JP4114294B2 - 半導体装置およびその検査方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ハイブリッドECUなど、ベアチップ実装製品に搭載する半導体装置およびその検査に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体実装製品の小型化が急速に進んで、半導体チップをベア(裸)状態で実装する要望がある。図3は、ベアチップ等の半導体チップの従来の検査に関する模式図である。
【0003】
図3に示すように、基板J1上に半導体チップJ2が搭載されており、ある半導体チップJ2の端子J3とその他の半導体チップJ2の端子J3とが、基板J1上に形成された配線J4とワイヤボンドにより形成されたワイヤJ5等により電気的に接続されている。また、図示例では2つの半導体チップJ2と同一ノードとなっている配線J4から検査用端子J6が設けられている。そして、検査用端子J6にプロービングすることにより半導体チップJ2の検査を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実装基板に設けた限られた検査用端子からでは、この製品の機能上の良否は判断できても、実装後の不良チップを特定してリペアしたり、さらに、そのチップのどの様な特性が故障しているのかという故障解析が難しくなるという問題が生じている。
【0005】
上記問題は、基板上に半導体チップを実装した後に、複数の半導体チップが1つのノードを共有していることに起因している。つまり、その検査用端子で半導体チップの不良を検出しても、同一ノードを共有する複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが不良であるのかを特定できないためにこの問題が生じている。
【0006】
本発明は、上記問題点に鑑み、半導体チップを単独で検査することができる半導体装置およびその検査方法および半導体チップを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり、前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、ボンディング用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続することを特徴としている。
【0008】
本発明では、スイッチ手段(60)を用いてボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断することにより、半導体チップ(1)を周辺回路から電気的に切断した状態で、検査用端子(4b、5b)を用いてその半導体チップ(1)を単独に検査することができる。
【0009】
この場合、請求項2に記載の発明のように、チップ上面においてボンディング用端子(4a、5a)を検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置させれば、ボンディング用端子(4a、5a)を用いて周辺回路と電気的に接続した後に、容易に検査用端子(4b、5b)を用いて検査することができる。
【0010】
請求項3に記載の発明では、半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり、前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、ボンディング用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続しており、スイッチ手段(60)を用いてボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断した後、検査用端子(4b、5b)を用いて半導体チップ(1)の検査を行うことを特徴としている。
【0011】
本発明によれば、ボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断することにより、半導体チップ(1)を周辺回路から電気的に切断させることができるため、半導体チップを単独で検査することができる。
【0015】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1は、本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの電気回路図である。図1に示すように、モノリシックICである半導体チップとしてのベアチップIC1にはロジック回路ブロック(請求項でいう内部回路)2が形成されており、ロジック回路ブロック2からはVss(接地)端子3とVdd(電源)端子4a、4bが出ている。また、ロジック回路ブロック2の入出力端子と電気的に接続された端子5a、5bが設けられている。
【0017】
そして、入出力端子と接続された端子5a、5bとVdd端子4a、4bは、それぞれ2つの端子が1組になっており、一方が周辺回路(電子部品および電源線、接地線を含む)との導通をとるためのボンディング用端子4a、5aであり、他方がベアチップIC1の検査を行うための検査用端子4b、5bである。
【0018】
そして、各々の検査用端子4b、5bがロジック回路ブロック2と電気的に直結しており、各々のボンディング用端子4a、5aがスイッチ手段としてのスイッチ回路ブロック60を介して、各々組となっている検査用端子4b、5bと電気的に接続されている。
【0019】
なお、図1では、Vdd端子4a、4b以外には、1組のボンディング用端子5aと検査用端子5bのみ示してあるが、実際は、この1組の端子5a、5bと同様にして、ロジック回路ブロック2の入出力端子と接続したボンディング用端子と検査用端子の組が複数形成されている。
【0020】
ここで、スイッチ回路ブロック60はPchMOSトランジスタ61とNchMOSトランジスタ62から構成されるトランスミッションゲートからなる。そして、PchMOSトランジスタ61のゲートとCS(チップセレクト)端子7が接続されており、NchMOSトランジスタ62のゲートはインバータ63を介してCS端子7と接続されている。
【0021】
また、CS端子7のオープン時にはCS信号がローレベルとなるようにプルダウン抵抗8が内蔵されており、CS端子7からの配線と電源およびグランドとの間に回路保護用のダイオード9が設けられている。また、PchMOSトランジスタ61の基板電位とインバータ63の電源は、Vdd端子4a、4bのうちのボンディング用端子4aからとるようになっている。
