JP4058760B2 - 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック - Google Patents
圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック Download PDFInfo
- Publication number
- JP4058760B2 JP4058760B2 JP2002264141A JP2002264141A JP4058760B2 JP 4058760 B2 JP4058760 B2 JP 4058760B2 JP 2002264141 A JP2002264141 A JP 2002264141A JP 2002264141 A JP2002264141 A JP 2002264141A JP 4058760 B2 JP4058760 B2 JP 4058760B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- vibrating piece
- recess
- piezoelectric vibration
- vibration device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は特に圧電振動デバイス、その製造方法、およびセラミックパッケージ、並びにリアルタイムクロックに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、セラミックパッケージ型の水晶発振器は、セラミックパッケージに形成された凹部内にICチップや水晶振動子を実装するようになっている。このような実装部品を収容する凹部構造をもつセラミックパッケージは、通常ATカット振動片を実装するデバイスに用いられ、部品点数により3〜5層の積層構造として構成されている。
【0003】
ところが、音叉型圧電振動片を装備するデバイスでは、振動片を真空中で収容する必要があるため、通常内部を真空状態にしたシリンダ内部に振動片を固定したシリンダ型振動子を用いている。そして、この振動子を駆動するICチップとともに、全体を樹脂モールドした圧電振動デバイスとして構成されている。これを図6に示す。すなわち、真空とされたシリンダ1の内部に音叉型振動片2を実装収容しておき、これをICチップ3に隣接するように配設しておき、外側部から電極端子5を引き出した状態で全体を樹脂モールド材4により包囲しつつ成形して、一つのパッケージを製造している。
本願発明に関連する先行技術文献としては、特許文献1が挙げられる。
【0004】
【特許文献1】
実開昭54−35870号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、例えば、音叉型圧電振動片を装備する音叉型振動デバイスを小型化しようとすると、シリンダ容器の厚み以下にはできず、また、ICチップと併設してしまうと、シリンダ寸法により平面上の面積がやはり大きくなってしまう。そこで、ATカット振動子の場合と同様に、セラミックパッケージの中央に形成した凹部にICチップとともに音叉型振動片を実装しようとすると、次のような問題が生じてしまう。
【0006】
すなわち、セラミックパッケージに音叉型振動片とICチップを一体で真空封止すると、パッケージに内包されているガスが振動片を実装した真空室内に放出されて真空度が低下してしまう。これにより、音叉型振動片の特性が悪化してしまう。
【0007】
また、音叉型振動片とICチップとを実装後に真空封止するため、音叉型振動片不良でも良品ICチップを破棄することになる。これは、音叉型振動片の実装後で真空封止前に、音叉型振動片自体の良否判定が行えないからである。加えて、ICチップの影響により、音叉型振動片のCI値等の測定が行えないという問題もある。
【0008】
また、後の周波数調整のためにリッドとして透明ガラスを用いると、透明ガラスのため、ICチップ表面に光が当たらないように遮光処理する必要がある。
更に、ICチップの表面側は空間が形成されるため放熱性が悪く、ICチップ裏面のみの放熱作用となって放熱効果が低い問題がある。また、ICチップ裏面から、小型薄型化の要求を満たすために近い位置関係にある圧電振動片実装部に伝わる熱が多い。
【0009】
また更に、低融点ガラス封止ではICチップに例えば350℃以上の温度がかかるため、ICチップのアルミPADとAuボールの接続の信頼性が低下する虞がある。従って、Au線を用いる場合には、極力短時間かつ低温での低融点ガラス封止が求められる。高温あるいは長時間の低融点ガラス封止の場合には、アルミ線でのボンディングを用いる。
【0010】
本発明は、上記従来の問題点に着目してなされたもので、特に音叉型振動片を用いたデバイスの場合、振動片実装部の真空度を低下させることがなく、周波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロックを提供することを目的とする。また、振動片実装後の良品のみにICチップを実装できるようにして加工歩留まりを向上させることを目的とする。更には、放熱効果を高くして振動子特性を劣化させないようにすることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧電振動デバイスは、圧電振動片およびICチップをパッケージ本体に実装した圧電振動デバイスであって、前記パッケージ本体は、第1の貫通孔が形成された第1のプレートと、前記第1の貫通孔と平面視して重なる位置に連通孔が形成され、前記第1の貫通孔と平面視して重ならない位置に第2の貫通孔が形成された第2のプレートと、を積層して構成され、前記第1の貫通孔と前記第2のプレートとによって前記パッケージ本体に形成された第1凹部に前記圧電振動片が実装され、前記第2の貫通孔と前記第1のプレートとによって前記パッケージ本体に形成された第2凹部に前記ICチップが実装され、前記第1凹部の開口がリッドにより塞がれ、且つ前記第1凹部の前記連通孔が封止材により塞がれ、前記第1凹部が気密に封止されていることを特徴としている。
【0016】
更に、前記外部連絡通孔は前記圧電振動片の周波数調整部位の直下に形成すればよい。
また、前記リッドはガラスとすることができる。
【0018】
更に、本発明に係るリアルタイムクロックは、上述の圧電振動デバイスを搭載してなることを特徴とするものである。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロックの具体的実施形態を、図面を参照して、詳細に説明する。
まず、本発明の第1の適用例に係る圧電振動デバイスを図2に示す。同図(1)はデバイス断面図であり、同図(2)はリッド側平面図、同図(3)は底面図を示している。これらの図に示すように、第1の実施形態に係る圧電振動デバイス10は、セラミック絶縁基板で形成された3層のプレートを積層して形成されたパッケージ本体12を有しており、その表裏面に各々左右に位置をずらして形成された音叉型振動片14の実装用第1凹部16、および発振回路を有するICチップ18の実装用第2凹部20を設けている。これら凹部16、20を形成するため、パッケージ本体12は圧電振動片実装用空間を形成した第1プレート12aと、振動片駆動用ICチップ実装用空間を形成した第2プレート12bとを積層するとともに、第2プレート12b側に樹脂モールド空間を形成する第3のプレート12cを積層することにより形成されている。この積層構造によりパッケージ本体12の両面に各々実装用凹部16、20が形成されることになる。
【0020】
前記パッケージ本体12に、後述するように、ICチップ18の実装に先立ってパッケージ本体12に形成した専用の第1凹部16に音叉型振動片14を実装し、当該第1凹部16を外部雰囲気と連通孔22を介して連通状態を保持したまま、第1凹部16の開口を覆うようにリッド24を実装した後、外部連絡となっている通孔22を、真空下において、Au−Sn合金もしくはAu−Ge合金などからなる封止材26により後埋めすることで密閉遮断し、当該振動片実装用の第1凹部16を真空密閉する。そして、前記音叉型振動片14の適性判別処理の後にICチップ18を第2凹部20に実装し、第2凹部20内にモールド樹脂28を充填するようにしたものである。
【0021】
リッド24はパッケージ本体12の上面全体に積層接着されるガラスから構成され、図2(2)に示しているように、コーナ部分が角にならないように面取りアールを施して割れを防止している。音叉型振動片14は比較的小片であるので、横長のパッケージ本体12の片側に寄せて形成された第1凹部16の内部に実装し、ガラスリッド24は第1凹部16の面積より大きいパッケージ本体12との接合面部分で積層接着されるようになっている。これにより、リッド24にかなり薄いガラスを用いても割れることが防止される。一方、パッケージ本体12の反対面側に形成されている第2凹部20には、ICチップ18が実装されるが、ICチップ18を実装した後、ワイヤボンディングが施される。第2プレート12bには、W(タングステン)あるいはMo(モリブデン)等の金属でメタライズされ、Ni+Auメッキされた入出力用電極(図示せず)が形成されており、この電極と前記ICチップ18のワイヤボンディングパッドとがAuボンディングワイヤ29により電気的に接続されている。
【0022】
なお、上記デバイス10にはパッケージ本体12の側縁部分にスルーホールにより形成された外部端子30が設けられている。これは特に第2プレート12bに形成した回路から引き出された端子であり、種々の信号の入出力をこの外部端子を通じて行うようにしている。
【0023】
このような圧電振動デバイス10を製造する工程を、図1を参照して、説明する。最初にセラミックパッケージ本体12に形成されている第1凹部16の内部にAgペーストを用いて音叉型振動片14を実装した後、乾燥する(同図(1))。接着部が乾燥した後、ガラスからなるリッド24をパッケージ本体12の表面に積層し、第1凹部14の開口を閉塞するように覆う(同図(2))。このリッド24の実装に際しては接着温度が320℃程度となり、この加熱処理によりパッケージ本体12や接着剤からガスが放出されるが、第1凹部16内が連通孔22により外部に通じているため、放出ガスが外部に流出することになる。これによってガスが第1凹部16内に留まることがなくなり、音叉型振動片14へのガス付着による特性変化を防止できる。
【0024】
このリッド24の実装後、予めパッケージ本体12を加熱処理し、内部に包含されている水分などを飛ばした後、パッケージ本体12を真空下においておき、図1(3)に示すように、Au−Geボールからなる孔封止材26を連通孔22に装着して、レーザ照射により遮蔽密閉する。これによって、音叉型振動片14が実装されている第1凹部16内は真空保持される。この音叉型振動片14を実装し完全密封した後、振動片の特性検査を行い(同図(4))、振動片が周波数調整可能範囲に入っているか否かの適正判別処理を行って振動片が良品であるか、不良品であるかの判定が行われる。この処理により、NG製品がICチップ18の実装前に取り除かれ、無駄にICチップ18を廃棄処分することが防止される。
【0025】
特性検査によって適正であると判定された音叉型振動片14を実装しているパッケージ本体12のみが次工程に進み、パッケージ本体12を反転して第2凹部20の内部にICチップ18をAgペーストによりダイアタッチして接着固定し、所定温度下において乾燥した後、Au線によりワイヤボンディングを施して固定実装するのである(図1(6))。
【0026】
その後は、IC実装空間内部にエポキシ樹脂などのモールド樹脂28をポッティングし(同図(7))、乾燥固化による樹脂封止を完了させる(同図(8))。この樹脂封止の後の製品に対し周波数調整を行う(同図(9))。これは音叉型振動片14をICチップ18で駆動することにより得られる出力周波数を検出しつつガラスリッド24を介してレーザを照射し、音叉から周波数調整分の重りを除去することで行う。このとき、前記外部雰囲気への連通孔22を除去領域の直下に配置し、埋め込んでいるAu−Geボールなど金ベースの材料の表面を臨ませ、ここに前記音叉型振動片14の周波数調整により飛散する金属製の重り材料を捕捉するようにすることが望ましい。このような周波数調整を製品状態で行った後、マーキングを施して完成品とするのである(同図(10))。
【0027】
このように構成された圧電振動デバイス10とその製造方法に関する実施形態によれば、セラミックパッケージ本体12において、音叉型振動片14の実装を行う第1凹部16の開口部がパッケージ表面の横位置に配設され、また、真空封止用に外部に貫通された連通孔22が開口部に設置されている。そして、ICチップ18の実装を行う第2凹部20の開口部がパッケージ本体12における裏面の、音叉型振動片実装部の横に設置されているので、実装厚みが極めて薄くなり、同時に体積量も小さくできるので、小容積小面積の圧電振動デバイスを得ることができる。圧電振動片の振動腕に溝や長穴を設け、励振電極を形成することにより、極めて効率的な圧電振動片が構成できる。このような圧電振動片を採用することにより、平面実装面積も十分小さくすることができる。
【0028】
振動片の実装は、音叉をAgペースト(シリコン系)で接着し、また、開口部へのリッドを透明ガラス板により形成しつつ、空間接合面積を小さくして破損の危険性を回避した構造になっている。更に、低融点ガラスでパッケージとガラスを接着するが、接着剤から発生するガスの影響を振動片14に及ぼすことが少ない。同時に真空度を低下させる影響も小さくなっている。リッド24はパッケージ本体12の全体を覆うくらいのサイズであり、第1凹部16の覆う面積より固体接合面積が大きいため、強度が高いものとなっている。
【0029】
特にこの実施形態では、振動片実装内部を真空にするための封止を真空中でAu−Snや、Au−Geボールなどの封止材26をレーザによって溶かし封止するので、振動片14の接着剤やガラスリッド24の接着剤から出るガスを外部に放出した後に真空処理できる。したがって、振動片14へのガス付着による劣化の防止効果が高い。
【0030】
また、振動片14の特性検査をICチップ18の実装前に行うので、不良水晶振動片をここで検出でき、ICチップ18を搭載した後になって、無駄に振動片14やICチップ18等を廃棄処分する必要がない。ICチップ18の実装に関して、ICチップ18はAu線によるワイヤボンディング、Al線によるエッジボンディングやFCBなどが可能となり、IC実装の工法を選ばない利点が得られる。更に、樹脂によるICチップ18の封止を行うので、光遮蔽が確実になされ、また、周波数調整がガラスリッド24を介してレーザにより音叉先端の重りを取ることによって容易に行える。この周波数調整は、製品の組立後に発振周波数を監視しながら実施できるので、ICの容量バラツキに関係なく、高精度な発振周波数を有する商品を得ることができる。また、周波数調整加工における熱や衝撃による影響はほとんどないので、無視できるレベルの周波数変化に抑えることができる。
【0031】
図3は第2実施形態に係る圧電振動デバイスを示している。この第2実施形態はICチップ18の実装面をリッド24の内面にした点が図2に示す第1の実施形態と異なるところである。その他の構成は第1実施形態の場合と同じである。更に、図4は第3実施形態に係るデバイスを示しており、これは第1凹部16の開孔部分をガラスリッド24で覆い、第2凹部20の底をリッド24ではなくセラミックプレート12dにより形成するようにし、ガラスリッド24と同一平面となるように設定したものである。
【0032】
これら第2、第3実施形態に係るデバイスによっても第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。特にこれら第2、第3実施形態の場合には薄型にできる効果が高い利点がある。
また、上述した圧電振動デバイスを搭載してリアルタイムクロックを構成すればよい。回路構成を図5に示す。リアルタイムクロックの場合には、図2(3),図3(3)および図5から理解できるように、一般発振器と異なり外部接続端子数が多い。このデバイスをリアルタイムクロック32として用いることにより、小型で薄い構造とすることができる。本願は、小型薄型であるにもかかわらず外部端子を多数設けることができる構造である。従って、発明の実施の形態はリアルタイムクロックで説明したが、本願は、多出力圧電振動デバイスや各種高機能圧電振動デバイスにも適している。
【0033】
なお、上記実施形態では圧電振動片として音叉型振動片を用いた例を説明したが、ATカット振動片を用いることもできる。この場合には、第1凹部16内を真空にする必要がないが、一旦真空引きした後、連通孔22を用いて窒素ガスを封入する構造とすればよい。また、リッド24もガラスではなく金属リッドを用いることができる。
さらに、上記実施形態では圧電振動片として音叉型振動片を用いた例を説明したが、真空雰囲気下での振動を要する腕を有する圧電振動片にも十分適用できるものである。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、振動片実装部の真空度の低下や振動片の特性を劣化させることがなく、周波数精度やエージング特性に優れた圧電振動デバイス並びにリアルタイムクロックを得ることができる。また、振動片実装後の良品のみにICチップを実装できるようにして加工歩留まりを向上させることができ、放熱効果を高くして振動子精度を劣化させないようにすることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態に係る圧電振動デバイスの製造工程図である。
【図2】 本発明に係る圧電振動デバイスの第1実施形態を示すもので、(1)は断面図、(2)は平面図、(3)は底面図である。
【図3】 本発明に係る圧電振動デバイスの第2実施形態を示すもので、(1)は断面図、(2)は平面図、(3)は底面図である。
【図4】 本発明に係る圧電振動デバイスの第3実施形態の断面図である。
【図5】 同リアルタイムクロックの回路構成図である。
【図6】 従来の音叉型圧電振動デバイスの断面図である。
【符号の説明】
10………圧電振動デバイス、12………パッケージ本体、14………音叉型振動片、16………第1凹部、18………ICチップ、20………第2凹部、22………連通孔、24………リッド、26………封止材、28………モールド樹脂、30………外部電極。
Claims (4)
- 圧電振動片およびICチップをパッケージ本体に実装した圧電振動デバイスであって、
前記パッケージ本体は、
第1の貫通孔が形成された第1のプレートと、
前記第1の貫通孔と平面視して重なる位置に連通孔が形成され、前記第1の貫通孔と平面視して重ならない位置に第2の貫通孔が形成された第2のプレートと、
を積層して構成され、
前記第1の貫通孔と前記第2のプレートとによって前記パッケージ本体に形成された第1凹部に前記圧電振動片が実装され、
前記第2の貫通孔と前記第1のプレートとによって前記パッケージ本体に形成された第2凹部に前記ICチップが実装され、
前記第1凹部の開口がリッドにより塞がれ、且つ前記第1凹部の前記連通孔が封止材により塞がれ、前記第1凹部が気密に封止されていることを特徴とする圧電振動デバイス。 - 請求項1に記載の圧電振動デバイスであって、
前記連通孔は前記圧電振動片の周波数調整部位の直下に形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスであって、
前記リッドはガラスであることを特徴とする圧電振動デバイス。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電振動デバイスを搭載してなるリアルタイムクロック。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002264141A JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
US10/278,971 US7429814B2 (en) | 2001-10-31 | 2002-10-24 | Apparatus and methods for manufacturing a piezoelectric resonator device |
CNB021481342A CN1270439C (zh) | 2001-10-31 | 2002-10-30 | 压电振动装置及其制造方法、陶瓷封装体及实时时钟 |
KR10-2002-0066421A KR100473969B1 (ko) | 2001-10-31 | 2002-10-30 | 압전 진동 디바이스의 제조 방법, 압전 진동 디바이스 및세라믹 패키지와 실시간 클럭 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-334144 | 2001-10-31 | ||
JP2001334144 | 2001-10-31 | ||
JP2002264141A JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003204222A JP2003204222A (ja) | 2003-07-18 |
JP2003204222A5 JP2003204222A5 (ja) | 2005-10-27 |
JP4058760B2 true JP4058760B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=26624234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002264141A Expired - Fee Related JP4058760B2 (ja) | 2001-10-31 | 2002-09-10 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7429814B2 (ja) |
JP (1) | JP4058760B2 (ja) |
KR (1) | KR100473969B1 (ja) |
CN (1) | CN1270439C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4572383B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス |
JP2007243536A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
CN102484462B (zh) * | 2009-09-14 | 2015-02-18 | 株式会社村田制作所 | 压电振动装置的制造方法 |
JP2011139024A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | パッケージ、および、それを用いた振動デバイス |
JP2012120014A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 圧電振動素子、その製造方法、圧電振動子及び圧電発振器 |
TWI446125B (zh) * | 2012-05-25 | 2014-07-21 | Ubiq Semiconductor Corp | 即時時鐘模組之封裝體及其封裝方法 |
DE102013102210B4 (de) * | 2013-03-06 | 2016-04-07 | Epcos Ag | Zur Miniaturisierung geeignetes elektrisches Bauelement mit verringerter Verkopplung |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138214A (en) * | 1989-12-27 | 1992-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric transducer and method of adjusting oscillation frequency thereof |
JPH03243010A (ja) | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Seiko Electronic Components Ltd | 小型水晶振動子 |
JPH08316732A (ja) | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振器およびその製造方法 |
JP3248410B2 (ja) | 1995-10-25 | 2002-01-21 | 松下電器産業株式会社 | 発振装置 |
JPH09298440A (ja) | 1996-04-26 | 1997-11-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用容器並びにこれを用いた圧電装置及びその 製造方法 |
US5893726A (en) * | 1997-12-15 | 1999-04-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package with pre-fabricated cover and method of fabrication |
US6229249B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-05-08 | Kyocera Corporation | Surface-mount type crystal oscillator |
JP3523502B2 (ja) | 1998-09-28 | 2004-04-26 | 京セラ株式会社 | 圧電振動子用容器ならびに圧電振動子およびその製造方法 |
JP2000134037A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2000134058A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000269741A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器及び製造方法 |
JP2000295039A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000307368A (ja) | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子の製造方法 |
JP2001028517A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
JP2001044760A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子及び電圧制御発振器並びにその製造方法 |
JP2002118423A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2002151994A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶振動子のパッケージ構造およびその製造方法 |
JP2002319838A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及びそのパッケージ |
JP2002280865A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
JP3444420B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2003-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
US6777613B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-08-17 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | Multifunctional crystal unit and method of manufacturing the same |
JP3783235B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2006-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
-
2002
- 2002-09-10 JP JP2002264141A patent/JP4058760B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-24 US US10/278,971 patent/US7429814B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-30 KR KR10-2002-0066421A patent/KR100473969B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-10-30 CN CNB021481342A patent/CN1270439C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1415431A (zh) | 2003-05-07 |
US20070200461A1 (en) | 2007-08-30 |
KR20030036033A (ko) | 2003-05-09 |
CN1270439C (zh) | 2006-08-16 |
KR100473969B1 (ko) | 2005-03-10 |
JP2003204222A (ja) | 2003-07-18 |
US7429814B2 (en) | 2008-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101064003B1 (ko) | 밀봉 상태로 폐쇄된 하우징에 배열된 공진기 구성요소를갖는 전자 소자 및 상기 전자 소자 제조 방법 | |
JP2002290200A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP4058760B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック | |
JP2012090202A (ja) | 圧電デバイス、圧電発振器 | |
JP2004229255A (ja) | 水晶振動子セラミックパッケージ | |
JP3870931B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2006196932A (ja) | 音叉型圧電デバイスの製造方法および音叉型圧電デバイス | |
JP3977682B2 (ja) | 水晶振動子及びその保持構造 | |
JP2002026679A (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージ | |
US8093101B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
JP2013168893A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2004056760A (ja) | 圧電デバイスと圧電デバイス用パッケージ、圧電デバイスの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 | |
JP2001320256A (ja) | 圧電振動デバイスの気密封止方法 | |
JP3991274B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JPH10303690A (ja) | 表面弾性波装置及びその製造方法 | |
JPH02211705A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2003032042A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
JP2008011125A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2007318209A (ja) | 表面実装型圧電振動デバイス、およびその製造方法 | |
JP2003051719A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
JP2002026656A (ja) | Saw発振器 | |
JP2002158557A (ja) | 圧電振動デバイスの保持構造 | |
JP2011082736A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
WO2024111494A1 (ja) | 薄板サーミスタおよび薄板サーミスタ搭載型圧電振動デバイス | |
US9166553B2 (en) | Surface acoustic wave (SAW) device package and method for fabricating same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050824 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |