JP3970846B2 - 強誘電体メモリにおける読み取り信号の増強 - Google Patents
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Description
本発明は、強誘電体メモリ集積回路(IC)に関するものであり、特に、強誘電体メモリICにおける読み取り信号の増強に関するものである。
[発明の背景]
強誘電体半導体メモリに用いるために、チタンジルコン酸鉛(PZT)のような強誘電性金属酸化物セラミック材料(Ferroelectric metal oxide ceramic materials)に対して研究がなされてきた。また、強誘電体半導体メモリには、タンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)のような他の強誘電体材料も用いることができる。図1に、トランジスタ130と強誘電体キャパシタ140とを有する従来の強誘電体メモリセル105を示す。このキャパシタは、第1電極141と第2電極142との間に挟まれた強誘電性金属セラミック層を備えている。これらの電極は、通常、プラチナのような貴金属によって形成されている。電極142はプレート線170に接続され、電極141はトランジスタに接続されている。このトランジスタは、キャパシタをビット線160と接続したり切り離したりすることを、当該トランジスタのゲートに接続されたワード線150の状態(活性か、非活性か)に応じて選択的に行っている。そして、プレート線、ビット線、および、ワード線によって複数のセルが相互に接続されることにより、アレイが形成される。
[発明の概要]
本発明は、強誘電体メモリセルアレイを有するICの高い読み取り信号と低い読み取り信号との差を大きくすることによって感知期を改善すること、に関するものである。一実施形態として、強誘電体メモリセルを折り返しビット線構成に配置している。
[図面の簡単な説明]
図1は、従来の強誘電体メモリセルを示す図である。図2および図3は、本発明の様々な実施形態にかかる、強誘電体メモリブロックの列を示す図である。図4および図5は、それぞれ本発明の一実施形態にかかる、読み取りアクセスおよび書き込みアクセスのタイミングを示す図である。
[発明の詳細な説明]
本発明は、概して、強誘電体メモリICの読み取り信号の増強に関するものである。この読み取り信号を増強することにより、論理1信号レベルと論理0信号レベルとの間の差が大きくなる。これにより、センスアンプの感知期を長くし、有利にすることができる。
Claims (23)
- ビット線およびワード線によって相互に接続された強誘電体メモリセルのアレイと、
上記ビット線に接続された検知回路と、
上記検知回路に接続された電圧源とを備え、
上記電圧源が負電圧を印加するものであり、
上記検知回路が、メモリアクセスに備えて、上記負電圧と等しい予備充電電圧レベルに上記ビット線を予備充電することを特徴とする集積回路(IC)。 - 上記強誘電体メモリセルのアレイが折り返しビット線構成に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のIC。
- 上記強誘電体メモリセルのアレイが直列構成に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のIC。
- 選択されたメモリセルにより、当該選択されたメモリセルのキャパシタの極性に応じて、当該選択されたメモリセルの接続されているビット線に低い読み取り電圧VLOまたは高い読み取り電圧VHI を生じることを特徴とする、請求項1に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項4に記載のIC。
- 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項4に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項6に記載のIC。
- 選択されたメモリセルにより、当該選択されたメモリセルのキャパシタの極性に応じて、当該選択されたメモリセルが接続されているビット線に低い読み取り電圧VLOまたは高い読み取り電圧VHI を生じることを特徴とする請求項2に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項8に記載のIC。
- 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項8に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項10に記載のIC。
- 選択されたメモリセルにより、当該選択されたメモリセルのキャパシタの極性に応じて、当該選択されたメモリセルが接続されているビット線に低い読み取り電圧VLOまたは高い読み取り電圧VHI を生じることを特徴とする請求項3に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項12に記載のIC。
- 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項12に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項14に記載のIC。
- ビット線およびワード線によって相互に接続された強誘電体メモリセルのアレイと、
上記ビット線に接続された検知回路と、
上記検知回路に接続された電圧源とを備え、
上記電圧源が負電圧を印加するものであり、
上記検知回路が、メモリアクセスに備えて、負電圧と等しい予備充電電圧レベルにビット線を予備充電し、
選択されたメモリセルによって、当該選択されたメモリセルのキャパシタに格納された情報に応じて、当該選択されたメモリセルが接続されているビット線に低い読み取り電圧VLOまたは高い読み取り電圧VHI を生じることを特徴とする集積回路(IC)。 - 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項16に記載のIC。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項16に記載のIC。
- 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項18に記載のIC。
- ワード線と、それぞれがセンスアンプ回路に接続されたビット線の対をなしている当該ビット線とによって、相互に接続された強誘電体メモリセルのアレイを供給するステップと、
メモリアクセスに備えて、負電圧である予備充電電圧レベルに上記ビット線を予備充電するステップと、
上記複数のビット線の対のうちの1つから、選択されたメモリセルにアクセスするステップとを備え、
上記選択されたメモリセルにより、当該選択されたメモリセルに格納された情報に応じて、当該選択されたメモリセルが接続されているビット線に低い読み取り電圧VLOまたは高い読み取り電圧VHI を生じることを特徴とする集積回路(IC)の作動方法。 - 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 上記負電圧により、VLOが約0Vと等しくなることを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 上記負電圧が約−0.5V〜−1.0Vと等しいことを特徴とする請求項22に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/103,278 US6972983B2 (en) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Increasing the read signal in ferroelectric memories |
PCT/EP2003/002948 WO2003081597A1 (en) | 2002-03-21 | 2003-03-20 | Increasing the read signal in ferroelectric memories |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005520275A JP2005520275A (ja) | 2005-07-07 |
JP3970846B2 true JP3970846B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=28452365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003579227A Expired - Fee Related JP3970846B2 (ja) | 2002-03-21 | 2003-03-20 | 強誘電体メモリにおける読み取り信号の増強 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6972983B2 (ja) |
EP (1) | EP1485920B1 (ja) |
JP (1) | JP3970846B2 (ja) |
KR (1) | KR100631102B1 (ja) |
CN (1) | CN1643611A (ja) |
DE (1) | DE60305668T2 (ja) |
TW (1) | TWI255460B (ja) |
WO (1) | WO2003081597A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3800179B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体記憶装置及び表示用駆動ic |
US7196924B2 (en) | 2004-04-06 | 2007-03-27 | Macronix International Co., Ltd. | Method of multi-level cell FeRAM |
US7425659B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-09-16 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Alkylaromatics production |
KR100800378B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
US8541843B2 (en) * | 2008-08-14 | 2013-09-24 | Nantero Inc. | Nonvolatile nanotube programmable logic devices and a nonvolatile nanotube field programmable gate array using same |
US10373665B2 (en) | 2016-03-10 | 2019-08-06 | Micron Technology, Inc. | Parallel access techniques within memory sections through section independence |
US9941021B2 (en) | 2016-06-16 | 2018-04-10 | Micron Technology, Inc. | Plate defect mitigation techniques |
US10403389B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-09-03 | Micron Technology, Inc. | Array plate short repair |
US10109350B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-10-23 | AP Memory Corp., USA | Ferroelectric memory device |
US10586583B2 (en) * | 2018-03-08 | 2020-03-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Ferroelectric random access memory sensing scheme |
US10622050B2 (en) | 2018-05-09 | 2020-04-14 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric memory plate power reduction |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5691935A (en) * | 1995-07-13 | 1997-11-25 | Douglass; Barry G. | Memory element and method of operation thereof |
JPH09185890A (ja) | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | 強誘電体記憶装置 |
JP3766181B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2006-04-12 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置とそれを搭載したシステム |
JP3862333B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2006-12-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
KR100297874B1 (ko) * | 1997-09-08 | 2001-10-24 | 윤종용 | 강유전체랜덤액세스메모리장치 |
KR100275107B1 (ko) | 1997-12-30 | 2000-12-15 | 김영환 | 강유전체메모리장치및그구동방법 |
US6363002B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric memory with bipolar drive pulses |
JP4326049B2 (ja) | 1998-10-27 | 2009-09-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 書き込みを高速化したメモリデバイス |
JP2001319471A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fujitsu Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2001319472A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP4049519B2 (ja) | 2000-07-17 | 2008-02-20 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体記憶装置 |
JP3913451B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4040243B2 (ja) | 2000-09-08 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
-
2002
- 2002-03-21 US US10/103,278 patent/US6972983B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-17 TW TW092105840A patent/TWI255460B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-20 WO PCT/EP2003/002948 patent/WO2003081597A1/en active IP Right Grant
- 2003-03-20 DE DE60305668T patent/DE60305668T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-20 KR KR1020047014340A patent/KR100631102B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-20 JP JP2003579227A patent/JP3970846B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-20 EP EP03714866A patent/EP1485920B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-20 CN CNA038065568A patent/CN1643611A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI255460B (en) | 2006-05-21 |
TW200304652A (en) | 2003-10-01 |
EP1485920B1 (en) | 2006-05-31 |
US6972983B2 (en) | 2005-12-06 |
KR100631102B1 (ko) | 2006-10-02 |
JP2005520275A (ja) | 2005-07-07 |
DE60305668D1 (de) | 2006-07-06 |
CN1643611A (zh) | 2005-07-20 |
EP1485920A1 (en) | 2004-12-15 |
US20040076031A1 (en) | 2004-04-22 |
KR20040093134A (ko) | 2004-11-04 |
DE60305668T2 (de) | 2007-05-16 |
WO2003081597A1 (en) | 2003-10-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070403 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |