JP2005268202A - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005268202A JP2005268202A JP2004352326A JP2004352326A JP2005268202A JP 2005268202 A JP2005268202 A JP 2005268202A JP 2004352326 A JP2004352326 A JP 2004352326A JP 2004352326 A JP2004352326 A JP 2004352326A JP 2005268202 A JP2005268202 A JP 2005268202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- film
- layer
- insulating layer
- liquid repellent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 105
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 150
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 69
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 59
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 30
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical group 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B67—OPENING, CLOSING OR CLEANING BOTTLES, JARS OR SIMILAR CONTAINERS; LIQUID HANDLING
- B67D—DISPENSING, DELIVERING OR TRANSFERRING LIQUIDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B67D3/00—Apparatus or devices for controlling flow of liquids under gravity from storage containers for dispensing purposes
- B67D3/0058—Details
- B67D3/0061—Details of liquid containers, e.g. filling, emptying, closing or opening means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B67—OPENING, CLOSING OR CLEANING BOTTLES, JARS OR SIMILAR CONTAINERS; LIQUID HANDLING
- B67D—DISPENSING, DELIVERING OR TRANSFERRING LIQUIDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B67D3/00—Apparatus or devices for controlling flow of liquids under gravity from storage containers for dispensing purposes
- B67D3/0029—Apparatus or devices for controlling flow of liquids under gravity from storage containers for dispensing purposes provided with holders for bottles or similar containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B67—OPENING, CLOSING OR CLEANING BOTTLES, JARS OR SIMILAR CONTAINERS; LIQUID HANDLING
- B67D—DISPENSING, DELIVERING OR TRANSFERRING LIQUIDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B67D2210/00—Indexing scheme relating to aspects and details of apparatus or devices for dispensing beverages on draught or for controlling flow of liquids under gravity from storage containers for dispensing purposes
- B67D2210/00028—Constructional details
- B67D2210/00141—Other parts
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
- F16K31/44—Mechanical actuating means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板20上に形成された走査線101及び信号線102と、当該走査線及び当該信号線の交差部の近傍に形成されたスイッチング素子112と、当該スイッチング素子の動作に応じて発光する発光機能層22と、当該発光機能層の相互間に形成された第1及び第2絶縁層24、25と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置1であって、第2絶縁層は、発光機能層と非接触の位置に形成されていると共に、走査線、信号線、及びスイッチング素子に対応した位置に少なくとも形成されており、第1及び第2絶縁層には、当該第1及び第2絶縁層を被覆する撥液性薄膜26が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
このようなインクジェット法においては、直径がμmオーダーの液滴を高解像度で吐出、塗布することができるため、高精細パターニングが可能である。また、所定パターンのみに液体材料を吐出するので、材料の無駄が生じず、低コストで有機EL装置を製造できるという利点を有する。
図11(a)は、有機EL装置の要部断面図である。図11(a)において、符号300は画素電極、符号301は酸化シリコン層(親液部)、符号302は樹脂絶縁層(撥液部)、符号303は正孔注入層、符号304は発光層、符号305は陰極を各々示している。ここで、正孔注入層303及び発光層304は、インクジェット法を用いて液体材料の塗布によって形成されるので樹脂絶縁層302との接触面を有し、更に、液体材料中の溶媒を乾燥させることによって形成されるので、中央部xcが薄膜化し、端部x1、x2において厚膜化した膜厚プロファイル(断面形状)となる。
