JP4086265B2

JP4086265B2 - 光信号受信装置

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Authority: JP
Inventors: 俊之梅田
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Filing date: 1999-03-19
Publication date: 2008-05-14
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として光通信に用いられる光信号受信装置に係り、特にフォトダイオードなどの光検出素子と少なくとも増幅器を有する集積回路とを別々に構成した光信号受信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムにおいては、伝送されてくる光信号を受信して電気信号に変換する機能を有する光信号受信装置が必須である。高速通信に対応できる光信号受信装置では、光検出素子にＰＩＮフォトダイオードを用い、このＰＩＮフォトダイオードからの光電流（信号電流）をトランスインピーダンス増幅器により電圧信号に変換して出力する構成が用いられる。
【０００３】
このような光信号受信装置では、ＰＩＮフォトダイオードとトランスインピーダンス増幅器は製造プロセスが異なり、前者は素子チップとして、後者は集積回路としてそれぞれ作製される。そして、両者はボンディングワイヤにより電気的に接続される。
【０００４】
図７は、従来の光信号受信装置の実装例を示している。モジュール基板１００上に、ＰＩＮフォトダイオード１０１と集積回路１０２が実装されるとともに、ＰＤ電源端子１０３、ＩＣ電源端子１０４、グランド端子１０５および信号出力端子１０６が金属パターンとして形成されている。フォトダイオード１０１のアノード端子と集積回路１０２は、ボンディングワイヤ１０７により接続される。フォトダイオード１０１の裏面側のカソード端子はＰＤ電源端子１０３に接続され、ＰＤ電源端子１０３に図示しないＰＤ電源が接続される。集積回路１０２とＩＣ電源端子１０４、グランド端子１０５および信号出力端子１０６との接続も、ボンディングワイヤ１０８、１０９および１１０により行われる。グランド端子１０５上にグランド端子１０５の金属パターンを一方の電極とするキャパシタ１１１が形成され、キャパシタ１１１の他方の電極はＰＤ電源端子１０３にボンディングワイヤ１１２により接続される。
【０００５】
高速通信のために光通信システムの伝送レートが増大すると、伝送帯域を広帯域化すべく高周波伝送特性の向上が要求される。伝送帯域が数ＧＨｚもの広帯域になると、低周波領域では問題とならなかったボンディングワイヤの影響が現れるようになり、この影響により高周波伝送特性が劣化する。すなわち、高周波領域ではボンディングワイヤはインダクタンスとして見えるようになる。
【０００６】
図７に示した従来の実装例では、フォトダイオード１０１の信号側端子であるアノード端子と集積回路１０２がボンディングワイヤ１０７を介して接続されているため、フォトダイオード１０１から出力される信号電流が集積回路１０２内のトランスインピーダンス増幅器へ伝達されにくくなる。しかし、この問題はフォトダイオード１０１と集積回路１０２をできるだけ近接して配置し、両者を接続するボンディングワイヤ１０７の長さを極力短くすることで解決することができる。
【０００７】
一方、フォトダイオード１０１の電源側ラインとしては、ＰＤ電源端子１０３〜ボンディングワイヤ１１２〜キャパシタ１１１〜ボンディングワイヤ１０９〜集積回路１０１のグランド端子の経路が存在する。光信号の伝送レートが増大すると、このフォトダイオード１０１の電源側ラインの長さも伝送特性に影響を与えるようになる。具体的には、フォトダイオード１０１の電源側ラインの長さが伝送帯域の１／４波長より長くなると帯域が制限されてしまい、所望の伝送帯域が得られなくなる。
【０００８】
ここで、図７の実装例によると、フォトダイオード１０１の信号側ラインは、基本的にボンディングワイヤ１０７のみであり、その長さを十分に短くすることはできるのに対し、フォトダイオード１０１の電源側ラインは、ボンディングワイヤ１１２、キャパシタ１１１、モジュール基板１００に設けられたスルーホールおよびボンディングワイヤ１０９であり、数ＧＨｚといった伝送帯域の１／４波長に比較して遥かに長い。このため、フォトダイオード１０１から出力される全伝送帯域の信号電流のうち、特に高周波成分が電源側ラインにより遮断されて集積回路１０２にまで伝達することができなくなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来の光信号受信装置では、光検出素子であるフォトダイオードの電源側ラインが信号側ラインに比較して非常に長いため、光信号の伝送帯域が数ＧＨｚというように広い場合には帯域が制限されてしまい、特に高周波領域の利得が低下するという問題点があった。
【００１０】
本発明の目的は、光検出素子の信号側ラインのみならず電源側ラインについてもその長さを十分に短くでき、ＧＨｚ帯のような広帯域光信号を良好に受信できる光信号受信装置を提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の他の目的は、大レベルの光信号の入力時にも安定した受信動作が実現できる光信号受信装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は光信号を光検出素子により電気信号に変換し、この電気信号を集積回路内に入力して該集積回路内の増幅器により増幅する光信号受信装置において、光検出素子に集積回路の内部を通して電源電流を供給するようにしたことを特徴とする。
【００１３】
このようにな構成により、例えば光検出素子の信号側端子および電源側端子をそれぞれボンディングワイヤにより集積回路に直接接続することができ、光検出素子の集積回路内の増幅器に至る信号側ラインのみならず、光検出素子の電源側ラインも十分に短くできる。従って、広帯域の光信号を受信する際にも高周波まで帯域が遮断されることがなく、ＰＩＮフォトダイオードのような光検出素子の素子特性を最大限に生かした良好な受信動作を実現することが可能となる。
【００１４】
また、本発明においては光検出素子への電源電流の供給を集積回路内部を通して行うことを利用して、光検出素子への電源供給路に挿入された光検出素子に流入する電源電流を検知する電流検知回路を集積回路内に設け、この電流検知回路の検知結果を用いて種々の制御を行うことが可能である。
【００１５】
例えば、電流検知回路により検知された電源電流に対応する電圧と所定の基準電圧とを比較し、電源電流に対応する電圧が基準電圧以上のとき増幅器の入力側から直流電流を吸収する電流吸収回路を設けることにより、大レベルの光信号受信時に増幅器に不要な直流電流が流入するのを防止して、増幅器の安定動作を実現することができる。
【００１６】
より具体的には、電流検知回路は例えば抵抗からなり、光検出素子に流入する電源電流を最大電圧がＰＮ接合若しくはショットキー接合の順方向電圧降下の２倍にほぼ等しい電圧に変換して出力するように構成される。
【００１７】
一方、電流吸収回路は基準電圧を得る直列接続された複数のＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子で構成される第１のレベルシフト回路と、電流検知回路の出力電圧をレベルシフトして電源電流に対応する電圧を得る直列接続された複数のＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子で構成される第２のレベルシフト回路とを有する。そして、第１のレベルシフト回路を構成するＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子の数に対し第２のレベルシフト回路を構成するＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子の数を一つ少なくすることにより、光検出素子からの光電流の有無により電流検知回路により検知された電源電流に対応する電圧と基準電圧との大小関係が変化するため、光電流が流れたときに増幅器の入力側で直流電流を吸収することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る光信号受信装置の概略的な構成を示すブロック図である。この光信号受信装置は、大きくわけて光検出素子であるフォトダイオード１１と集積回路１２からなる。フォトダイオード１１は、伝送されてきた光信号を受光して電流信号（光電流）に変換する素子であり、好ましくはＰＩＮフォトダイオードが用いられる。
【００１９】
集積回路１２は、フォトダイオード１１からの光電流を電圧信号に変換して増幅するトランスインピーダンス増幅器（電流−電圧変換増幅器）２１と、電流検知回路２２と、電流吸収回路２３およびキャパシタ２４を有する。集積回路１２は、ＩＣ電源端子３１を介してＩＣ電源から電源の供給を受けて動作する。また、集積回路１２はＰＤ電源端子３２にも接続される。
【００２０】
フォトダイオード１１のアノード端子はトランスインピーダンス増幅器２１の入力端子に接続され、フォトダイオード１１のカソード端子は電流検知回路２２を介してＰＤ電源端子３２に接続される。すなわち、フォトダイオード１１への電源供給は、集積回路１２の内部の電流検知回路２２を介して行われる。キャパシタ２４は、フォトダイオード１１のカソード端子とＰＤ電源端子３２との間の電源側ラインを高周波的に接地するためのもので、一端がフォトダイオード１１のカソード端子に接続され、他端がグランド端子３３に接続される。
【００２１】
電流検知回路２２は、ＰＤ電源からフォトダイオード１１に流入する電源電流を検知する回路であり、その検知結果は電流吸収回路２３に供給される。電流吸収回路２３は、後に詳しく説明するように電流検知回路２２により検知された電源電流に対応する電圧と基準電圧とを比較し、例えば電源電流に対応する電圧が基準電圧以上のとき、つまりフォトダイオード１１が光信号を受光して光電流を出力するときに、トランスインピーダンス増幅器２１の入力側から直流電流を吸収するように構成されている。
【００２２】
次に、本実施形態の光信号受信装置の動作を説明する。
光信号受信装置には、図示しない光ファイバによって伝送されてきた光信号が入力される。光信号は２値変調されているものとする。この光信号はフォトダイオード１１により受光され、フォトダイオード１１から光電流が出力される。フォトダイオード１１からの光電流はアノード端子から取り出され、集積回路１２内のトランスインピーダンス増幅器２１により電圧信号に変換されて信号出力端子３４より出力される。
【００２３】
フォトダイオード１１から出力される光電流は、カソード端子から電流検知回路２２、ＰＤ電源端子３２を介してＰＤ電源にも伝搬する。ここで、フォトダイオード１１の電源電流はＰＤ電源からＰＤ電源端子３２を介して集積回路１２に供給されるため、ＰＤ電源に伝搬した光電流もＰＤ電源端子３２を介して集積回路１２に入力され、電流検知回路２２を通過した後、キャパシタ２４を介してグランド端子３３よりグランド電位に戻ることになる。従って、フォトダイオード１１から出力される光電流は、フォトダイオード１１の電源側ラインの回り込みの影響を受けることがないため、フォトダイオード１１の素子特性を最大限生かすことができる。
【００２４】
言い換えれば、本実施形態ではフォトダイオード１１のアノード端子から集積回路１２までの信号側ラインの長さのみでなく、カソード端子から集積回路１２の内部の電流検知回路２２を介してＰＤ電源までの長さも十分に短く、光信号の伝送帯域の１／４波長より遥かに小さいため、これらの信号側ラインおよび電源側ラインによって帯域が制限されることがなく、高周波領域まで十分な利得が得られる。
【００２５】
さらに、本実施形態によれば電流吸収回路２３によってトランスインピーダンス増幅器２１に不要な直流電流が流れ込まないようにすることができ、安定した動作を実現することが可能となる。すなわち、光信号受信装置で受信される光信号は２値変調された信号であり、振幅方向には情報を持たないため、光電流の２値的変化のみが分かればよい。光信号受信装置に大レベルの光信号が入力されたときに、トランスインピーダンス増幅器２１に過大な光電流が入力されることはトランスインピーダンス増幅器２１の安定動作を実現する上で妨げとなる。
【００２６】
本実施形態では、フォトダイオード１１に集積回路１２の内部を通して電源電流を供給することを利用して、集積回路１２内のフォトダイオード１１への電源供給路に電流検知回路２２を挿入し、この電流検知回路２２の検知結果に従ってフォトダイオード１１から光電流が出力されるとき、電流吸収回路２３を動作させて、トランスインピーダンス増幅器２１の入力側から直流電流を吸収することで、上述した問題を解決することができる。
【００２７】
次に、図２を用いて集積回路１２の内部構成の具体例を説明する。
図１の各部との対応を説明すると、トランジスタＱ４，Ｑ５と抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７により図１中のトランスインピーダンス増幅器２１が構成される。トランジスタＱ４は抵抗Ｒ５をコレクタ負荷とするエミッタ接地増幅回路を構成し、トランジスタＱ５は抵抗６をエミッタ負荷とするエミッタフォロワ回路を構成している。そして、エミッタフォロワ回路の出力であるトランジスタＱ５のエミッタ電極から、帰還抵抗Ｒ７を介してエミッタ接地増幅回路の入力であるトランジスタＱ４のベース電極に負帰還が施されている。負帰還量は、抵抗Ｒ６，Ｒ７の抵抗値の比で決まる。
【００２８】
電流検知用抵抗Ｒ４は図１中の電流検知回路２２を構成し、フォトダイオード１１のカソード端子とＰＤ電源端子３２との間に接続される。キャパシタＣ１は高周波接地用キャパシタ２４に相当する。トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３と抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４および定電流源Ｉ１，Ｉ２によって、図１中の電流吸収回路２３が構成される。ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は、この例ではコレクタ電極とベース電極が接続されたいわゆるダイオード接続のトランジスタにより構成されているが、通常のダイオードであってもよく、要はＰＮ接合素子や、ショットキー接合素子（ＭＯＳＦＥＴ等により構成することができる）等のレベルシフト素子であればよい。
【００２９】
電流吸収回路２３について詳しく述べると、トランジスタＱ１，Ｑ２とそのエミッタ電極間に接続された抵抗Ｒ３およびＱ１，Ｑ２の各エミッタ電極に接続された定電流源Ｉ１，Ｉ２は、リニアコンパレータと呼ばれる電圧比較器を構成している。抵抗Ｒ０は、ここでは交流遮断回路を構成している。電圧比較器のトランジスタＱ１，Ｑ２のうち、Ｑ１が電流吸収素子として働く。ＰＤ電源端子３２とグランド端子３３との間に直列接続された３つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と抵抗Ｒ１は、第１のレベルシフト回路を構成し、ＰＤ電源電位ＶｐｄをＰＮ接合３段分レベルシフトして、電圧比較器の一方の入力端子であるトランジスタＱ１のベース電極に与える。
【００３０】
電流検知用抵抗Ｒ４の両端にコレクタ電極とベース電極が接続されたトランジスタＱ３と、Ｑ３のエミッタ電極とグランド端子３３間に直列に接続されたダイオードＤ４および抵抗Ｒ２は、第２のレベルシフト回路を構成し、電流検知用抵抗Ｒ４の両端電圧をＰＮ接合２段分レベルシフトして、電圧比較器の他方の入力端子であるトランジスタＱ２のベース電極に与える。
【００３１】
ここで、電流検知用抵抗Ｒ４は、ここを通してフォトダイオード１１に流れる電源電流を最大電圧がＰＮ接合の順方向電圧降下（Ｖｄとする）の２倍、つまり２Ｖｄにほぼ等しい電圧に変換するように、その抵抗値が選定されているものとする。言い換えれば、フォトダイオード１１に入射する光信号の最大強度から想定される最大電流値でＰＮ接合２段分の電圧降下２Ｖｄが生じるように電流検知用抵抗Ｒ４の抵抗値は選ばれる。
【００３２】
次に、図２中に示した電流吸収回路２３の動作を説明する。
電圧比較器を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２のうち、トランジスタＱ１のベース電位Ｖｂ１は、常にＶｂ１＝Ｖｐｄ−３Ｖｄである。一方、トランジスタＱ２のベース電位Ｖｂ２は、フォトダイオード１１に光信号が入射せず、光電流が流れない場合、電流検知用抵抗Ｒ４の電圧降下が０であるため、Ｖｂ２＝Ｖｐｄ−２Ｖｄである。従って、Ｖｂ１＜Ｖｂ２であり、トランジスタＱ１はオフ、トランジスタＱ２はオンであるから、電流吸収はなされない。
【００３３】
フォトダイオード１１に光信号が入射して光電流が流れ、その光電流が例えば最大電流値の半分になると、トランジスタＱ２のベース電位Ｖｂ２もトランジスタＱ１のベース電位Ｖｂ１と同じくＶｐｄ−３Ｖｄとなる。このため、トランジスタＱ１，Ｑ２は共にオンとなり、トランジスタＱ１によって最大電流値の約半分の電流が吸収される。
【００３４】
さらに、フォトダイオード１１に入射する光信号が最大強度に達し、光電流が最大電流値になると、電流検知用抵抗Ｒ４の電圧降下が２Ｖｄとなり、トランジスタＱ２のベース電位はＶｂ２＝Ｖｐｄ−４Ｖｄとなる。従って、Ｖｂ１＞Ｖｂ２となり、トランジスタＱ１がオン、トランジスタＱ２がオフとなるため、最大電流値が吸収される。
【００３５】
このような電流吸収回路２２の動作によって、大レベルの光信号受信時にも、トランスインピーダンス増幅器２１のトランジスタＱ４へは不要な光電流（直流電流）が全く流入しないようにすることができ、トランスインピーダンス増幅器２１の安定動作を実現することが可能となる。
【００３６】
図３に、本実施形態に係る光信号受信装置の具体的な実装例を示す。モジュール基板１０上にフォトダイオード１１、集積回路１２、ＩＣ電源端子３１、ＰＤ電源端子３２、グランド端子３３および信号出力端子３４が形成されている。フォトダイオード１１には、光ファイバ１３により伝送されてきた光信号が図示しないミラーなどの光学系を介して導かれる。
【００３７】
フォトダイオード１１の信号側端子であるアノード端子は、ボンディングワイヤ４１により集積回路１２の信号入力端子（トランスインピーダンス増幅器２１の入力端子）に接続される。また、フォトダイオード１１の電源側端子であるカソード端子は、電極パッド３５に接続され、電極パッド３５は同様にボンディングワイヤ４２により集積回路１２内の電流検知回路２２に接続される。
【００３８】
集積回路１２とＩＣ電源端子３１、ＰＤ電源端子３２、グランド端子３３および信号出力端子３４との接続も、ボンディングワイヤ４３，４４，４５，４６によりそれぞれ行われる。
【００３９】
このような構成により、フォトダイオード１１で発生した光電流によりＰＤ電源に伝搬した信号成分も集積回路１２の内部に入力されるため、モジュール基板１１上のボンディングワイヤなどの配線パターンの影響を受けることなく、フォトダイオード１１からの光電流をトランスインピーダンス増幅器２１で電流−電圧変換して増幅することができる。
【００４０】
すなわち、フォトダイオード１１のアノード端子と集積回路１２との間の信号側ラインは、基本的にボンディングワイヤ４１のみであって十分に短く、またフォトダイオード１１のカソード端子とＰＤ電源端子３２との間の電源側ラインも基本的にボンディングワイヤ４２と４４のみであり、図７に示した従来の構成に比較して十分に短い。従って、これらフォトダイオード１１の信号側ラインおよび電源側ラインによって帯域が制限されることがなく、高周波領域まで十分な利得を得ることができる。
【００４１】
以下、本発明の効果についてさらに具体的に説明する。
図４は、上述した本発明の実施形態による光信号受信装置と図７で説明した従来の光信号受信装置の変換利得の周波数特性を比較して示す図である。ここでいう変換利得とは、フォトダイオードに入射する光信号のエネルギーに対する信号出力の比である。従来の光信号受信装置では、ある周波数、例えば５ＧＨｚで急激に変換利得が低下するが、本発明の実施形態による光信号受信装置では、約２倍の周波数、つまり１０ＧＨｚ程度まで変換利得の平坦な良好な特性が得られることが分かる。
【００４２】
図５は、本実施形態の光信号受信装置におけるフォトダイオード１１への流入電流と電流吸収回路２３による吸収電流の関係を示す図であり、流入電流が最大電流値（この場合は、１ｍＡ）を少し越えるまで、流入電流の増加に比例して吸収電流が増加することが分かる。従って、大レベルの光信号受信時においてトランスインピーダンス増幅器２１に不要な直流電流が流入するのを防止し、安定な動作を実現できることが明らかである。
【００４３】
次に、図６を用いて本発明の他の実施形態に係る光信号受信装置について説明する。
本実施形態では、集積回路１２内にデータ弁別器２５と弁別閾値発生回路２６が新たに設けられている。データ弁別器２５は、トランスインピーダンス増幅器２１からの出力信号を閾値判定して、「０」，「１」の弁別を行ってデータ出力端子３６へ弁別結果のデータを出力する回路であり、その閾値（弁別閾値）は弁別閾値発生回路２６から与えられる。
【００４４】
ここで、弁別閾値発生回路２６は電流検知回路２２により検知されたフォトダイオード１１の電源電流の大きさに従って、発生する弁別閾値を変化させるように構成されている。受信される光信号の強度が変動すると、それに伴いフォトダイオード１１に流入する電源電流も変化する。そこで、この電源電流の変化に応じて弁別閾値を最適な値に変化させることにより、光信号の強度変化によらず、常にデータ弁別器２５で正しく「０」，「１」の弁別を行うことができ、データ弁別器２５の後段での復号誤りも小さくすることが可能となる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光信号受信装置によれば、光検出素子の信号側ラインのみならず電源側ラインについてもその長さを十分に短くでき、ＧＨｚ帯のような広帯域光信号を良好に受信できる。
【００４６】
さらに、本発明の光信号受信装置では、光検出素子の電源電流を検知して増幅器の入力側で直流電流を吸収することにより、大レベルの光信号の入力時にも安定した受信増幅動作が実現でき、光信号に対するダイナミックレンジを大きくとることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る光信号受信装置の概略構成を示すブロック図
【図２】同実施形態における集積回路の詳細な回路構成を示す図
【図３】同実施形態に係る光信号受信装置の実装例を示す平面図
【図４】同実施形態に係る光信号受信装置と従来の光信号受信装置の変換利得の周波数特性を示す図
【図５】同実施形態におけるフォトダイオードに流入する電源電流と電流吸収回路による吸収電流の関係を示す図
【図６】本発明の他の実施形態に係る光信号受信装置の概略構成を示すブロック図
【図７】従来の光信号受信装置の実装例を示す平面図
【符号の説明】
１１…フォトダイオード（光検出素子）
１２…集積回路
１３…光ファイバ
２１…トランスインピーダンス増幅器
２２…電流検知回路
２３…電流吸収回路
２４…高周波接地用キャパシタ
２５…データ弁別器
２６…弁別閾値発生回路
３１…ＩＣ電源端子
３２…ＰＤ電源端子
３３…グランド端子
３４…信号出力端子
３５…電極パッド
３６…データ出力端子
４１〜４６…ボンディングワイヤ

Claims

光信号を電気信号に変換する光検出素子と、
前記電気信号を増幅する増幅器を内蔵する集積回路と、
前記光検出素子の信号側端子と前記集積回路との間を接続する第１のボンディングワイヤと、
前記光検出素子の電源側端子と前記集積回路との間を接続する第２のボンディングワイヤと、
前記集積回路に接続され、前記集積回路に電源を供給するための第１の電源端子と、
前記集積回路に接続され、前記光検出素子に前記集積回路の内部及び第２のボンディングワイヤを通して電源電流を供給するための第２の電源端子とを具備する光信号受信装置。
モジュール基板と、
前記モジュール基板上に配設され、光信号を電気信号に変換する光検出素子と、
前記モジュール基板上に配設され、前記電気信号を増幅する増幅器を内蔵する集積回路と、
前記光検出素子の信号側端子と前記集積回路との間を接続する第１のボンディングワイヤと、
前記光検出素子の電源側端子と前記集積回路との間を接続する第２のボンディングワイヤと、
前記集積回路に接続され、前記集積回路に電源を供給するための第１の電源端子と、
前記集積回路に接続され、前記光検出素子に前記集積回路の内部及び第２のボンディングワイヤを通して電源電流を供給するための第２の電源端子とを具備することを特徴とする光信号受信装置。
前記第１のボンディングワイヤ及び第２のボンディングワイヤの長さは、共に前記光信号の伝送帯域の１／４波長より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の光信号受信装置。
前記集積回路は、前記光検出素子への電源供給路に挿入され、前記光検出素子に流入する電源電流を検知する電流検知手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光信号受信装置。
前記集積回路は、前記光検出素子への電源供給路に挿入され、前記光検出素子に流入する電源電流を検知する電流検知手段と、該電流検知手段により検知された電源電流に対応する電圧が所定の基準電圧以上のとき前記増幅器の入力側から直流電流を吸収する電流吸収手段とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の光信号受信装置。
前記電流吸収手段は、前記基準電圧を得る直列接続された複数のＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子で構成される第１のレベルシフト回路と、前記電流検知手段の出力電圧をレベルシフトして前記電源電流に対応する電圧を得る直列接続された複数のＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子で構成される第２のレベルシフト回路とを有し、前記第１のレベルシフト回路を構成するＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子の数に対し前記第２のレベルシフト回路を構成するＰＮ接合素子若しくはショットキー接合素子の数が一つ少なく、
前記電流検知手段は、前記光検出素子に流入する電源電流を電圧に変換して出力する抵抗素子を有し、
前記抵抗素子の抵抗値は、前記電流検知手段が出力する出力電圧の最大値が前記ＰＮ接合素子若しくは前記ショットキー接合素子の順方向電圧降下の２倍にほぼ等しくなるように設定される
ことを特徴とする請求項５記載の光信号受信装置。
前記集積回路は、前記増幅器からの出力信号を弁別閾値に従って判定して「０」，「１」の弁別結果データを出力するデータ弁別器と、前記光検出素子の電流の大きさに従って変化する前記弁別閾値を発生する弁別閾値発生回路とをさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の光信号受信装置。