JP3444420B2 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置(以下「SAW(Surface A
coustic Wave)デバイス」という)が使用
されている。図8は、従来のSAWデバイスの一例を示
す構成図であり、図8を参照してSAWデバイス1につ
いて説明する。図8のSAWデバイス1は、基板2、蓋
3、ICチップ等からなる電子部品5、SAW素子6等
を有している。基板2には中空部2aが形成されてお
り、中空部2aに電子部品5及びSAW素子6がたとえ
ばエポキシ系の接着剤により実装されている。中空部2
aの開口部には蓋3が配置されていて、蓋3は、封止材
もしくはシーム溶接等により基板2と接合されている。
従って、基板2と蓋3により電子部品5及びSAW素子
6は気密封止された状態となっている。
子6の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品5が並
んで配置されている。基板2の底面部には、所定のパタ
ーンの配線4が形成されており、電子部品5とSAW素
子6は、それぞれたとえばワイヤボンディング等により
電極配線4と電気的に接続されている。これにより、電
子部品5とSAW素子6は、電気的に接続される。
の一例を示す工程図であり、図9を参照してSAWデバ
イスの製造方法について説明する。まず、図9(A)に
示すように、基板2における中空部2aの底面部に、所
定のパターンで配線4が形成される。そして、図9
(B)に示すように、電子部品5が底面部に実装され、
たとえばワイヤボンディング等により配線4と電気的に
接続される。その後、図9(C)に示すように、SAW
素子6が底面部に実装され、たとえばワイヤボンディン
グ等により配線4と電気的に接続される。
子6の周波数調整が行われる。具体的には、SAW素子
6が、基板2の開口部2bからたとえばプラズマ等がS
AW素子6に照射され、SAW素子6の圧電基板もしく
は圧電基板に形成された電極がエッチングされる。この
周波数調整は、SAW素子6を電子部品5により駆動し
ながら行う。そして、所望のSAW素子6の周波数特性
が得られるまで、この作業が行われる。次に、図9
(E)に示すように、基板2の開口部の上に蓋3が配置
され、封止材により基板2と蓋3が接合される。これに
より、中空部2a内が気密封止され、SAWデバイス1
が完成する。
1において、電子部品5とSAW素子6は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品5とSAW素子6は、中
空部2a内という同一空間に配置されている。ここで、
SAWデバイス1が動作すると、電子部品5は熱を放出
する。電子部品5から放出された熱は、基板2の中空部
2a内の雰囲気及び底面部を通じて直接SAW素子6に
伝達してしまう。この熱がSAW素子6の温度特性に大
きく影響し、SAW素子6が所望の周波数特性を発揮す
ることができないという問題がある。
空間に実装する方法として、いわゆる2段重ねパッケー
ジ構造が提案されている。しかし、電子部品5によりS
AW素子6を駆動させた状態で周波数調整を行う場合、
電子部品5及びSAW素子6をそれぞれパッケージへ実
装する工程と、それぞれのパッケージの接着・導通をす
る工程を踏む必要があり、製造工程が複雑になってしま
うという問題がある。
及び歩留まりの向上を図ることができるSAWデバイス
及びその製造方法を提供することを目的としている。
表面波素子と、前記弾性表面波素子を駆動制御する電子
部品とを備える弾性表面波装置において、前記電子部品
を収容するための開口部を有した第1中空部が形成され
ていて、前記第1中空部に形成された前記電子部品と電
気的に接続する第1接続端子と、前記開口部付近に形成
されていて、前記第1接続端子と電気的に接続された第
2接続端子とを有する第1基板と、一面側が前記第1基
板の開口部に接合しており、他面側には前記弾性表面波
素子が前記第2接続端子と電気的に接続するように実装
されている第2基板と、前記第1基板と接合していて、
前記弾性表面波素子を気密封止するための第2中空部を
有するキャップとを備えた弾性表面波装置を特徴とす
る。
1中空部が形成されていて、この中空部に電子部品が実
装されている。一方、第2基板は、その一面側が第1基
板と接合されていて、他面側には弾性表面波素子を実装
した構造を有している。そして、第2中空部で弾性表面
波装置を封止するためのキャップが第1基板に接合され
ている。このように、第1基板の第1中空部には電子部
品のみを配置し、弾性表面波素子は第2基板の他面側に
実装された構造を有している。すなわち、弾性表面波素
子と電子部品が、第1基板と第2基板によって仕切られ
た別々の空間に配置されることになる。従って、弾性表
面波装置を周波数調整する際、弾性表面波素子にたとえ
ばプラズマを照射したとき、電子部品がプラズマに晒さ
れることがなくなる。また、電子部品が動作したときに
発生する熱及び電磁波が、弾性表面波素子に及ぼす影響
を最小限に抑えることができる。
て、前記第1基板と前記第2基板は、封止材により前記
第2基板の側面側で接合されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項2の構成によれば、第2基板の側面側
に塗布された封止材により、第1基板と第2基板が接合
された状態になっている。これにより、第1基板の第1
中空部を確実に気密封止することができるようになる。
のいずれかの構成において、前記第2基板と前記キャッ
プは、それぞれ前記第1基板に対して同一の封止材を用
いて接合されている弾性表面波装置を特徴とする。請求
項3の構成によれば、第1基板と第2基板の接合と、第
1基板とキャップの接合とを行うときに、同一の封止材
を用いることで、同一の処理条件で第1中空部及び第2
中空部の気密封止を同時に行うことができるようにな
る。
のいずれかの構成において、前記封止材は、導電性のロ
ウ材もしくは導電性接着剤からなっている弾性表面波装
置を特徴とする。請求項4の構成によれば、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、電
磁波に対するシールド効果を得ることができる。
求項3のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置を特徴とする。請
求項5の構成によれば、封止材としてガラス材料が用い
られることで、コストの削減を図ることができる。
のいずれかの構成において、前記第2基板の一面側に
は、グランド電極が形成されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項6の構成によれば、第2基板の一面側
には、グランド電極が形成されていて、グランド電極は
電子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になって
いる。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁
波が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素
子への影響が低減されることになる。特に、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、グ
ランド電極のシールド効果をより高めることができる。
のいずれかの構成において、前記第2基板は、セラミッ
クの単板からなっている弾性表面波装置を特徴とする。
請求項7の構成によれば、第2基板としてセラミックの
単板を用いることで、弾性表面波装置全体の低背化を図
ることができるようになる。第1基板と第2基板を同一
の材料から形成することで、熱膨張係数を一致させるこ
とができる。
のいずれかの構成において、前記電子部品は、前記第1
基板に対してフリップチップ実装されている弾性表面波
装置を特徴とする。請求項8の構成によれば、電子部品
が第1基板に対してフリップチップ実装されていること
により、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができ
るようになる。
のいずれかの構成において、前記弾性表面波素子は、前
記第2基板に対して接着剤により実装されていて、前記
電子部品は、前記弾性表面波素子の実装に用いられたも
のと同一の接着剤で、前記第1基板に実装されている弾
性表面波装置を特徴とする。請求項9の構成によれば、
同一の接着剤を用いることにより、弾性表面波装置の製
造工程の単純化を図ることができる。
前記弾性表面波素子を駆動制御する電子部品とを備える
弾性表面波装置の製造方法において、開口部を有する第
1基板の第1中空部に前記電子部品を実装し、前記弾性
表面波素子を実装した第2基板を、前記第1基板の前記
開口部に位置決めするとともに、前記電子部品と前記弾
性表面波素子を電気的に接続し、前記弾性表面波素子の
周波数調整を行い、第2中空部を有するキャップを、第
2中空部内に前記弾性表面波素子を収容するように前記
第1基板に配置し、前記第1基板と前記第2基板及び前
記第1基板と前記キャップをそれぞれ封止材を用いて接
合し、前記電子部品及び前記弾性表面波素子を封止する
弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。
口部から第1基板の第1中空部に実装され、この開口部
に弾性表面波素子を実装した第2基板が位置決めされ
る。そして、電子部品により弾性表面波素子を駆動制御
した状態で、弾性表面波素子にたとえばプラズマ等が照
射されることで、周波数調整が行われる。その後、弾性
表面波装置の上にキャップが配置され、封止材を用いて
第1基板と第2基板及び第1基板とキャップがそれぞれ
接合される。このように、周波数調整を行うときには、
電子部品は第1中空部内に収容され、第2基板により第
1中空部は閉ざされた状態になっている。従って、周波
数調整工程において、弾性表面波素子のみにプラズマ等
が照射され、電子部品には照射されない。また、電子部
品を周波数調整の工程に晒すことによる不具合の発生を
防止することができる。
