JP3967709B2 - 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前述したような工程で従来の方法による液晶表示装置用アレイ基板を製作できる(例えば、特許文献1参照)。
−−実施例−−
本発明の特徴は、3マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作するものである。
このようにすれば、図7Eと図8Eと図9Eに示したように、相互に所定間隔離隔されたソース電極136とドレイン電極138が形成されて、オーミックコンタクト層128が完成される。金属パターン134はストレージキャパシターの1電極役割をするので、ストレージ電極と称する。
前述したような工程で本発明による液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
Claims (27)
- 基板上に構成されて、一端にゲートパッドを含むゲート配線と;
前記ゲート配線とは絶縁膜を挟んで垂直に交差して画素領域を定義して、一端にデータパッドを含むデータ配線と;
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に構成されて、アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン電極を含む薄膜トランジスタと;
前記薄膜トランジスタが形成された基板の全面に構成されて、前記ドレイン電極の一部と前記ゲートパッドと、データパッドと、画素領域に対応する基板を露出する保護膜と;
前記露出したドレイン電極と接触しながら画素領域に構成された透明な画素電極と、前記露出したゲートパッドと接触する透明なゲートパッド端子と、前記露出したデータパッドと接触する透明なデータパッド端子と;
前記保護膜上部に前記画素電極と同一な物質で構成された導電パターンと
を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記保護膜は、逆テーパー付けられた側面を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記保護膜は、円弧形態の表面を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記保護膜は、パターニングされており、前記画素電極とゲートパッド端子及びデータパッド端子は、前記保護膜のパターン間に配置することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記画素領域内に位置する基板と接触することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記データ配線とデータパッドの下部には、非晶質シリコン層と不純物が含まれた非晶質シリコン層が積層されて構成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記データ配線とデータパッド下部の非晶質シリコン層は、縁が露出して構成されたことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ゲート配線の一部上部にアイランド状の金属パターンがさらに構成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記保護膜は、前記アイランド状の金属パターンの一部を露出するように構成されたことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記露出した金属パターンと接触し、前記金属パターンは前記ゲート配線と共にストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記アクティブ層は、前記ソース及びドレイン電極と同一な形態を有し、前記ソース及びドレイン電極間に対応する部分をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記薄膜トランジスタ、ゲート配線及びデータ配線と前記保護膜間に配置して、前記保護膜とは同一な形状を有する無機絶縁パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上に、一端にゲートパッドを含むゲート配線と、ゲート配線から延びたゲート電極を形成する第1マスク工程と;
前記ゲート配線とは絶縁膜を挟んで垂直に交差して画素領域を定義して、一端にデータパッドを含むデータ配線と、データ配線から延びたソース電極とこれとは所定間隔離隔されたドレイン電極と、ソース及びドレイン電極の下部にアクティブ層を形成する第2マスク工程と;
前記ソース及びドレイン電極とデータ配線が形成された基板の全面に保護膜を形成してパターニングし、ドレイン電極の一部と画素領域と、ゲートパッドとデータパッドを露出する第3マスク工程;
前記保護膜の側面が逆テーパー付けられるように焼成する工程;及び
前記パターニングされた保護膜の全面に画素電極と同一な物質で構成された透明な導電性金属を蒸着して、前記露出したドレイン電極と接触しながら画素領域に形成された画素電極と、前記露出したゲートパッドと接触するゲートパッド端子と、前記露出したデータパッドと接触するデータパッド端子を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2マスク工程は、前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上部に純粋非晶質シリコン層と、不純物非晶質シリコン層と、金属層を逐次形成する段階と;前記金属層上部に第1厚さと前記第1厚さより薄い第2厚さを有するフォトレジストパターンを形成する段階と;前記フォトレジストパターンによって前記金属層と前記不純物非晶質シリコン層及び純粋非晶質シリコン層を選択的にエッチングする段階と;前記第2厚さを有するフォトレジストパターンを除去する段階と;前記第2厚さを有するフォトレジストパターンを除去して露出した前記金属層と不純物非晶質シリコン層を選択的にエッチングする段階と;そして残っている前記フォトレジストパターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜は、円弧形態の表面を有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記データ配線とデータパッドの下部には純粋非晶質シリコン層と不純物が含まれた非晶質シリコン層が積層されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記データ配線とデータパッド下部の純粋非晶質シリコン層は、縁が露出していることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、前記ゲート配線の一部上部にアイランド状の金属パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜は、前記アイランド状の金属パターンの一部を露出するように形成されたことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記露出した金属パターンと接触して、前記金属パターンは前記ゲート配線及びゲート絶縁膜と共にストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項19に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、遮断部と半透過部及び透過部を含むマスクを利用することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記半透過部は、スリットを含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンは、光に露出した部分が現像後除去されるポジティブ型であることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記アクティブ層は、前記ソース及びドレイン電極と同一な形態を有し、前記ソース及びドレイン電極間に対応する部分をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記データ配線とソース及びドレイン電極を含む基板全面に無機絶縁膜を形成する段階をさらに含み、前記無機絶縁膜は、前記保護膜をエッチング防止膜にしてパターニングされて前記保護膜と同一な形態を有することを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極とゲートパッド端子及びデータパッド端子を形成する段階の次に前記保護膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜は、リフトオフ方法により除去されることを特徴とする請求項26に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20020069578 | 2002-11-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004163933A JP2004163933A (ja) | 2004-06-10 |
JP3967709B2 true JP3967709B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=32291721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003370924A Expired - Fee Related JP3967709B2 (ja) | 2002-11-11 | 2003-10-30 | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3967709B2 (ja) |
KR (1) | KR100971955B1 (ja) |
DE (1) | DE10352404B4 (ja) |
TW (1) | TWI293139B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100685933B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR101027943B1 (ko) * | 2004-05-18 | 2011-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 제조방법 |
KR101026982B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2011-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 제조방법 |
KR101116816B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101041890B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법 |
KR101050300B1 (ko) | 2004-07-30 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101066303B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2011-09-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP4667846B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-04-13 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
KR20060069081A (ko) | 2004-12-17 | 2006-06-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
KR20070001647A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101131608B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-03-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
JP4863667B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-01-25 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP5198066B2 (ja) | 2005-10-05 | 2013-05-15 | 出光興産株式会社 | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
KR100978260B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2010-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100966453B1 (ko) | 2005-12-30 | 2010-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 제조방법 |
KR101282893B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
KR101238233B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터와 그 제조방법 |
US8031312B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-10-04 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
TWI408812B (zh) * | 2007-12-10 | 2013-09-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構的製作方法 |
TWI373097B (en) | 2008-07-09 | 2012-09-21 | Au Optronics Corp | Method for fabricating thin film transistor array substrate |
CN101685229B (zh) * | 2008-09-25 | 2012-02-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器阵列基板的制造方法 |
KR101801974B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2017-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및 이들의 제조방법 |
US9230994B2 (en) * | 2010-09-15 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62164025A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
KR100223153B1 (ko) * | 1996-05-23 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치 |
KR100276442B1 (ko) * | 1998-02-20 | 2000-12-15 | 구본준 | 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치 |
KR100372579B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2003-02-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR20020036023A (ko) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-09-19 KR KR1020030065240A patent/KR100971955B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-30 JP JP2003370924A patent/JP3967709B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-07 TW TW092131310A patent/TWI293139B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-10 DE DE10352404A patent/DE10352404B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100971955B1 (ko) | 2010-07-23 |
TWI293139B (en) | 2008-02-01 |
TW200424611A (en) | 2004-11-16 |
DE10352404A1 (de) | 2004-06-03 |
DE10352404B4 (de) | 2006-11-30 |
JP2004163933A (ja) | 2004-06-10 |
KR20040041491A (ko) | 2004-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
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