JP4098206B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
主成分であるBaTiO3 と、
副成分としてMgOと、Y2O3と、V2O5と、BaαCa(1−α)SiO3(ただし、0≦α≦1)とを含有する誘電体磁器組成物であって、
主成分であるBaTiO3 100モルに対する各副成分の比率が、
MgO:0.1〜3モル
Y2O3:0.5〜3モル
V2O5:0.01〜0.2モル
BaαCa(1−α)SiO3:0.5〜10モル
であり、MnOおよびCr2O3を実質的に含まないことを特徴とする。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図2は本発明の実施例および比較例の試料の各電界強度と比抵抗ρとの関係を示すグラフ、
図3は本発明の実施例および比較例の試料の各電界強度と比抵抗ρの対数logρとの関係を示すグラフである。
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分であるBaTiO3 と、
副成分としてMgOと、Y2O3と、V2O5と、BaαCa(1−α)SiO3(ただし、0≦α≦1)とを含有する誘電体磁器組成物であって、
MnOおよびCr2O3を実質的に含まない。
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
出発原料として、BaOとTiO2をBa/Tiモル比で0.990〜1.010の範囲で調合し、固相法により化学反応させることによりBaTiO3を調製した。なお、得られたBaTiO3の平均粒子径は0.4μmであった。
なお、焼成および再酸化処理の際の雰囲気ガスの加湿には、水温を35℃としたウエッターを用いた。
各試料について下記特性の評価を行った。
コンデンサの試料に対し、基準温度25℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1Vrmsの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率(単位なし)を算出した。結果を表1〜5に示す。
温度−25℃および85℃において、コンデンサの試料に対し、電界強度0.8V/μmの直流電圧を印加し、直流電圧の印加状態における静電容量を測定し、温度20℃、印加電圧0Vにおける静電容量を基準とした、各温度における容量温度変化率(ΔC/C20)を算出した。
コンデンサの試料に対し、200℃で30V/μmの直流電圧の印加状態に保持することにより、高温負荷寿命を測定した。この高温負荷寿命は、誘電体層を薄層化する際に特に重要となるものである。本実施例では直流電圧の印加状態において、印加開始から検出電流の電流値が2mA以上となるまでの時間を寿命と定義し、これを10個のコンデンサ試料に対して行い、その平均寿命時間を算出した。結果を表1〜5に示す。
MnOを添加していないコンデンサ試料4と、BaTiO3 100モルに対して、MnOを0.01モル添加したコンデンサ試料23について、
EPMA(Electron Probe MicroAnalysis)により、コンデンサチップ中央部および端部における、ニッケル電極の電極途切れ率を測定した。
Cr2O3を添加していないコンデンサ試料4と、BaTiO3 100モルに対して、Cr2O3を0.01モル添加したコンデンサ試料25について、温度150℃、各電界強度における比抵抗ρ(単位はΩcm)をそれぞれ測定した。図2に、試料4,25の各電界強度と比抵抗ρの関係を、図3に、電界強度3.5V/μmを基準とした、各電界強度と、比抵抗ρの対数logρの変化率の関係を示した。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
Claims (8)
- 主成分であるBaTiO3 と、
副成分としてMgOと、Y2O3と、V2O5と、BaαCa(1−α)SiO3(ただし、0≦α≦1)とを含有する誘電体磁器組成物であって、
主成分であるBaTiO3 100モルに対する各副成分の比率が、
MgO:0.1〜3モル
Y2O3:0.5〜3モル
V2O5:0.01〜0.2モル
BaαCa(1−α)SiO3:0.5〜10モル
であり、
MnOの含有量が、前記主成分であるBaTiO 3 100モルに対して、0.01モル以下であり、
Cr 2 O 3 の含有量が、前記主成分であるBaTiO 3 100モルに対して、0.01モル以下であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 請求項1に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
- 請求項1に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体を有する積層セラミックコンデンサ。
- 温度20℃、印加電圧0Vにおける静電容量を基準とした場合に、温度85℃、電界強度0.8V/μmの直流電圧の印加状態における容量温度変化率(ΔC/C20)が±10%以内である請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の厚みが、5μm以下であることを特徴とする請求項3または4に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径が0.8μm未満である請求項3〜5記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の積層方向に並んだ粒子径の平均値が前記内部電極層の層間距離の1/3以下である請求項3〜6に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 試験温度200℃、30V/μmの直流電圧の印加状態に保持することにより測定される高温負荷寿命測定において、前記直流電圧の印加開始から、前記直流電圧の印加状態において、検出される電流の電流値が2mA以上となるまでの時間が、35時間以上である請求項3〜7に記載の積層セラミックコンデンサ。
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