おいて、前記第2基板の側面側に前記封止材を塗布した
状態で、前記第2基板を前記第1基板の開口部に配置す
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項11
の構成によれば、第2基板の側面側に塗布された封止材
により、第1基板と第2基板が接合されることになる。
これにより、第1基板の第1中空部と第2中空部を確実
に隔離することができるようになる。
項11のいずれかの構成において、前記第2基板におけ
る前記第1基板との接合面には、導電材料からなるグラ
ンド電極を形成する弾性表面波装置の製造方法を特徴と
する。請求項12の構成によれば、第2基板の一面側に
は、グランド電極が形成されていて、グランド電極は電
子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になってい
る。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁波
が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素子
への影響が低減されることになる。
項12のいずれかの構成において、前記第1基板及び前
記第2基板と、前記第1基板及び前記キャップを接合す
る封止材は、同一の封止材が用いられる弾性表面波装置
の製造方法を特徴とする。請求項13の構成によれば、
第1基板と第2基板の接合と、第1基板とキャップの接
合とを行うときに、同一の封止材を用いることで、同一
の処理条件で第1中空部及び第2中空部の気密封止を同
時に行うことができるようになる。
項13のいずれかの構成において、前記封止材として、
金属ロウ材もしくは導電性接着剤を用いる弾性表面波装
置の製造方法を特徴とする。請求項14の構成によれ
ば、封止材として導電性のロウ材もしくは導電性接着剤
を用いると、電磁波に対するシールド効果を得ることが
できる。
項13のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置の製造方法を特徴
とする。請求項15の構成によれば、封止材としてガラ
ス材料が用いられることで、コストの削減を図ることが
できる。
項15のいずれかの構成において、前記電子部品を、そ
れぞれ前記第1基板に実装するときは、フリップチップ
ボンディングにより行われる弾性表面波装置の製造方法
を特徴とする。請求項16の構成によれば、電子部品が
第1基板に対してフリップチップ実装されていることに
より、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができる
ようになる。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1と図2は本
発明のSAWデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図1と図2を参照してSAWデバイス10に
ついて説明する。図1のSAWデバイス10は、第1基
板11、第2基板20、キャップ30、電子部品40、
SAW素子50等を有している。第1基板11は、たと
えばセラミック等からなっていて、第1基板11のたと
えば中央部には第1中空部12が形成されている。第1
中空部12には電子部品40がたとえばエポキシ系等の
接着剤80を用いて実装されている。中空部12の底面
部12aには、導電材料からなる第1接続端子13が形
成されていて、第1接続端子13は電子部品40と電気
的に接続されている。また、第1接続端子13は、後述
する第2接続端子17と電気的に接続された状態になっ
ている。
40のみが配置されていて、SAW素子50は配置され
ていない。これにより、電子部品40が動作したときに
生じる熱が、中空部12内の雰囲気又は底面部12aを
通じて、SAW素子50に影響を及ぼすのを防止するこ
とができる。すなわち、電子部品40から発生した熱量
を第1基板11側へ放出し、第2基板20に伝わる熱を
少なくすることができる。従って、SAW素子50にお
ける熱による周波数の変化を低減させ、信頼性の向上を
図ることができる。さらに、電子部品40が発熱するこ
とにより、接着剤80からガスが発生する。このガス
は、SAW素子50の周波数特性に影響を及ぼすもので
ある。ここで、電子部品40とSAW素子50は、別々
の空間に配置されているため、SAW素子50は、発生
するガスの影響を受けることがなくなり、SAW素子5
0の信頼性の向上を図ることができる。
は開口部14が形成されている。開口部14は、たとえ
ば第2基板20の大きさとほぼ同一に形成されており、
第1中空部12の面積よりも大きく形成されている。従
って、第1基板11には第2基板20を保持するための
第2基板保持部16が形成されている。第1基板11の
上面15には第2接続端子17と第1グランド端子18
が形成されている。第2接続端子17は、第1接続端子
13と電気的に接続されていて、SAW素子50とたと
えばワイヤボンディングにより接続される。第1グラン
