JP4539679B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。

従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）装置においては、
基板上に複数の回路素子、陽極、正孔注入層や有機ＥＬ物質（発光素子）を含む発光機能
層、また、陰極等が積層され、それらを封止基板によって基板との間に挟んで封止した構
成を具備しているものがある。
具体的には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されたガラス基板等の透明
基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）等
の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体（以下、ＰＥＤＯＴと略記する）
のドーピング体からなる正孔注入層と、ポリフルオレン等の発光物質からなる発光層と、
Ｃａ等の低仕事関数を有する金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものが
ある。

近年では、上記の有機ＥＬ装置の製造方法として、液滴吐出法による製造方法が提案さ
れている。このような製造方法においては、液滴の吐出に先立って液滴受容部を形成する
工程を行っている。当該液滴受容部を形成するには、図７（ａ）に示す半導体素子（薄膜
トランジスタ）３００及び層間絶縁膜３０１を形成する工程と、図７（ｂ）に示す画素電
極３０２を形成する工程と、図７（ｃ）に示す第１隔壁３０３を形成する工程と、図７（
ｄ）に示す第２隔壁３０４を形成する工程とを施すことによって、液滴受容部３０５を形
成している。そして、液滴受容部３０５の表面にプラズマ処理等の表面改質処理を施して
撥液化部及び親液化部を形成し、当該液滴受容部３０５内に機能性材料を含む液滴を滴下
することにより機能性素子を形成している（例えば、特許文献１参照。）。

特許第３３２８２９７号明細書

しかしながら、上記の製造方法においては、画素電極３０２を形成する際に、画素電極
３０２をパターニングするためのレジストマスクが画素電極３０２の材料と接触するので
、当該レジストマスクの残留物が画素電極３０２の表面を汚染してしまうという問題がっ
た。そして、このように汚染された画素電極３０２の表面上に正孔注入層や発光層等の発
光機能層が形成されることにより、発光機能層の信頼性が低下してしまうという問題があ
った。

更に、アクリルやポリイミド等の有機材料を用いることによって層間絶縁膜３０１を塗
布形成する場合においては、下記に示すいくつかの問題があった。
（１） ウエットエッチングやレジスト剥離等のウエットプロセスを施して画素電極３
０２や第１隔壁３０３のパターニングを行うことにより、層間絶縁膜３０１の有機材料が
膨潤してしまい、平面的に繋がっている画素電極３０２や第１隔壁３０３に応力が生じて
しまい、特に表示特性に重要な画素領域部（画素電極３０２）にダメージが生じる。また
、層間絶縁膜３０１と第１隔壁３０３の接合面における剥離が生じる。
（２） 有機材料からなる層間絶縁膜３０１上に、プラズマＣＶＤ等を用いて第１隔壁
３０３を形成すると、有機材料表面にダメージを与えながら第１隔壁３０３が成膜される
ので、第１隔壁３０３と層間絶縁膜３０１の密着性が低くなり、第１隔壁３０３と層間絶
縁膜３０１が剥離し易くなる。ここで、当該膜が剥離するとパーティクルが飛散し、真空
容器内を汚染してしまう。また、該パーティクルが真空容器あるいは基体上に存在するこ
とにより、有機エレクトロルミネッセンス装置の歩留まりが低下する虞がある。
（３） 第１隔壁３０３は、無機材料からなる画素電極３０２と有機材料からなる層間
絶縁膜３０１の表面を被覆するように形成されているので、有機材料のエッチング速度が
無機材料よりも大きいために、第１隔壁３０３をエッチングする場合のエッチング制御性
が困難になる。

本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、画素領域部に与えるダメージの抑制と
、真空容器内への汚染の防止を達成し、更に第１隔壁のエッチング制御性の向上を実現で
きる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電子機器を提供することを目的とする
。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、画素毎に設けられた第１電
極上に、第１隔壁及び第２隔壁に囲まれた発光機能層を備える有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法であって、有機材料からなる層間絶縁膜上に、第１電極材料と第１隔
壁材料を順に成膜する工程と、前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を同一形状のマス
クで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第１電極を形成するとともに、前記第１
隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、前記第１隔壁材料の一部を除去して前記第
１電極を露出する工程と、前記第１隔壁材料の一部を除去して前記第１電極を露出した後
に、前記層間絶縁膜上及び前記第１隔壁材料上に前記第２隔壁を形成する工程と、を具備
することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１隔壁材料上に形成されたマスクに応
じて前記第１隔壁材料を画素毎パターニングし、当該第１隔壁材料をマスクとして前記第
１電極材料をパターニングして前記第１電極を形成することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１隔壁材料上に形成されたマスクの形
状に応じて前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を一括にパターニングして、所定形状
の前記第１電極を形成するとともに、前記第１隔壁材料を画素毎にパターニングすること
を特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、ドライエッチング法を用いて、前記第１電極
材料と前記第１隔壁材料のパターニングを行い、前記第１隔壁及び前記第１電極を形成す
ることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜と前記
第１電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１隔壁材料を成膜する際に、前記層間
絶縁膜は前記第１電極材料により保護されていることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１隔壁は、側部及び上部を有し、前記
第２隔壁は、前記第１隔壁の前記上部の一部が露出するように形成されることを特徴とす
る。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１隔壁材料は、シリコン酸化物である
ことを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、第１電極上に第１隔壁及び第２隔壁に囲まれた発
光機能層を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、層間絶縁膜上に第１電極材料と第１
隔壁材料を順に成膜する工程と、前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を同一形状のマ
スクでパターニングして前記第１電極と前記第１隔壁を形成する工程と、前記層間絶縁膜
上及び前記第１隔壁材料上に前記第２隔壁を形成する工程とを具備することを特徴として
いる。

このようにすれば、第１電極を形成する工程において、第１電極をパターニングするた
めのレジストマスクと第１電極材料とが非接触状態に保たれ、当該レジストマスクの残留
物による第１電極への汚染を防止することができる。従って、清浄な表面状態を有する第
１電極上に正孔注入層や発光層等の発光機能層を形成できるので、発光機能層の信頼性が
向上し、良好な有機ＥＬ装置を提供することができる。

また、層間絶縁膜は有機材料からなることが好ましい。当該有機材料を用いることによ
り、湿式成膜法によって層間絶縁膜を形成することができるので、真空成膜法と比較して
、簡素な設備をによって低製造コストで成膜することができる。また、真空成膜法では厚
膜化が難しいが、湿式成膜法によれば厚膜化を容易に達成できる。

また、第１隔壁材料を成膜する前に、層間絶縁膜上に第１電極材料が形成されているの
で、層間絶縁膜が第１電極材料によって保護される。従って、プラズマＣＶＤ法を用いて
第１隔壁材料を成膜しても、層間絶縁膜自体がプラズマに曝されることがないので、当該
層間絶縁膜へのプラズマダメージを防止でき、安定して第１隔壁材料を形成することがで
きる。
また、第１隔壁が第１電極上のみに形成されることにより、有機材料と接する第１電極
及び第１隔壁の合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従って、製造プロセス中もしく
は完成体の状態にて層間絶縁膜に応力（ウエット工程での膨潤や機械的応力）が発生した
場合に、応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。

また、層間絶縁膜と第１隔壁が非接触に保たれるので、従来技術で問題となっていた層
間絶縁膜と第１隔壁の接合面における剥離が生じることがない。
また、第２隔壁の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜と第２隔壁を
共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜と第２隔壁の密着性の向上を実現
できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が接触して構成されてい
るので、有機ＥＬ装置の強度向上も実現できる。

また、第１隔壁材料をプラズマＣＶＤ等の方法を用いて形成しても、当該プロセスを行
う際には層間絶縁膜が露出していないので、当該層間絶縁膜の有機材料がプラズマダメー
ジによってエッチングされることが無く、有機材料のエッチングに伴う製造装置の汚染を
防止できる。
また、従来技術においては、第１隔壁材料が層間絶縁膜及び第１電極材料からなる複数
の層膜上に形成されていたため、当該第１隔壁材料のエッチング制御性が困難であったが
、本発明では第１隔壁は第１電極材料上のみに形成されるため、良好なエッチング制御性
が得られ、面内での第１隔壁のエッチングレート不均一化を抑制できる。

また、層間絶縁膜上に第１電極材料と第１隔壁材料を順に成膜して同一形状のマスクで
パターニングするので、第１電極材料及び第１隔壁材料の各々の材料をパターニングする
必要がなく、工程の簡素化を達成できる。

そして、このような製造方法においては、第１電極上に第１隔壁及び第２隔壁からなる
液滴受容部が形成される。そして、液滴吐出法を用いることにより、発光機能層の液体材
料を液滴化して液滴受容部に吐出することにより、液滴受容部内に発光機能層を形成する
ことができる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第１隔壁の一部を除去して前記第
１電極を露出する工程を更に具備することを特徴としている。
ここでは、第１隔壁の一部分を除去するためのマスクを形成した後に、当該マスクに応
じて第１電極を露出している。
このようにすれば、液滴吐出法を用いて発光機能層の液体材料を第１電極に向けて吐出
することにより、当該第１電極の露出面に液体材料を着弾させて、発光機能層を形成する
ことができる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第２隔壁を形成する工程は、基板
上に第２隔壁材料を全面に形成した後に、前記第１電極に対応する部分に開口部を形成す
ることにより行われることを特徴としている。
ここでは、第２隔壁材料を湿式成膜法によって全面に形成した後に、開口部のパターン
に応じたマスクを配置し、当該マスクパターンに応じて開口部を形成している。
このようにすれば、第２隔壁材料に開口部を設けることによって、第１電極に対応する
部分に液滴受容部を形成することができる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第１電極を露出した後に前記第２
隔壁を形成することを特徴としている。
このようにすれば、第１電極が露出した状態で、第２隔壁材料の全面塗布、及び開口部
の形成が施される。これによって開口部の形成後に第１電極を確実に露出させることがで
きる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第２隔壁を形成した後に前記第１
電極を露出することを特徴としている。
このようにすれば、第２隔壁をマスクとして第１隔壁がパターニングされて、第１電極
が露出するので、第１電極を露出するためだけのマスクが不要となり、マスクを減らすこ
とができる。従って、製造工程の簡素化を達成できる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第１電極を露出した後に、第２隔
壁の開口面積を広げることを特徴としている。
このようにすれば、第２隔壁によって被覆されていた第１隔壁の表面が露出し、当該第
１隔壁の露出面積が大きくなる。従って、後の工程の液滴吐出法を用いて液滴受容部に発
光機能層の液体材料を塗布形成した場合に、液体材料と第１隔壁の接触面積が大きくなる
。即ち、親液性を有する第１隔壁に液体材料が好適に濡れ広がり、液体材料と第１電極と
の接触を確実に施すことができる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第１隔壁材料上に形成されたマス
クに応じて前記第１隔壁材料をパターニングして第１隔壁を形成し、当該第１隔壁をマス
クとして前記第１電極材料をパターニングして第１電極を形成することを特徴としている
。
このようにすれば、マスク形状に応じた第１隔壁を形成することができ、第１隔壁の平
面形状に応じた第１電極を形成することができる。これによって、第１隔壁と第１電極を
同一形状のマスクで形成することができる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記第１隔壁材料上に形成されたマス
クの形状に応じて前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を一括にパターニングして、前
記第１隔壁及び前記第１電極を形成することを特徴としている。
このようにすれば、同一のマスク形状に応じた第１隔壁及び第１電極を形成することが
できる。更に、一括パターニングによって第１隔壁及び第１電極を形成するので、工程数
の簡略化を達成できる。また、この方法では、第１隔壁をマスクにしないので、第１電極
材料をパターニングする際のウエットエッチング液やエッチングガスは、第１隔壁上面と
接触することがない。従って、第１隔壁上面に対するウエットエッチング液やエッチング
ガスの影響を防止できる。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、ドライエッチング法を用いて、前記第
１電極材料と前記第１隔壁材料のパターニングを行い、前記第１隔壁及び前記第１電極を
形成することを特徴としている。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜（有
機材料）が膨潤しないので、層間絶縁膜の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマＣＶＤ法で第１隔壁材料を形成した場合に、第１隔壁と層
間絶縁膜が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有していたが、本発明は
成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング（プラズマ処理）を行って
いるので、膜の剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがない。