このような輝度の不均一化は、発光寿命が低下するだけでなく、所望の発光色を表示できないという問題があった。
本発明の有機EL装置は、基板上に形成された走査線及び信号線と、当該走査線及び当該信号線の交差部の近傍に形成されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子の動作に応じて発光する発光機能層と、当該発光機能層の相互間に形成された第1及び第2絶縁層と、を備えた有機EL装置であって、前記第2絶縁層は、前記発光機能層と非接触の位置に形成されていると共に、少なくとも前記走査線、前記信号線、及び前記スイッチング素子に対応した位置に形成されており、前記第1及び第2絶縁層には、当該第1及び第2絶縁層を被覆する撥液性薄膜が形成されていることを特徴としている。
ここで、スイッチング素子とは、走査線及び信号線の各々の電位に応じて動作するものであり、主として発光機能層の発光/非発光状態、中間諧調の発光状態を制御するものである。また、スイッチング素子は、このようなスイッチ動作を行う以外にも、走査線及び信号線に付与される信号を処理する信号処理回路や補償回路の素子としても機能するものである。
また、発光機能層は、液滴吐出法によって電極上に塗布形成される正孔注入層や発光層等を意味する。
そこで、本発明は、信号線、走査線、及びスイッチング素子に対応した位置に第2絶縁層を形成することにより、これらの配線及び素子の寄生容量を低減し、これらを伝わる電気信号の遅れや歪を低減するものであり、これによって寄生容量の影響を抑制して表示品位が優れた有機EL装置を実現するものである。
ここで、駆動素子とは、スイッチング素子の後段側の回路を構成する素子であり、例えば、電源線、電源線に接続された駆動用トランジスタ、スイッチング素子と駆動用トランジスタとの間の配線、駆動用トランジスタの動作を保持する保持容量、電源線と駆動用トランジスタとの間の配線等を意味するものである。このような駆動素子は、いずれもスイッチング素子の動作によって従動的に動作するものである。
このようにすれば、単分子から2分子程度の分子層からなる撥液性薄膜を形成することができる。また、これによって湿式成膜法によって単分子膜を形成することができる。
このような単分子膜の中でも、カップリング剤を採用することが好ましい。カップリング剤は、紫外線を照射することによって分解される性質を有するので、全面形成された撥液性薄膜に向けて紫外線を局所的に照射することによって所定パターンの撥液性薄膜を形成することができる。
このようにすれば、樹脂材料からなる撥液性薄膜を形成することができる。また、これによって湿式成膜法によって樹脂膜を形成することができる。このような樹脂材料の中でも、非感光性樹脂材料や感光性樹脂材料が適宜採用される。非感光性樹脂材料を用いれば、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いることによって所定パターンの撥液性薄膜を形成することができる。また、感光性樹脂材料を用いれば、現像処理によって所定パターンの撥液性薄膜を形成することができる。
また、樹脂材料自体に撥液性がない場合には、撥液処理を施すことによって撥液性を付与することが可能となり、撥液性薄膜を形成することができる。
このようにすれば、発光機能層の液体材料に含まれる溶媒が乾燥した後に、撥液性薄膜への材料の這い上がりを確実に防止することができる。更に、膜厚が1.5倍以下であるので、発光機能層をより好適に平坦化することができる。
このようにすれば、撥液性薄膜の上面においては液体材料が這い上がることがないので、発光機能層の液体材料と第2絶縁層が接触することがない。従って、第2絶縁層の側部と発光機能層とを確実に非接触状態に保つことができる。
このようにすれば、開口部において発光機能層と電極が接触するので、電極から発光機能層に向けて好適にキャリアを注入することができる。また、第1絶縁層は材料自体に親液性を有していることが好ましく、この場合には電極上に発光機能層の液体材料を好適に濡れ広がらせることができる。
このようにすれば、電極上を除いた部分に単分子膜からなる撥液性薄膜を形成することができる。また、電極が露出することにより、液体材料を電極上に塗布した場合に電極上のみに液体材料を濡れ広がらせることが可能となり、液体材料に含まれる発光機能層を形成することができる。
このようにすれば、紫外線が照射された部分の単分子膜が分解して除去される。そして、マスクを越して紫外線を照射するので、マスクの光透過部を通過する紫外線によって単分子膜を除去することができる。また、マスクの光遮蔽部に遮られた部分に対応する位置の単分子膜を残留させることができる。即ち、マスクに形成された光遮蔽部及び光透過部のパターンに応じて単分子膜を除去することができる。
このようにすれば、基板自体がマスクとして機能するので、マスクレスの紫外線照射を行うことができる。ここで、基板上の光遮蔽部は、走査線、信号線、スイッチング素子、駆動素子、第1及び第2絶縁層に対応していることが好ましく、基板上の光透過部は、透明電極に対応していることが好ましい。
このようにすれば、樹脂材料からなる撥液性薄膜を形成することができる。また、電極が露出するので、液体材料を電極上に塗布した場合に当該電極上のみに液体材料を濡れ広がらせることが可能となる。従って、電極上のみに発光機能層を形成することができる。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置等を例示することができる。また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の有機EL装置を採用することによって、表示特性が良好な電子機器を提供することが可能となる。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
まず、本発明の有機EL装置の一実施形態を説明する。図1は、本実施形態の有機EL装置の配線構造を示す模式図であり、図1において符号1は有機EL装置である。
図2に示すように本実施形態の有機EL装置1は、光透過性と電気絶縁性とを備える基板20と、スイッチング用TFT112に接続された画素電極23が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素領域X(図1参照)と、画素領域Xの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線103…と、少なくとも画素領域X上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図2中一点鎖線枠内)とを備えて構成されている。なお、本実施形態において画素部3は、中央部分の実表示領域4(図中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とに区画されている。
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。この走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下層側に位置して設けられている。
図3に示すように、画素領域Xは、基板20上に設けられたTFT112,123、画素電極23、及び保持容量113を主体として構成されている。上記構成部材のうち、スイッチング用TFT112と、駆動用TFT123と、保持容量113とが、当該画素領域Xにおける回路部を構成している。
図4(a)に示すように、有機EL装置1は、基板20と封止基板30が不図示の封止樹脂を介して貼り合わされてなるものである。基板20、封止基板30および封止樹脂で囲まれた領域においては、封止基板30の内面に水分や酸素を吸収するゲッター剤45が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素ガス充填層46となっている。このような構成のもとに、有機EL装置1内部に水分や酸素が浸透するのが抑制され、これにより有機EL装置1はその長寿命化が図られたものとなっている。
また、所謂ボトムエミッション型の有機EL装置の場合には、基板20側から発光光を取り出す構成であるので、基板20としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、基板20側から発光光を取り出すボトムエミッション型とし、よって基板20としては透明あるいは半透明のものを用いるようにする。
このような撥液膜26は、パーフロロアルキルトリメトキシシランを材料とする単分子膜である。そして、その膜厚は単分子〜2分子程度であることが好ましい。なお、本実施形態では、シランカップリング剤を採用しているが、カップリング剤はシラン系を含めて、チタン系、シラン系等の金属のアルキレートで、撥液性の基、例えばアルキル基、アリル基、或いはこれらに芳香族が置換しているフッ化物が好ましい。
なお、本実施形態における撥液膜26の「撥液性」とは、少なくとも酸化シリコン層24を構成する材料(本実施形態ではSiO2)等の材料と比べて撥液性が高いことを意味するものとする。
なお、正孔注入層70の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
また、これら各発光層60については、特にその厚さについては制限がなく、また各色毎に好ましい厚さも変わるものの、例えば青色発光層60の厚さとしては、60〜70nm程度とするのが好ましい。
トップエミッション型の有機EL装置の場合には、基板20の対向側である封止基板30側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
図4(c)に示すように、撥液膜26の開口部26aと、樹脂絶縁層25の側部25aとの間の距離Bは約10μm程度となっている。また、具体的な距離Bの設定値は、正孔注入層70及び発光層60をインクジェット法(液滴吐出法)によって形成する際の液体材料に含まれる溶質の割合によって適宜決定される。例えば、溶質が0.5〜1.0%である場合には、距離Bを10μmに設定することが好ましく、溶質が1.0〜2.0%である場合には、距離Bを8μmに設定することが好ましく、また、溶質が0.5%未満である場合には、距離Bを10μm以上に設定することが好ましい。このように、距離Bを好適に設定することで、インクジェット法によって吐出された液滴が樹脂絶縁層25の側部25aに接触し難くなり、正孔注入層70及び発光層60を所望のプロファイルで形成することが可能となる。
また、正孔注入層70及び発光層60の総厚tは100nmとなっており、また、幅Dは、50μmとなっている。
また、信号線102の側方には、電源線103が形成され、更に当該電源線103に対向して容量電極104が形成されている。当該電源線103及び容量電極104は、画素電極23よりも下層側に形成されている。
次に、図1〜図7を参照し、有機EL装置の製造方法の第1実施形態について説明する。
まず、図4(a)に示すように、基板20上に回路部11を形成する。当該回路部11は、走査線101、信号線102、スイッチング用TFT112、駆動用TFT123、電源線103、及び保持容量113から構成されている(図3参照)。このような回路部11を形成するには、公知のフォトリソグラフィ法、エッチング法等が好適に用いられる。また、駆動用TFT123及びスイッチング用TFT112に用いられる半導体はドレイン領域、ソース領域、チャネル領域からなり、当該各領域を形成するには、イオンドーピング法等が好適に用いられる。
また、このような回路部11の形成過程においては、各層膜を積層する際に好適に層間絶縁膜を形成する。そして、回路部11の最上層の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、駆動用TFT123のドレイン電極を露出する。
そして、当該導電膜をパターニングすることにより、コンタクトホールを介して駆動用TFT123のドレイン電極と導通する画素電極23を形成する。
当該酸化シリコン層24は、画素電極23の一部を露出させる開口部24aを有している。当該開口部24aを形成することによって、画素電極23の露出部23aが形成される。このように露出部23aが形成されることによって、画素電極23からの正孔移動が可能となる。
当該樹脂絶縁層25は、酸化シリコン層24の所定位置を覆うように形成される。更に、図3に示すように走査線101、信号線102、及びスイッチング用TFT112に重なるように形成される。
具体的な樹脂絶縁層25の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術等を用いてパターニングすることにより樹脂絶縁層25を形成する。また、樹脂絶縁層25は、酸化シリコン層24の表面に形成されると共に、露出部23aから離れて形成される。これによって、後の工程で発光機能層22の液体材料が塗布されても、樹脂絶縁層25が液体材料に接触することがない。
また、本実施形態では、酸化シリコン層24上に樹脂絶縁層25を形成しているが、異なる2つの画素電極23の間に位置してブラックマトリクスを形成してもよい。この場合、金属クロムを用いてスパッタリング法によって形成される。
当該撥液膜26の形成方法は、まず、パーフロロアルキルトリメトキシシラン1%アルコール液をディッピングで塗布し、次に、アルコールでリンスすることで基板20上の全面に撥液膜26を形成する。これによって、単分子〜2分子層程度の膜厚からなる単分子膜が形成される。
また、本実施形態においては、シランカップリング剤を採用しているが、これに限定するものではない。他の材料としては、チタン系等の金属のアルキレートで撥液性の基、例えば、アルキル基、アリル基、或いはこれらに芳香族が置換しているものの弗化物が好適である。
当該正孔注入層70の形成方法としては、インクジェット法が好適に採用される。まず、図6に示すように、インクジェットヘッドHに正孔注入層70の材料を含む液体材料を充填し、インクジェットヘッドHの吐出ノズルを酸化シリコン層24の開口部24a内に位置する露出部23aに対向させ、インクジェットヘッドHと基板20とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された液体材料Lを露出部23aに吐出する。これによって、正孔注入層70の材料を含む液体材料70aを画素電極23の露出部23a上に選択的に配してこれを塗布する。
なお、この正孔注入層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
当該発光層60の形成方法としては、上記の正孔注入層70の形成と同様に、インクジェット法が好適に採用される。即ち、図7に示すように、インクジェット法により発光層60の材料を含む液体材料60aを正孔注入層70上に吐出する。ここで、撥液膜26の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部が撥液膜26の表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、また、液滴が這い上がることない。従って、撥液膜26において、弾かれた液滴が酸化シリコン層24の開口部24a内に引き込まれる。そして、液体材料60aは正孔注入層70上において凸状に配置される。
なお、発光層60を形成する工程においては、正孔注入層70の再溶解を防止するため、発光層60の材料を有する液体材料60aとして、正孔注入層70に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
当該電子注入層65を形成する工程においては、例えば蒸着法やスパッタ法等によってアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物等を成膜して電子注入層65を厚さ2nm程度に形成する。本実施形態ではLiFを成膜している。なお、LiFに代えてNaFを成膜して電子注入層65を形成するようにしてもよい。
当該陰極50を形成する工程においては、電子注入層65側に形成される第1陰極50aと、当該第1陰極50aの上部に形成される第2陰極50bを形成する。当該工程では、電子注入層65の形成と同様、蒸着法やスパッタ法等によって低仕事関数の金属、即ちCa、BaあるいはSrを成膜して、第1陰極50aを形成する。
更に、当該第1陰極50aの上に蒸着法やスパッタ法等を用いて、例えばAlを成膜して第2陰極50bを形成する。そして、これにより第1陰極50aと第2陰極50bとからなる陰極50を得る。
また、発光機能層22と樹脂絶縁層25が非接触の位置に配置されるので、液滴吐出法を用いて発光機能層22の液体材料を塗布形成した場合に、従来技術に示したような液体材料と樹脂絶縁層25との接触が生じることがない。更に、撥液膜26が形成されているので、当該撥液膜26によって被覆されている酸化シリコン層24、及び樹脂絶縁層25に液体材料が這い上がることがない。従って、撥液膜26の非形成部分のみに液体材料を納まらせて塗布形成できる。そして、当該撥液膜26の非形成部分における液体材料中の溶媒が乾燥することで発光機能層22が形成されるので、撥液膜26への這い上がりや、樹脂絶縁層25との接触が生じることなく、発光機能層22を形成することができる。更に、このような発光機能層22の膜厚プロファイル(断面形状)の均一化を達成できる。
次に、図8を参照し、有機EL装置の製造方法の第2実施形態について説明する。
ここでは、上記の第1実施形態と異なる部分のみについて説明する。第1実施形態は、マスクM越しに紫外線Lを撥液膜26に照射したが、本実施形態はマスクMを用いずに撥液膜26に紫外線Lを照射している。なお、本実施形態において、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、有機EL装置の製造方法の第3実施形態について説明する。
ここでは、上記の第1実施形態と異なる部分のみについて説明する。第1実施形態は、湿式成膜法によってカップリング剤を成膜して撥液膜26を形成したが、本実施形態においては樹脂材料を成膜して撥液膜26を形成する場合について説明する。なお、本実施形態において、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
ここで、撥液膜26の材料として非感光性樹脂材料を採用すれば、フォトリソグラフィ技術で用いるマスクパターンに応じて撥液膜26を形成することが可能となる。また、感光性樹脂材料を採用すれば、フォトリソグラフィ技術で用いるフォトレジストの塗布工程やエッチング工程が不要になり、現像によって撥液膜26を形成することが可能となる。
また、撥液膜26を形成した後に、親液処理及び撥液処理を施す工程を有するので、樹脂膜を撥液化できると共に、画素電極23を親液化することができる。これによって、樹脂膜上には液体材料が塗布されずに、画素電極23上のみに液体材料を濡れ広がらせることができる。
図9において、横軸は発光層60のX方向の位置を示し、縦軸は輝度を示している。また、図9におけるxa、xbは図7における発光層60の位置に相当している。
図9に示すように、発光層60の輝度分布は、xa〜xbの間において略均一となっている。特に従来技術に示した輝度分布よりも明らかに均一な輝度分布となった。
次に、上記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図10(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図10(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図10(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理本体、符号602は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図10(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図10(c)において、符号700は時計本体を示し、符号701は有機EL装置を備えたEL表示部を示している。
図10(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
11…回路部(スイッチング素子)
20…基板
22…発光機能層
23…画素電極(電極)
24…酸化シリコン層(第1絶縁層)
24a…開口部
24b…上部
25…樹脂絶縁層(第2絶縁層)
25a…側部
26…撥液膜(撥液性薄膜)
101…走査線
102…信号線
103…電源線(駆動素子)
112…スイッチング用TFT(スイッチング素子)
113…保持容量(駆動素子)
123…駆動用TFT(駆動素子)
L…紫外線
M…マスク
Ma…光透過部
Mb…光遮蔽部
Claims (15)
- 基板上に形成された走査線及び信号線と、当該走査線及び当該信号線の交差部の近傍に形成されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子の動作に応じて発光する発光機能層と、当該発光機能層の相互間に形成された第1及び第2絶縁層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第2絶縁層は、前記発光機能層と非接触の位置に形成されていると共に、少なくとも前記走査線、前記信号線、及び前記スイッチング素子に対応した位置に形成されており、
前記第1及び第2絶縁層には、当該第1及び第2絶縁層を被覆する撥液性薄膜が形成されていること、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記スイッチング素子の動作に応じて、前記発光機能層を発光駆動させる駆動素子を更に備え、
当該駆動素子に対応した位置に前記第2絶縁層が形成されていること、
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記撥液性薄膜は、単分子膜であること、
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記単分子膜は、カップリング剤からなること、
を特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記撥液性薄膜は、樹脂膜であること、
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記樹脂膜の表面は、撥液処理が施されていること、
を特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記撥液性薄膜は、前記発光機能層の膜厚よりも1.5倍以下の膜厚であること、
を特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記撥液性薄膜は、前記第2絶縁層の側部と前記第1絶縁層の上部を連続的に被覆していること、
を特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第1絶縁層は、電極を露出する開口部を有しており、当該開口部において前記電極と前記発光機能層が接触配置されていること、
を特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 基板上に形成された走査線及び信号線と、当該走査線及び当該信号線の交差部の近傍に形成されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子の動作に応じて発光する発光機能層と、当該発光機能層の相互間に形成された第1及び第2絶縁層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記発光機能層と非接触の位置に、かつ、少なくとも前記走査線、前記信号線、及び前記スイッチング素子に対応した位置に、前記第2絶縁層を形成する工程と、
前記第1及び第2絶縁層を被覆する撥液性薄膜を形成する工程と、を有すること、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記撥液性薄膜を形成する工程は、
単分子膜材料を含む液体材料を塗布して前記基板の全面に単分子膜を形成する工程と、
当該単分子膜の一部を除去して電極を露出する工程と、を有すること、
を特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記単分子膜の一部を除去して電極を露出する工程は、光遮蔽部と光透過部を有するマスクを介して前記単分子膜に紫外線を照射すること、
を特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記単分子膜の一部を除去して電極を露出する工程は、光遮蔽部と光透過部を有する前記基板を介して前記単分子膜に紫外線を照射すること、
を特徴とする請求項10又は請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記撥液性薄膜を形成する工程は、
樹脂材料を含む液体材料を塗布して前記基板の全面に樹脂膜を形成する工程と、
当該樹脂膜の一部を除去して電極を露出する工程と、
親液処理及び撥液処理を施す工程と、を有すること、
を特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えること、
を特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004352326A JP2005268202A (ja) | 2004-02-16 | 2004-12-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
TW094102169A TWI261479B (en) | 2004-02-16 | 2005-01-25 | Organic electroluminescence apparatus, its manufacturing method and electronic apparatus |
US11/046,945 US7535169B2 (en) | 2004-02-16 | 2005-02-01 | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic appliance |
CN2005100070772A CN1658714A (zh) | 2004-02-16 | 2005-02-07 | 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 |
KR1020050011931A KR100702022B1 (ko) | 2004-02-16 | 2005-02-14 | 유기 일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004038476 | 2004-02-16 | ||
JP2004352326A JP2005268202A (ja) | 2004-02-16 | 2004-12-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268202A true JP2005268202A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=34840206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004352326A Pending JP2005268202A (ja) | 2004-02-16 | 2004-12-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7535169B2 (ja) |
JP (1) | JP2005268202A (ja) |
KR (1) | KR100702022B1 (ja) |
CN (1) | CN1658714A (ja) |
TW (1) | TWI261479B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160108A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子素子、及びその製造方法 |
JP2009205945A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2011501361A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造 |
US8772774B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-07-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4640085B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-02 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル |
JP4333728B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2009-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法および電子機器 |
JP4952318B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US8378983B2 (en) * | 2007-08-30 | 2013-02-19 | Kyocera Corporation | Touch panel and touch panel type display apparatus |
JP5417732B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-02-19 | 住友化学株式会社 | 親液撥液パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
KR20110099296A (ko) * | 2008-12-05 | 2011-09-07 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 용액 처리된 전자 소자용 백플레인 구조물 |
US8823154B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-09-02 | The Regents Of The University Of California | Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films |
JP2011216250A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el素子用基板の製造方法 |
DE102010021322A1 (de) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | Universität Paderborn | Schichtaufbau einer leuchtenden Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung und zum Betreiben einer leuchtenden Vorrichtung sowie entsprechend hergestellte leuchtende Vorrichtung |
KR102205700B1 (ko) | 2014-07-16 | 2021-01-21 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102465503B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20230276685A9 (en) * | 2016-08-26 | 2023-08-31 | Najing Technology Corporation Limited | Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device |
WO2019204078A1 (en) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | 3M Innovative Properties Company | Organic light emitting diode display with color-correction component and method of making same |
KR20210154178A (ko) | 2019-04-18 | 2021-12-20 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 색보정 구성요소를 갖는 유기 발광 다이오드 디스플레이 |
CN114391188A (zh) | 2019-09-18 | 2022-04-22 | 3M创新有限公司 | 包括纳米结构化表面和封闭空隙的制品及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5079600A (en) * | 1987-03-06 | 1992-01-07 | Schnur Joel M | High resolution patterning on solid substrates |
JP3672125B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2005-07-13 | ソニー株式会社 | 光学的素子の製造方法 |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
CN100550472C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-10-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
JP3743630B2 (ja) | 1998-03-17 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜発光素子の製造方法 |
JP2002237383A (ja) | 2000-03-31 | 2002-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機el素子の製造方法、有機el素子 |
JP3646784B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜パタ−ンの製造方法および微細構造体 |
KR100834344B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
US6810919B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus |
TWI223569B (en) * | 2002-03-20 | 2004-11-01 | Sanyo Electric Co | Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel |
JP2004006700A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP4019791B2 (ja) | 2002-05-29 | 2007-12-12 | カシオ計算機株式会社 | 成膜装置 |
JP2004030989A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-12-06 JP JP2004352326A patent/JP2005268202A/ja active Pending
-
2005
- 2005-01-25 TW TW094102169A patent/TWI261479B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-01 US US11/046,945 patent/US7535169B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-07 CN CN2005100070772A patent/CN1658714A/zh active Pending
- 2005-02-14 KR KR1020050011931A patent/KR100702022B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160108A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子素子、及びその製造方法 |
US7993960B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-08-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
US8598572B2 (en) | 2006-12-13 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device with an insulating layer including a groove and a protrusion, and method of manufacturing the same |
JP2011501361A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造 |
US8772774B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-07-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate |
JP2009205945A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100702022B1 (ko) | 2007-03-30 |
CN1658714A (zh) | 2005-08-24 |
TW200529700A (en) | 2005-09-01 |
TWI261479B (en) | 2006-09-01 |
US7535169B2 (en) | 2009-05-19 |
US20050179373A1 (en) | 2005-08-18 |
KR20060041919A (ko) | 2006-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100702022B1 (ko) | 유기 일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
US7737629B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
KR100638160B1 (ko) | 전기 광학 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자기기 | |
US7355342B2 (en) | Organic EL device and electronic apparatus capable of preventing a short circuit | |
KR20150003009A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
KR20140064328A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2006332019A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2007207962A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
JP2006310106A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2003332070A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器 | |
JP2006310289A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2011134546A (ja) | 発光装置及びこれを用いた電子機器、ならびに発光装置の製造方法 | |
JP2005310713A (ja) | 有機el装置とその製造方法及び電子機器 | |
JP2006235492A (ja) | 有機el装置及びその駆動方法並びに電子機器 | |
JP2006222195A (ja) | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 | |
JP4345267B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2004303644A (ja) | 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP4411828B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005011572A (ja) | 有機el装置とその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2006253053A (ja) | 配線基板の洗浄方法、発光装置の製造方法 | |
JP2005085487A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP4470385B2 (ja) | 電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005063870A (ja) | 有機el装置とその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2004303671A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP2007073284A (ja) | 発光装置の製造方法、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |