JP3062543B2 - 光受信機 - Google Patents

光受信機

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JP3062543B2
JP3062543B2 JP2148460A JP14846090A JP3062543B2 JP 3062543 B2 JP3062543 B2 JP 3062543B2 JP 2148460 A JP2148460 A JP 2148460A JP 14846090 A JP14846090 A JP 14846090A JP 3062543 B2 JP3062543 B2 JP 3062543B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光ファイバ通信システムに使用される光受
信機に関する。
光学ファイバ通信システムの3つの基本部品は、 i.送信さるべき電気信号を光の形に変換する送信機と、 ii.送信された光信号用の導波管として働く光ファイバ
と、 iii.送信された光信号を検出し、これを電気的な形に変
換する光受信機と である。
典型的な光受信機は光検出器、例えば高インピーダン
ス増幅器、一般にはトランスインピーダンス増幅器の入
力に接続された逆バイアスアバランシュホトダイオード
(APD)又はPINダイオードからなる。増幅器の出力から
の帰還回路は、通常光検出器に印加されたバイアスの自
動利得制御を提供するのに用いられる。
実際、光受信機は極めて多様な信号強度を扱わなけれ
ばならない。強い光信号が検出されると、それらは通常
フロンテンド増幅器の過負荷をもたらす。光受信機の最
大の感度と最小の過負荷の点の間の範囲は受信機のダイ
ナミックレンジと呼ばれる。
本発明は、動作範囲内で受信機の感度に影響を与える
ことなく過負荷の基準を除去することによって光受信機
のダイナミックレンジを増加させる手段を提供すること
を目的とする。
受信された光信号から発生した時間平均直流光電流を
調べると、線形関係が存在することがわかる。しかし、
受信された光パワーが、発生した光電流に関してdBmで
表現されると、第1図に示すような指数関数形の曲線が
得られる。
この曲線は、過負荷の問題の理解の基礎となる。なぜ
なら、それはフロンテンド増幅器がその入力で扱わなけ
ればならない電流変化の種類を示すからである。
半導体ダイオードの特性を調べると、それに亘って現
れる電圧に関してダイオード間を通る順方向バイアス電
流変化も同様に非線形で、第2図のように、指数形をと
ることがわかる。
本発明によれば、光検出器のバイアスにおける電圧降
下の増加に応ずる光検出器の光電流を分岐するように配
置された電圧依存インピーダンスを含む逆バイアスされ
た光検出器を有する光受信機が提供される。
本発明の実施例を以下添付図面を参照して説明する。
本発明は、第3a及び3b図に示すように光ダイオードDd
と直列にダイオードDOを配置することにより、又正しい
バイアスを印加することにより、光電流は指数的に変化
しうるので、本質的に過負荷の問題の解決を提供する。
光ダイオードDdによって発生した光電流は抵抗RLとダ
イオードDO間を通るバイアス電流を必要とするため、第
4図のようにダイオードDOと並列の抵抗RLの配置はダイ
オードDOのバイアスの制御を可能にする。
非常に低い光レベルでは、発生した光電流は非常に小
さく、マイクロアンペアのオーダである。この段階で
は、バイアス電流は抵抗RLを介して供給されるが、光の
レベルが増加するにつれて、RLを流れ対応して増加する
バイアス電流ILはその抵抗の両端に電圧降下をもたら
す。
第2図を参照すると、光信号の時間平均レベルによる
と、この電圧降下は次第にダイオードをターンオンする
ダイオードDOのバイアス電圧Vbとして作用する。
この抵抗の別の利点は、十分な感度の場合、光ダイオ
ードDdへの多くのバイアス電流は抵抗RLを通って供給さ
れることである。このことは、信号のAC成分に影響を与
えるダイオードDo及びダイオードの接合コンデンサの雑
音寄与の影響を最小限に抑える。
これ迄、光信号の時間平均DC効果だけが考えられてき
た。しかし、増加した光信号レベルと共に増加し、フロ
ンテンド増幅器の過負荷をもたらすAC素子もある。
従って、実用的な解決法は、フロンテンド増幅器の入
力で、最大AC信号レベルを制限する手段を含まなければ
ならない。しかし、この実用的な解決法は、低い信号レ
ベルの場合に、光ダイオードからのAC信号に悪影響を与
えるべきではない。以前にいわれたことから、光ダイオ
ードの最小負荷又は分路が起こる時、最大感度が得られ
ることがわかる。
光ダイオードが係わる限りにおいて、感度を提供する
ためには、ダイオードDOは非常に高いインピーダンスを
示さなければならない。AC信号に対して、このことは、
ダイオードDOが非常に小さい素子容量をもっていなけれ
ばならないことを意味する。この要素は、作動周波数が
増加するにつれて、受信機の感度に対してより重要とな
る。
半導体ダイオードを調べると、逆バイアス又はゼロバ
イアスの時に、ショットキーダイオードは非常に低い接
合容量を示し、そこでショットキーダイオードを使用し
うることがわかる。第5図に示すように、ダイオードが
順方向バイアスされるとダイオードの容量は指数的に増
加することがわかっている。この容量の増加が必要とさ
れるのは、まさしく、ダイオードによって発生された光
電信号の振幅が増加するにつれて、AC信号の一部をフロ
ントエンド増幅器の入力から取り除くことが必要になる
ためである。ダイオードDOは分路経路を提供する。ダイ
オードの他端に接続されてた接地コンデンサはAC分岐路
を接地させるので、光ダイオードのAC信号に現れるイン
ピーダンスはその動作点でのダイオードDOのダイナミッ
クインピーダンスのそれのみである。
第6図の系統図では、光検出器Ddが入力を介して受信
機フロンテンド増幅器Arに接続される。増幅器からの帰
還回路は、利得制御信号をバイアス電圧回路Bvに提供す
る信号レベル検出器SLDを含む。バイアス電圧VSは抵抗R
Lを介して光検出器に印加される。光検出器Ddは、コン
デンサC及び抵抗Rcと直列の第1のダイオードDOによっ
て分岐される。ダイオードDOは抵抗Rs及び第2のダイオ
ードDsを介してバイアス源に接続される。
低い光レベルでは、光検出器Ddによって発生した光電
流Ipは非常に小さく、従って、RL及びDdを通って流れる
ことが要求されるバイアス電流ILも極めて小さい。この
段階では、ほとんどのバイアス電流はRLを介して供給さ
れ、非常に小さい電流しかDOには流れず、DOのインピー
ダンスは非常に高くなる。Ddに印加された光信号レベル
が増加するにつれて、光電流Ipも増加する。このこと
は、RLを通って流れるより大きな電流ILがRLの電圧VL
大きくさせるようにする。従って、VLが、VF(DOの電
圧)を加えたVs(DsとRs間の電圧)に近づくにつれ、ダ
イオードDOは次第にターンオンされる。VL=Vs+VF
時、ダイオードDOが順方向バイアスされ、DsとRsを通る
電流Id′が光検出器Ddに対する主バイアス電流供給と
なり始める。この段階では、DOのインピーダンスは低下
し、Ddによって発生した光電流のいくらかは、コンデン
サC及び抵抗Rcを介して接地して分岐され、増幅器Ar
印加された入力信号の振幅を制限する。インピーダンス
の減少は、ダイオードDOの非線形動作に因る。一般に、
ショットキー素子が低い接合容量、電流についての低い
漏れとダイナミックインピーダンスの適当な変化のため
選択される。回路は内蔵の帰還制御を有するので、DO
通って流れるバイアス電流と信号電流へのインピーダン
スを制御しながら、信号レベルの増加と共にバイアス電
圧VLはVs+VF′に等しいままである。
RLが除去されても第6図の回路は依然として作動する
ことに注意すべきである。感度はわずかに減少するもの
のDOに流れる電流が非常に小さいため、それは、やはり
光検出器電流に対し高インピーダンスを示す。
受信機の過負荷には大きく2つの理由がある。1つめ
の理由は、光の光学的信号レベルで、光検出器に印加さ
れる十分なバイアス電流が欠如することである。他の理
由はフロンテンド増幅器Arが大きな入力信号レベルで飽
和することである。第2の理由が制限基準でなければ、
コンデンサCは除去できる。
本発明の動作原理は第6図の特別な回路を用いた例に
より説明された。しかし、同様の結果を達成するのに、
当業者にとっては明白である回路の配置が他に多くあ
る。例えば、第6図のダイオードDOによって例示される
電圧依存インピーダンスは、トランジスタによって与え
られ、信号レベル検出器からの信号によって制御されう
る。
第7図に示す他の回路では、光検出器Ddは増幅器Ar
平衡構成で接続され、固定バイアスはR11及びR12を介し
て印加される。光電流の分岐は電圧依存ダイオードD01
及びD02を介してなされ、信号電流の両極を提供する。
(実際のダイオードの直列ペアは容量効果を減少するた
めに使用されることに注意のこと。)。固定バイアス供
給のダイオードD1は、光検出器の感度を向上させるダイ
ナミックインピーダンスを提供する。ダイオードDs1
温度不安定によるD1の変化を補償するために含まれる。
ダイオードDs1及びDs2はスイッチングダイオードであ
る。Ds1及びDs2の順方向バイアス電圧Vfは、過負荷のダ
イオードがスイッチオンする点を制御する。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体光検出器における光電流と光パワーとの
関係を示す図、 第2図は順方向バイアス電流の半導体ダイオードに亘る
電圧に関する関係を示す図、 第3a及び3b図は光受信機において、半導体ダイオードを
半導体光検出器と直列に配設した他の配置を示す図、 第4a及び4b図はダイオードと並列な抵抗を有する第3a及
び3b図の配置の変形例を示す図、 第5図は接合コンデンサとショットキー半導体ダイオー
ドの逆バイアス電圧との関係を示す図、 第6図は光受信機の回路系統図、 第7図は他の光受信機の回路系統図 である。 Dd……光ダイオード、Ds、DO、Ds1、Ds2……ダイオー
ド、R、RL、Rc……抵抗、Vb……バイアス電圧、IL
…バイアス電流、Ct……接合コンデンサ、Ar……フロン
テンド増幅器、Bv……バイアス電圧回路、SLD……信号
レベル検出器、C……コンデンサ、Ip……光電流、VF
…DOの電圧、Vs……DsとRs間の電圧、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ファズロラー ルーイザデガン ジャー ロミ イギリス国 エセックス シーエム2 8イージェイ グレイト バドウ ノー クス アベニュー 1番地 (56)参考文献 特開 昭64−41531(JP,A) 特開 昭62−76329(JP,A) 特開 昭63−250928(JP,A) 特開 昭53−142154(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04B 10/00 - 10/28

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】受信された光信号を対応した電気信号に変
    換する光受信機であって、 増幅器の入力に接続された逆バイアスされた光ダイオー
    ド形検出器と、 コンデンサ及び第1の抵抗と直列に接続された第1のダ
    イオードを含み、上記光ダイオードによって発生された
    交流電流を分路させるため上記光ダイオードと並列に設
    けられている電圧依存インピーダンス手段と、 第2の抵抗を介して上記光ダイオードに接続され、直列
    接続された第2のダイオード及び第3の抵抗を介して上
    記第1のダイオードを順方向にバイアスするよう上記第
    1のダイオードに接続されたバイアス発生器と、 上記光信号のレベルによって決められるレベルで上記光
    ダイオードに供給されるバイアス電流を制御するため、
    上記増幅器の出力と上記バイアス発生器との間に接続さ
    れた信号レベル検出器を含むフィードバックループとを
    有し、 上記受信された光信号のレベルが高い場合に、上記第1
    のダイオードのインピーダンスを低下させ上記光ダイオ
    ードの出力を分路させるように、バイアス電流が上記第
    2のダイオード及び上記第1のダイオードを介して上記
    光ダイオードに供給されることを特徴とする光受信機。
  2. 【請求項2】上記第1のダイオードはショットキーダイ
    オードである請求項1記載の光受信機。
  3. 【請求項3】上記第2のダイオードはスイッチングダイ
    オードである請求項2記載の光受信機。
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