また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜
と前記第１電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴としている。
このようにすれば、密着性付与膜が層間絶縁膜と第１電極を確実に密着させるので、有
機ＥＬ装置の強度向上を実現できる。

また、本発明の有機ＥＬ装置は、第１電極上に第１隔壁及び第２隔壁に囲まれた発光機
能層を備える有機ＥＬ装置であって、前記発光機能層の側部には第１隔壁及び第２隔壁が
設けられ、前記第１隔壁は、前記第１電極上のみに設けられていることを特徴としている
。
ここで、第１電極と第１隔壁は、層間絶縁膜上に第１電極材料と第１隔壁材料を順に成
膜した後に、同一形状のマスクで第１電極材料及び第１隔壁材料をパターニングすること
により形成される。このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。

また、本発明の有機ＥＬ装置用基板は、第１電極上に第１隔壁が形成された有機エレク
トロルミネッセンス装置用基板であって、前記第１電極は層間絶縁膜上に形成され、当該
第１電極上のみに前記第１隔壁が設けられていることを特徴としている。
ここで、第１電極と第１隔壁は、層間絶縁膜上に第１電極材料と第１隔壁材料を順に成
膜した後に、同一形状のマスクで第１電極材料及び第１隔壁材料をパターニングすること
により形成される。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。
また、更にこのような有機ＥＬ装置用基板に対して第２隔壁を形成し、第１隔壁及び第
２隔壁に囲まれた発光機能層を第１電極上に形成することで、先に記載の有機ＥＬ装置と
同様の効果が得られる。

また、本発明の電子機器は、先に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴としている。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ
、パソコンなどの情報処理装置等を例示することができる。また、大型の表示画面を有す
るテレビや、大型モニタ等を例示することができる。このように電子機器の表示部に、本
発明の有機ＥＬ装置を採用することによって、表示特性が良好な電子機器を提供すること
が可能となる。

次に、図１〜図５を参照し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、
有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電
子機器について説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本
発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を
異ならせてある。

（有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態）
図１を参照して、有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態について説明する。
ここで、図１（ａ）〜（ｅ）及び図２は有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程
図、図３は図１（ｃ）を詳細に説明するための図である。

まず、図１（ａ）に示すように、基板１０上に薄膜トランジスタ２０と、層間絶縁膜３
０と、コンタクトホール３１を形成する。
基板１０は、ガラス基板である。なお、材料としてガラスを限定するものではなく、例
えば、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等の材料を採用してもよい。
このような透明性或いは半透明性の材料を採用することにより、基板１０側から発光光を
取り出す所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。また、
後述するように、封止基板側から発光光を取り出す所謂ボトムエミッション型においては
、基板１０の材料として金属基板等の非透明性材料を採用してもよい。

薄膜トランジスタ２０は、下地絶縁膜２１と、半導体層２２と、ゲート絶縁膜２３と、
ゲート電極２４と、ソース電極２５Ｓと、ドレイン電極２５Ｄと、上絶縁膜２６とから構
成されている。
ここで、下地絶縁膜２１は、基板１０の表面に形成される絶縁膜であり、基板１０と半
導体層２２とを非接触に保つための層膜である。
また、半導体層２２は、ソース領域２２Ｓ、チャネル領域２２Ｃ、及びドレイン領域２
２Ｄからなり、ゲート電極２４の電界の作用によってソース領域２２Ｓとドレイン領域２
２Ｄ間のスイッチングを行う層膜である。
また、ゲート絶縁膜２３は、ゲート電極２４と半導体層２２との間に設けられた層膜で
あり、半導体層２２とゲート電極２４の電気的絶縁性を得るためのものである。
また、ゲート電極２４は、ゲート絶縁膜２３を介してチャネル領域２２Ｃに対向して配
置された層膜である。当該ゲート電極２４に流れる電流量によって薄膜トランジスタ２０
のスイッチング特性が所望に得られるようになっている。
ソース電極２５Ｓ及びドレイン電極２５Ｄは、上絶縁膜２６に形成されたコンタクトホ
ールを介してソース領域２２Ｓ及びドレイン領域２２Ｄに各々接続された電極である。
このような薄膜トランジスタ２０を構成する層膜及び電極は、公知の製造方法によって
製造される。例えば、各種成膜法、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法等が用いら
れる。また、半導体層２２におけるソース領域２２Ｓ、チャネル領域２２Ｃ、及びドレイ
ン領域２２Ｄを形成するには、イオンドーピング法等が採用される。

層間絶縁膜３０は、有機物や無機物のいずれかの材料を採用することで形成されている
。ここで、層間絶縁膜３０として有機物を採用する場合には、例えば、アクリル樹脂やポ
リイミド樹脂等が好適に採用される。このような材料の中でも、非感光性樹脂や感光性樹
脂が採用される。
また、このような有機物を成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成
膜法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このよ
うな湿式成膜法の中でもスピンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能
となる。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行う必要がある。