【0022】
図2は、これらのボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bの配置に関し、ベアチップIC1を上から見た模式図であ。図2に示すように、本実施形態では、チップ上面にパッドが形成されており、ベアチップIC1の縁部(外周側)に配置されたパッド10がボンディング用端子4a、5aに相当し、これらの縁部のパッド10に対してベアチップIC1の内周側に配置されたパッド11が検査用端子4b、5bに相当する。
【0023】
そして、このベアチップIC1が基板上に実装され、ベアチップIC1の縁部に配置されたパッド10(ボンディング用端子)がワイヤボンド等により周辺回路と電気的に接続されている。
【0024】
以上の構成を持つベアチップIC1は、ベアチップIC1の外部からVdd端子4a、4bのうちのボンディング用端子4aとVss(接地)端子3との間にバイアスを印加した状態で、CS信号がローレベルのときは、PchMOSトランジスタ61とNchMOSトランジスタ62がともにオンするためトランスミッションゲートがオンし、このベアチップIC1が周辺回路と電気的に接続される。一方、CS信号がハイレベルのときは、上記2種類のトランジスタ61、62がともにオフするためトランスミッションゲートがオフし、それぞれ対になっているボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bが電気的に切断され、ベアチップIC1が周辺回路と切断される。
【0025】
そして、このベアチップIC1が周辺回路と切断され、ロジック回路ブロック2が電源と通電した状態で、検査用端子4b、5bに相当するパッド11にプロービングすることにより、このベアチップIC1の検査を行う。
【0026】
ところで、本実施形態によれば、検査用端子4b、5bとボンディング用端子4a、5aとを設け、さらにその間にトランスミッションゲートを設けているため、上述のようにベアチップIC1を周辺回路から電気的に切断することができ、ベアチップIC1を基板に実装した後に、ベアチップIC1を単独で検査することができる。
【0027】
また、ベアチップIC1を周辺回路から電気的に切断させて検査を行うため、ベアチップIC1単体でのリーク電流やスタンバイ電流等の検査が可能になり、テスタビリティの向上により信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0028】
また、ボンディング用端子4a、5aを検査用端子4b、5bよりもベアチップIC1の外周側に設けているため、ワイヤボンド等によりこのベアチップIC1を基板に実装した後に、ワイヤが検査用端子4b、5b上に渡ることがないため、容易に検査用端子4b、5bへプロービングすることができる。
【0029】
また、不良チップの特定が容易になるため、部品のリペアがより適切にできるようになる。また、チップのどの様な特性が故障しているのかという故障解析も容易になる。また、高集積化が可能なベアチップIC1側に検査用端子4b、5bを設けることにより、実装基板側の検査用端子の面積を大幅に削減することができる。その結果、基板を小型化することができ、特に、基板が高価であるセラミック多層基板においてはコストを下げることができる。
【0030】
なお、本実施形態では、CS信号がハイレベルのときにトランスミッションゲートがオフして、ベアチップIC1が電気的に切断される例について示したが、ローレベルのときにベアチップIC1が切断されるようにしてもよい。
【0031】
また、ベアチップIC1の端子の数が少ないときには、本実施形態のようにベアチップIC1の縁部において二重にパッド10、11を設けるのではなく、ベアチップIC1の縁部において、対をなすボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bのそれぞれに応じたパッドを交互に並べるようにしてもよい。
【0032】
なお、本実施形態において、断面図でないものについてもハッチングを施してあるが、あくまでも便宜上のものであり断面を示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの電気回路図である。
【図2】本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの模式的な上面図である。
【図3】従来の半導体実装製品の検査に関する模式図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、4a、5a…ボンディング用端子、
4b、5b…検査用端子、60…スイッチ手段。
Claims (3)
- 基板上に半導体チップ(1)が実装され、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり、
前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ボンディング用端子(4a、5a)と前記検査用端子(4b、5b)がチップ上面に配置されており、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板上に半導体チップ(1)が実装され、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続されてなる半導体装置の検査方法において、
前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり、
前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続されており、
前記スイッチ手段(60)を用いて前記ボンディング用端子(4a、5a)と前記検査用端子(4b、5b)を電気的に切断した後、前記検査用端子(4b、5b)を用いて前記半導体チップ(1)の検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
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JP4026625B2 (ja) | 2004-07-23 | 2007-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器および実装構造体 |
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