
14 メタルボンド内面砥石
14a 台形溝
16 放電ツルーイング用電極
18 外面電極
20 内面電極
22 研削液供給装置
24 電圧印加手段
32 基板駆動装置
33a 真空吸着ヘッド
33b 挟持ヘッド
34 外面砥石駆動装置
36 内面砥石駆動装置
#
Claims (9)
- 中央に円形穴(1a)を有するドーナツ状のガラス基板(1)の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする方法であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石(12)と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石(14)と、を備え、外面砥石と内面砥石により、ガラス基板の外周部と内周部の端面と斜面を同時に研削加工し、かつ研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングして目立てし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングして目立し、
ガラス基板(1)を吸着させる真空吸着ヘッド(33a)と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド(33b)とを備え、
前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持される放電ツルーイング用電極(16)を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石(12)と内面砥石(14)を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持された放電ツルーイング用電極(16)で成形する、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング方法。 - 前記ガラス基板(1)をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置(32)を備え、該基板駆動装置に前記真空吸着ヘッド(33a)と前記挟持ヘッド(33b)が備えられる、ことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のチャンファリング方法。
- 中央に円形穴(1a)を有するドーナツ状のガラス基板(1)の外周部と内周部の端面加工とこれを挟む斜面の面取加工をチャンファリングする装置であって、
外周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド外面砥石(12)と、内周部の端面と斜面を同時に加工するメタルボンド内面砥石(14)と、外面砥石を研削加工中に電解ドレッシングするための外面電極(18)と、内面砥石を非研削加工中に電解ドレッシングするための内面電極(20)と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に導電性研削液を供給する研削液供給装置(22)と、外面砥石と外面電極の間および内面砥石と内面電極の間に電解ドレッシングの電圧を印加する電圧印加手段(24)とを備え、外面砥石によりガラス基板の外周部の端面と斜面を研削加工中に外面砥石を電解ドレッシングし、ガラス基板を交換する非加工中に内面砥石を電解ドレッシングし、
ガラス基板(1)を吸着させる真空吸着ヘッド(33a)と、ガラス基板を真空吸着ヘッドとの間に挟持する挟持ヘッド(33b)とを備え、
前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持される放電ツルーイング用電極(16)を着脱可能に備え、
単一の前記放電ツルーイング用電極は、研削加工対象であるドーナツ状のガラス基板の外周部と整合する外周部と、当該ガラス基板の内周部と整合する内周部と、を有するドーナツ形状であり、
前記外面砥石(12)と内面砥石(14)を研削加工位置に位置決めして、前記真空吸着ヘッド(33a)と挟持ヘッド(33b)の間に挟持された放電ツルーイング用電極(16)で成形できるようになっている、ことを特徴とするガラス基板のチャンファリング装置。 - 前記メタルボンド外面砥石(12)とメタルボンド内面砥石(14)は、外周部が円筒面であり、かつその円筒面に端面と斜面に当接する台形溝(12a,14a)を有する、ことを特徴とする請求項3に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
- 前記メタルボンド外面砥石(12)及び/又はメタルボンド内面砥石(14)は、同軸上に間隔を隔てて複数の台形溝(12a,14a)を有する、ことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
- 前記メタルボンド外面砥石(12)及び/又はメタルボンド内面砥石(14)は、同軸上に間隔を隔てて粗加工用と仕上加工用の台形溝(12a,14a)を有する、ことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
- ガラス基板(1)をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置(32)と、メタルボンド外面砥石(12)をその軸心を中心に回転駆動する外面砥石駆動装置(34)と、メタルボンド内面砥石(14)をその軸心を中心に回転駆動する内面砥石駆動装置(36)とを備え、基板駆動装置、外面砥石駆動装置及び/又は内面砥石駆動装置は、ガラス基板を加工する加工位置と、ガラス基板から外面砥石及び内面砥石を離脱させてガラス基板の交換を可能にする非加工位置との間を移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
- 前記基板駆動装置(32)は、前記真空吸着ヘッド(33a)と、前記挟持ヘッド(33b)とを備える、ことを特徴とする請求項7に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
- 前記ガラス基板(1)をその軸心を中心に回転駆動する基板駆動装置(32)を備え、該基板駆動装置に前記真空吸着ヘッド(33a)と前記挟持ヘッド(33b)が備えられる、ことを特徴とする請求項3に記載のガラス基板のチャンファリング装置。
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