また、層間絶縁膜３０として無機物を採用する場合には、シリコン酸化物、シリコン窒
化物、シリコン酸窒化物等が採用される。
無機物を成膜する場合には、真空成膜法又は湿式成膜法が好適に採用される。真空成膜
法としてはＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等が採用される。また、湿式成膜法としては上
記同様のスピンコート法を採用し、無機材料としてペルヒドロポリシラザンを採用するこ
とが好ましい。ペルヒドロポリシラザンとは、−（ＳｉＨ₂ＮＨ）−を基本ユニットとす
る化合物の物質名である。また、当該ペルヒドロポリシラザンは、有機溶剤に可溶な無機
ポリマーであるので、有機溶剤と混合させることで液体材料として取り扱うことが可能と
なる。また、ペルヒドロポリシラザンは、不活性雰囲気中で高温焼成されることにより、
脱水素反応に伴う熱硬化収縮が生じ、シリコン窒化物のセラミクスへ転化する性質を有し
ている。また、大気中又は水蒸気含有雰囲気で焼成されることにより、水や酸素と反応し
、シリコン酸化物へ転化する性質を有している。

上記のような湿式成膜法は、真空成膜法と比べて厚膜化が容易であることから、層間絶
縁膜３０を形成する場合においては、湿式成膜法を採用することがより好ましい。また、
厚膜化を施すことによって、薄膜トランジスタ２０の凹凸形状が層間絶縁膜３０の表面に
転写されることが無く、当該層間絶縁膜３０の表面が平坦化されるので特に好適である。

更に、層間絶縁膜３０にコンタクトホール３１を形成する。
ここで、コンタクトホール３１の形成方法は、層間絶縁膜３０が非感光性樹脂や無機材
料からなる場合と、感光性樹脂からなる場合とで処理が異なる。
まず、層間絶縁膜３０が非感光性樹脂や無機材料からなる場合について説明する。
この場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によってパターニング
が施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜３０上に塗布形成した後に、熱
処理、露光処理、現像処理を施して開口部を形成し、そしてエッチング処理を施して当該
開口部に対応する非感光性樹脂や無機材料を除去することにより、コンタクトホール３１
が形成される。
これに対して、層間絶縁膜３０が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不
要となり、層間絶縁膜３０自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すこと
により、コンタクトホール３１が形成される。

次に、図１（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３０上に画素電極材料（第１電極材料）４
１と第１隔壁材料（第１隔壁材料）４２を形成する（層間絶縁膜上に第１電極材料と第１
隔壁材料を順に成膜する工程）。
ここで、画素電極材料４１と第１隔壁材料４２を形成する際は、画素電極材料４１のパ
ターニングを行わずに、画素電極材料４１と第１隔壁材料４２を連続して成膜する。
画素電極材料４１は、ＩＴＯ等の透明性金属が採用される。また、これ以外にも、例え
ば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／
アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、
本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。また、トップエミッション型である場合には
、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、例えばＩＴＯの下層側にＡｌ等を設
けて反射層として用いることもできる。
また、第１隔壁材料４２の材料としては、親液性を有する材料が採用され、本実施形態
では、シリコン酸化物を採用している。なお、ここでいう親液性とは、後に塗布される液
体材料に対して第２隔壁の材料（後述する）よりも相対的に親液性を有することを意味し
ている。
このような画素電極材料４１及び第１隔壁材料４２を成膜する方法としては、真空成膜
法が好適に採用される。

次に、図１（ｃ）に示すように、画素電極材料４１と第１隔壁材料４２をパターニング
し、画素電極（第１電極）４１ａと第１隔壁４２ａを形成する（第１電極材料及び第１隔
壁材料を同一形状のマスクでパターニングして第１電極と第１隔壁を形成する工程）。
ここで、図３を参照し、画素電極材料４１と第１隔壁材料４２のパターニングについて
詳述する。図３は、図１（ｃ）における層間絶縁膜３０、画素電極材料４１、及び第１隔
壁材料４２の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極４１ａ及び第１隔壁４
２ａを形成するまでの工程図である。なお、図３においては、コンタクトホール３１が不
図示となっているが、コンタクトホール３１は不図示部分において形成されており、当該
コンタクトホール３１を介して画素電極材料４１とドレイン電極２５Ｄが接続されている
ものとする。

図３（ａ）に示すように、まず、マスク（同一形状のマスク）ＰＲを形成する。当該マ
スクＰＲはスピンコート法によって塗布形成されたフォトレジスト膜に対して、熱処理、
露光処理、及び現像処理を施すことによって形成される。

次に、図３（ｂ）に示すように、マスクＰＲを残留させながら画素電極材料４１及び第
１隔壁材料４２にエッチング処理を施し、画素電極４１ａ及び第１隔壁４２ａを形成する
。
ここで、エッチング処理としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法が用い
られる。ウエットエッチング法においては、第１隔壁材料４２のシリコン酸化物を除去す
るエッチング液として弗酸（ＨＦ）を主体とするものが好適に採用される。また、画素電
極材料４１のＩＴＯを除去するエッチング液として王水が好適に採用される。
このようなウエットエッチング法においては、ＨＦのエッチング液に浸漬して第１隔壁
材料４２をパターニングした後に、層間絶縁膜３０上及び画素電極材料４１上を洗浄し、
その後、王水に浸漬して画素電極４１ａをパターニングしている。

また、ドライエッチング法においては、フッ素系ガスのプラズマに第１隔壁材料４２を
曝すことによって第１隔壁材料４２を除去する。
また、画素電極材料４１のＩＴＯを除去するドライエッチング法においては、ＨＢｒ、
ＨＩ等のハロゲン化物のガスが用いられる。
このようなドライエッチング法においては、同一チャンバ内において、エッチングガス
を変えながら処理できるので、第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａを一括して形成するこ
とが可能となる。また、図３（ｂ）に示す第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａの側部の形
状は、えぐれＥが生じた形状となっているが、ドライエッチング法の中でも異方性エッチ
ング法（ＲＩＥ）を用いることで、側部の形状を好適に制御することが可能となっている
。
なお、図３（ｂ）においては、マスクＰＲを残留させることが重要であるので、マスク
ＰＲを除去してしまうようなガス、例えば酸素ガスのプラズマを用いずにドライエッチン
グ法を行うことが好ましい。

次に、図３（ｃ）に示すようにマスクＰＲを除去することで画素電極４１ａ及び第１隔
壁４２ａのパターニングが終了となる。

次に、図１に戻り、有機ＥＬ装置の製造方法について引き続き説明する。
図１（ｄ）に示すように、第１隔壁４２ａの一部を除去して画素電極４１ａを露出し、
電極露出部４１ｂを形成する（第１隔壁の一部を除去して第１電極を露出する工程）。
ここでは、不図示のマスクを第１隔壁４２ａ上に形成し、当該マスクのパターンに応じ
て第１隔壁４２ａをエッチングすることで電極露出部４１ｂを形成している。第１隔壁４
２ａのエッチング方法としては、上記のようにウエットエッチング、ドライエッチングが
好適に採用される。また、このようなエッチング方法によって、第１隔壁４２ａには隔壁
側部４２ｂが形成される。当該隔壁側部４２ｂは、電極露出部４１ｂの表面よりも所定角
度で傾斜していることが好ましい。

このような図１（ａ）〜（ｄ）に記載した製造方法によって有機ＥＬ装置用基板２が完
成する。引き続き、図１（ｅ）及び図２を参照し、第２隔壁や発光機能層を順次形成して
有機ＥＬ装置を形成する方法について説明する。

図１（ｅ）に示すように、有機ＥＬ装置用基板２において、層間絶縁膜３０及び第１隔
壁４２ａ上を被覆するように第２隔壁４５を形成する（層間絶縁膜上及び第１隔壁材料上
に第２隔壁を形成する工程）。また、当該第２隔壁４５は、電極露出部４１ｂが形成され
た状態で形成される（第１電極を露出した後に第２隔壁を形成する工程）。

ここで、第２隔壁４５の形成方法は、第２隔壁４５の材料を全面に形成した後に、画素
電極４１ａに対応する開口部４５ａを形成することによって行われる。
このような第２隔壁４５の材料としては、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機物が
好適であり、また、非感光性樹脂や感光性樹脂が採用される。また、このような有機物を
成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成膜法としては、スピンコート
法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このような湿式成膜法の中でもスピ
ンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能となる。また、成膜後には、
熱処理等を施して樹脂の硬化を行う。
更に、第２隔壁４５の材料と層間絶縁膜３０の材料を同一にすることが好ましい。もし
くは、同じ有機材料で形成することが好ましい。このようにすれば、材料間の密着力が向
上するとともに、熱膨張係数も略同一となるので、熱応力や機械的応力に対して安定な構
造となる。

また、開口部４５ａの形成方法は、第２隔壁４５が非感光性樹脂からなる場合と、感光
性樹脂からなる場合とで処理が異なる。
まず、非感光性樹脂の場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によ
ってパターニングが施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜３０上に塗布
形成した後に、熱処理、露光処理、現像処理を施してマスク開口部を形成し、そしてエッ
チング処理を施して当該マスク開口部に対応する非感光性樹脂を除去することにより、開
口部４５ａが形成される。
これに対して、第２隔壁４５が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不要
となり、第２隔壁４５自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すことによ
り、開口部４５ａが形成される。

また、このような開口部４５ａを形成するにあたり、第１隔壁４２ａにおける隔壁側部
４２ｂと、第１隔壁上部４２ｃを露出させることが好ましい。このようにすることにより
、後の工程でインクジェット法（液滴吐出法）を用いた場合に、第１隔壁４２ａ近傍に液
滴を好適に濡れ広がらせることが可能となる。

また、開口部４５ａを形成することで、画素電極４１ａ上に第１隔壁４２ａと第２隔壁
４５によって囲まれた液滴受容部４６が形成される。更に、液滴受容部４６に対し、Ｏ₂
プラズマ処理やＣＦ₄プラズマ処理等を施し、画素電極４１ａを親液化、第２隔壁４５を
撥液化する。これによりインクジェット法によって吐出された液体材料を液滴受容部４６
内に留めると共に、液体材料が液滴受容部４６内に好適に濡れ広がらせることが可能とな
る。

次に、図２に示すように、発光機能層４７及び陰極５３を形成し、基板１０と封止基板
５６を封止樹脂（不図示）を介して貼り合わせることにより、有機ＥＬ装置１が完成とな
る。ここで、基板１０及び封止基板５６の間には、封止基板５６の内面に水分や酸素を吸
収するゲッター剤５５が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素
ガス充填層５４となっている。このような構成のもとに、有機ＥＬ装置１内部に水分や酸
素が浸透するのが抑制され、これにより有機ＥＬ装置１はその長寿命化が図られたものと
なっている。このような有機ＥＬ装置１は、発光光を基板１０側から取り出す所謂ボトム
エミッション型の有機ＥＬ装置となる。更に、封止樹脂の材料としては、第２隔壁４５の
材料や層間絶縁膜３０の材料と同一の材料を採用することが好ましい。もしくは、同じ有
機材料で形成することが好ましい。このようにすれば、材料間の密着力が向上するととも
に、熱膨張係数も略同一となるので、熱応力や機械的応力に対して安定な構造となる。

次に、発光機能層４７の各構成、及び陰極５３について説明する。
発光機能層４７は、画素電極４１ａ側から陰極５３に向けて、正孔注入層５０と、発光
層５１と、電子注入層５２が積層された構成とっている。

正孔注入層５０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポ
リスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、即ち、分散媒としてのポリス
チレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれ
を水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔注入層５０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のも
のが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチ
レンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散
させたものなどが使用可能である。

発光層５１を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な
公知の発光材料が用いられる。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の発光層５１
を複数の画素電極４１ａ毎に設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置となる
。
発光層５１の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ
）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラ
フェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導
体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる
。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素な
どの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープ
して用いることもできる。
また、赤色の発光層５１の形成材料としては例えばＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ
６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を、緑色の発光層５１の形成材料
としては例えばポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチ
アジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を、青色の発光層５１の形成材料としては例え
ばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。また、このような発光層５１について
は、特にその厚さについては制限がなく、各色毎に好ましい膜厚が調整されている。

電子注入層５２は、発光層５１の上に形成されたものである。当該電子注入層５２の材
料は、発光層５１の各種材料に応じて適宜選択される。具体的な材料としては、アルカリ
金属のフッ化物として、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）、ＫＦ
（フッ化カリウム）、ＲｂＦ（フッ化ルビジウム）、ＣｓＦ（フッ化セシウム）などや、
あるいはアルカリ金属の酸化物、即ちＬｉ₂Ｏ（酸化リチウム）、Ｎａ₂Ｏ（酸化ナトリウ
ム）などが好適に用いられる。また、この電子注入層５２の厚さとしては、０．５ｎｍ〜
１０ｎｍ程度とするのが好ましい。

陰極５３は、電子注入層５２の総面積より広い面積を備え、それを覆うように形成され
たもので、電子注入層５２上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極と、該第１
陰極上に設けられて該第１陰極を保護する第２陰極とからなるものである。第１陰極を形
成する低仕事関数の金属としては、特に仕事関数が３．０ｅＶ以下の金属であるのが好ま
しく、具体的にはＣａ（仕事関数；２．６ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数；２．１ｅＶ）、Ｂａ
（仕事関数；２．５ｅＶ）が好適に用いられる。第２陰極は、第１陰極を覆って酸素や水
分などからこれを保護するとともに、陰極５３全体の導電性を高めるために設けられたも
のである。この第２陰極の形成材料としては、化学的に安定で比較的仕事関数が低いもの
であれば特に限定されることなく、任意のもの、例えば金属や合金などが使用可能であり
、具体的にはＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などが好適に用いられる。

なお、上記構成の有機ＥＬ装置１は、ボトムエミッション型の構造を有しているが、こ
れを限定するものではない。当該有機ＥＬ装置１は、封止基板３０側から発光光を取り出
す所謂トップエミッション型においても適用可能である。
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、基板１０の対向側である封止基板３
０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いるこ
とができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチー
ル等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂などが挙げられる。

上述したように、本実施形態においては、層間絶縁膜３０上に画素電極材料４１と第１
隔壁材料４２を順に成膜する工程と、画素電極材料４１及び第１隔壁材料４２をマスクＰ
Ｒでパターニングして、画素電極４１ａと第１隔壁４２ａを形成する工程と、層間絶縁膜
３０上及び第１隔壁４２ａ上に第２隔壁４５を形成する工程とを具備するので、画素電極
４１ａをパターニングするためのレジストマスクと画素電極材料４１とが非接触状態に保
たれる。従って、当該レジストマスクの残留物による画素電極４１ａへの汚染を防止する
ことができる。従って、清浄な表面状態を有する画素電極４１ａ上に正孔注入層５０や発
光層５１等の発光機能層４７を形成できるので、発光機能層４７の信頼性が向上し、良好
な有機ＥＬ装置１を提供することができる。

また、層間絶縁膜３０は有機材料からなることが好ましく、この場合には湿式成膜法に
よって層間絶縁膜３０を形成することができるので、真空成膜法と比較して、簡素な設備
をによって低製造コストで成膜することができる。また、真空成膜法では厚膜化が難しい
が、湿式成膜法によれば厚膜化を容易に達成できる。

また、第１隔壁材料４２を成膜する前に、層間絶縁膜３０上に画素電極材料４１が形成
されているので、層間絶縁膜３０が画素電極材料４１によって保護される。従って、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて第１隔壁材料４２を成膜しても、層間絶縁膜３０自体がプラズマに
曝されることがないので、当該層間絶縁膜３０へのプラズマダメージを防止でき、安定し
て第１隔壁材料４２を形成することができる。
また、第１隔壁４２ａが画素電極４１ａ上のみに形成されることにより、有機材料と接
する画素電極４１ａ及び第１隔壁４２ａの合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従っ
て、製造プロセス中もしくは完成体の状態にて層間絶縁膜３０に応力が発生した場合に、
応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。

また、層間絶縁膜３０と第１隔壁４２ａが非接触に保たれるので、従来技術で問題とな
っていた層間絶縁膜３０と第１隔壁４２ａの接合面における剥離が生じることがない。
また、第２隔壁４５の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜３０と第
２隔壁４５を共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜３０と第２隔壁４５
の密着性の向上を実現できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が
接触して構成されているので、有機ＥＬ装置１の強度向上も実現できる。

また、第１隔壁材料４２をプラズマＣＶＤ等の方法を用いて形成しても、当該プロセス
を行う際には層間絶縁膜３０が露出していないので、当該層間絶縁膜３０の有機材料がプ
ラズマダメージによってエッチングされることが無く、有機材料のエッチングに伴う製造
装置の汚染を防止できる。
また、従来技術においては、第１隔壁材料４２が層間絶縁膜３０及び画素電極材料４１
からなる複数の層膜上に形成されていたため、当該第１隔壁材料４２のエッチング制御性
が困難であったが、本実施形態では第１隔壁４２ａは画素電極材料４１上のみに形成され
るため、良好なエッチング制御性が得られ、面内での第１隔壁４２ａのエッチングレート
不均一化を抑制できる。

また、層間絶縁膜３０上に画素電極材料４１と第１隔壁材料４２を順に成膜してマスク
ＰＲでパターニングするので、画素電極材料４１及び第１隔壁材料４２の各々の材料をパ
ターニングする必要がなく、工程の簡素化を達成できる。

そして、このような製造方法においては、画素電極４１ａ上に第１隔壁４２ａ及び第２
隔壁４５からなる液滴受容部４６が形成される。そして、インクジェット法を用いること
により、発光機能層４７の液体材料を液滴化して液滴受容部４６に吐出し、液滴受容部４
６内に発光機能層４７を形成することができる。

また、第１隔壁４２ａの一部を除去して画素電極４１ａを露出する工程を有するので、
液滴吐出法を用いて発光機能層４７の液体材料を画素電極４１ａに向けて吐出することに
より、電極露出部４１ｂに液体材料を着弾させて、発光機能層４７を形成することができ
る。

また、第２隔壁４５を形成する工程は、基板１０上に第２隔壁４５の材料を全面に形成
した後に、画素電極４１ａに対応する部分に開口部４５ａを形成しているので、画素電極
４１ａに対応する部分に液滴受容部４６を形成することができる。

また、電極露出部４１ｂを形成した後に第２隔壁４５を形成するので、電極露出部４１
ｂ上に第２隔壁４５の材料の全面塗布、及び開口部４５ａの形成が施される。これによっ
て、開口部４５ａを形成した後に電極露出部４１ｂを確実に露出させることができる。

また、第１隔壁材料４２上に形成されたマスクＰＲの形状に応じて画素電極材料４１及
び第１隔壁材料４２を一括にパターニングして、第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａを形
成しているので、マスクＰＲの形状に応じた第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａを形成す
ることができる。更に、一括パターニングによって第１隔壁４２ａ画素電極４１ａを形成
するので、工程数の簡略化を達成できる。また、この方法では、第１隔壁４２ａをマスク
にしないので、画素電極材料４１をパターニングする際のウエットエッチング液やエッチ
ングガスは、第１隔壁４２ａ上面と接触することがない。従って、第１隔壁４２ａ上面に
対するウエットエッチング液やエッチングガスの影響を防止できる。

また、有機ＥＬ装置１の製造方法においては、ドライエッチング法を用いて、画素電極
材料４１と第１隔壁材料４２のパターニングを行い、第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａ
を形成することを特徴としている。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜３０
が膨潤しないので、層間絶縁膜３０の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマＣＶＤ法で第１隔壁材料４２を形成した場合に、第１隔壁
４２ａと層間絶縁膜３０が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有してい
たが、本実施形態は成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング（プラ
ズマ処理）を行っているので、上記の膜剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがな
い。

また、上記の製造方法によって有機ＥＬ装置１を製造することができる。また、有機Ｅ
Ｌ装置用基板２も製造することができる。これらは、上記の製造方法と同様の効果を奏す
る。

（有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態）
次に、図４及び図５を参照して、有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態について説明
する。
ここで、図４（ａ）〜（ｄ）は有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図、図５
は図４（ａ）を詳細に説明するための図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の第１実施形態と異なる部分について説明する
。従って同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。

まず、図４（ａ）に示すように、基板１０上に薄膜トランジスタ２０と、層間絶縁膜３
０を形成した後に、画素電極材料４１及び第１隔壁材料４２を連続して成膜する。更に、
画素電極材料４１及び第１隔壁材料４２をパターニングすることによって、画素電極４１
ａと第１隔壁４２ａを形成する。
ここで、図５を参照し、画素電極材料４１と第１隔壁材料４２のパターニングについて
詳述する。図５は、図４（ａ）における層間絶縁膜３０、画素電極材料４１、及び第１隔
壁材料４２の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極４１ａ及び第１隔壁４
２ａを形成するまでの工程図である。なお、図５においては、コンタクトホール３１が不
図示となっているが、コンタクトホール３１は不図示部分において形成されており、当該
コンタクトホール３１を介して画素電極材料４１とドレイン電極２５Ｄが接続されている
ものとする。

まず、図５（ａ）に示すように、第１隔壁材料４２上にマスクＰＲを形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、マスクＲＲの形状に応じて第１隔壁材料４２をエッチ
ングし、第１隔壁４２ａを形成する。
次に、図５（ｃ）に示すように、マスクＲＲを除去し、画素電極材料４１上に第１隔壁
４２ａのみを残留させた状態にする。
次に、図５（ｄ）に示すように、第１隔壁４２ａをマスク（同一形状のマスク）として
、第１隔壁４２ａの形状に応じて画素電極材料４１をエッチングし、画素電極４１ａを形
成する。
このようにすることで、第１実施形態と同様に画素電極４１ａ及び第１隔壁４２ａを形
成することができる。

次に、図４に戻り、有機ＥＬ装置の製造方法について引き続き説明する。
図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３０及び第１隔壁材料４２上を被覆するように第
２隔壁４５を形成する（層間絶縁膜上及び第１隔壁材料上に第２隔壁を形成する工程）。
なお、当該第２隔壁４５は、画素電極４１ａが非露出状態で形成される。

次に、図４（ｃ）に示すように、第１隔壁４２ａの一部を除去して画素電極４１ａを露
出し、電極露出部４１ｂを形成する（第１隔壁の一部を除去して第１電極を露出する工程
）。
ここでは、第２隔壁４５の開口部４５ａがマスクとして機能し、当該マスクのパターン
に応じて第１隔壁材料４２をエッチングし、電極露出部４１ｂを形成している（第２隔壁
を形成した後に第１電極を露出する工程）。
このような工程によって、電極露出部４１ｂが形成されるだけでなく、隔壁側部４２ｂ
が露出する。従って、液滴受容部４６が形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、第２隔壁４５を後退させて、開口部４５ａの開口面積
４５ｂを広げる（第１電極を露出した後に、第２隔壁の開口面積を広げる工程）。
ここで、第２隔壁を後退させるには、公知のエッチング処理が行われる。例えば、エッ
チング液への浸漬や、酸素プラズマ処理が好適である。
このように第２隔壁４５を後退させると、第１隔壁上部４２ｃが露出するので、液滴受
容層４６内に吐出する液滴を好適に濡れ広がらせることが可能となる。

上述したように、本実施形態においては、第２隔壁４５をマスクとして、開口部４５ａ
に相当する位置において第１隔壁４２ａがパターニングされるので、画素電極４１ａが露
出する。これによって画素電極４１ａを露出するためだけのマスク、例えば、レジストマ
スクが不要となり、マスクを減らすことができる。従って、製造工程の簡素化を達成でき
る。

また、電極露出部４１ｂを形成した後に、第２隔壁の開口面積４５ｂを広げるので、第
２隔壁４５によって被覆されていた第１隔壁上部４２ｃが露出し、当該第１隔壁４２ａの
露出面積が大きくなる。従って、液滴吐出法を用いて液滴受容部４６に発光機能層の液体
材料を塗布形成した場合に、液体材料と第１隔壁４２ａの接触面積が大きくなる。即ち、
親液性を有する第１隔壁４２ａに液体材料が好適に濡れ広がり、液体材料と第１電極４２
ａとの接触を確実に施すことができる。また、第１隔壁４２ａと第２隔壁４５とをパター
ニングする際、レジストマスクを露光するための露光マスクがそれぞれ必要になる。従来
の場合、第１隔壁４２ａのための露光パターンと第２隔壁４５のための露光パターンとを
合わせることにより、第１隔壁上部４２ｃを制御する必要があった。本発明では、レジス
トマスクを用いないため、自己整合的に第１隔壁上部４２ｃを制御することができる。し
たがって、親液性を有する第１隔壁４２ａ及び画素電極４１ａに液体材料が好適に濡れ広
がり、液体材料と第１電極４２ａとの接触を確実に施すことができる。

また、第１隔壁材料４２上に形成されたマスクＰＲに応じて第１隔壁材料４２をパター
ニングして第１隔壁４２ａを形成し、当該第１隔壁４２ａをマスクとして画素電極材料４
１をパターニングして画素電極４１ａを形成するので、マスクＰＲの形状に応じた第１隔
壁４２ａを形成することができ、第１隔壁４２ａの形状に応じた画素電極４１ａを形成す
ることができる。これによって、第１隔壁４２ａと画素電極４１ａを同一形状のマスクで
形成することができる。

なお、上記の第１実施形態及び第２実施形態においては、層間絶縁膜３０上に画素電極
４１ａを形成したが、当該層間絶縁膜３０上に、層間絶縁膜３０及び画素電極４１ａの密
着性を向上させる密着性付与膜を形成してもよい。当該密着性付与膜としては、ＴｉやＭ
ｏ等の金属膜が好適に採用される。このようにすれば、密着性付与膜が層間絶縁膜３０と
画素電極４１ａを確実に密着させるので、有機ＥＬ装置１や有機ＥＬ装置用基板２の強度
向上を実現できる。

（電子機器）
次に、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号
５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図１０（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードな
どの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示
している。
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）におい
て、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は有機ＥＬ装置を備えたＥＬ表示部を示し
ている。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機ＥＬ装置が備えら
れたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。

なお、電子機器としては、上記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用す
ることができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメ
ディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーショ
ン（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直
視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。

本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 本発明の第２実施形態に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 本発明の第２実施形態に示す有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。 従来の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。

符号の説明

１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、２…有機ＥＬ装置用基板（
有機エレクトロルミネッセンス装置用基板）、１０…基板、３０…層間絶縁膜、４１…画
素電極材料（第１電極材料）、４１ａ…画素電極（第１電極）、４２…第１隔壁材料（第
１隔壁材料）、４２ａ…第１隔壁（同一形状のマスク）、４５…第２隔壁、４５ａ…開口
部、４５ｂ…開口面積、４７…発光機能層、５０…正孔注入層（発光機能層）、５１…発
光層（発光機能層）、５２…電子注入層（発光機能層）、ＰＲ…マスク（同一形状のマス
ク）。

Claims (8)

1. 画素毎に設けられた第１電極と、
   前記第１電極に直接接して設けられ、１層からなる第１隔壁と、
   前記第１隔壁に直接接して設けられ、１層からなる第２隔壁と、
   前記第１隔壁及び前記第２隔壁に囲まれた発光機能層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   有機材料からなる層間絶縁膜上に、第１電極材料と第１隔壁材料を順に成膜する工程と、
   前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を同一形状のマスクで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第１電極を形成するとともに、前記第１隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、
   前記第１隔壁材料の一部を除去して前記第１電極を露出する工程と、
   前記第１隔壁材料の一部を除去して前記第１電極を露出した後に、前記層間絶縁膜上及び前記第１隔壁材料上に前記第２隔壁を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
2. 前記第１隔壁材料上に形成されたマスクに応じて前記第１隔壁材料を画素毎パターニングし、当該第１隔壁材料をマスクとして前記第１電極材料をパターニングして前記第１電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
3. 前記第１隔壁材料上に形成されたマスクの形状に応じて前記第１電極材料及び前記第１隔壁材料を一括にパターニングして、所定形状の前記第１電極を形成するとともに、前記第１隔壁材料を画素毎にパターニングすることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. ドライエッチング法を用いて、前記第１電極材料と前記第１隔壁材料のパターニングを行い、前記第１隔壁及び前記第１電極を形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜と前記第１電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記第１隔壁材料を成膜する際に、前記層間絶縁膜は前記第１電極材料により保護されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 前記第１隔壁は、側部及び上部を有し、
   前記第２隔壁は、前記第１隔壁の前記上部の一部が露出するようにフォトリソグラフィ法で形成されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記第１隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。

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