JP4667846B2 - 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、電気光学表示装置に搭載される、本実施の形態1に係る薄膜トランジスタアレイ基板の画素表示部の一部を示す平面図である。
本実施の形態に係る薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法は、実施の形態1に係る製造方法と、異なる。本実施の形態に係る製造方法では、4回のフォトリソグラフィープロセスを実施する。
Claims (6)
- (a)第一の半導体膜と不純物がドープされた第二の半導体膜とが当該順に積層された積層体を、薄膜トランジスタが形成される第一の領域とショートリング配線と所定の配線との分離構造が形成される第二の領域とを含む領域において、所定のパターンで絶縁基板上に形成する工程と、
(b)前記積層体を覆うように、導電性膜を形成する工程と、
(c)前記導電性膜上に所定のパターンのレジストを形成する工程と、
(d)前記第一の領域の前記積層体上に存する、前記レジストの所定の位置に、開口部を形成する工程と、
(e)前記第二の領域の前記積層体上に存する、前記レジストの所定の位置の膜厚を、他の部分より薄くすることにより、薄膜部を形成する工程と、
(f)前記工程(d)、(e)後に、前記レジストをマスクとして、前記導電性膜および第二の半導体膜を除去することにより、少なくとも前記第一の領域において、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
(g)前記薄膜部を開口させる工程と、
(h)前記工程(g)後に、前記レジストをマスクとして、前記第二の領域の前記積層体上の前記導電性膜を除去することにより、前記積層体上における前記ショートリング配線と前記所定の配線との前記分離構造を形成する工程とを、備えている、
ことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記レジストはポジ型であり、
前記工程(c)ないし(e)は、
前記薄膜部の位置に対応する部分の透過量が100%未満である、所定のパターンのハーフトーンマスクを用いることにより、同一工程にて、前記開口部および前記薄膜部を有する所定のパターンの前記レジストを形成する工程である、
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - (A)第一の半導体膜と、不純物がドープされた第二の半導体膜と、導電性膜とを、当該順に絶縁基板上に積層させる工程と、
(B)前記導電性膜上の、薄膜トランジスタが形成される第一の領域およびショートリング配線と所定の配線との分離構造が形成される第二の領域に、所定のパターンのレジストを形成する工程と、
(C)前記第一の領域に存する前記レジストの所定の箇所の膜厚を、薄くさせることにより第一の薄膜部を形成する工程と、
(D)前記第一の薄膜部よりも厚い膜厚となるように、前記第二の領域に存する前記レジストの所定の箇所の膜厚を薄くさせることにより、第二の薄膜部を形成する工程と、
(E)前記工程(C)、(D)の後に、前記レジストをマスクとして、前記導電性膜、前記第一の半導体膜および前記第二の半導体膜を除去する工程と、
(F)前記工程(E)の後に、前記第一の薄膜部を開口すると伴に、前記第二の薄膜部の膜厚をさらに薄くさせる工程と、
(G)前記工程(F)の後に、前記レジストをマスクとして、前記第一の領域の導電性膜と第二の半導体膜とを除去することにより、少なくとも前記第一の領域において、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
(H)前記工程(G)の後に、前記第二の薄膜部を開口する工程と、
(I)前記工程(H)の後に、前記レジストをマスクとして、前記第二の領域の前記導電性膜を除去することにより、前記第一の半導体膜と前記第二の半導体膜とから成る積層体上における前記ショートリング配線と前記所定の配線との前記分離構造を形成する工程とを、備えている、
ことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記レジストはポジ型であり、
前記工程(B)ないし(D)は、
前記第一の薄膜部の位置に対応する部分の透過量が100%未満である第一の透過量であり、前記第二の薄膜部の位置に対応する部分の透過量が前記第一の透過量より小さい
、所定のパターンのハーフトーンマスクを用いることにより、同一工程にて、前記第一の薄膜部および前記第二の薄膜部を有する所定のパターンの前記レジストを形成する工程である、
ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記工程(h)または(I)において、
前記導電性膜を除去することにより、前記第一の領域において、少なくともショートリング配線と複数のソース配線とを形成する、
ことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - (X)前記第二の半導体膜をシリサイド化させる工程を、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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