JP3987017B2 - カーボンナノチューブの形成方法及びその形成装置 - Google Patents
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Description
本発明者は、半導体的性質のカーボンナノチューブのみを選択的に形成するため、CVD法を利用すれば良いことに想到した。CVD法により、半導体的・金属的を問わず単にカーボンナノチューブを形成する手法としては、以下のものが案出されている(非特許文献2参照)。ここでは、予めパターニングした触媒金属を用い、2つの触媒金属パターン間に電圧を加え、CVD法によるカーボンナノチューブの成長中に電界を発生させる。この電界によりカーボンナノチューブは電圧方向に成長して、やがて2つの金属間を架橋する。
以下、本発明を適用したカーボンナノチューブの形成装置及びこれを用いた形成方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本実施形態によるカーボンナノチューブの形成装置の概略構成を示す模式図である。
この形成装置は、基板11を載置固定する基板ホルダー1と、基板ホルダー1を収納し、内部でCVD法によりカーボンナノチューブが形成されるCVDチャンバー2と、基板ホルダー1に載置固定された基板11上の電極14a,14bに電圧を印加する電圧印加機構3と、急速な昇温及び降温を可能とする加熱機構4とを備えて構成されている。
以下、上述した構成の形成装置を用いたカーボンナノチューブの形成方法について説明する。
図2は、本実施形態に供される基板電極の形成方法を示す概略断面図であり、図3は、本実施形態によるカーボンナノチューブの形成方法を工程順に示す模式図である。このカーボンナノチューブは、典型的な一例としてはトランジスタのチャネルとして機能するものであり、カーボンナノチューブが架橋形成される一対の電極がソース/ドレインとなる。
化学的気相成長法により、前記金属領域において炭素元素からなる円筒形物質を成長させる工程と、
前記金属領域に、金属的性質の前記円筒形物質を破壊し、且つ半導体的性質の前記円筒形物質を非破壊の状態に残す程度の電圧を印加する工程と
を含むことを特徴とする炭素元素からなる円筒形物質の形成方法。
表面に金属領域が設けられてなる基板を載置固定する基板保持手段と、
前記基板保持手段を収納するチャンバーと、
前記基板保持手段に載置固定された前記基板の前記金属領域に電圧を印加する電圧印加手段と
を含み、
前記金属領域において前記円筒形物質を成長させた後、前記電圧印加手段により前記金属領域に、金属的性質の前記円筒形物質を破壊し、且つ半導体的性質の前記円筒形物質を非破壊の状態に残す程度の電圧を印加することを特徴とする炭素元素からなる円筒形物質の形成装置。
前記熱フィラメントは、化学的気相成長法による前記円筒形物質の成長時に、通電加熱法により前記基板の温度上昇及び温度下降を急速に行うものであることを特徴とする付記8〜12のいずれか1項に記載の炭素元素からなる円筒形物質の形成装置。
2 CVDチャンバー
3,16,20 電圧印加機構
4 加熱機構
11 基板
12 導電性基体
13 絶縁膜
14a,14b 電極
15 冷却機構
17 真空排気系
18 原料供給系
19 熱フィラメント
21 カーボンナノチューブ
22 金属的性質のカーボンナノチューブ
23 半導体的性質のカーボンナノチューブ
31 レジストパターン
32 開口
33 Fe
Claims (6)
- 基板上に一対の電極を形成する工程と、
化学的気相成長法により、前記一対の電極間に電圧を印加し、前記一対の電極間にカーボンナノチューブを成長させる第1の工程と、
前記基板を冷却する第2の工程と、
前記第2の工程に引き続き、金属的性質の前記カーボンナノチューブを破壊し、且つ半導体的性質の前記カーボンナノチューブを非破壊の状態に残す程度の電圧を、前記一対の電極間に印加する第3の工程と
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。 - 基板上に一対の電極を形成する工程と、
化学的気相成長法により、前記一対の電極間に電圧を印加し、前記一対の電極間にカーボンナノチューブを成長させる第1の工程と、
前記第1の工程に引き続き、前記基板にバックゲート電圧を印加するとともに、金属的性質の前記カーボンナノチューブを破壊し、且つ半導体的性質の前記カーボンナノチューブを非破壊の状態に残す程度の電圧を、前記一対の電極間に印加する第2の工程と
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。 - 前記第3の工程において、前記基板にバックゲート電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記第1の工程において、前記カーボンナノチューブの成長を、加熱しながら行なうことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記第1の工程において、前記一対の電極間に前記カーボンナノチューブを成長させるに足る電圧を印加することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 化学的気相成長法によりカーボンナノチューブを形成する形成装置であって、
表面に一対の電極が設けられてなる基板を載置固定し、前記基板にバックゲート電圧を印加する電圧印加機構を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段を収納するチャンバーと、
前記基板保持手段に載置固定された前記基板の前記一対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と
を含み、
前記チャンバー内において、前記一対の電極間に前記カーボンナノチューブを成長させた後、引き続き前記チャンバー内において、前記電圧印加機構により前記基板にバックゲート電圧を印加するとともに、前記電圧印加手段により金属的性質の前記カーボンナノチューブを破壊し、且つ半導体的性質の前記カーボンナノチューブを非破壊の状態に残す程度の電圧を、前記一対の電極間に印加することを特徴とするカーボンナノチューブの形成装置。
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