ド端子18は、後述する第2基板20に設けられた第2
グランド端子21と電気的に接続される。
第2基板の一例を示す図であり、図1と図3を参照して
第2基板20について説明する。図1の第2基板20
は、たとえばセラミック等の単板からなっている。第2
基板20の一面側20aは、第2基板保持部16に塗布
された接着剤80を用いて第1基板11と接合されてい
る。また、図3のように、第2基板20の側面20cに
はたとえば銀ロウなどのロウ材や導電性接着剤もしくは
ガラス材料等の封止材70により接合されている。特
に、封止材70としてガラス材料を用いた場合には、S
AWデバイス10のコストの低減を図ることができる。
このように第1基板11を囲うように封止材70を塗布
し、第1基板11と第2基板20を接合することで、第
1中空部12と第2中空部31を確実に隔離することが
できる。
は、ほぼ全面に渡ってグランド電極22が形成されてい
る。グランド電極22は、他面側20bに形成された第
2グランド端子21と電気的に接続されている。グラン
ド電極22は、SAW素子50と電子部品40を電磁的
に分離する機能を有している。すなわち、電子部品40
が動作したときに発生する電磁波をグランド電極22が
シールドし、SAW素子50への電磁波の影響を最小限
に抑える。これにより、SAW素子50の動作を安定さ
せることができるようになる。
20bには、SAW素子50がたとえばエポキシ系の接
着剤80により他面側20bに実装されている。このS
AW素子50は、たとえば水晶基板にすだれ状電極(I
DT:InterDigital Transduce
r)や反射器等を形成したSAWフィルタやSAW共振
子等からなっている。SAW素子50は、たとえばワイ
ヤボンディング等により第1基板11の第2接続端子1
7と電気的に接続されている。従って、SAW素子50
は、第2接続端子17、第1接続端子13を介して電子
部品40と電気的に接続された状態となっている。ま
た、第2基板20の他面側20bには、第2グランド端
子21が形成されていて、第2グランド端子21は、第
1グランド端子18とたとえばワイヤボンディング等に
より電気的に接続されている。
ャップ30が配置されていて、キャップ30は、その外
周側30aで封止材70により接合されている。キャッ
プ30は、第2中空部31を有しており、第2中空部3
1内にSAW素子50が気密封止された状態になる。こ
こで、この封止材70は、第1基板11と第2基板20
の封止に用いられる封止材70と同一の材料からなって
いる。これにより、封止工程において、同一の処理条件
により封止作業を行うことができ、製造効率の向上を図
ることができる。
0のみ実装し、SAW素子50を第2基板20に実装す
ることで、SAW素子50は、電子部品40が動作した
ときに生じる熱による周波数の変化を最小限に抑えた状
態で動作することになる。従って、熱の影響によるSA
W素子50の周波数変化を低減し、信頼性を向上させる
ことができる。
子部品40を実装するときに用いた接着剤からガスが発
生する。このとき、電子部品40とSAW素子50は別
々の空間に配置されているため、発生したガスによる周
波数特性の変化を抑え、SAWデバイス10の信頼性を
高めることができる。さらに、SAW素子50は、グラ
ンド電極22を介して配置されているため、電子部品4
0が動作したときに生じる電磁波による特性の変化を最
小限に抑えた状態で動作することになる。従って、SA
W素子50の電磁波の影響による周波数変化を低減し、
信頼性を向上させることができる。
の製造方法の好ましい実施の形態を示す図であり、図4
から図6を参照してSAWデバイスの製造方法について
説明する。まず、図4を参照して第2基板20にSAW
素子50を実装する工程について説明する。最初に、図
4(A)と図4(B)において、たとえばセラミックの
単板からなる第2基板20に所定の電極パターンが形成
される。具体的には、第2基板20の一面側20aには
グランド電極22が形成され、他面側20bには第2グ
ランド端子21が形成される。このとき、グランド電極
22と第2グランド端子21は電気的に接続されるよう
に形成される。また、第2基板20の側面部20cに、
たとえば銀ロウ等のロウ材、導電性接着剤もしくはガラ
ス材料等からなる封止材70が塗布される。その後、図
4(C)と図4(D)に示すように、第2基板20の他
面側20bにSAW素子50がたとえばエポキシ系等の
接着剤80により実装される。これにより、第2基板2
0が完成する。
造工程について説明する。まず、図5(A)に示すよう
に、中空部12の底面部12aに第1接続端子13が形
成され、上面部15に第2接続端子17と第1グランド
端子18がそれぞれ形成される。また、上面部15の外
周側に封止材70が塗布される。その後、図5(B)に
示すように、電子部品40が、第1基板11の開口部1
4から中空部12内に挿入され、エポキシ系等の接着剤
80により底面部12aに実装される。そして、電子部
品40と第1接続端子13が、たとえばワイヤボンディ
ング等により電気的に接続される。さらに、第2基板保
持部16には、第2基板20を接着させるための接着剤
80が塗布される。
うに、第2基板20が、第1基板10の開口部14に位
置決めされ、SAW素子50と第2接続端子17がワイ
ヤボンディング等により電気的に接続される。この状態
で、第2基板20上のSAW素子50に向かってプラズ
マが照射され、周波数調整が行われる。具体的には、た
とえばCF4等の反応性ガスやアルゴンガス等の不活性
ガスがイオン化され、イオン化された粒子がSAW素子
50に照射される。すると、SAW素子50の圧電基板
又は電極がプラズマエッチングされ周波数調整が行われ
る。
部品40は、中空部12内に実装されているため、プラ
ズマが照射されることがない。従って、電子部品40
は、第1中空部12内に収容されているため、プラズマ
による動作不良等の不具合の発生を回避することができ
る。
を駆動させながら、エッチング量を調整して行われる。
このとき、第1基板11に設けられた第1接続端子13
及び第2接続端子17により、電子部品40とSAW素
子50が電気的に接続された状態になっている。従っ
て、SAW素子50の駆動制御しながら周波数調整を行
うことができるようになっている。
に、キャップ30が、第1基板11の上面15に塗布さ
れた封止材70の上に位置決めされ、加熱処理される。
すると、第1基板11と第2基板20の間にある封止材
70と、第1基板11とキャップ30の間の封止材70
が溶融し、第1中空部12及び第2中空部31が気密封
止された状態となる。このように、第1基板11と第2
基板20に用いられる封止材70と、第1基板11とキ
ャップ30に用いられる封止材70が同一の材料からな
っていることで、同一の処理条件で気密封止することが
でき、製造効率の向上を図ることができる。特に、第2
基板20の側面20cに設けられた封止材70が溶融す
ると、図6(C)に示すように、封止材70が第1基板
11と第2基板20の間に生じる隙間に入り込み、第1
中空部12と第2中空部31を確実に気密封止する事が
できる。
基板11の第1接続端子13に対してワイヤボンディン
グによって電気的に接続されているが、図7に示すよう
に、フリップチップボンディングしたSAWデバイス2
00であってもよい。すなわち、図7において、電子部
品40にはバンプが形成されており、このバンプが第1
基板11の第1接続端子13に接合することにより実装
されている。これにより、SAWデバイス200の厚さ
(高さ)を小さくすることができる。
第1中空部12には電子部品40のみを配置し、SAW
素子50を第2基板20の他面側20bに実装すること
で、電子部品40が動作したときに発生する熱及びガス
等が、SAW素子50に及ぼす影響を最小限に抑えるこ
とができる。よって、SAWデバイス10の信頼性の向
上を図ることができる。また、第2基板20の側面側2
0cに塗布された封止材70により、第1基板11と第
2基板20を接合することで、第1基板11の第1中空
部12を確実に気密封止することができるようになる。
さらに、第1基板11及び第2基板20の接合と、第1
基板11及びキャップ30の接合を行うときに、同一の
封止材70を用いることで、同一の処理条件で第1中空
部12及び第2中空部31の気密封止を行うことができ
るようになる。よって、SAWデバイス10の製造効率
の向上を図ることができる。
ンド電極22を形成することにより、電子部品40が動
作したときに発生する電磁波が、グランド電極22によ
りシールドされ、SAW素子50への影響が低減される
ことになる。さらに、電子部品40が第1基板11に対
してフリップチップ実装されていることにより、SAW
デバイス10全体の低背化を図ることができるようにな
る。
て、周波数調整を行うときには、電子部品40は第1中
空部12内に収容され、第2基板20により第1中空部
12は閉ざされた状態になっている。従って、周波数調
整工程において、SAW素子50のみにプラズマ等が照
射され、電子部品40には照射されない。これにより、
電子部品40を周波数調整の工程に晒すことによる不具
合の発生を防止することができる。
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
を示す構成図。
造を示す図。
造を示す図。
2基板の製造工程を示す工程図。
1基板の製造工程及び周波数調整工程の様子を示す図。
性表面波素子を気密封止する様子を示す図。
示す構成図。
工程図。
Claims (16)
- 【請求項1】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
を駆動制御する電子部品とを備える弾性表面波装置にお
いて、 前記電子部品を収容するための開口部を有した第1中空
部が形成されていて、前記第1中空部に形成された前記
電子部品と電気的に接続する第1接続端子と、前記開口
部付近に形成されていて、前記第1接続端子と電気的に
接続された第2接続端子とを有する第1基板と、 一面側が前記第1基板の開口部に接合しており、他面側
には前記弾性表面波素子が前記第2接続端子と電気的に
接続するように実装されている第2基板と、 前記第1基板と接合していて、前記弾性表面波素子を気
密封止するための第2中空部を有するキャップとを備え
たことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項2】 前記第1基板と前記第2基板は、封止材
により前記第2基板の側面側で接合されていることを特
徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項3】 前記第2基板と前記キャップは、それぞ
れ前記第1基板に対して同一の封止材を用いて接合され
ていることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれ
かに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項4】 前記封止材は、導電性のロウ材もしくは
導電性接着剤からなっていることを特徴とする請求項1
から請求項3のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項5】 前記封止材は、ガラス材料からなってい
ることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項6】 前記第2基板の一面側には、グランド電
極が形成されていることを特徴とする請求項1から請求
項5のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項7】 前記第2基板は、セラミックの単板から
なっていることを特徴とする請求項1から請求項6のい
ずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項8】 前記電子部品は、前記第1基板に対して
フリップチップ実装されていることを特徴とする請求項
1から請求項7のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項9】 前記弾性表面波素子は、前記第2基板に
対して接着剤により実装されていて、前記電子部品は、
前記弾性表面波素子の実装に用いられたものと同一の接
着剤で、前記第1基板に実装されていることを特徴とす
る請求項1から請求項8のいずれかに記載の弾性表面波
装置。 - 【請求項10】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素
子を駆動制御する電子部品とを備える弾性表面波装置の
製造方法において、 開口部を有する第1基板の第1中空部に前記電子部品を
実装し、 前記弾性表面波素子を実装した第2基板を、前記第1基
板の前記開口部に位置決めするとともに、前記電子部品
と前記弾性表面波素子を電気的に接続し、 前記弾性表面波素子の周波数調整を行い、 第2中空部を有するキャップを、第2中空部内に前記弾
性表面波素子を収容するように前記第1基板に配置し、 前記第1基板と前記第2基板及び前記第1基板と前記キ
ャップをそれぞれ封止材を用いて接合し、前記電子部品
及び前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする弾
性表面波装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記第2基板の側面側に前記封止材を
塗布した状態で、前記第2基板を前記第1基板の開口部
に配置することを特徴とする請求項10に記載の弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記第2基板における前記第1基板と
の接合面には、導電材料からなるグランド電極を形成す
ることを特徴とする請求項10又は請求項11のいずれ
かに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記第1基板及び前記第2基板と、前
記第1基板及び前記キャップを接合する封止材は、同一
の封止材が用いられることを特徴とする請求項10から
請求項12のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方
法。 - 【請求項14】 前記封止材として、金属ロウ材もしく
は導電性接着剤を用いることを特徴とする請求項10か
ら請求項13のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項15】 前記封止材は、ガラス材料からなって
いることを特徴とする請求項10又は請求項13のいず
れかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項16】 前記電子部品を、それぞれ前記第1基
板に実装するときは、フリップチップボンディングによ
り行われることを特徴とする請求項11から請求項15
のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
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